JPH0567550A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0567550A JPH0567550A JP21502991A JP21502991A JPH0567550A JP H0567550 A JPH0567550 A JP H0567550A JP 21502991 A JP21502991 A JP 21502991A JP 21502991 A JP21502991 A JP 21502991A JP H0567550 A JPH0567550 A JP H0567550A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- mask pattern
- forming method
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光リソグラフィで、大きなパターンに接続する
サブミクロン幅のパターンを接続部から一様な線幅で形
成する。 【構成】接続部から０.４〜０.７５λ／(ＮＡ・Ｋ）離
れたサブミクロン幅のパターンの両脇に、解像限界以下
の小さなパターン３（一辺の大きさが０.０５〜０.２５
λ／(ＮＡ・Ｋ))を配置したレチクル（マスク）を用い
る。ここでλは露光光の波長、ＮＡは使用レンズの開口
数、Ｋはレンズの縮小率である。 【効果】接続部での太りを防止しつつ、くびれの生じな
い一様な線幅のサブミクロンパターンを形成することが
できる。このため、この方法を用いて形成した電気素子
の歩留まりおよび電気特性が向上する。
サブミクロン幅のパターンを接続部から一様な線幅で形
成する。 【構成】接続部から０.４〜０.７５λ／(ＮＡ・Ｋ）離
れたサブミクロン幅のパターンの両脇に、解像限界以下
の小さなパターン３（一辺の大きさが０.０５〜０.２５
λ／(ＮＡ・Ｋ))を配置したレチクル（マスク）を用い
る。ここでλは露光光の波長、ＮＡは使用レンズの開口
数、Ｋはレンズの縮小率である。 【効果】接続部での太りを防止しつつ、くびれの生じな
い一様な線幅のサブミクロンパターンを形成することが
できる。このため、この方法を用いて形成した電気素子
の歩留まりおよび電気特性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子，ＵＬＳＩ，
表面弾性波素子，磁気バブル素子，超伝導素子の作成に
係り、特に、微細なパターンを形成する光リソグラフィ
法に関する。
表面弾性波素子，磁気バブル素子，超伝導素子の作成に
係り、特に、微細なパターンを形成する光リソグラフィ
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大きなパターンから細線パターンが枝分
かれするようなパターンを光リソグラフィにより形成す
る場合、細線パターンは接続部の根本からわずかに離れ
たところでくびれるという問題がある。ＵＬＳＩでは、
太い配線から細い配線を枝分けすることが多くあり、こ
のくびれが細い配線の断線を多発させ、良品がとれない
という問題になる。このため、特開平1−107530号や特
開平1−187925号公報に示されているように、細線と大
きなパターンの接続部にテーパをつけるなどして、この
接続部を太らせたレチクル（マスク）を用いる方法が提
案されている。
かれするようなパターンを光リソグラフィにより形成す
る場合、細線パターンは接続部の根本からわずかに離れ
たところでくびれるという問題がある。ＵＬＳＩでは、
太い配線から細い配線を枝分けすることが多くあり、こ
のくびれが細い配線の断線を多発させ、良品がとれない
という問題になる。このため、特開平1−107530号や特
開平1−187925号公報に示されているように、細線と大
きなパターンの接続部にテーパをつけるなどして、この
接続部を太らせたレチクル（マスク）を用いる方法が提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２（ａ）に示すよう
に接続部にテーパをつけるなどして、接続部を太らせた
レチクルを用いると、レジストパターンは図２（ｂ）の
２１に示すように、その接続部、すなわち、細線の根本
の部分が太るという問題がある。この根本の太りは以下
に示すような理由で問題となる。図３はこの太りが問題
となる素子の一例である。図中３１は拡散層を示し、３
２はゲート配線層、３３は拡散層と接続をとるためのコ
ンタクト層である。各層は別々のレチクルを用いて、順
次、形成される。素子の占有面積を小さくするにはゲー
ト配線層３２とコンタクト層３３間の余裕をなるべく小
さくする必要がある。従って、ゲート配線層の根本３４
が太るということは問題となる。また、この細線の線幅
が０.４μｍ以下(ＮＡ0.42，λ０.３６５μｍ の場合）
となると、図２（ｂ）の２２に示すように、このテーパ
をつけたところから少し離れた所がやはりくびれるとい
う問題が生じることが判明した。
に接続部にテーパをつけるなどして、接続部を太らせた
レチクルを用いると、レジストパターンは図２（ｂ）の
２１に示すように、その接続部、すなわち、細線の根本
の部分が太るという問題がある。この根本の太りは以下
に示すような理由で問題となる。図３はこの太りが問題
となる素子の一例である。図中３１は拡散層を示し、３
２はゲート配線層、３３は拡散層と接続をとるためのコ
ンタクト層である。各層は別々のレチクルを用いて、順
次、形成される。素子の占有面積を小さくするにはゲー
ト配線層３２とコンタクト層３３間の余裕をなるべく小
さくする必要がある。従って、ゲート配線層の根本３４
が太るということは問題となる。また、この細線の線幅
が０.４μｍ以下(ＮＡ0.42，λ０.３６５μｍ の場合）
となると、図２（ｂ）の２２に示すように、このテーパ
をつけたところから少し離れた所がやはりくびれるとい
う問題が生じることが判明した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】図１に示すように、レチ
クル上に、根本の部分から０.４〜０.７５λ／（ＮＡ・
Ｋ）離れた細線上の両脇に解像限界以下の小さなパター
ン（一辺の大きさが０.０５〜０.２５λ／(ＮＡ・Ｋ)の
パターン）が配置されたマスクパターンを用いる。ここ
でλは露光波長、ＮＡはレンズの開口数、Ｋはレンズの
縮小率である。従って、例えば縮小率１／５のレンズを
用いた場合は、ウエハ上に投影したときの大きさに比
べ、レチクル上では五倍した大きさになる。
クル上に、根本の部分から０.４〜０.７５λ／（ＮＡ・
Ｋ）離れた細線上の両脇に解像限界以下の小さなパター
ン（一辺の大きさが０.０５〜０.２５λ／(ＮＡ・Ｋ)の
パターン）が配置されたマスクパターンを用いる。ここ
でλは露光波長、ＮＡはレンズの開口数、Ｋはレンズの
縮小率である。従って、例えば縮小率１／５のレンズを
用いた場合は、ウエハ上に投影したときの大きさに比
べ、レチクル上では五倍した大きさになる。
【０００５】
【作用】付加した補助パターンはそれ単独では解像限界
以下の超微細パターンであるが、本体パターンに付加す
ることにより、本体パターンの光回折を微妙に変化させ
る。その結果、くぼみの部分の光強度補正が選択的に行
なわれ、根本の部分のパターンが広がらない状態で上記
問題を解決することができる。
以下の超微細パターンであるが、本体パターンに付加す
ることにより、本体パターンの光回折を微妙に変化させ
る。その結果、くぼみの部分の光強度補正が選択的に行
なわれ、根本の部分のパターンが広がらない状態で上記
問題を解決することができる。
【０００６】付加した補助パターンが根本の部分とつな
がらずに、一定の距離をおいて離れていることが重要で
ある。つながっていると根本の部分が異常に太くなり、
また本体パターンとの光干渉により、位置と程度は変わ
るものの、くびれが生じる。また付加した補助パターン
の大きさは、単体として解像限界以下でなければ一定の
線幅の細線を得ることはできない。
がらずに、一定の距離をおいて離れていることが重要で
ある。つながっていると根本の部分が異常に太くなり、
また本体パターンとの光干渉により、位置と程度は変わ
るものの、くびれが生じる。また付加した補助パターン
の大きさは、単体として解像限界以下でなければ一定の
線幅の細線を得ることはできない。
【０００７】
〈実施例１〉以下、本発明を図を用いながら説明する。
図１は本発明の第一の実施例に用いるレチクル上のパタ
ーンを示す。このパターンは大きな開口部（ガラス部）
１，その開口部から伸びている幅０.３５μｍ ，長さ３
μｍの細長い開口部２、そしてその開口部に接している
小さな開口部３からできている。この開口部の外側はク
ロム遮光膜で覆われている。小さな開口部３の大きさは
一辺（図１中の５）０.１μｍ の正方形パターンとし、
その接続部からの距離４は０.４μｍ とした。なお、こ
こで示した数値はウエハ上に投影したときの値である。
縮小率１／１０のレンズを用いて露光したので、レチク
ル上の実際の寸法はその十倍である。すなわち、距離４
は４μｍであり、一辺の長さ５は１μｍである。
図１は本発明の第一の実施例に用いるレチクル上のパタ
ーンを示す。このパターンは大きな開口部（ガラス部）
１，その開口部から伸びている幅０.３５μｍ ，長さ３
μｍの細長い開口部２、そしてその開口部に接している
小さな開口部３からできている。この開口部の外側はク
ロム遮光膜で覆われている。小さな開口部３の大きさは
一辺（図１中の５）０.１μｍ の正方形パターンとし、
その接続部からの距離４は０.４μｍ とした。なお、こ
こで示した数値はウエハ上に投影したときの値である。
縮小率１／１０のレンズを用いて露光したので、レチク
ル上の実際の寸法はその十倍である。すなわち、距離４
は４μｍであり、一辺の長さ５は１μｍである。
【０００８】次にレンズの開口数ＮＡが０.４２のｉ線
（波長０.３６５μｍ）レンズを用いてレチクルのパタ
ーンをネガレジストを塗布したウエハ上に焼付け、その
後、現像を行なった。そしてそのレジストパターンをＳ
ＥＭを用いて観察した。その結果、大きなパターンから
Ｔ字状に伸びた細長いパターンはくびれをほとんど生じ
ることがなく、直線性の良いものであった。大きな開口
部と細線との接続部（根本）からその細線の線幅を測定
した結果を図４の特性曲線４１に示す。参考として、特
性曲線４２に、小さな開口３を付加しない、単なるＴ字
型のマスクパターンを使った場合の測定結果を示す。ま
た特性曲線４３には根本の部分にテーパをつけたマスク
を用いて測定した結果を示す。これらの特性曲線が示す
ように、本実施例が最もくびれ細り、および、根本の太
りが少ない。根本から０.３μｍ 以上離れるとその線幅
のばらつきは０.０５μｍ 以内に入っており、根本から
0.1μｍのところにおける寸法太りは約０.２μｍに押さ
えられている。
（波長０.３６５μｍ）レンズを用いてレチクルのパタ
ーンをネガレジストを塗布したウエハ上に焼付け、その
後、現像を行なった。そしてそのレジストパターンをＳ
ＥＭを用いて観察した。その結果、大きなパターンから
Ｔ字状に伸びた細長いパターンはくびれをほとんど生じ
ることがなく、直線性の良いものであった。大きな開口
部と細線との接続部（根本）からその細線の線幅を測定
した結果を図４の特性曲線４１に示す。参考として、特
性曲線４２に、小さな開口３を付加しない、単なるＴ字
型のマスクパターンを使った場合の測定結果を示す。ま
た特性曲線４３には根本の部分にテーパをつけたマスク
を用いて測定した結果を示す。これらの特性曲線が示す
ように、本実施例が最もくびれ細り、および、根本の太
りが少ない。根本から０.３μｍ 以上離れるとその線幅
のばらつきは０.０５μｍ 以内に入っており、根本から
0.1μｍのところにおける寸法太りは約０.２μｍに押さ
えられている。
【０００９】〈実施例２〉実施例１と同様に、大きな開
口部１と細長い開口部２および小さな開口部３を持つパ
ターン（図１）をレチクル上に形成した。ここで小さな
開口部３の一辺の大きさ５および接続部からの距離４を
変え、また、露光装置のＮＡおよびλをいろいろ変えて
その細線の断線および接続部から０.２μｍ 離れた場所
での太り量を調べた。焦点裕度を考慮して、１μｍデフ
ォーカスさせて測定した。接続部から０.２μｍ離れた
場所での寸法太り量が０.２μｍ以下で、しかも、断線
率が０％の両条件を満たすためには、接続部からの距離
４が０.４〜０.７５λ／（ＮＡ・Ｋ）、一辺の大きさ５
が０.０５〜０.２５λ／(ＮＡ・Ｋ)を満たす必要があっ
た。さらに、接続部から０.３μｍ以上離れた場所での
寸法のばらつきを０.０５μｍ以下にするためには、接
続部からの距離４が０.４〜０.５λ／(ＮＡ・Ｋ)、一辺
の大きさ５が０.１〜０.１５λ／(ＮＡ・Ｋ)を満たす必
要があった。
口部１と細長い開口部２および小さな開口部３を持つパ
ターン（図１）をレチクル上に形成した。ここで小さな
開口部３の一辺の大きさ５および接続部からの距離４を
変え、また、露光装置のＮＡおよびλをいろいろ変えて
その細線の断線および接続部から０.２μｍ 離れた場所
での太り量を調べた。焦点裕度を考慮して、１μｍデフ
ォーカスさせて測定した。接続部から０.２μｍ離れた
場所での寸法太り量が０.２μｍ以下で、しかも、断線
率が０％の両条件を満たすためには、接続部からの距離
４が０.４〜０.７５λ／（ＮＡ・Ｋ）、一辺の大きさ５
が０.０５〜０.２５λ／(ＮＡ・Ｋ)を満たす必要があっ
た。さらに、接続部から０.３μｍ以上離れた場所での
寸法のばらつきを０.０５μｍ以下にするためには、接
続部からの距離４が０.４〜０.５λ／(ＮＡ・Ｋ)、一辺
の大きさ５が０.１〜０.１５λ／(ＮＡ・Ｋ)を満たす必
要があった。
【００１０】なお、本実施例で、付加した補助パターン
には正方形パターンを用いたがこれに限らず、長方形，
半円形、あるいは三角形パターンでも上記の位置と大き
さを満たせば良かった。この場合の大きさは、長辺ある
いは直径で代表される。また、細長い開口部２の幅を変
えて測定を行なったところ、０.４６λ／(ＮＡ・Ｋ）よ
り線幅が太い場合は補助パターンを用いなくても十分な
寸法精度が得られた。 〈実施例３〉ＬＳＩ作成においては、ブロードンやレッ
スンといった処理が多用される。これは、レチクル上の
パターンを作るとき一定量一様に太くしたり、細くした
りする処理のことをいう。小さな補助パターンを用いた
本方法にレッスン処理やブロードン処理を施すと、補助
パターンの大きさが相対的に大きく変化する。例えば、
一辺０.１μｍの大きさの補助パターンに対し、片側０.
０５μｍのレッスン処理を施すと、補助パターンが消失
してしまう。そこでブロードンやレッスン処理に対応す
るため以下に示す方法を試みた。
には正方形パターンを用いたがこれに限らず、長方形，
半円形、あるいは三角形パターンでも上記の位置と大き
さを満たせば良かった。この場合の大きさは、長辺ある
いは直径で代表される。また、細長い開口部２の幅を変
えて測定を行なったところ、０.４６λ／(ＮＡ・Ｋ）よ
り線幅が太い場合は補助パターンを用いなくても十分な
寸法精度が得られた。 〈実施例３〉ＬＳＩ作成においては、ブロードンやレッ
スンといった処理が多用される。これは、レチクル上の
パターンを作るとき一定量一様に太くしたり、細くした
りする処理のことをいう。小さな補助パターンを用いた
本方法にレッスン処理やブロードン処理を施すと、補助
パターンの大きさが相対的に大きく変化する。例えば、
一辺０.１μｍの大きさの補助パターンに対し、片側０.
０５μｍのレッスン処理を施すと、補助パターンが消失
してしまう。そこでブロードンやレッスン処理に対応す
るため以下に示す方法を試みた。
【００１１】第一に図５の５１に示すような本体パター
ンをレチクル作成の第一層目にレイアウトする。次に補
助パターン５２を第二層目にレイアウトする。レチクル
描画時には第一層と第二層の合成像５３を描画する。そ
してブロードンやレッスン処理は第一層目のみに行な
う。本実施例では片側０.０５μｍ のレッスン処理を行
なったが、一辺の大きさ０.１μｍ の補助パターンは消
失することもなく、その結果、寸法精度の良いパターン
を形成することができた。なお、ここでの寸法はウエハ
上に換算した場合の値である。また、本実施例ではレチ
クル描画時に第一層と第二層の合成像５３を描画した
が、第一層と第二層を合成したデータでレチクルを描画
しても良い。
ンをレチクル作成の第一層目にレイアウトする。次に補
助パターン５２を第二層目にレイアウトする。レチクル
描画時には第一層と第二層の合成像５３を描画する。そ
してブロードンやレッスン処理は第一層目のみに行な
う。本実施例では片側０.０５μｍ のレッスン処理を行
なったが、一辺の大きさ０.１μｍ の補助パターンは消
失することもなく、その結果、寸法精度の良いパターン
を形成することができた。なお、ここでの寸法はウエハ
上に換算した場合の値である。また、本実施例ではレチ
クル描画時に第一層と第二層の合成像５３を描画した
が、第一層と第二層を合成したデータでレチクルを描画
しても良い。
【００１２】〈実施例４〉本実施例は大規模半導体記憶
装置のメモリアレー部周辺の回路素子に本発明を応用し
たものである。集積規模の大きい大容量メモリでは製造
コストを下げ、しかも、小さなパッケージに納めるため
にチップの面積増大に制約があり、従って、構成素子を
小型にする必要がある。例えば、図６のような絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタＱを複数個使用したメモリマ
ット５４の周辺回路素子群について説明する。このよう
な素子群を小型化するために、図７に示すように、ゲー
ト電極５５の幅の異なる部分５６を活性領域５７に接近
して配置した。
装置のメモリアレー部周辺の回路素子に本発明を応用し
たものである。集積規模の大きい大容量メモリでは製造
コストを下げ、しかも、小さなパッケージに納めるため
にチップの面積増大に制約があり、従って、構成素子を
小型にする必要がある。例えば、図６のような絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタＱを複数個使用したメモリマ
ット５４の周辺回路素子群について説明する。このよう
な素子群を小型化するために、図７に示すように、ゲー
ト電極５５の幅の異なる部分５６を活性領域５７に接近
して配置した。
【００１３】本発明によれば、活性領域５７上のゲート
電極５５にくびれる部分がなくなるため、このような配
置方法でも図８に示すようにトランジスタ静特性の劣化
が防止できる。従って、ゲート電極５５の幅、即ち、チ
ャネル長を精密に制御することができ、メモリ周辺回路
を高速に動作させることができた。
電極５５にくびれる部分がなくなるため、このような配
置方法でも図８に示すようにトランジスタ静特性の劣化
が防止できる。従って、ゲート電極５５の幅、即ち、チ
ャネル長を精密に制御することができ、メモリ周辺回路
を高速に動作させることができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、大きなパターンから細線
が枝分かれするパターンにおいて、根本部でのパターン
太りを防止しつつ、一様な線幅の細線を形成することが
でき、細線のくびれや断線を防止することができる。こ
のため、この方法を用いて作成した素子の歩留まりが向
上する。細線がゲートの場合、短チャネル効果の小さ
な、良好な電気特性のトランジスタを形成でき、また、
その素子間の電気特性のばらつきも小さくなる。
が枝分かれするパターンにおいて、根本部でのパターン
太りを防止しつつ、一様な線幅の細線を形成することが
でき、細線のくびれや断線を防止することができる。こ
のため、この方法を用いて作成した素子の歩留まりが向
上する。細線がゲートの場合、短チャネル効果の小さ
な、良好な電気特性のトランジスタを形成でき、また、
その素子間の電気特性のばらつきも小さくなる。
【図１】本発明の一実施例を示すパターン図。
【図２】従来法とその問題点を示す説明図。
【図３】従来法の課題を示す説明図。
【図４】本発明の効果を示す特性図。
【図５】本発明の一実施例を示す説明図。
【図６】本発明の一実施例の回路図。
【図７】本発明の一実施例の平面図。
【図８】本発明の一実施例の効果を示す特性図。
１…大きな開口部、２…細長い開口部、３…補助パター
ン、４…補助パターンのパターン接続部からの距離、５
…補助パターンの一辺の大きさ。
ン、４…補助パターンのパターン接続部からの距離、５
…補助パターンの一辺の大きさ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｌ
Claims (11)
- 【請求項１】レンズの開口数がＮＡ，露光波長がλ，縮
小率がＫである露光装置と、マスクと、レジストが被着
されている基板とを含み、第一のパターンと、前記第一
のパターンより幅の広い第二のパターンとが接続される
レジストパターンを前記基板上に形成するパターン形成
方法において、前記第一のパターンに対応する第一のマ
スクパターンと、前記第二のパターンに対応する第二の
マスクパターンとの接続部から０.４〜０.７５λ／(Ｎ
Ａ・Ｋ)の範囲内離れた前記第一のマスクパターン上の
両脇に、前記レンズの解像限界以下の第三のパターンを
配置したマスクを用いることを特徴とするパターン形成
方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記第一のマスクパタ
ーンおよび前記第二のマスクパターンが開口パターンで
あるパターン形成方法。 - 【請求項３】請求項１において、前記第一のマスクパタ
ーン上の両脇に配置されたパターンの一辺の大きさが、
０.０５〜０.２５λ／(ＮＡ・Ｋ)の範囲にあるパターン
形成方法。 - 【請求項４】請求項１において、前記第一のマスクパタ
ーンの線幅が０.４６λ／(ＮＡ・Ｋ)以下であるパターン
形成方法。 - 【請求項５】レンズの開口数がＮＡ，露光波長がλ，縮
小率がＫである露光装置と、マスクと、レジストが被着
されている基板とを含み、第一のパターンと、前記第一
のパターンより幅の広い第二のパターンとが接続される
レジストパターンを基板上に形成するパターン形成方法
において、前記第一のパターンに対応する第一のマスク
パターンと、前記第二のパターンに対応する第二のマス
クパターンとの接続部から０.４〜０.５λ／(ＮＡ・Ｋ)
の範囲内離れた前記第一のマスクパターン上の両脇に、
一辺が０.１〜０.１５λ／(ＮＡ・Ｋ)の大きさの第三の
パターンを配置したマスクを用いることを特徴とするパ
ターン形成方法。 - 【請求項６】請求項５において、前記第一のマスクパタ
ーンの線幅が０.４６λ／(ＮＡ・Ｋ)以下であるパターン
形成方法。 - 【請求項７】請求項１において、前記第一のマスクパタ
ーンと前記第二のマスクパターンを第一の層にレイアウ
トし、前記接続部から０.４〜０.７５λ／(ＮＡ・Ｋ)の
範囲内離れた前記第一のマスクパターン上の両脇に配置
された前記解像限界以下の補助パターンを第二の層にレ
イアウトし、前記第一の層のパターンのみ所望の値ブロ
ードンあるいはレッスン処理を施し、その後、前記第一
の層と前記第二の層を合成してマスクパターン描画を行
なうことにより、前記マスクパターンを形成する工程を
含むパターン形成方法。 - 【請求項８】レンズの開口数がＮＡ，露光波長がλ，縮
小率がＫである露光装置用のマスクであって、かつ第一
のパターンと、前記第一のパターンより幅の広い第二の
パターンとが接続されるレジストパターンを得るための
マスクにおいて、前記第一のパターンに対応する第一の
マスクパターンと、前記第二のパターンに対応する第二
のマスクパターンとの接続部から０.４〜０.７５λ／
(ＮＡ・Ｋ)の範囲内離れた前記第一のマスクパターン上
の両脇に、前記レンズの解像限界以下の第三のパターン
を配置したことを特徴とするマスク。 - 【請求項９】請求項８において、前記第一のマスクパタ
ーンおよび前記第二のマスクパターンが開口パターンで
あるマスク。 - 【請求項１０】請求項８において、前記第一のマスクパ
ターンの線幅が０.４６λ／(ＮＡ・Ｋ)以下であるマス
ク。 - 【請求項１１】請求項８において、前記第三のマスクパ
ターンもしくは補助パターンの形成において、所望のパ
ターンが得られるようなアルゴリズムに基づいてコンピ
ュータが自動的に発生するマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21502991A JP3087364B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21502991A JP3087364B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567550A true JPH0567550A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3087364B2 JP3087364B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=16665570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21502991A Expired - Lifetime JP3087364B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3087364B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151427A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-13 | Ricoh Co Ltd | 摩擦分離給紙制御方法 |
| FR2750797A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1998-01-09 | Lgelectronics | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide |
| US6977133B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Photomask and pattern forming method |
| JP2011514655A (ja) * | 2008-01-16 | 2011-05-06 | ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド | リソグラフィ作業のためのスペーサ二重パターン形成 |
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1991
- 1991-08-27 JP JP21502991A patent/JP3087364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151427A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-13 | Ricoh Co Ltd | 摩擦分離給紙制御方法 |
| FR2750797A1 (fr) * | 1996-06-12 | 1998-01-09 | Lgelectronics | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur notamment d'un dispositif d'affichage a cristal liquide |
| US6043000A (en) * | 1996-06-12 | 2000-03-28 | Lg Electronics | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6395457B1 (en) | 1996-06-12 | 2002-05-28 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| DE19724245B4 (de) * | 1996-06-12 | 2009-09-10 | Lg Display Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
| US6977133B2 (en) | 2002-03-20 | 2005-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Photomask and pattern forming method |
| JP2011514655A (ja) * | 2008-01-16 | 2011-05-06 | ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド | リソグラフィ作業のためのスペーサ二重パターン形成 |
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