JPH0567208B2 - - Google Patents
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- JPH0567208B2 JPH0567208B2 JP61246653A JP24665386A JPH0567208B2 JP H0567208 B2 JPH0567208 B2 JP H0567208B2 JP 61246653 A JP61246653 A JP 61246653A JP 24665386 A JP24665386 A JP 24665386A JP H0567208 B2 JPH0567208 B2 JP H0567208B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G—PHYSICS
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- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は厚膜状の単結晶シリコン基板上に形成
された電界効果型トランジスタを有するアクテイ
ブ・マトリクス液晶表示装置に関する。
された電界効果型トランジスタを有するアクテイ
ブ・マトリクス液晶表示装置に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、ツイスト・ネマテイツク型（TN型）を
中心とした液晶表示装置（LCD）の応用が発展
し、腕時計や電卓の分野で大量に用いられてい
る。また、情報端末、ワープロ等の用途に、ドツ
トの組み合せにより、文字、図形等の任意表示が
可能なマトリクス型も使われ始めている。マトリ
クス型LCDの構造は、ストライプ状の電極を有
する基板２枚を、液晶を介して、各基板上の電極
線が互いに垂直に交差するように対向して配置し
たものである。本型のLCDのＸ−Ｙ端子を、マ
トリクス端子とよぶ。
中心とした液晶表示装置（LCD）の応用が発展
し、腕時計や電卓の分野で大量に用いられてい
る。また、情報端末、ワープロ等の用途に、ドツ
トの組み合せにより、文字、図形等の任意表示が
可能なマトリクス型も使われ始めている。マトリ
クス型LCDの構造は、ストライプ状の電極を有
する基板２枚を、液晶を介して、各基板上の電極
線が互いに垂直に交差するように対向して配置し
たものである。本型のLCDのＸ−Ｙ端子を、マ
トリクス端子とよぶ。
このマトリクス型LCDの応用分野を広げるた
めには、表示容量の増大が必要である。しかし、
従来のLCDの電圧透過率変化特性はその立ち上
がりがあまり急峻でないので、表示容量を増加さ
せるために、マルチプレクス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素各々にかかる
実効電圧比は低下する。この為、良好なコントラ
ストが得られる視野角も著しく狭くなるので、従
来のLCDでは、走査本数が60本位が限界であつ
た。
めには、表示容量の増大が必要である。しかし、
従来のLCDの電圧透過率変化特性はその立ち上
がりがあまり急峻でないので、表示容量を増加さ
せるために、マルチプレクス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素各々にかかる
実効電圧比は低下する。この為、良好なコントラ
ストが得られる視野角も著しく狭くなるので、従
来のLCDでは、走査本数が60本位が限界であつ
た。
このマトリクス型LCDの表示容量を大幅に増
加させるために、LCDの各画素に液晶シツチン
グ用のアクテイブ素子を配置したアクテイブ・マ
トリクス液晶表示装置が提案されている。アクテ
イブ・マトリクス液晶表示装置試作品において
は、絶縁体上に良質の結晶性をもつた単結晶シリ
コンを形成することは困難であることと耐光性の
点からアクテイブ素子としては多結晶シリコンを
半導体材料としてたFET構造の薄膜トランジス
タ（TFT）が用いられている。
加させるために、LCDの各画素に液晶シツチン
グ用のアクテイブ素子を配置したアクテイブ・マ
トリクス液晶表示装置が提案されている。アクテ
イブ・マトリクス液晶表示装置試作品において
は、絶縁体上に良質の結晶性をもつた単結晶シリ
コンを形成することは困難であることと耐光性の
点からアクテイブ素子としては多結晶シリコンを
半導体材料としてたFET構造の薄膜トランジス
タ（TFT）が用いられている。
多結晶シリコンでは結晶性の点からアクテイブ
素子の駆動用ICを作ることは困難であるため、
フラツト・デイスプレイ一般にはアクテイブ素子
と駆動回路は端子で接続する方法がとられてい
た。
素子の駆動用ICを作ることは困難であるため、
フラツト・デイスプレイ一般にはアクテイブ素子
と駆動回路は端子で接続する方法がとられてい
た。
しかし、400×600画素のデイスプレイでは縦
400本横640本の端子が出ているため1040箇所の接
続と1040個のドライバが必要とされているように
端子接続技術は限界に来ており、このためデイス
プレイの高密度、高性能化が計れないばかりかか
なりのコストがこの接続工程にかかつている。
400本横640本の端子が出ているため1040箇所の接
続と1040個のドライバが必要とされているように
端子接続技術は限界に来ており、このためデイス
プレイの高密度、高性能化が計れないばかりかか
なりのコストがこの接続工程にかかつている。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
し、高歩留りでかつ高性能のアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置を提供することにある。
し、高歩留りでかつ高性能のアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明のアクテイブ・マトリツクス液晶表示装
置はデータ信号電極と走査信号電極とで定まる位
置にアクテイブ素子を設けた素子基板と対向電極
を有する対向基板とが液晶を介して互いに対向し
て配置されてなるアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置において、前記素子基板は保持基板に接
着層を介してデバイス層が形成され、前記デバイ
ス層には前記アクテイブ素子と液晶駆動回路のう
ち少なくとも一部が形成され、前記アクテイブ素
子は多結晶シリコンで形成され、前記液晶駆動回
路は単結晶シリコンで形成されている構成を有し
ている。
置はデータ信号電極と走査信号電極とで定まる位
置にアクテイブ素子を設けた素子基板と対向電極
を有する対向基板とが液晶を介して互いに対向し
て配置されてなるアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置において、前記素子基板は保持基板に接
着層を介してデバイス層が形成され、前記デバイ
ス層には前記アクテイブ素子と液晶駆動回路のう
ち少なくとも一部が形成され、前記アクテイブ素
子は多結晶シリコンで形成され、前記液晶駆動回
路は単結晶シリコンで形成されている構成を有し
ている。
本発明のアクテイブ・マトリツクス液晶表示装
置の製造方法はデータ信号電極と走査信号電極と
で定まる位置にアクテイブ素子を設けた素子基板
と対向電極を有する対向基板とが液晶を介して互
いに対向して配置されてなるアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置の製造方法において、前記素
子基板は単結晶シリコン基板の一主面の一部に制
御された寸法と深さを有する絶縁体を形成した後
多結晶シリコン膜を形成し、該多結晶シリコン膜
に前記アクテイブ素子を形成し、前記絶縁体の形
成されていない、前記単結晶シリコン基板の一主
面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回
路とデータ側駆動回路を形成し、前記単結晶シリ
コン基板の一主面側を第一の接着剤で保持基板に
接着し、前記絶縁体が露出するまで、前記単結晶
シリコン基板を裏面から研摩除去し、除去した面
を絶縁性の第２の接着剤を介して、透明基板に固
定した後、前記第１の接着剤と保持基板を除去す
る工程を含んでいる。
置の製造方法はデータ信号電極と走査信号電極と
で定まる位置にアクテイブ素子を設けた素子基板
と対向電極を有する対向基板とが液晶を介して互
いに対向して配置されてなるアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置の製造方法において、前記素
子基板は単結晶シリコン基板の一主面の一部に制
御された寸法と深さを有する絶縁体を形成した後
多結晶シリコン膜を形成し、該多結晶シリコン膜
に前記アクテイブ素子を形成し、前記絶縁体の形
成されていない、前記単結晶シリコン基板の一主
面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回
路とデータ側駆動回路を形成し、前記単結晶シリ
コン基板の一主面側を第一の接着剤で保持基板に
接着し、前記絶縁体が露出するまで、前記単結晶
シリコン基板を裏面から研摩除去し、除去した面
を絶縁性の第２の接着剤を介して、透明基板に固
定した後、前記第１の接着剤と保持基板を除去す
る工程を含んでいる。
次に、本発明について実施例に基づいて詳細に
説明する。第１図は本発明のアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置の第１の実施例の液晶画素部
の断面図であり、第２図は第１の実施例における
素子基板の模式的平面図である。
説明する。第１図は本発明のアクテイブ・マトリ
ツクス液晶表示装置の第１の実施例の液晶画素部
の断面図であり、第２図は第１の実施例における
素子基板の模式的平面図である。
この実施例は、データ信号電極２１と走査信号
電極２０とで定まる位置に液晶画素スイツチング
用のアクテイブ素子５を設けた素子基板と対向電
極１４を有する対向基板１５とが液晶層１３を介
して互いに対向して配置されてなるアクテイブ・
マトリツクス液晶表示装置において、前記素子基
板はデバイス層が透明基板１に接着されてなり、
デバイス層には前記アクテイブ素子５と液晶駆動
回路２４のうち走査側駆動回路２２とデータ側駆
動回路２３が形成され、前記アクテイブ素子５は
多結晶シリコンで形成され、前記液晶駆動回路２
４は単結晶シリコンで形成されたアクテイブ・マ
トリツクス液晶表示装置である。
電極２０とで定まる位置に液晶画素スイツチング
用のアクテイブ素子５を設けた素子基板と対向電
極１４を有する対向基板１５とが液晶層１３を介
して互いに対向して配置されてなるアクテイブ・
マトリツクス液晶表示装置において、前記素子基
板はデバイス層が透明基板１に接着されてなり、
デバイス層には前記アクテイブ素子５と液晶駆動
回路２４のうち走査側駆動回路２２とデータ側駆
動回路２３が形成され、前記アクテイブ素子５は
多結晶シリコンで形成され、前記液晶駆動回路２
４は単結晶シリコンで形成されたアクテイブ・マ
トリツクス液晶表示装置である。
また、本実施例においては、走査側駆動回路２
２とデータ側駆動回路２３はMOSトランジスタ
を用いて形成した。走査側駆動回路２２とデータ
側駆動回路２３の代表的な概念的回路図を第６図
と第７図に示した。
２とデータ側駆動回路２３はMOSトランジスタ
を用いて形成した。走査側駆動回路２２とデータ
側駆動回路２３の代表的な概念的回路図を第６図
と第７図に示した。
走査側駆動回路は、走査電極の数だけシフトレ
ジスタ３２を有し、これらの各シフトレジスタに
垂直同期信号２６が入り、その出力走信号をドラ
イバ２５に入れ、液晶の駆動に適した電圧に変換
し、走査信号２７として出力する。データ側駆動
回路は、データ信号の数だけサンプルホールド回
路２８を有し、これらの各サンプルホールド回路
は、ビデオ信号２９を水平同期信号３０でゲート
を閉じてホールドし、この値をドライバに入れ、
データ信号３１として出力する。これけらの回路
は、通常のMOS−ICにみられるごとく、MOSト
ランジスタで構成される。従つて、液晶画素スイ
ツチング用のMOSトランジスタの形成プロセス
と同じプロセスで形成される。
ジスタ３２を有し、これらの各シフトレジスタに
垂直同期信号２６が入り、その出力走信号をドラ
イバ２５に入れ、液晶の駆動に適した電圧に変換
し、走査信号２７として出力する。データ側駆動
回路は、データ信号の数だけサンプルホールド回
路２８を有し、これらの各サンプルホールド回路
は、ビデオ信号２９を水平同期信号３０でゲート
を閉じてホールドし、この値をドライバに入れ、
データ信号３１として出力する。これけらの回路
は、通常のMOS−ICにみられるごとく、MOSト
ランジスタで構成される。従つて、液晶画素スイ
ツチング用のMOSトランジスタの形成プロセス
と同じプロセスで形成される。
本実施例の製造方法は、次のとおりである。第
３図〜第５図は本発明のアクテイブ・マトリツク
ス液晶表示装置の製造方法の実施例を説明するた
め工程順に配置した素子基板の断面図である。
３図〜第５図は本発明のアクテイブ・マトリツク
ス液晶表示装置の製造方法の実施例を説明するた
め工程順に配置した素子基板の断面図である。
まず、単結晶シリコン基板６上に熱酸化により
厚さ1μｍの二酸化シリコン層３を所要の部分に
形成し、単結晶が露出している部分には液晶駆動
回路２４であるMOSICを形成し、二酸化シリコ
ン層３上に多結晶シリコンを堆積した後電界効果
トランジスタ（FET）を形成し、アクテイブ素
子５を形成した。かかる図を第３図に示す。
厚さ1μｍの二酸化シリコン層３を所要の部分に
形成し、単結晶が露出している部分には液晶駆動
回路２４であるMOSICを形成し、二酸化シリコ
ン層３上に多結晶シリコンを堆積した後電界効果
トランジスタ（FET）を形成し、アクテイブ素
子５を形成した。かかる図を第３図に示す。
次に、素子形成面を例えばエポキシまたはポリ
イミドなどの第１の接着層８により、シリコンウ
エハ等の保持基板７に接着する。次にデバイス層
を除く単結晶シリコン基板４をメカニカルケミカ
ルポリシングで除去する。この場合のポリシング
では化学液として有機アミンを用いているため
に、二酸化シリコン層３は加工されないため、ポ
リシング加工を二酸化シリコン層３の深さで止め
ることができる。かかる図を第４図に示す。
イミドなどの第１の接着層８により、シリコンウ
エハ等の保持基板７に接着する。次にデバイス層
を除く単結晶シリコン基板４をメカニカルケミカ
ルポリシングで除去する。この場合のポリシング
では化学液として有機アミンを用いているため
に、二酸化シリコン層３は加工されないため、ポ
リシング加工を二酸化シリコン層３の深さで止め
ることができる。かかる図を第４図に示す。
次に、ポリシング加工面をエポキシまたはポリ
イミドからなる絶縁性の第２の接着層９で石英ガ
ラス、ホウケイ酸ガラス、パイレツクス系ガラス
などの透明基板１に接着固定し、保持基板７を研
摩もしくはエツチングにより除去し、しかる後第
１の接着層８をプラズマリアフタで除去する。か
かる図を第５図に示す。このようにしてできた基
板をITO等の対向電極１４を全面に形成した対向
基板１５とグラスフアイバ等のスペーサを介して
組み合わせて、液晶セルとした。シールは通常の
エポキシ系有機シールを行なつた。このセルに液
晶セルを注入し液晶層１３とし封止することによ
り、本発明によるアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置が得られる。かかる図を第１図に示す。
イミドからなる絶縁性の第２の接着層９で石英ガ
ラス、ホウケイ酸ガラス、パイレツクス系ガラス
などの透明基板１に接着固定し、保持基板７を研
摩もしくはエツチングにより除去し、しかる後第
１の接着層８をプラズマリアフタで除去する。か
かる図を第５図に示す。このようにしてできた基
板をITO等の対向電極１４を全面に形成した対向
基板１５とグラスフアイバ等のスペーサを介して
組み合わせて、液晶セルとした。シールは通常の
エポキシ系有機シールを行なつた。このセルに液
晶セルを注入し液晶層１３とし封止することによ
り、本発明によるアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置が得られる。かかる図を第１図に示す。
ここで素子基板と対向基板に対しラビングによ
り配向処理をおこなつた。この場合、ポリイミド
等の配向処理膜を塗布することが多いが不可欠で
はないので第１図では、省略した。また液晶は
TN型液晶であるZLI−1565（商品名、メルク社
製）を用い、そのセル厚は8μｍ、偏向板は日東
電工製のNPF−1100H（商品名）を用いた。この
TN型液晶とこの偏向板を用いたLCDをスタテイ
ク駆動で駆動した場合、５：１のコントラスト比
CRが得られる視野角は±50゜であつた。
り配向処理をおこなつた。この場合、ポリイミド
等の配向処理膜を塗布することが多いが不可欠で
はないので第１図では、省略した。また液晶は
TN型液晶であるZLI−1565（商品名、メルク社
製）を用い、そのセル厚は8μｍ、偏向板は日東
電工製のNPF−1100H（商品名）を用いた。この
TN型液晶とこの偏向板を用いたLCDをスタテイ
ク駆動で駆動した場合、５：１のコントラスト比
CRが得られる視野角は±50゜であつた。
このような素子構成で400×640画素、ピツチ
0.05mmのアクテイブ・マトリクス液晶表示装置を
試作したが、このアクテイブ・マトリクス液晶表
示装置はスタテイツク駆動時とほぼ同一の表示性
能を示した。更に模擬信号として2000本走査時相
当の信号まで印加したが、スタテイツク駆動時と
ほぼ同じ表示性能が得られた。駆動信号には、従
来のMOSトランジスタ又はTFTを積層したアク
テイブ・マトリクス液晶表示装置に用いる信号と
同様の信号を用いた。この表示装置に中間調を含
むテレビ画面を出した場合、ほぼ忠実に階調を表
現し、高コントラストであり、又、画面内でコン
トラスト班は生じなかつた。
0.05mmのアクテイブ・マトリクス液晶表示装置を
試作したが、このアクテイブ・マトリクス液晶表
示装置はスタテイツク駆動時とほぼ同一の表示性
能を示した。更に模擬信号として2000本走査時相
当の信号まで印加したが、スタテイツク駆動時と
ほぼ同じ表示性能が得られた。駆動信号には、従
来のMOSトランジスタ又はTFTを積層したアク
テイブ・マトリクス液晶表示装置に用いる信号と
同様の信号を用いた。この表示装置に中間調を含
むテレビ画面を出した場合、ほぼ忠実に階調を表
現し、高コントラストであり、又、画面内でコン
トラスト班は生じなかつた。
本実施例によるパネルは駆動回路を積層してい
る為、端子の数が1040本から10本と著しく減少
し、端子の接続工程が著しく簡略になつた。本パ
ネルは小型であるので、ビデオカメラ等のビユー
フアインダに適する。また後で述べる投射型デイ
スプレイに応用することにより１ｍ×１ｍ角の良
好な投射画面を得た。中間調表示も良好であつ
た。
る為、端子の数が1040本から10本と著しく減少
し、端子の接続工程が著しく簡略になつた。本パ
ネルは小型であるので、ビデオカメラ等のビユー
フアインダに適する。また後で述べる投射型デイ
スプレイに応用することにより１ｍ×１ｍ角の良
好な投射画面を得た。中間調表示も良好であつ
た。
次に本発明AM−LCDの応用例について述べ
る。上記の実施例で述べたものは、直視型のデイ
スプレイとしても、次のような投射型デイスプレ
イとしても用いられる。直視型に対し、１ｍ×１
ｍ角程度の超大画面の表示としては、液晶パネル
にキセノンランプ等からの強い光を照射してそれ
を投影する投射画技たデイスプレイが適する。従
来のレーザ熱書き込みの液晶パネルを用いた投射
型デイスプレイの液晶パネルを本発明の液晶パネ
ルと置き換えることにより、レーザ及びその駆動
回路関係が必要なくなるので、小型の投射型デイ
スプレイが実現できる。投射光学系は従来のもの
を用いることができる。例えば、液晶パネルとし
て、400×640画素、ピツチ0.05mmの本発明のAM
−LCDを用いれば、液晶パネルが著しく小型に
なる為、著しく小型の投射光学系が実現出来る。
又、投射系には、通常のオーバー・ヘツド・プロ
ジエクタ（いわゆるOHP）も用いることができ
る。
る。上記の実施例で述べたものは、直視型のデイ
スプレイとしても、次のような投射型デイスプレ
イとしても用いられる。直視型に対し、１ｍ×１
ｍ角程度の超大画面の表示としては、液晶パネル
にキセノンランプ等からの強い光を照射してそれ
を投影する投射画技たデイスプレイが適する。従
来のレーザ熱書き込みの液晶パネルを用いた投射
型デイスプレイの液晶パネルを本発明の液晶パネ
ルと置き換えることにより、レーザ及びその駆動
回路関係が必要なくなるので、小型の投射型デイ
スプレイが実現できる。投射光学系は従来のもの
を用いることができる。例えば、液晶パネルとし
て、400×640画素、ピツチ0.05mmの本発明のAM
−LCDを用いれば、液晶パネルが著しく小型に
なる為、著しく小型の投射光学系が実現出来る。
又、投射系には、通常のオーバー・ヘツド・プロ
ジエクタ（いわゆるOHP）も用いることができ
る。
以上の説明は全てモノクロの画面であつたが、
通常おこなわれているように、対向基板上に、各
画素に対応してRGB各ドツトのカラーフイルタ
を形成することにより、容易に、カラー画面が直
視型、投射型ともに、得られる。また、投射型の
場合は、本発明によるAM−LCDを３枚もちい、
各々にRGB3枚のうちの１枚を組み合わせて、そ
れらを合成してカラー画面を得ることも可能であ
る。
通常おこなわれているように、対向基板上に、各
画素に対応してRGB各ドツトのカラーフイルタ
を形成することにより、容易に、カラー画面が直
視型、投射型ともに、得られる。また、投射型の
場合は、本発明によるAM−LCDを３枚もちい、
各々にRGB3枚のうちの１枚を組み合わせて、そ
れらを合成してカラー画面を得ることも可能であ
る。
（発明の効果）
以上説明したように、従来はアクテイブ素子と
その駆動回路が別であつたために、端子の接続が
必要であり、デイスプレイの高性能化が得られな
かつた。本発明によれば、周辺駆動回路を各画素
のアクテイブ素子と同一基板上に作製することに
より、端子数の大幅減少ができ、また投射型に応
用することにより、超小型の投射型デイスプレイ
も得られる。さらに、コントロール回路、信号処
理回路をも同一基板上に作製することにより、少
数の外付け受動部品のみでテレビ装置または情報
端末装置を構成できる。
その駆動回路が別であつたために、端子の接続が
必要であり、デイスプレイの高性能化が得られな
かつた。本発明によれば、周辺駆動回路を各画素
のアクテイブ素子と同一基板上に作製することに
より、端子数の大幅減少ができ、また投射型に応
用することにより、超小型の投射型デイスプレイ
も得られる。さらに、コントロール回路、信号処
理回路をも同一基板上に作製することにより、少
数の外付け受動部品のみでテレビ装置または情報
端末装置を構成できる。
第１図は本発明のアクテイブ・マトリツクス液
晶表示装置の実施例の液晶画素部の断面図であ
り、第２図はこの実施例における素子基板の模式
的平面図である。第３図〜第５図は本発明のアク
テイブ・マトリツクス液晶表示装置の製造方法を
説明するために工程順に配置した素子基板の断面
図であり、第６図、第７図は各々走査側駆動回路
と、データ側駆動回路の代表的な概念的回路図で
ある。 １……透明基板、２……接着層、３……二酸化
シリコン層、４……単結晶シリコン基板、５……
アクテイブ素子、６……二酸化シリコン、７……
保持基板、８……第１の接着層、９……第２の接
着層、１０……ドレイン領域、１１……ソース領
域、１２……ゲート電極、１３……液晶層、１４
……対向電極、１５……対向基板、１６……ドレ
イン電極、１７……ソース電極、１８……画素電
極、１９……データ信号電極、２０……走査信号
電極、２１……データ信号電極、２２……走査側
駆動回路、２３……データ側駆動回路、２４……
液晶駆動回路、２５……ドライバ、２６……垂直
同期信号、２７……走査信号、２８……サンプル
ホールド回路、２９……ビデオ信号、３０……水
平同期信号、３１……データ信号。
晶表示装置の実施例の液晶画素部の断面図であ
り、第２図はこの実施例における素子基板の模式
的平面図である。第３図〜第５図は本発明のアク
テイブ・マトリツクス液晶表示装置の製造方法を
説明するために工程順に配置した素子基板の断面
図であり、第６図、第７図は各々走査側駆動回路
と、データ側駆動回路の代表的な概念的回路図で
ある。 １……透明基板、２……接着層、３……二酸化
シリコン層、４……単結晶シリコン基板、５……
アクテイブ素子、６……二酸化シリコン、７……
保持基板、８……第１の接着層、９……第２の接
着層、１０……ドレイン領域、１１……ソース領
域、１２……ゲート電極、１３……液晶層、１４
……対向電極、１５……対向基板、１６……ドレ
イン電極、１７……ソース電極、１８……画素電
極、１９……データ信号電極、２０……走査信号
電極、２１……データ信号電極、２２……走査側
駆動回路、２３……データ側駆動回路、２４……
液晶駆動回路、２５……ドライバ、２６……垂直
同期信号、２７……走査信号、２８……サンプル
ホールド回路、２９……ビデオ信号、３０……水
平同期信号、３１……データ信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ データ信号電極と走査信号電極とで定まる位
置にアクテイブ素子を設けた素子基板と対向電極
を有する対向基板とが液晶を介して互いに対向し
て配置されてなるアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置において、前記素子基板は透明絶縁性の
保持基板に接着層を介してデバイス層が形成さ
れ、前記デバイス層には前記アクテイブ素子と、
液晶駆動回路のうち少なくとも一部が形成され、
前記アクテイブ素子は多結晶シリコンで形成さ
れ、前記液晶駆動回路は単結晶シリコンで形成さ
れたことを特徴とするアクテイブ・マトリツクス
液晶表示装置。 ２ データ信号電極と走査信号電極とで定まる位
置にアクテイブ素子を設けた素子基板と対向電極
を有する対向基板とが液晶を介して互いに対向し
て配置されているアクテイブ・マトリツクス液晶
表示装置において、前記素子基板は単結晶シリコ
ン基板の一主面の一部に制御された寸法と深さを
有する絶縁体を形成した後多結晶シリコン膜を形
成し、該多結晶シリコン膜に前記アクテイブ素子
を形成し、絶縁体の形成されている前記単結晶シ
リコン基板の一主面に液晶駆動回路のうち少なく
とも走査側駆動回路とデータ側駆動回路を形成
し、単結晶シリコン基板の前記主面側を第１の接
着剤で保持基板に接着し、前記絶縁体が露出する
まで、前記単結晶シリコン基板を裏面から研磨除
去し、この面を絶縁性の第２の接着剤を介して、
透明基板に固定した後、前記第１の接着剤を保持
基板を除去することを特徴とするアクテイブ・マ
トリツクス液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246653A JPS63101829A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | アクテイブ・マトリツクス液晶表示装置およびその製造方法 |
| US07/109,227 US4838654A (en) | 1986-10-17 | 1987-10-16 | Liquid crystal display device having display and driver sections on a single board |
| EP87309216A EP0268380B1 (en) | 1986-10-17 | 1987-10-19 | A liquid crystal display device having display and driver sections on a single board |
| DE87309216T DE3784449T2 (de) | 1986-10-17 | 1987-10-19 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung, deren Anzeige und Treiberstufen auf einem Träger angeordnet sind. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246653A JPS63101829A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | アクテイブ・マトリツクス液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101829A JPS63101829A (ja) | 1988-05-06 |
| JPH0567208B2 true JPH0567208B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=17151617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246653A Granted JPS63101829A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | アクテイブ・マトリツクス液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4838654A (ja) |
| EP (1) | EP0268380B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63101829A (ja) |
| DE (1) | DE3784449T2 (ja) |
Families Citing this family (71)
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