JPH0563413A - 規則的なマイクロ波の場を発生させる装置 - Google Patents
規則的なマイクロ波の場を発生させる装置Info
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- JPH0563413A JPH0563413A JP3331383A JP33138391A JPH0563413A JP H0563413 A JPH0563413 A JP H0563413A JP 3331383 A JP3331383 A JP 3331383A JP 33138391 A JP33138391 A JP 33138391A JP H0563413 A JPH0563413 A JP H0563413A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 均質な場としてマイクロ波を大面積で室内に
入射させることができ、その室内ではマイクロ波結合体
は互いに減結合されているマイクロ波結合部材を有する
装置を提供すること。 【構成】 マイクロ波発生器7〜12、空洞共振器2、
結合部材21〜28、プラズマ室3、仕切り壁29、結
合装置を備え、仕切り壁6が空洞共振器2をプラズマ室
3から気密に分離し、空洞共振器2内に第1の部材を設
け、室内に第2の部材を設け、仕切り壁29に閉鎖部材
を有する透孔を形成し、第1の部材を結合する結合部材
21〜28が閉鎖部材を通して挿通されている。
入射させることができ、その室内ではマイクロ波結合体
は互いに減結合されているマイクロ波結合部材を有する
装置を提供すること。 【構成】 マイクロ波発生器7〜12、空洞共振器2、
結合部材21〜28、プラズマ室3、仕切り壁29、結
合装置を備え、仕切り壁6が空洞共振器2をプラズマ室
3から気密に分離し、空洞共振器2内に第1の部材を設
け、室内に第2の部材を設け、仕切り壁29に閉鎖部材
を有する透孔を形成し、第1の部材を結合する結合部材
21〜28が閉鎖部材を通して挿通されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項1の前文に記載
の装置に関するものである。
の装置に関するものである。
【0002】材料のコーティングあるいは他の目的のた
めに使用されるプラズマを発生させる場合に、マイクロ
波が使用されることが多く、マイクロ波は磁場と結合さ
れて電子・サイクロトロン共振をもたらし、それに伴っ
て原子あるいは分子のイオン化を増大させる。特に興味
をひくのは、できるだけ規則的で大面積に形成され、従
ってある程度大面積を同時にコーティングすることので
きるプラズマ源である。特に、大面積コーティングの場
合に従来のスパッタリングあるいは蒸着技術に代わっ
て、ないしは追加されて用いられるガス相からのグロー
放電支援の化学的分離(PCVD(Plasma Enhanced Ch
emical Vapor Deposition )と称される)には、少なく
ともコーティング装置の最大の広がりの方向に非常に規
則的な低電圧グロー放電が必要とされる。
めに使用されるプラズマを発生させる場合に、マイクロ
波が使用されることが多く、マイクロ波は磁場と結合さ
れて電子・サイクロトロン共振をもたらし、それに伴っ
て原子あるいは分子のイオン化を増大させる。特に興味
をひくのは、できるだけ規則的で大面積に形成され、従
ってある程度大面積を同時にコーティングすることので
きるプラズマ源である。特に、大面積コーティングの場
合に従来のスパッタリングあるいは蒸着技術に代わっ
て、ないしは追加されて用いられるガス相からのグロー
放電支援の化学的分離(PCVD(Plasma Enhanced Ch
emical Vapor Deposition )と称される)には、少なく
ともコーティング装置の最大の広がりの方向に非常に規
則的な低電圧グロー放電が必要とされる。
【0003】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】すで
にマイクロ波幅広放射イオン源が知られており、その場
合にはマイクロ波はE01丸導波管を介してE010 空洞共
振器へ供給され、空洞共振器は磁気コイルによって包囲
され、かつイオン化すべきガスが充填されている(DD
−PS248904)。空洞共振器の床を形成するもの
は放出電極であって、放出電極は抽出電極と共に抽出シ
ステムを形成し、この抽出システムに真空室が接続され
る。このイオン源には、マイクロ波エネルギが丸導波管
から空洞共振器内に不規則的に入射されるという欠点が
ある。丸導波管は空洞共振器より小さいので、マイクロ
波は比較的小さい領域にしか入射されない。
にマイクロ波幅広放射イオン源が知られており、その場
合にはマイクロ波はE01丸導波管を介してE010 空洞共
振器へ供給され、空洞共振器は磁気コイルによって包囲
され、かつイオン化すべきガスが充填されている(DD
−PS248904)。空洞共振器の床を形成するもの
は放出電極であって、放出電極は抽出電極と共に抽出シ
ステムを形成し、この抽出システムに真空室が接続され
る。このイオン源には、マイクロ波エネルギが丸導波管
から空洞共振器内に不規則的に入射されるという欠点が
ある。丸導波管は空洞共振器より小さいので、マイクロ
波は比較的小さい領域にしか入射されない。
【0004】大面積のマイクロ波入射を均質化するため
に、すでに空洞共振器アンテナが知られており、この空
洞共振器アンテナの共振器には丸あるいは矩形の開口部
(Jacobsen,S,et al.: An Antenna Illuminated by a C
avity Renonator, In: Proc.of the IEEE,1963年11月
第1431頁から1435頁、DE-A-3530647) あるいはスリット
(GB-A-654224,US-A-2996715,DE-C-2900617,US-A-45128
68,CH-PS'en 370177,368248,363742, 日本の特許要約E-
570 1988年1 月7 日、第12巻第3 号、公開番号62ー165
403 )あるいはクォーツディスク(EP-A-0183561,EP-A-
0286132 )が設けられている。それにも拘らずこの公知
の装置によっては、空洞共振器から空間的に分離された
プラズマ室への電磁エネルギの伝達は不可能である。
に、すでに空洞共振器アンテナが知られており、この空
洞共振器アンテナの共振器には丸あるいは矩形の開口部
(Jacobsen,S,et al.: An Antenna Illuminated by a C
avity Renonator, In: Proc.of the IEEE,1963年11月
第1431頁から1435頁、DE-A-3530647) あるいはスリット
(GB-A-654224,US-A-2996715,DE-C-2900617,US-A-45128
68,CH-PS'en 370177,368248,363742, 日本の特許要約E-
570 1988年1 月7 日、第12巻第3 号、公開番号62ー165
403 )あるいはクォーツディスク(EP-A-0183561,EP-A-
0286132 )が設けられている。それにも拘らずこの公知
の装置によっては、空洞共振器から空間的に分離された
プラズマ室への電磁エネルギの伝達は不可能である。
【0005】さらにプラズマエッチング装置が知られて
おり、この装置はマイクロ波発生器を有し、マイクロ波
発生器は矩形導波管に結合されている(DE-C-2716592、
第1)。この矩形導波管の終端から導波管波長約1/4
離れた位置において、同軸の導波線の内側導体の端部が
導波管内に突出している。このようにして形成されたア
ンテナを介して導波管のマイクロ波は同軸の導波線内で
も広がる。さらに、マイクロ波の電場は絶縁体と、マイ
クロ波とプラズマの間を結合する結合装置を介して放電
電流内で広がる。マイクロ波発生器と接続される導波管
は空洞共振器ではない。さらに、内部導体は一重にしか
設けられておらず、導波管と放電電流間の隔壁によって
直接こすられる。
おり、この装置はマイクロ波発生器を有し、マイクロ波
発生器は矩形導波管に結合されている(DE-C-2716592、
第1)。この矩形導波管の終端から導波管波長約1/4
離れた位置において、同軸の導波線の内側導体の端部が
導波管内に突出している。このようにして形成されたア
ンテナを介して導波管のマイクロ波は同軸の導波線内で
も広がる。さらに、マイクロ波の電場は絶縁体と、マイ
クロ波とプラズマの間を結合する結合装置を介して放電
電流内で広がる。マイクロ波発生器と接続される導波管
は空洞共振器ではない。さらに、内部導体は一重にしか
設けられておらず、導波管と放電電流間の隔壁によって
直接こすられる。
【0006】さらに、大きな広がりと均質性を有するマ
イクロ波プラズマを発生させる装置が知られており、こ
の装置にはマイクロ波発生器、空洞共振器、マイクロ波
発生器を空洞共振器に結合する結合部、壁で画成された
部屋、空洞共振器と部屋間の隔壁及び固体として形成さ
れた多数の結合部材からなる結合装置が設けられている
(DD-A-263648 )。この場合に結合部材は金属の結合フ
ックであって、結合フックはマイクロ波を案内する導波
線から結合孔を介して他の導波線内へ突出し、この導波
線にプラズマ室が接続されている。この公知のマイクロ
波プラズマ供給の重要な構成部材は、適当な吸収材によ
って閉鎖された導線であって、この導線は真空側ないし
プラズマ側で1列に配置された結合部材を接続し、ある
いは結合する。この結合は好ましくない。というのは個
々のマイクロ波アンテナは互いにできるだけ減結合さ
れ、互いに結合されてはならないからである。アンテナ
のプラズマ側の結合によって、高い品質の共振器からア
ンテナに給電することによって得られる減結合が、また
だめにされてしまう。個々のアンテナの周りにプラズマ
の強い領域が形成され、その領域においては電子密度は
励起周波数に関する臨界の値0.75%10マイナス1
2乗cmマイナス3乗に達する。このことは、真空側の
アンテナに供給される出力の大部分がプラズマによって
反射されることを意味している。
イクロ波プラズマを発生させる装置が知られており、こ
の装置にはマイクロ波発生器、空洞共振器、マイクロ波
発生器を空洞共振器に結合する結合部、壁で画成された
部屋、空洞共振器と部屋間の隔壁及び固体として形成さ
れた多数の結合部材からなる結合装置が設けられている
(DD-A-263648 )。この場合に結合部材は金属の結合フ
ックであって、結合フックはマイクロ波を案内する導波
線から結合孔を介して他の導波線内へ突出し、この導波
線にプラズマ室が接続されている。この公知のマイクロ
波プラズマ供給の重要な構成部材は、適当な吸収材によ
って閉鎖された導線であって、この導線は真空側ないし
プラズマ側で1列に配置された結合部材を接続し、ある
いは結合する。この結合は好ましくない。というのは個
々のマイクロ波アンテナは互いにできるだけ減結合さ
れ、互いに結合されてはならないからである。アンテナ
のプラズマ側の結合によって、高い品質の共振器からア
ンテナに給電することによって得られる減結合が、また
だめにされてしまう。個々のアンテナの周りにプラズマ
の強い領域が形成され、その領域においては電子密度は
励起周波数に関する臨界の値0.75%10マイナス1
2乗cmマイナス3乗に達する。このことは、真空側の
アンテナに供給される出力の大部分がプラズマによって
反射されることを意味している。
【0007】本発明のは上記の点にかんがみてなされた
もので、均質な場としてのマイクロ波を大面積で室内に
入射させることができ、その室内ではマイクロ波結合体
は互いに減結合されている、マイクロ波結合部材を有す
る装置を提供することを目的とする。
もので、均質な場としてのマイクロ波を大面積で室内に
入射させることができ、その室内ではマイクロ波結合体
は互いに減結合されている、マイクロ波結合部材を有す
る装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明はマイクロ波発生器と、空洞共振器と、マイ
クロ波発生器を空洞共振器に結合する結合部材と、壁に
よって画成される室と、空洞共振器と室間の電気的に導
通する材料からなる仕切り壁と、固体として形成された
多数の結合部材からなり、空洞共振器から電磁エネルギ
を室内に導入する結合装置とを有する比較的大きな区間
にわたって均質なマイクロ波の場を発生させる装置にお
いて、仕切り壁が空洞共振器を室から気密に分離し、空
洞共振器内には、空洞共振器からの電磁エネルギを吸収
することのできる第1の部材例えばが設けられ、室内に
は、電磁エネルギを室内へ放出することのできる第2の
部材例えばが設けられており、仕切り壁に電気的に非導
通の閉鎖部材を有する透孔が形成され、第1の部材を互
いに結合する電気的に導通する結合部材が前記閉鎖部材
を通して挿通されることを特徴とする。
め、本発明はマイクロ波発生器と、空洞共振器と、マイ
クロ波発生器を空洞共振器に結合する結合部材と、壁に
よって画成される室と、空洞共振器と室間の電気的に導
通する材料からなる仕切り壁と、固体として形成された
多数の結合部材からなり、空洞共振器から電磁エネルギ
を室内に導入する結合装置とを有する比較的大きな区間
にわたって均質なマイクロ波の場を発生させる装置にお
いて、仕切り壁が空洞共振器を室から気密に分離し、空
洞共振器内には、空洞共振器からの電磁エネルギを吸収
することのできる第1の部材例えばが設けられ、室内に
は、電磁エネルギを室内へ放出することのできる第2の
部材例えばが設けられており、仕切り壁に電気的に非導
通の閉鎖部材を有する透孔が形成され、第1の部材を互
いに結合する電気的に導通する結合部材が前記閉鎖部材
を通して挿通されることを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明によれば、マイクロ波供給アンテナの近
接場の大きな規則性が得られる。特に安定で規則的な近
接場分布は、共振器長さが1mまでとそれ以上でかつ放
電圧が≧1Paの場合に生じる。この規則性がプラズマ
室と結合することによって、プラズマ分布も規則的にな
る。1mより大きいプラズマゾーン長さは、本発明によ
れば簡単に得ることができる。同様に、例えばPCVD
技術で一般的なグロー放電に関しても、4W/cm自乗
の大きさのマイクロ波出力密度を入射させることができ
る。
接場の大きな規則性が得られる。特に安定で規則的な近
接場分布は、共振器長さが1mまでとそれ以上でかつ放
電圧が≧1Paの場合に生じる。この規則性がプラズマ
室と結合することによって、プラズマ分布も規則的にな
る。1mより大きいプラズマゾーン長さは、本発明によ
れば簡単に得ることができる。同様に、例えばPCVD
技術で一般的なグロー放電に関しても、4W/cm自乗
の大きさのマイクロ波出力密度を入射させることができ
る。
【0010】さらに、本発明は、プラズマあるいは反応
容器内に収容される他のソースによってコーティングさ
れる恐れのある誘電性部材を必要としない。本発明によ
れば、多数の個別マイクロ波源から並列に供給すること
も可能である。
容器内に収容される他のソースによってコーティングさ
れる恐れのある誘電性部材を必要としない。本発明によ
れば、多数の個別マイクロ波源から並列に供給すること
も可能である。
【0011】さらに、本発明によれば、アンテナのプラ
ズマ側の減結合は、例えば充分に近傍にある磁気システ
ム方向への曲げが失われることによって形成され、その
場合にこの磁気システムは好ましくは電子サイクロトロ
ン共振(ECR)の条件を満たす。磁気システムとアン
テナは、アンテナからできるだけ直接磁気システム上あ
るいはその上方に形成されたプラズマ内に放射されるよ
うに、互いに配置される。従ってECR効果に基づいて
電磁線の大部分が吸収されてから、隣接アンテナの領域
へ進入し、それによって隣接のアンテナが結合される。
ズマ側の減結合は、例えば充分に近傍にある磁気システ
ム方向への曲げが失われることによって形成され、その
場合にこの磁気システムは好ましくは電子サイクロトロ
ン共振(ECR)の条件を満たす。磁気システムとアン
テナは、アンテナからできるだけ直接磁気システム上あ
るいはその上方に形成されたプラズマ内に放射されるよ
うに、互いに配置される。従ってECR効果に基づいて
電磁線の大部分が吸収されてから、隣接アンテナの領域
へ進入し、それによって隣接のアンテナが結合される。
【0012】
【実施例】本発明の実施例を図面に示し、以下で詳細に
説明する。
説明する。
【0013】図1には、コーティング装置1の原理が示
されており、コーティング装置は空気の充填されたマイ
クロ波用の空洞共振器2と、永久磁石を支持する磁気ヨ
ーク4、5を有する真空プラズマ室3と、マイクロ波を
供給するための矩形の導波管6を有する。矩形導波管6
は他の矩形導波管7と接続されており、矩形導波管7は
インピーダンス変成器8を介してサーキュレータ9に接
続されている。サーキュレータ9は、概略的に示すよう
に、マッチング抵抗10を有し(これは適合された吸収
体と出力測定部材とすることもできる)、かつ接続片1
1を介してマイクロ波発生器12、例えばマグネトロン
管に接続されている。マイクロ波発生器12の駆動周波
数は、例えば2.45GHzあるいは915MHzであ
る。
されており、コーティング装置は空気の充填されたマイ
クロ波用の空洞共振器2と、永久磁石を支持する磁気ヨ
ーク4、5を有する真空プラズマ室3と、マイクロ波を
供給するための矩形の導波管6を有する。矩形導波管6
は他の矩形導波管7と接続されており、矩形導波管7は
インピーダンス変成器8を介してサーキュレータ9に接
続されている。サーキュレータ9は、概略的に示すよう
に、マッチング抵抗10を有し(これは適合された吸収
体と出力測定部材とすることもできる)、かつ接続片1
1を介してマイクロ波発生器12、例えばマグネトロン
管に接続されている。マイクロ波発生器12の駆動周波
数は、例えば2.45GHzあるいは915MHzであ
る。
【0014】プラズマ室の下方には、コンベヤベルト1
3が設けられており、その上にはコーティングすべき多
数の対象14から20が配置されている。本発明にとっ
て重要な部材として、線形に順次配置された多数のウェ
ーブカプラ21〜28が設けられており、これらは共振
器2の破砕領域40を通して見ることができ、かつその
上部は空洞共振器2内に突出し、下部はプラズマ室3内
に突出している。このウェーブカプラ21〜28は空洞
共振器2からのマイクロ波エネルギを固定の金属壁29
を通してプラズマ室3へ導入する。
3が設けられており、その上にはコーティングすべき多
数の対象14から20が配置されている。本発明にとっ
て重要な部材として、線形に順次配置された多数のウェ
ーブカプラ21〜28が設けられており、これらは共振
器2の破砕領域40を通して見ることができ、かつその
上部は空洞共振器2内に突出し、下部はプラズマ室3内
に突出している。このウェーブカプラ21〜28は空洞
共振器2からのマイクロ波エネルギを固定の金属壁29
を通してプラズマ室3へ導入する。
【0015】図2aにも空洞共振器2の原理が再度示さ
れている。この空洞共振器2内には好ましくは空気が入
っているが、共振器2の下方、従ってプラズマ室3内は
真空である。マイクロ波エネルギの空洞共振器2内への
供給は、矢印32で示されている。
れている。この空洞共振器2内には好ましくは空気が入
っているが、共振器2の下方、従ってプラズマ室3内は
真空である。マイクロ波エネルギの空洞共振器2内への
供給は、矢印32で示されている。
【0016】空洞共振器2の下方には、縦のEとBの場
が示されており、これらは共振器2の側壁33、34間
で形成される。共振器は、本実施例においては例えば1
m長さの矩形管から形成される。矩形管の一端には不図
示の短絡プレートが設けられ、他端には不図示の短絡ス
ライダが設けられている。このスライダによって、共振
周波数を調節することができる。周波数と誘導定数が与
えられている場合には、共振器2の寸法だけによって場
の形状が決定され、それによって発生する共振周波数が
決まる。サイン形状のBとEの場はサイン半波の正及び
負の0.707の値のところで容量的ないしは誘導的に
タッピングされる。従って半波毎に好ましくは2つのタ
ッピングが行われる。その場合に相回転を得るために、
正の半波は負の半波とは異なってタッピングされる。例
えば誘導的なタッピングに関しては、正の半波の場合に
は第1のカップリングリッジ21、22が設けられ、負
の半波については第2のカップリングリッジ23、24
が設けられている。カップリング素子21〜28の位置
は、電気的あるいは磁気的な交番場の振幅が最大値の
0.7倍になる箇所と一致するので、すべてのカプラ2
1〜28は同一の場の強さの振幅と出力を導出する。
が示されており、これらは共振器2の側壁33、34間
で形成される。共振器は、本実施例においては例えば1
m長さの矩形管から形成される。矩形管の一端には不図
示の短絡プレートが設けられ、他端には不図示の短絡ス
ライダが設けられている。このスライダによって、共振
周波数を調節することができる。周波数と誘導定数が与
えられている場合には、共振器2の寸法だけによって場
の形状が決定され、それによって発生する共振周波数が
決まる。サイン形状のBとEの場はサイン半波の正及び
負の0.707の値のところで容量的ないしは誘導的に
タッピングされる。従って半波毎に好ましくは2つのタ
ッピングが行われる。その場合に相回転を得るために、
正の半波は負の半波とは異なってタッピングされる。例
えば誘導的なタッピングに関しては、正の半波の場合に
は第1のカップリングリッジ21、22が設けられ、負
の半波については第2のカップリングリッジ23、24
が設けられている。カップリング素子21〜28の位置
は、電気的あるいは磁気的な交番場の振幅が最大値の
0.7倍になる箇所と一致するので、すべてのカプラ2
1〜28は同一の場の強さの振幅と出力を導出する。
【0017】この装置は特に好ましいものであるが、本
発明はこれに限定されるものではない。カプラは過結合
された場を1相分任意の量回転させることができるの
で、必ずしもλ/4の間隔で配置する必要はない。ま
た、カップリング減衰も同一である必要はない。
発明はこれに限定されるものではない。カプラは過結合
された場を1相分任意の量回転させることができるの
で、必ずしもλ/4の間隔で配置する必要はない。ま
た、カップリング減衰も同一である必要はない。
【0018】好ましい実施例においてはカプラは、同種
の任意の2つのカプラ間の中心が、共振器2の内部の縦
波の極値と同一の縦座標を有するように配置される。カ
プラ21〜28は内部に空気を有する空洞共振器2から
マイクロ波エネルギをプラズマ室あるいは真空室3へ導
入する。従って誘導性の導入の場合には、変成器の一種
と見なすことができる。
の任意の2つのカプラ間の中心が、共振器2の内部の縦
波の極値と同一の縦座標を有するように配置される。カ
プラ21〜28は内部に空気を有する空洞共振器2から
マイクロ波エネルギをプラズマ室あるいは真空室3へ導
入する。従って誘導性の導入の場合には、変成器の一種
と見なすことができる。
【0019】好ましくは同一の緩衝を有するカプラを等
間隔でかつ線形に配置することによって、第1近似にお
いて平坦な波面が形成され、これはホイヘンスの原理か
ら得られる。それによれば平坦な波は多数の点状の波発
生器の波を適当に重畳することによって得られる。唯一
の点状の波発生器は球形の波を発生するが、波発生器の
間隔がλ/2よりずっと小さい場合には多数の球形の波
を重畳することによって平坦な波が得られる。
間隔でかつ線形に配置することによって、第1近似にお
いて平坦な波面が形成され、これはホイヘンスの原理か
ら得られる。それによれば平坦な波は多数の点状の波発
生器の波を適当に重畳することによって得られる。唯一
の点状の波発生器は球形の波を発生するが、波発生器の
間隔がλ/2よりずっと小さい場合には多数の球形の波
を重畳することによって平坦な波が得られる。
【0020】この種の平坦な波は、点源と考えることの
できる種々のカプラ21〜28によってプラズマ室3上
へ照射されるので、規則的かつ均一な有効場が形成され
る。カプラ21〜28は全体としては、平坦な波を放射
するアンテナのように作用する。アンテナの空間的な構
造から、レーダー技術から知られている(E. Pehl: Mik
rowellentechinik 2巻、Antennen und aktive Bauteil
e, 第2版、1989年第79頁以降)ような、フェイズド・
アレイ・アンテナ(Phased Array Antennen)にある程度
似ている。
できる種々のカプラ21〜28によってプラズマ室3上
へ照射されるので、規則的かつ均一な有効場が形成され
る。カプラ21〜28は全体としては、平坦な波を放射
するアンテナのように作用する。アンテナの空間的な構
造から、レーダー技術から知られている(E. Pehl: Mik
rowellentechinik 2巻、Antennen und aktive Bauteil
e, 第2版、1989年第79頁以降)ような、フェイズド・
アレイ・アンテナ(Phased Array Antennen)にある程度
似ている。
【0021】負の半波を誘導的に取り出すときに正の半
波に比べて位相を反転させるために、取り出しループの
巻方向を変化させることができる。導波管内の磁場線は
それぞれ他方の相においては他の方向を有するので、一
方のループにおいては誘導電流は他の方向に流れる。ル
ープがそれぞれの半波に従って導波管から異なるように
導き出される場合には、電流はすべて同一方向に流れ
る。
波に比べて位相を反転させるために、取り出しループの
巻方向を変化させることができる。導波管内の磁場線は
それぞれ他方の相においては他の方向を有するので、一
方のループにおいては誘導電流は他の方向に流れる。ル
ープがそれぞれの半波に従って導波管から異なるように
導き出される場合には、電流はすべて同一方向に流れ
る。
【0022】図3には空洞共振器2とプラズマ室3の断
面が示されている。図にはプラズマ室41が図示されて
おり、その中へ導波管6を介してマイクロ波エネルギが
不図示のマイクロ波源から供給される。空洞共振器2の
内部40に形成される縦波はカプラ21〜28(図には
そのうちのカプラ25のみが示されている)を介してプ
ラズマ室3の内部空間41に導入される。この内部空間
41にはさらに、パイプ42、43を介してイオン化す
べきガスあるいは混合ガスが供給される。イオン化は進
入するマイクロ波によって行なわれるだけでなく、永久
磁石60、61を有する磁気システム4、5により発生
される磁場によっても行なわれる。マイクロ波と所定に
寸法決めされた磁場の協働によって、イオン化を増強さ
せる電子・サイクロトロン・共振が発生する。プラズマ
室3、磁気システム4、5及び共振器2も駆動の間加熱
されるので、これらは冷却されなければならない。その
ために、水冷装置が設けられ、その冷却パイプ44〜4
6は冷却リング48〜51に通じている。磁気システム
4、5に通じる冷却パイプ44〜46を固定するため
に、プラズマ室2にはフランジ47が設けられ、フラン
ジにはパイプガイド52、54ないしシールリング53
が支持されている。矩形導波管6から空洞共振器2へ、
図3には不図示の接続ループが設けられている。
面が示されている。図にはプラズマ室41が図示されて
おり、その中へ導波管6を介してマイクロ波エネルギが
不図示のマイクロ波源から供給される。空洞共振器2の
内部40に形成される縦波はカプラ21〜28(図には
そのうちのカプラ25のみが示されている)を介してプ
ラズマ室3の内部空間41に導入される。この内部空間
41にはさらに、パイプ42、43を介してイオン化す
べきガスあるいは混合ガスが供給される。イオン化は進
入するマイクロ波によって行なわれるだけでなく、永久
磁石60、61を有する磁気システム4、5により発生
される磁場によっても行なわれる。マイクロ波と所定に
寸法決めされた磁場の協働によって、イオン化を増強さ
せる電子・サイクロトロン・共振が発生する。プラズマ
室3、磁気システム4、5及び共振器2も駆動の間加熱
されるので、これらは冷却されなければならない。その
ために、水冷装置が設けられ、その冷却パイプ44〜4
6は冷却リング48〜51に通じている。磁気システム
4、5に通じる冷却パイプ44〜46を固定するため
に、プラズマ室2にはフランジ47が設けられ、フラン
ジにはパイプガイド52、54ないしシールリング53
が支持されている。矩形導波管6から空洞共振器2へ、
図3には不図示の接続ループが設けられている。
【0023】図4と5には、第1の室から第2の室へ大
きなマイクロ波出力を取り出す装置が示されており、こ
の装置においては2つの室間に光学的に透明な媒体は不
要であって、取り出し装置の過熱と好ましくないコーテ
ィングは防止される。
きなマイクロ波出力を取り出す装置が示されており、こ
の装置においては2つの室間に光学的に透明な媒体は不
要であって、取り出し装置の過熱と好ましくないコーテ
ィングは防止される。
【0024】本装置によって得られる利点は特に、取り
出し部材及び/あるいは2つの室間の仕切り壁はわずか
しか自己発熱しないことである。さらにプラズマ室内で
の取り出し部材の汚染及び取り出し部材の一次部分と二
次部分との真空ガイド内での放電の点火が阻止される。
出し部材及び/あるいは2つの室間の仕切り壁はわずか
しか自己発熱しないことである。さらにプラズマ室内で
の取り出し部材の汚染及び取り出し部材の一次部分と二
次部分との真空ガイド内での放電の点火が阻止される。
【0025】図4には、本発明の結合素子101が示さ
れており、結合素子は一次アンテナ102と、二次アン
テナ103を有する。2つのアンテナの間にはブッシュ
104が設けられ、ブッシュは大きな外径を有する上方
部分105と小さい外径を有する下方部分106を有す
る。上方のブッシュ105は閉鎖ボルト107によって
閉鎖されており、その外ねじがブッシュ104の部分1
05の内ねじに係合する。
れており、結合素子は一次アンテナ102と、二次アン
テナ103を有する。2つのアンテナの間にはブッシュ
104が設けられ、ブッシュは大きな外径を有する上方
部分105と小さい外径を有する下方部分106を有す
る。上方のブッシュ105は閉鎖ボルト107によって
閉鎖されており、その外ねじがブッシュ104の部分1
05の内ねじに係合する。
【0026】一次アンテナ102と二次アンテナ103
は開放したループの形状を有し、それぞれループの一方
の端部108、109はブッシュ104と結合されてい
る。一次アンテナ102の他方の端部はボルト110を
介して中央電極111の端部と結合され、中央電極11
1の他方の端部は暗黒部キャップ112と接続されてお
り、暗黒部キャップには二次アンテナ103の他方の端
部113が接続されている。暗黒部キャップ112、二
次アンテナ103及び中央電極111間の結合はボルト
114を介して行なわれる。
は開放したループの形状を有し、それぞれループの一方
の端部108、109はブッシュ104と結合されてい
る。一次アンテナ102の他方の端部はボルト110を
介して中央電極111の端部と結合され、中央電極11
1の他方の端部は暗黒部キャップ112と接続されてお
り、暗黒部キャップには二次アンテナ103の他方の端
部113が接続されている。暗黒部キャップ112、二
次アンテナ103及び中央電極111間の結合はボルト
114を介して行なわれる。
【0027】図4に示す結合素子101は、プラズマ室
とマイクロ波室間の仕切り壁内に個々にあるいは同種の
多数の結合素子と共に挿入することができる。
とマイクロ波室間の仕切り壁内に個々にあるいは同種の
多数の結合素子と共に挿入することができる。
【0028】図5には図4に示す結合素子101が再度
断面で図示されており、この結合素子101は仕切り壁
120に挿入されている。仕切り壁120の上方、すな
わち室121内には例えば空気があり、仕切り壁120
の下方の室122内にはプラズマが存在する。例えば空
洞共振器である室121内にマイクロ波が、特に好まし
くは縦波として伝播する。この縦波からマイクロ波エネ
ルギが一次アンテナ102によって取り出され、二次ア
ンテナ103によって室122のプラズマに結合され
る。
断面で図示されており、この結合素子101は仕切り壁
120に挿入されている。仕切り壁120の上方、すな
わち室121内には例えば空気があり、仕切り壁120
の下方の室122内にはプラズマが存在する。例えば空
洞共振器である室121内にマイクロ波が、特に好まし
くは縦波として伝播する。この縦波からマイクロ波エネ
ルギが一次アンテナ102によって取り出され、二次ア
ンテナ103によって室122のプラズマに結合され
る。
【0029】2つのアンテナ102、103は中央電極
111を介して互いに結合され、中央電極はピンの形状
を有し、ピンの中央領域にはカラー124が設けられて
いる。カラー124の上方及び下方にはそれぞれセラミ
ックディスク125、126が設けられ、下方のセラミ
ックディスク126はシール127を介してブッシュ1
04の底128上に支持され、底には開口部129が形
成されている。
111を介して互いに結合され、中央電極はピンの形状
を有し、ピンの中央領域にはカラー124が設けられて
いる。カラー124の上方及び下方にはそれぞれセラミ
ックディスク125、126が設けられ、下方のセラミ
ックディスク126はシール127を介してブッシュ1
04の底128上に支持され、底には開口部129が形
成されている。
【0030】上方のセラミックディスク125の上方に
ははめ込みディスク130が設けられており、その上に
閉鎖ボルト107が配置され、その外ねじはブッシュ1
04の上方部分105の内ねじに螺合される。ブッシュ
の上方部分105は仕切り壁120の透孔133の突出
部132上に、特にエラストマーシール134を介して
支持されている。室121内の外気と室122内の真空
の間のシールは、ほぼ部材124、126、127及び
128によって形成される。セラミックディスク125
は中央電極111とはめ込みディスク130間の絶縁並
びに力の伝達に用いられる。さらに例えば銀、銅あるい
はアルミニウムなどの軟金属からなるはめ込みディスク
130がセラミックディスク125の極めて硬い表面に
押圧され、それによってはめ込みディスク130とセラ
ミックディスク125の表面との間に強力な表面接触が
得られる。この種の結合によって、ヘリウムに関して1
0×10マイナス8乗ミリバールl/sよりずっと小さ
い漏洩率を有するシールシステムが得られる。
ははめ込みディスク130が設けられており、その上に
閉鎖ボルト107が配置され、その外ねじはブッシュ1
04の上方部分105の内ねじに螺合される。ブッシュ
の上方部分105は仕切り壁120の透孔133の突出
部132上に、特にエラストマーシール134を介して
支持されている。室121内の外気と室122内の真空
の間のシールは、ほぼ部材124、126、127及び
128によって形成される。セラミックディスク125
は中央電極111とはめ込みディスク130間の絶縁並
びに力の伝達に用いられる。さらに例えば銀、銅あるい
はアルミニウムなどの軟金属からなるはめ込みディスク
130がセラミックディスク125の極めて硬い表面に
押圧され、それによってはめ込みディスク130とセラ
ミックディスク125の表面との間に強力な表面接触が
得られる。この種の結合によって、ヘリウムに関して1
0×10マイナス8乗ミリバールl/sよりずっと小さ
い漏洩率を有するシールシステムが得られる。
【0031】はめ込みディスク130に作用する押圧力
は閉鎖ボルト107によってもたらされる。その為に、
ブッシュ104の孔135に比較して過度の外径を有す
るはめ込みディスク130がまず装置によって圧入され
る。さらに閉鎖ボルト107が回動されると、金属シー
ル130、下方のセラミックディスク126、中央電極
111のカラー124、上方のセラミックディスク12
5及びはめ込みディスク130からなるコンビネーショ
ンが締め付けられる。閉鎖ボルト107の締め付けトル
クがさらに増大すると、まず中央電極111のカラー1
24のシール端縁136に変形が生じる。さらに締め付
けると、金属シール127も変形する。金属シール12
7、下方のセラミックディスク126、中央電極11
1、上方のセラミックディスク125及びはめ込みディ
スク130からなるパケットにおける分布荷重は、上述
の順序でシール面だけに金属面の変形が発生するように
設定される。
は閉鎖ボルト107によってもたらされる。その為に、
ブッシュ104の孔135に比較して過度の外径を有す
るはめ込みディスク130がまず装置によって圧入され
る。さらに閉鎖ボルト107が回動されると、金属シー
ル130、下方のセラミックディスク126、中央電極
111のカラー124、上方のセラミックディスク12
5及びはめ込みディスク130からなるコンビネーショ
ンが締め付けられる。閉鎖ボルト107の締め付けトル
クがさらに増大すると、まず中央電極111のカラー1
24のシール端縁136に変形が生じる。さらに締め付
けると、金属シール127も変形する。金属シール12
7、下方のセラミックディスク126、中央電極11
1、上方のセラミックディスク125及びはめ込みディ
スク130からなるパケットにおける分布荷重は、上述
の順序でシール面だけに金属面の変形が発生するように
設定される。
【0032】セラミックディスク125、126として
は、好ましくはAl2 O3 からなるディスクが使用さ
れ、このディスクは中央電極111の熱伝導率約10倍
以上小さい熱伝導率λを有する。金属からなる中央電極
111の断面が伝達できる熱量を確実に導き出すために
は、セラミックディスク125、126のそれに対応す
る大きさの面積を熱伝達に利用しなければならない。こ
の面積は中央電極111のカラー124によってもたら
される。というのはカラー124の上側及び下側がセラ
ミックディスク125、126と良好に面接触している
からである。
は、好ましくはAl2 O3 からなるディスクが使用さ
れ、このディスクは中央電極111の熱伝導率約10倍
以上小さい熱伝導率λを有する。金属からなる中央電極
111の断面が伝達できる熱量を確実に導き出すために
は、セラミックディスク125、126のそれに対応す
る大きさの面積を熱伝達に利用しなければならない。こ
の面積は中央電極111のカラー124によってもたら
される。というのはカラー124の上側及び下側がセラ
ミックディスク125、126と良好に面接触している
からである。
【0033】セラミックディスク125、126の上方
ないし下方の熱伝導は、はめ込みディスク130並びに
金属シール127によって行なわれる。シール電極11
1並びにシールリング130、125、126、127
とブッシュ104の材料がやや異なる熱膨張率を有する
ことは、金属電極111のカラー124の厚みとセラミ
ックディスク125、126の厚みとの比で補償され
る。セラミック・金属結合の熱膨張の違いによってシー
ル面が互いにずれる危険は、これらの面に同時に大きな
押圧力が作用する場合には、刻印された歯切りによって
防止される。カプラ101に非常に大きな熱的な過負荷
が作用した後も、締め付け力を確保するために、はめ込
みディスク130を例えば銅ベリリウムからなるばね部
材として形成することもできる。
ないし下方の熱伝導は、はめ込みディスク130並びに
金属シール127によって行なわれる。シール電極11
1並びにシールリング130、125、126、127
とブッシュ104の材料がやや異なる熱膨張率を有する
ことは、金属電極111のカラー124の厚みとセラミ
ックディスク125、126の厚みとの比で補償され
る。セラミック・金属結合の熱膨張の違いによってシー
ル面が互いにずれる危険は、これらの面に同時に大きな
押圧力が作用する場合には、刻印された歯切りによって
防止される。カプラ101に非常に大きな熱的な過負荷
が作用した後も、締め付け力を確保するために、はめ込
みディスク130を例えば銅ベリリウムからなるばね部
材として形成することもできる。
【0034】はめ込みディスク130の外径は、押圧工
程によって増加する。それによってはめ込みディスク1
30の外方端縁とブッシュ104の内方端縁の間に、確
実かつマイクロ波技術で使用可能な接触が形成される。
従ってはめ込みディスク130はマイクロ波技術的には
ブッシュ104の床として作用する。仕切り壁120に
対してカップリング部材101をシールするエラストマ
ーシール134は、ブッシュ104のシール溝と仕切り
壁120のシール面132によって形成される金属カセ
ットによってマイクロ波の場からシールドされ、それに
よって破壊から保護される。同時にボルトによってもた
らさるブッシュ105の金属的な接触が熱の伝達に用い
られる。
程によって増加する。それによってはめ込みディスク1
30の外方端縁とブッシュ104の内方端縁の間に、確
実かつマイクロ波技術で使用可能な接触が形成される。
従ってはめ込みディスク130はマイクロ波技術的には
ブッシュ104の床として作用する。仕切り壁120に
対してカップリング部材101をシールするエラストマ
ーシール134は、ブッシュ104のシール溝と仕切り
壁120のシール面132によって形成される金属カセ
ットによってマイクロ波の場からシールドされ、それに
よって破壊から保護される。同時にボルトによってもた
らさるブッシュ105の金属的な接触が熱の伝達に用い
られる。
【0035】本発明のカップリング部材101によっ
て、仕切り壁120の同軸の通過部の内径及び外径は大
きな範囲で変更することができる。例えば中央電極11
の直径、そのカラー124、セラミックディスク12
5、126の直径、閉鎖ボルト107あるいはブッシュ
194の孔は、同軸の通過部に波動インピーダンスが対
応できるように選択される。同軸の通過部の電気的長さ
は、好ましくはλ/2である。
て、仕切り壁120の同軸の通過部の内径及び外径は大
きな範囲で変更することができる。例えば中央電極11
の直径、そのカラー124、セラミックディスク12
5、126の直径、閉鎖ボルト107あるいはブッシュ
194の孔は、同軸の通過部に波動インピーダンスが対
応できるように選択される。同軸の通過部の電気的長さ
は、好ましくはλ/2である。
【0036】暗黒部キャップ112は金属材料からな
り、かつプラズマから電荷担体が同軸の通過部の絶縁ギ
ャップ内に進入するのを阻止するように形成される。そ
れによって、絶縁ギャップ内の非自動的な放電の維持が
阻止される。さらにカップリング部材101と仕切り壁
120間のギャップは、暗黒部距離を維持することによ
って、他の圧力領域内部で自動的放電が生じることがな
いように寸法決めされる。さらに暗黒部キャップ112
によってカップリング部材101のコーティングないし
汚染が連続的に阻止される。カップリング部材101の
上部105と下部106は機械的なクリーニング法、例
えはブラッシング、ガラスビーズの放射などによって問
題なく浄化することができる。さらに、暗黒部キャップ
112のつぼ形あるいはベル形はマイクロ波技術的に優
れていることが明かにされている。一次アンテナ102
も二次アンテナ103もl/λ<<1(なお、lはアン
テナループの巻きほどき長さである)を有するHループ
として、あるいはl/λ=>1を有する折り返しダイポ
ールアンテナないしリングアンテナとして、または容量
性の結合ピンとして形成することができる。その場合に
アンテナの立上り側も立下がり側も大きな曲りをもって
はならず、部分的にできるだけ平行に延びるようにしな
ければならない。アンテナ102、103の基点は螺
合、半田付け、溶接あるいは締め付けることができる。
アンテナ102、103の半径と長さ、すなわち幾何学
配置は、暗黒部キャップ112の領域において、かつカ
ップリング部材101のそれに連続する部分のほとんど
においてアンテナないし中央電極111にかかる応力が
小さくなるように選択される。
り、かつプラズマから電荷担体が同軸の通過部の絶縁ギ
ャップ内に進入するのを阻止するように形成される。そ
れによって、絶縁ギャップ内の非自動的な放電の維持が
阻止される。さらにカップリング部材101と仕切り壁
120間のギャップは、暗黒部距離を維持することによ
って、他の圧力領域内部で自動的放電が生じることがな
いように寸法決めされる。さらに暗黒部キャップ112
によってカップリング部材101のコーティングないし
汚染が連続的に阻止される。カップリング部材101の
上部105と下部106は機械的なクリーニング法、例
えはブラッシング、ガラスビーズの放射などによって問
題なく浄化することができる。さらに、暗黒部キャップ
112のつぼ形あるいはベル形はマイクロ波技術的に優
れていることが明かにされている。一次アンテナ102
も二次アンテナ103もl/λ<<1(なお、lはアン
テナループの巻きほどき長さである)を有するHループ
として、あるいはl/λ=>1を有する折り返しダイポ
ールアンテナないしリングアンテナとして、または容量
性の結合ピンとして形成することができる。その場合に
アンテナの立上り側も立下がり側も大きな曲りをもって
はならず、部分的にできるだけ平行に延びるようにしな
ければならない。アンテナ102、103の基点は螺
合、半田付け、溶接あるいは締め付けることができる。
アンテナ102、103の半径と長さ、すなわち幾何学
配置は、暗黒部キャップ112の領域において、かつカ
ップリング部材101のそれに連続する部分のほとんど
においてアンテナないし中央電極111にかかる応力が
小さくなるように選択される。
【0037】室121によって示される導波管共振器と
室122によって示されるPCVD反応容器間の結合減
衰は、一次アンテナ102の大きさによって、あるいは
また導波管共振器の軸に対する一次アンテナの方向づけ
によって調節することができる。
室122によって示されるPCVD反応容器間の結合減
衰は、一次アンテナ102の大きさによって、あるいは
また導波管共振器の軸に対する一次アンテナの方向づけ
によって調節することができる。
【0038】図6には空洞共振器2の部分断面図が示さ
れており、これは図3の図面を180°回動させたもの
と同様である。金属の材料からなる空洞共振器2は本実
施例においては、結合部材202によって互いに結合さ
れた2つの半体200、201を有する。上方の半体内
には多数の結合ループが導入されており、図6において
はそのうちの1つの結合ループ203のみが示されてい
る。この結合ループは図面平面に順次入り込むように配
置されている。個々の結合ループはほぼ図3に示す結合
ループ25のような形状を有するが、ループの2つのウ
エブは図面平面に対して垂直である。
れており、これは図3の図面を180°回動させたもの
と同様である。金属の材料からなる空洞共振器2は本実
施例においては、結合部材202によって互いに結合さ
れた2つの半体200、201を有する。上方の半体内
には多数の結合ループが導入されており、図6において
はそのうちの1つの結合ループ203のみが示されてい
る。この結合ループは図面平面に順次入り込むように配
置されている。個々の結合ループはほぼ図3に示す結合
ループ25のような形状を有するが、ループの2つのウ
エブは図面平面に対して垂直である。
【0039】空洞共振器2の下方の半体200も上方の
半体201と同様に結合ループを有し、図6にはそのう
ちの結合ループ204のみが示されている。この結合ル
ープは、金属材料からなり不図示のマイクロ波送信器に
接続された矩形導波管6から電磁エネルギを空洞共振器
2内へ導入する。その場合に結合ループは電気的に非導
通のシール205、206を通して挿通される。空洞共
振器2の上方の半体201とプラズマ室3のフランジ4
7は結合部材207を介して互いに結合されている。同
様に軟鉄ヨーク5とフランジ47も結合部材、例えばボ
ルト209を介して結合されている。
半体201と同様に結合ループを有し、図6にはそのう
ちの結合ループ204のみが示されている。この結合ル
ープは、金属材料からなり不図示のマイクロ波送信器に
接続された矩形導波管6から電磁エネルギを空洞共振器
2内へ導入する。その場合に結合ループは電気的に非導
通のシール205、206を通して挿通される。空洞共
振器2の上方の半体201とプラズマ室3のフランジ4
7は結合部材207を介して互いに結合されている。同
様に軟鉄ヨーク5とフランジ47も結合部材、例えばボ
ルト209を介して結合されている。
【0040】この軟鉄ヨーク5には外側の脚208と内
側の脚210が設けられ、外側の脚208は内側の脚2
10より大きく、2つの脚208、210は45°の傾
斜を有する互いに整合する表面211、212を有す
る。大きい方の脚208の表面211には永久磁石のS
極213が設けられ、小さい方の脚210の表面にはN
極214が設けられている。符号215で示すものはN
極214とS極213間の磁場線である。外側の脚20
8内には矩形の冷却管216が一体に設けられている。
小さい方の脚210の下側には真空シール217が設け
られている。小さい方の脚210の下方領域と空洞共振
器2の上方半体201の上側との間には支持部218が
設けられ、その上にガラスあるいはセラミックのディス
ク219が載置されている。このディスク219と支持
部218の間にはグラファイト箔220が設けられてい
る。他のグラファイト箔221はディスク219の上端
縁と小さい方の脚210の下端縁の間に配置されてい
る。この箔221のプラズマ室3方向に連続して真空シ
ール222が接続されており、真空シールは例えば金
属、カルリッツあるいはヴィトン(フッ素ゴムの商品
名)から形成することができる。ディスク219と空洞
共振器2の上側によって空間223が形成され、電気的
に非導通の材料を通して空洞共振器2内で案内されてい
るカプラ203を介して前記空間223内にマイクロ波
エネルギが達する。
側の脚210が設けられ、外側の脚208は内側の脚2
10より大きく、2つの脚208、210は45°の傾
斜を有する互いに整合する表面211、212を有す
る。大きい方の脚208の表面211には永久磁石のS
極213が設けられ、小さい方の脚210の表面にはN
極214が設けられている。符号215で示すものはN
極214とS極213間の磁場線である。外側の脚20
8内には矩形の冷却管216が一体に設けられている。
小さい方の脚210の下側には真空シール217が設け
られている。小さい方の脚210の下方領域と空洞共振
器2の上方半体201の上側との間には支持部218が
設けられ、その上にガラスあるいはセラミックのディス
ク219が載置されている。このディスク219と支持
部218の間にはグラファイト箔220が設けられてい
る。他のグラファイト箔221はディスク219の上端
縁と小さい方の脚210の下端縁の間に配置されてい
る。この箔221のプラズマ室3方向に連続して真空シ
ール222が接続されており、真空シールは例えば金
属、カルリッツあるいはヴィトン(フッ素ゴムの商品
名)から形成することができる。ディスク219と空洞
共振器2の上側によって空間223が形成され、電気的
に非導通の材料を通して空洞共振器2内で案内されてい
るカプラ203を介して前記空間223内にマイクロ波
エネルギが達する。
【0041】図6に示す装置においては、プラズマ側の
カプラ203はクォーツあるいはセラミックディスク2
19の後方に配置され、従ってプラズマ室3からの影響
には関係なく駆動することができる。
カプラ203はクォーツあるいはセラミックディスク2
19の後方に配置され、従ってプラズマ室3からの影響
には関係なく駆動することができる。
【0042】図6に示す装置においては、アンテナを磁
場の共振領域に対してよりよく方向づけることができる
という利点が得られ、エネルギ伝達の広がり方向とB場
方向、すなわち永久磁石の磁場方向は一致する。
場の共振領域に対してよりよく方向づけることができる
という利点が得られ、エネルギ伝達の広がり方向とB場
方向、すなわち永久磁石の磁場方向は一致する。
【0043】図7には本発明の他の実施例が示されてお
り、本実施例においては多数のループ状のカプラ230
が空洞共振器2内に順次配置されており、電気的に非導
通の通過部231を通してプラズマ室3内に突出してい
る。その場合に各カプラ230の上にクォーツあるいは
セラミックのドーム232がかぶせられている。このド
ーム232は永久磁石のS極233とN極234の間に
配置され、永久磁石は空洞共振器2の上に載置された軟
鉄ヨーク235と接続されている。N極とS極間に延び
る磁場線は符号236で記載されている。軟鉄ヨーク2
35は空洞共振器2の全表面にわたって延び、その端部
にはプラズマ室3のボイラー壁237、238が支持さ
れおり、ボイラー壁は図7においては概略的に示されて
いる。ボイラー壁237、238と軟鉄ヨーク235間
は、例えばボルト239、240を介しての機械的な結
合が設けられている。さらに、ヨーク235と非磁気的
なボイラー壁237、238間にはシール241、24
2が設けられている。他のシール243、244は空洞
共振器2の上側とヨーク235の下側の中央部分に設け
られ、かつヨーク235の上側とドーム232の下端部
の側方フランジ245、246間にも配置されている。
このシールは符号247と248で示されている。カプ
ラ230のドーム232内に突出する部分249とシー
ル247、248の間のドーム232の下側にはさらに
グラファイトディスク250、251が設けられてい
る。
り、本実施例においては多数のループ状のカプラ230
が空洞共振器2内に順次配置されており、電気的に非導
通の通過部231を通してプラズマ室3内に突出してい
る。その場合に各カプラ230の上にクォーツあるいは
セラミックのドーム232がかぶせられている。このド
ーム232は永久磁石のS極233とN極234の間に
配置され、永久磁石は空洞共振器2の上に載置された軟
鉄ヨーク235と接続されている。N極とS極間に延び
る磁場線は符号236で記載されている。軟鉄ヨーク2
35は空洞共振器2の全表面にわたって延び、その端部
にはプラズマ室3のボイラー壁237、238が支持さ
れおり、ボイラー壁は図7においては概略的に示されて
いる。ボイラー壁237、238と軟鉄ヨーク235間
は、例えばボルト239、240を介しての機械的な結
合が設けられている。さらに、ヨーク235と非磁気的
なボイラー壁237、238間にはシール241、24
2が設けられている。他のシール243、244は空洞
共振器2の上側とヨーク235の下側の中央部分に設け
られ、かつヨーク235の上側とドーム232の下端部
の側方フランジ245、246間にも配置されている。
このシールは符号247と248で示されている。カプ
ラ230のドーム232内に突出する部分249とシー
ル247、248の間のドーム232の下側にはさらに
グラファイトディスク250、251が設けられてい
る。
【0044】フランジ245、246は、ボルト25
4、255を介して軟鉄ヨーク235と結合された非磁
性的な支持体252、253によって固定される。
4、255を介して軟鉄ヨーク235と結合された非磁
性的な支持体252、253によって固定される。
【0045】図7に示す実施例においては、このカプラ
230は永久磁石の異極233、234間に配置され
る。それによって空洞共振器2から電子のそれぞれ直線
的な加速区間に供給が行なわれる。又、永久磁石の2つ
の極にリング共振器から供給を行なうようにすることも
可能である。
230は永久磁石の異極233、234間に配置され
る。それによって空洞共振器2から電子のそれぞれ直線
的な加速区間に供給が行なわれる。又、永久磁石の2つ
の極にリング共振器から供給を行なうようにすることも
可能である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、マイクロ波供給アンテナの近接場の大きな規則性が
得られる。特に安定で規則的な近接場分布は、共振器長
さが1mまでとそれ以上でかつ放電圧が≧1Paの場合
に生じる。この規則性がプラズマ室と結合することによ
って、プラズマ分布も規則的になる。1mより大きいプ
ラズマゾーン長さは、本発明によれば簡単に得ることが
できる。同様に、例えばPCVD技術で一般的なグロー
放電に関しても、4W/cm自乗の大きさのマイクロ波
出力密度を入射させることができる。
は、マイクロ波供給アンテナの近接場の大きな規則性が
得られる。特に安定で規則的な近接場分布は、共振器長
さが1mまでとそれ以上でかつ放電圧が≧1Paの場合
に生じる。この規則性がプラズマ室と結合することによ
って、プラズマ分布も規則的になる。1mより大きいプ
ラズマゾーン長さは、本発明によれば簡単に得ることが
できる。同様に、例えばPCVD技術で一般的なグロー
放電に関しても、4W/cm自乗の大きさのマイクロ波
出力密度を入射させることができる。
【0047】さらに、本発明は、プラズマあるいは反応
容器内に収容される他のソースによってコーティングさ
れる恐れのある誘電性部材を必要としない。本発明によ
れば、多数の個別マイクロ波源から並列に供給すること
も可能である。
容器内に収容される他のソースによってコーティングさ
れる恐れのある誘電性部材を必要としない。本発明によ
れば、多数の個別マイクロ波源から並列に供給すること
も可能である。
【0048】さらに、本発明によれば、アンテナのプラ
ズマ側の減結合は、例えば充分に近傍にある磁気システ
ム方向への曲げが失われることによって形成され、その
場合にこの磁気システムは好ましくは電子サイクロトロ
ン共振(ECR)の条件を満たす。磁気システムとアン
テナは、アンテナからできるだけ直接磁気システム上あ
るいはその上方に形成されたプラズマ内に放射されるよ
うに、互いに配置される。従ってECR効果に基づいて
電磁線の大部分が吸収されてから、隣接アンテナの領域
へ進入し、それによって隣接のアンテナが結合される。
ズマ側の減結合は、例えば充分に近傍にある磁気システ
ム方向への曲げが失われることによって形成され、その
場合にこの磁気システムは好ましくは電子サイクロトロ
ン共振(ECR)の条件を満たす。磁気システムとアン
テナは、アンテナからできるだけ直接磁気システム上あ
るいはその上方に形成されたプラズマ内に放射されるよ
うに、互いに配置される。従ってECR効果に基づいて
電磁線の大部分が吸収されてから、隣接アンテナの領域
へ進入し、それによって隣接のアンテナが結合される。
【図1】本発明のマイクロ波導出手段を有する空洞共振
器内にマイクロ波を導入する原理を示す斜視図である。
器内にマイクロ波を導入する原理を示す斜視図である。
【図2】(a)は多数の導出部材を有する空洞共振器を
示す説明図であり、(b)は(a)に示す空洞共振器内
に形成される場を示す線図である。
示す説明図であり、(b)は(a)に示す空洞共振器内
に形成される場を示す線図である。
【図3】空洞共振器とプラズマ室の断面図である。
【図4】誘導性の結合部材の斜視図である。
【図5】図4に示す誘導性の結合部材の断面図である。
【図6】上方及び下方の結合部材を有する空洞共振器を
備えた装置の断面図である。
備えた装置の断面図である。
【図7】永久磁石の異極間に結合部材を有する装置の断
面図である。
面図である。
2、40、121、200、210 空調共振器 3、4、41、122 室 6 結合部材 7〜12 マイクロ波発生器 21〜28、203、204,230 結合部材 29、300、301 仕切り壁 102、203、306 第1の部材 103、249、303 第2の部材 106、224、231 閉鎖部材 111、304、305 結合部材
フロントページの続き (72)発明者 ミヒヤエル ユング ドイツ連邦共和国 D−8756 カール (マイン)リチヤード ヴアグナー シユ トラーセ 5 (72)発明者 ベルンハルト ケスラー ドイツ連邦共和国 D−6540 ハナウ−ヴ オルフガング フリードリツヒ−フレベル −シユトラーセ 3
Claims (22)
- 【請求項1】 マイクロ波発生器7〜12と、 空洞共振器2、40、121、200、210と、 マイクロ波発生器7〜12を空洞共振器2、40、12
1、200、201に結合する結合部材6と、 壁47、237、238によって画成される室3、4、
41、122と、 空洞共振器2、40、121、200、201と室3、
4、41、122間の電気的に導通する材料からなる仕
切り壁29、300、301と、 固体として形成され
た多数の結合部材21〜28、203、204、230
からなり、空洞共振器2、40、121、200、20
1から電磁エネルギを室3、4、41、122内に導入
する結合装置と、 を有する比較的大きな区間にわたって均質なマイクロ波
の場を発生させる装置において、 仕切り壁29、300、301が空洞共振器2、40、
121、200、201を室3、4、41、122から
気密に分離し、 空洞共振器2、40、121、200、201内には、
空洞共振器2、40、121、200、201からの電
磁エネルギを吸収することのできる第1の部材例えば1
02、203が設けられ、 室3、441、122内には、電磁エネルギを室3、
4、41、122内へ放出することのできる第2の部材
例えば103、249、303が設けられており、 仕切り壁29、300、301に電気的に非導通の閉鎖
部材106、224、231を有する透孔が形成され、
第1の部材102、203、306を互いに結合する電
気的に導通する結合部材111、304、305が前記
閉鎖部材106、224、231を通して挿通されるこ
とを特徴とする均質なマイクロ波を発生させる装置。 - 【請求項2】 結合部材21〜28、203、204、
230が等間隔で配置されることを特徴とする請求項1
に記載の装置。 - 【請求項3】 結合部材21〜28、203、204、
230が線形かつそれぞれλ/4の間隔で配置され、λ
が空洞共振器2、40、121、200、201内で形
成される縦波の波長であることを特徴とする請求項2に
記載の装置。 - 【請求項4】 結合部材21〜28、203、204、
230が誘導性の導出部材であって、空洞共振器2内で
縦波からマイクロ波エネルギを導出し、容量的あるいは
誘導的にプラズマ内に再度導入することを特徴とする請
求項3に記載の装置。 - 【請求項5】 マイクロ波導出部材が容量性の導出部材
であって、空洞共振器(2)内で縦波からマイクロ波エ
ネルギを導出し、容量的あるいは誘導的にプラズマ内に
再度導入することを特徴とする請求項3に記載の装置。 - 【請求項6】 多数の空洞共振器が設けられ、これらが
1つの供給共振器を介して互いに接続され、かつそれぞ
れ同一の出力を供給されることを特徴とする請求項1に
記載の装置。 - 【請求項7】 平行に配置された多数の空洞共振器が設
けられ、空洞共振器にコヒーレントなマグネトロンから
供給が行なわれることを特徴とする請求項1に記載の装
置。 - 【請求項8】 同線に配置された多数の空洞共振器が設
けられ、空洞共振器にコヒーレントなマグネトロンから
供給が行なわれることを特徴とする請求項1に記載の装
置。 - 【請求項9】 マグネトロンが、周波数は異なるが同一
の出力を有するマイクロ波を出力することを特徴とする
請求項1、7または8に記載の装置。 - 【請求項10】 負の半波から縦波を導出するマイクロ
波導出部材が、正の半波から縦波を導出するマイクロ波
導出部材に比べて位相反転を有することを特徴とする請
求項1または3に記載の装置。 - 【請求項11】 空間3が、空間内にカスプ磁場を発生
させる磁気システム4、5によって縦方向に包囲される
容器によって画定され、前記カスプ磁場が入射されるマ
イクロ波と協働して電子・サイクロトロン共振をもたら
すことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項12】 空洞共振器2内で形成される縦波の波
長が、空洞共振器内を支配する調節可能なガス圧を介し
て制御されることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項13】 第2の空間122がプラズマ室内にあ
って、その中に暗黒部キャップ112が設けられてお
り、暗黒部キャップが電流通過部111の近傍に配置さ
れることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項14】 カプラに、ほぼ開放ループの形状を有
する一次アンテナ102が設けられ、この開放ループの
一端は電流通過部111と結合され、このループの他端
は空洞共振器2、40、121、200、201と空間
3の間の仕切り壁120を通して案内されているブッシ
ュ104と結合されることを特徴とする請求項1に記載
の装置。 - 【請求項15】 カプラに、ほぼ開放ループの形状を有
する二次アンテナ103が設けられ、この開放ループの
一端113は暗黒部キャップ112を介して電流通過部
111と結合され、このループの他端108は第1の空
間121と第2の空間122の間の仕切り壁を通して案
内されているブッシュ104と結合されることを特徴と
する請求項1に記載の装置。 - 【請求項16】 電流通過部111がリング状のカラー
124を有するピンであることを特徴とする請求項1に
記載の装置。 - 【請求項17】 仕切り壁120並びに装置101が非
磁性材料から形成されることを特徴とする請求項1に記
載の装置。 - 【請求項18】 空間3と空洞共振器2間にマイクロ波
を通す壁219が設けられ、壁と空洞共振器2間に空間
が形成され、その中にカプラ303が突出することを特
徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項19】 壁219の上方かつその端縁に永久磁
石のNとS極213、214が約45度の角度で配置さ
れることを特徴とする請求項18に記載の装置。 - 【請求項20】 第1列のカプラ204が設けられ、こ
のカプラが導出部材6からのマイクロ波エネルギを空洞
共振器2内に導入し、それとは無関係な第2列のカプラ
203が設けられ、このカプラが空洞共振器2からのマ
イクロ波エネルギを空間3内へ導入することを特徴とす
る請求項18に記載の装置。 - 【請求項21】 空間3内の各結合部材249に、気体
と固体は阻止しマイクロ波を通過させる材料からなるカ
バー232が設けられることを特徴とする請求項1に記
載の装置。 - 【請求項22】 各結合部材249が永久磁石のN極と
S極233、234の間に配置されることを特徴とする
請求項21に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4037091.7 | 1990-11-22 | ||
DE4037091A DE4037091C2 (de) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563413A true JPH0563413A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=6418687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3331383A Withdrawn JPH0563413A (ja) | 1990-11-22 | 1991-11-20 | 規則的なマイクロ波の場を発生させる装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5173640A (ja) |
EP (1) | EP0486943B1 (ja) |
JP (1) | JPH0563413A (ja) |
DE (2) | DE4037091C2 (ja) |
ES (1) | ES2070395T3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283538A (en) * | 1990-11-22 | 1994-02-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coupling microwave power out of a first space into a second space |
DE4119362A1 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren |
DE4239843A1 (de) * | 1992-11-27 | 1994-06-01 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Erzeugung von Plasma, insbesondere zum Beschichten von Substraten |
FR2722213B1 (fr) * | 1994-07-05 | 1996-09-20 | Plasmion | Dispositif pour creer un faisceau d'ions d'energie ajustable notamment pour le traitement au defile et sous vide de surfaces de grandes dimensions |
FR2746249B1 (fr) * | 1996-03-13 | 1998-06-12 | Dispositif d'excitation d'un plasma par energie micro-ondes repartie, procede de fabrication, et application au depot de revetements minces | |
DE19700141A1 (de) * | 1997-01-04 | 1998-07-09 | Gero Hochtemperaturoefen Gmbh | Brennofen für die Hochtemperaturbehandlung von Materialien mit niedrigem dielektrischem Verlustfaktor |
US5998774A (en) * | 1997-03-07 | 1999-12-07 | Industrial Microwave Systems, Inc. | Electromagnetic exposure chamber for improved heating |
DE19812558B4 (de) * | 1998-03-21 | 2010-09-23 | Roth & Rau Ag | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
US6153977A (en) * | 1999-04-06 | 2000-11-28 | Tokyo Seihinkaihatsu Kenkyusho | ECR type plasma generating apparatus |
US6265702B1 (en) | 1999-04-28 | 2001-07-24 | Industrial Microwave Systems, Inc. | Electromagnetic exposure chamber with a focal region |
KR19990068381A (ko) * | 1999-05-11 | 1999-09-06 | 허방욱 | 마이크로웨이브플라즈마버너 |
DE19925493C1 (de) * | 1999-06-04 | 2001-01-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Linear ausgedehnte Anordnung zur großflächigen Mikrowellenbehandlung und zur großflächigen Plasmaerzeugung |
DE19927806A1 (de) * | 1999-06-18 | 2001-01-04 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Hochratenätzen eines Substrates mit einer Plasmaätzanlage und Vorrichtung und Verfahren zum Zünden eines Plasmas und Hochregeln oder Pulsen der Plasmaleistung |
DE10034028C2 (de) * | 2000-07-13 | 2002-05-02 | Muegge Electronic Gmbh | Mikrowellenanordnung |
EA005362B1 (ru) * | 2001-08-10 | 2005-02-24 | Дипл.-Инж. Лемпе Гмбх | Способ и устройство для изготовления литейных форм или стержней для целей литейного производства |
DE10200927A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-03-06 | Laempe Joachim | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Formen oder Kernen für Giessereizwecke |
DE10220478A1 (de) | 2002-05-07 | 2003-11-27 | Framatome Anp Gmbh | Elektrische Durchführung und Verwendung der elektrischen Durchführung |
US7347101B2 (en) * | 2002-07-01 | 2008-03-25 | University Of Manitoba | Measuring strain in a structure using a sensor having an electromagnetic resonator |
US7806077B2 (en) * | 2004-07-30 | 2010-10-05 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
US7441463B2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-10-28 | University Of Manitoba | Sensing system based on multiple resonant electromagnetic cavities |
US7589470B2 (en) * | 2006-01-31 | 2009-09-15 | Dublin City University | Method and apparatus for producing plasma |
KR101078164B1 (ko) * | 2010-03-11 | 2011-10-28 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전자빔 발생장치 및 이를 제조하는 방법 |
DE102011083668A1 (de) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Resonator und Teilchenbeschleuniger mit HF-Resonator |
FR2995493B1 (fr) * | 2012-09-11 | 2014-08-22 | Hydromecanique & Frottement | Dispositif pour generer un plasma presentant une etendue importante le long d'un axe par resonnance cyclotronique electronique rce a partir d'un milieu gazeux |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE248904C (ja) * | ||||
DE263648C (ja) * | ||||
GB654224A (en) * | 1941-09-10 | 1951-06-13 | Univ Leland Stanford Junior | Improvements relating to apparatus for the directional propagation or reception of electromagnetic waves |
US2566386A (en) * | 1944-10-24 | 1951-09-04 | Univ Leland Stanford Junior | Frequency and direction selective high-frequency transmission line apparatus |
US2996715A (en) * | 1955-03-10 | 1961-08-15 | Victor H Rumsey | Slot antenna with horn |
DE1023538B (de) * | 1956-12-24 | 1958-01-30 | Mikrowellen Ges M B H Deutsche | Einrichtung zur Behandlung von Holz mittels Mikrowellen |
DE1070311B (ja) * | 1957-07-27 | 1959-12-03 | ||
DE1085625B (de) * | 1958-02-27 | 1960-07-21 | Mikrowellen Ges M B H Deutsche | Mikrowellenstrahler, vorzugsweise fuer Kantenverleimung |
GB1543980A (en) * | 1975-05-19 | 1979-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Microwave heating apparatus |
US4006339A (en) * | 1975-12-31 | 1977-02-01 | General Electric Company | Microwave heating apparatus with multiple coupling elements and microwave power sources |
DE2716592C3 (de) * | 1976-04-15 | 1979-11-08 | Hitachi, Ltd., Tokio | Plasma-Ätzvorrichtung |
US4160145A (en) * | 1978-02-16 | 1979-07-03 | Armstrong Cork Company | Microwave applicator device |
FR2489647A1 (fr) * | 1980-08-28 | 1982-03-05 | Applic Micro Ondes Ste Fse | Dispositif de couplage electromagnetique entre un generateur de micro-ondes et une cavite, notamment une cavite a usage de four |
NL8103419A (nl) * | 1981-04-01 | 1982-11-01 | Philips Nv | Lijntestcircuit voor een abonneetelefoontoestel. |
FR2520160A1 (fr) * | 1982-01-20 | 1983-07-22 | Sairem Sarl | Dispositif de traitement ho |
JPH06105597B2 (ja) * | 1982-08-30 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ源 |
JPS6016424A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置 |
JPS61131454A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法と装置 |
FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
DE3530647A1 (de) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | Kolbe & Co Hans | Hohlraumresonator-antenne |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
DD248904A1 (de) * | 1986-04-10 | 1987-08-19 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Mikrowellen-breitstrahl-ionenquelle |
DE3622614A1 (de) * | 1986-07-05 | 1988-01-14 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von elektrisch leitenden formkoerpern durch plasmaaktivierte chemische abscheidung aus der gasphase |
DE3711184A1 (de) * | 1987-04-02 | 1988-10-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zur einbringung von mikrowellenenergie mit einem offenen mikrowellenleiter |
KR880013424A (ko) * | 1987-04-08 | 1988-11-30 | 미타 가츠시게 | 플라즈머 장치 |
US4866346A (en) * | 1987-06-22 | 1989-09-12 | Applied Science & Technology, Inc. | Microwave plasma generator |
KR920002864B1 (ko) * | 1987-07-20 | 1992-04-06 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 |
DD263648B5 (de) * | 1987-08-31 | 1996-01-25 | Buck Werke Gmbh | Einrichtung zur erzeugungs eines Mikrowellenplasmas mit grosser Ausdehnung und Homogenitaet |
DE3738352A1 (de) * | 1987-11-11 | 1989-05-24 | Technics Plasma Gmbh | Filamentloses magnetron-ionenstrahlsystem |
US5053678A (en) * | 1988-03-16 | 1991-10-01 | Hitachi, Ltd. | Microwave ion source |
DE3834984A1 (de) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Leybold Ag | Einrichtung zur erzeugung von elektrisch geladenen und/oder ungeladenen teilchen |
JP2993675B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1999-12-20 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及びその装置 |
US4906900A (en) * | 1989-04-03 | 1990-03-06 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Coaxial cavity type, radiofrequency wave, plasma generating apparatus |
-
1990
- 1990-11-22 DE DE4037091A patent/DE4037091C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-11-14 ES ES91119433T patent/ES2070395T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-14 EP EP91119433A patent/EP0486943B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-14 DE DE59104602T patent/DE59104602D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-15 US US07/792,409 patent/US5173640A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-20 JP JP3331383A patent/JPH0563413A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2070395T3 (es) | 1995-06-01 |
EP0486943B1 (de) | 1995-02-15 |
EP0486943A1 (de) | 1992-05-27 |
DE59104602D1 (de) | 1995-03-23 |
US5173640A (en) | 1992-12-22 |
DE4037091C2 (de) | 1996-06-20 |
DE4037091A1 (de) | 1992-05-27 |
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