KR19990068381A - 마이크로웨이브플라즈마버너 - Google Patents

마이크로웨이브플라즈마버너 Download PDF

Info

Publication number
KR19990068381A
KR19990068381A KR1019990016733A KR19990016733A KR19990068381A KR 19990068381 A KR19990068381 A KR 19990068381A KR 1019990016733 A KR1019990016733 A KR 1019990016733A KR 19990016733 A KR19990016733 A KR 19990016733A KR 19990068381 A KR19990068381 A KR 19990068381A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
microwaves
antenna
microwave
tube
Prior art date
Application number
KR1019990016733A
Other languages
English (en)
Inventor
박유병
엠아이닥닥키쉬빌리
에스아이크리스닌
이고르코지
Original Assignee
허방욱
주식회사 대원팝틴폼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 허방욱, 주식회사 대원팝틴폼 filed Critical 허방욱
Priority to KR1019990016733A priority Critical patent/KR19990068381A/ko
Publication of KR19990068381A publication Critical patent/KR19990068381A/ko
Priority to AU52516/00A priority patent/AU5251600A/en
Priority to EP00937329A priority patent/EP1190605A4/en
Priority to KR10-2001-7014285A priority patent/KR100522658B1/ko
Priority to JP2000617701A priority patent/JP3553021B2/ja
Priority to PCT/KR2000/000434 priority patent/WO2000069230A1/en
Priority to US10/009,933 priority patent/US6734385B1/en

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23DBURNERS
    • F23D91/00Burners specially adapted for specific applications, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222Antennas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/30Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Arc Welding In General (AREA)
  • Arc Welding Control (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 웨이브 플라즈마 버너에 관한 것으로, 특히 고열의 플라즈마를 발생하는 버너에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에서 마그네트론(100)의 안테나(110)로 부터 송신 및 공진되는 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하고, 내부로 주입된 기체가 단부(211)에서 배출되면서 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마를 발생하는 유도관(210)으로 이루어진다.
따라서 본 발명은 도파관이 없는 간단한 구조로 플라즈마를 발생할 수 있고, 공기의 진동에 의해 발생된 열로 불꽃이 발생하므로 점화시 별도의 점화기가 불필요하고, 고열의 불꽃이 발생하므로 용접과 컷팅에 사용할 수 있고, 진동에 의해 발생된 열에 의해 완전 연소가 이루어지므로 공기 오염을 방지할 수 있고, 원하는 기체를 주입하여 사용하므로써 용접시 산화를 방지할 수 있다.

Description

마이크로 웨이브 플라즈마 버너{microwave plasma burner}
본 발명은 마이크로 웨이브 플라즈마 버너에 관한 것으로, 특히 고열의 플라즈마를 발생하는 버너에 관한 것이다.
마이크로웨이브는 30MHz 내지 30GHz 범위의 주파수대를 갖는 파장으로서, 이러한 마이크로 웨이브는 실생활에서 전자 레인지등 그 응용 범위가 다양하며, 특히 플라즈마를 발생하는데 많이 사용되고 있다.
플라즈마는 고도로 전리되어 (+)이온과 (-)이온이 동일한 밀도로 존재하여 전기적으로 균형을 이루어 중성이 되어 있는 상태나 또는 그 이온들을 말하며, 방전관이나 아크주가 가장 전형적인 것이다.
이러한 마이크로 웨이브를 이용하여 플라즈마를 발생하기 위해서 종래에는 챔버를 고진공 상태로 만들고 챔버내에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 가스 또는 가스 혼합물을 주입한후 마이크로 웨이브를 챔버의 내부로 유도한다.
그러면 챔버의 내부에서 플라즈마가 발생하게 되고 발생된 플라즈마는 침착등에 이용된다.
그러나 이러한 고진공 챔버를 이용하는 종래의 플라즈마 발생 장치는 마이크로 웨이브가 유도되는 챔버의 내부를 고진공으로 만들게 되는데, 이와 같이 챔버의 내부를 고진공으로 만들기 위해서는 정밀한 설계가 요구되므로 구현하기 어려운 문제점이 있었다.
또한, 용접에 사용되는 버너는 용접시 점화를 위한 점화기가 필요하여 별도로 부착되어야 하므로 사용상 불편한 문제점이 있었다.
상기 문제점을 개선하기 위한 본 발명의 목적은 고진공 상태를 만들지 않고 마이크로 웨이브를 유도하여 플라즈마를 발생하도록 하기 위한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 점화기를 제거하여 사용이 간편하도록 하기 위한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너를 제공함에 있다.
도 1 은 본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너의 구조도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 마그네트론 110 : 안테나
120 : 송풍 팬 200 : 웨이브 가이드 공진기
210 : 유도관 211 : 단부
320 : 가이드관 330 : 외부 전극관
340 : 고정 부재 350 : 가이드
400 : 하우징 500 : 불꽃
600 : 플라즈마
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 웨이브 가이드 공진기의 내부에서 마그네트론의 안테나로 부터 송신 및 공진되는 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하고, 내부로 주입된 기체가 단부에서 배출되면서 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마를 발생하는 유도관으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 버너를 제공한다.
또한, 본 발명은 마이크로 웨이브를 발생하여 안테나를 통해 송신하는 마그네트론과; 상기 안테나로 부터 송신되는 마이크로 웨이브가 공진되는 웨이브 가이드 공진기과; 상기 웨이브 가이드 공진기의 내부에 설치되어 상기 안테나로 부터 송신된 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하며 내부로 주입된 기체가 단부로 배출되면서 상기 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마가 발생하는 유도관을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 버너를 제공한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1 은 본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너의 구조도이다.
본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너는 도 1 에 도시한 바와 같이 공진기(200)의 내부에서 마그네트론(100)의 안테나(110)로 부터 송신 및 공진되는 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하고, 내부로 주입된 기체가 단부(211)에서 배출되면서 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마를 발생하는 유도관(210)으로 이루어진다.
여기서, 상기 유도관(210)은 상기 안테나(110)와 그 크기가 비례하며 동일한 형태로 이루어진다. 특히 상기 유도관(210) 중 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에 위치하는 부분은 마그네트론의 안테나(110)와 동일한 형태로 그 크기가 2배로 이루어진다.
즉, 본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너는 마이크로 웨이브를 발생하여 안테나(110)를 통해 송신하는 마그네트론(100)과; 상기 안테나(110)로 부터 송신되는 마이크로 웨이브가 공진되는 웨이브 가이드 공진기(200)과; 상기 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에 설치되어 상기 안테나(110)로 부터 송신된 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하며 내부로 주입된 기체가 단부(211)로 배출되면서 상기 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마가 발생하는 유도관(210)과; 상기 유도관(210)의 단부(211)에서 발생되는 고열을 집중시키기 위해 상기 유도관(210)의 외부를 감싸는 가이드관(320)과; 상기 유도관(210)의 단부(211)에서 방출되는 마이크로 웨이브의 외부 유출을 방지하기 위해 상기 가이드관(320)의 외부를 감싸는 외부 전극관(330)으로 구성된다.
여기서, 상기 유도관(210)은 상기 안테나(110)와 그 크기가 비례하며 동일한 형태로 이루어지며, 구리와 같은 도체로 이루어진다.
또한, 상기 가이드관(320)은 고열에 의한 불꽃이 집중되도록 하는 것으로, 고열에도 강한 석영과 같은 부도체로 이루어지고, 상기 외부 전극관(330)은 스테인레스 스틸과 같이 강한 도체로 이루어진다.
한편, 상기 웨이브 가이드 공진기(200)에서 상기 유도관(210)이 통과하면서 접하는 부분(220)은 유도관(210)과 웨이브 가이드 공진기(200)가 전도되지 않도록 세라믹과 같은 부도체로 형성하고, 상기 마그네트론(100)과 웨이브 가이드 공진기(200)가 내부에 설치되는 하우징(400)은 접지 기능을 하면서 마이크로 웨이브가 외부로 방출되지 않도록 강철로 이루어지며, 상기 하우징(400)에서 상기 유도관(210)이 통과하면서 접하는 부분(410)은 하우징(400)과 유도관(210)이 전도되지 않도록 부도체로 형성하며, 상기 유도관(210)이 하우징(400)의 외부에서 지지되도록 하는 가이드(350)는 상기 유도관(210)과 전도되지 않도록 부도체로 형성하며, 상기 가이드(350)의 외주면에 위치하며 상기 가이드관(320)과 외부 전극관(330)을 고정시키기 위한 고정 부재(340)는 도체로 형성한다.
이때 상기 하우징(400)에서 상기 유도관(210)이 통과하면서 접하는 부분(410)에 상기 고정 부재(340)가 접하도록 한다.
또한, 상기 마그네트론(100)에서는 열이 많이 발생하므로 발생된 열을 제거하기 위해 송풍팬(120)을 설치하여 에어 쿨링(Air Cooling)을 하도록 한다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너의 작용을 설명한다.
마그네트론(100)으로 전원을 공급하고 작동시키면 마이크로 웨이브가 발생하게 되고 발생된 마이크로 웨이브는 안테나(110)를 통해 웨이브 가이드 공진기(200)로 유입되어 공진하게 된다.
상기 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에서 공진하는 마이크로 웨이브는 상기 유도관(210)에서 유도되어 단부(211)로 전달된다.
또한 상기 유도관(210)의 내부로 기체를 주입시키게 되면 상기 유도관(210)을 따라 단부(211)로 배출되게 된다.
이때 상기 유도관(210)의 단부(211)로 배출되는 기체는 상기 유도관(210)의 표면을 따라 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하게 되면서 고열이 발생하게 되고 발생된 고열에 의해 불꽃(500)이 생기게 된다. 주입되는 기체에 따라 단부(211)의 온도가 달라지며 특히 대기중의 공기를 주입하는 경우 단부(211)의 불꽃의 온도는 약 3,000℃ 정도의 온도가 된다.
또한, 진동에 의해 발생된 불꽃(500)의 주변에는 플라즈마(600)가 발생하게 된다.
한편, 상기 유도관(210)의 외부에 설치된 가이드관(320)은 발생된 불꽃이 집중되도록 하며, 상기 외부 전극관(330)은 마이크로 웨이브가 외부로 방출되지 못하도록 한다.
이와 같이 유도관(210)의 단부에는 고열에 의해 불꽃(500)이 발생하게 되고 이때 주입되어 배출되는 기체의 종류에 따라 단부(211)에서 발생되는 열이 달라지게 되므로, 필요에 따라 주입되는 기체의 종류를 달리할 수 있다.
예를 들면 용접에 사용시 용접할 물체의 성질에 따라 그 온도를 달리할 수 있다. 즉 산화를 방지하면서 온도를 높이기 위해서는 그에 알맞도록 질소나 탄소, 아르곤들을 이용할 수 있다.
또한, 대기중의 공기를 유도관(210)으로 주입시켜 배출하는 경우에도 마이크로 웨이브에 의한 진동에 의해 고열과 플라즈마가 발생되게 된다.
이때 상기 유도관(210)의 단부(211)는 마이크로 웨이브에 의해 자동으로 고열에 의한 불꽃이 발생되므로 별도의 점화기가 불필요하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 마이크로 웨이브 플라즈마 버너는 다음과 같은 효과 및 가 있다.
첫째, 진공을 사용하지 않는 구조로 강력한 고온의 플라즈마를 발생할 수 있다.
둘째, 공기의 진동에 의해 발생된 열로 불꽃이 발생하므로 점화시 별도의 점화기가 필요없다.
셋째, 고열의 불꽃이 발생하므로 용접과 컷팅에 사용할 수 있다.
넷째, 진동에 의해 발생된 열에 의해 완전 연소가 이루어지므로 공기 오염을 방지할 수 있다.
다섯째, 원하는 기체를 주입하여 사용하므로써 용접시 산화를 방지할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에서 마그네트론(100)의 안테나(110)로 부터 송신 및 공진되는 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하고, 내부로 주입된 기체가 단부(211)에서 배출되면서 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마를 발생하는 유도관(210)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 버너.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유도관(210)은
    상기 안테나(110)와 비례하여 동일한 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 버너.
  3. 마이크로 웨이브를 발생하여 안테나(110)를 통해 송신하는 마그네트론(100)과;
    상기 안테나(110)로 부터 송신되는 마이크로 웨이브가 공진되는 웨이브 가이드 공진기(200)과;
    상기 웨이브 가이드 공진기(200)의 내부에 설치되어 상기 안테나(110)로 부터 송신된 마이크로 웨이브를 수신 및 유도하며 내부로 주입된 기체가 단부(211)로 배출되면서 상기 유도된 마이크로 웨이브에 의해 진동하여 고열 및 플라즈마가 발생하는 유도관(210)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 버너.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 유도관(210)은
    상기 안테나(110)와 비례하여 동일한 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 버너.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 유도관(210)의 단부(211)에서 발생되는 고열을 집중시키기 위해 상기 유도관(210)의 외부를 감싸는 가이드관(320)과;
    상기 유도관(210)의 단부(211)에서 방출되는 마이크로 웨이브의 외부 유출을 방지하기 위해 상기 가이드관(320)의 외부를 감싸는 외부 전극관(330)을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 플라즈마 버너.
KR1019990016733A 1999-05-11 1999-05-11 마이크로웨이브플라즈마버너 KR19990068381A (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990016733A KR19990068381A (ko) 1999-05-11 1999-05-11 마이크로웨이브플라즈마버너
AU52516/00A AU5251600A (en) 1999-05-11 2000-05-09 Microwave plasma burner
EP00937329A EP1190605A4 (en) 1999-05-11 2000-05-09 Microwave plasma torch
KR10-2001-7014285A KR100522658B1 (ko) 1999-05-11 2000-05-09 마이크로웨이브 플라즈마 버너
JP2000617701A JP3553021B2 (ja) 1999-05-11 2000-05-09 マイクロウエーブプラズマバーナー
PCT/KR2000/000434 WO2000069230A1 (en) 1999-05-11 2000-05-09 Microwave plasma burner
US10/009,933 US6734385B1 (en) 1999-05-11 2000-05-09 Microwave plasma burner

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990016733A KR19990068381A (ko) 1999-05-11 1999-05-11 마이크로웨이브플라즈마버너

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990068381A true KR19990068381A (ko) 1999-09-06

Family

ID=19584704

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990016733A KR19990068381A (ko) 1999-05-11 1999-05-11 마이크로웨이브플라즈마버너
KR10-2001-7014285A KR100522658B1 (ko) 1999-05-11 2000-05-09 마이크로웨이브 플라즈마 버너

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7014285A KR100522658B1 (ko) 1999-05-11 2000-05-09 마이크로웨이브 플라즈마 버너

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6734385B1 (ko)
EP (1) EP1190605A4 (ko)
JP (1) JP3553021B2 (ko)
KR (2) KR19990068381A (ko)
AU (1) AU5251600A (ko)
WO (1) WO2000069230A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130107091A (ko) * 2012-03-21 2013-10-01 엘지전자 주식회사 마이크로웨이브 가스버너

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2398976B (en) * 2003-02-28 2006-03-08 Samsung Electronics Co Ltd Neural network decoder
JP4109213B2 (ja) 2004-03-31 2008-07-02 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー 同軸形マイクロ波プラズマトーチ
DE102004026636B3 (de) * 2004-06-01 2005-07-21 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung und Verfahren zum Umschmelzen von metallischen Oberflächen
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US7806077B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-05 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
US20060052883A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Lee Sang H System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module
KR100689037B1 (ko) * 2005-08-24 2007-03-08 삼성전자주식회사 마이크로파 공명 플라즈마 발생장치 및 그것을 구비하는플라즈마 처리 시스템
US9681529B1 (en) * 2006-01-06 2017-06-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Microwave adapting plasma torch module
TW200742506A (en) * 2006-02-17 2007-11-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and work process apparatus
JP4890946B2 (ja) * 2006-05-31 2012-03-07 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
US7921804B2 (en) * 2008-12-08 2011-04-12 Amarante Technologies, Inc. Plasma generating nozzle having impedance control mechanism
US20100201272A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing
US20100254853A1 (en) * 2009-04-06 2010-10-07 Sang Hun Lee Method of sterilization using plasma generated sterilant gas
FR2952786B1 (fr) * 2009-11-17 2012-06-08 Centre Nat Rech Scient Torche a plasma et procede de stabilisation d'une torche a plasma
US10477665B2 (en) * 2012-04-13 2019-11-12 Amastan Technologies Inc. Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing
KR101355835B1 (ko) 2013-01-10 2014-01-29 주식회사 라이트브릿지 플라즈마 레인지
CN114845454A (zh) * 2022-03-24 2022-08-02 吉林大学 一种微波耦合等离子体与高温火焰融合激发源
KR102629240B1 (ko) 2023-03-28 2024-01-26 최병렬 양자 이론 기반 재생원유와 바이오디젤과 바이오에탄올 생산 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64725A (en) * 1987-03-20 1989-01-05 Canon Inc Plasma treatment method and device therefor
KR890004127A (ko) * 1987-08-13 1989-04-20 돈 스마트 미분탄 연료 버너
KR940020452A (ko) * 1993-02-26 1994-09-16 김주용 마이크로웨이브 파워 발생 시스템

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2616614B1 (fr) 1987-06-10 1989-10-20 Air Liquide Torche a plasma micro-onde, dispositif comportant une telle torche et procede pour la fabrication de poudre les mettant en oeuvre
US5083004A (en) * 1989-05-09 1992-01-21 Varian Associates, Inc. Spectroscopic plasma torch for microwave induced plasmas
US5051557A (en) * 1989-06-07 1991-09-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services Microwave induced plasma torch with tantalum injector probe
JP2527150B2 (ja) * 1989-07-25 1996-08-21 豊信 吉田 マイクロ波熱プラズマ・ト―チ
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
JPH065384A (ja) * 1992-06-17 1994-01-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ発生トーチ管
DE4239843A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-01 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung von Plasma, insbesondere zum Beschichten von Substraten
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
JPH06290896A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Hitachi Ltd 高周波プラズマヒータおよびその運転方法
US5479254A (en) * 1993-10-22 1995-12-26 Woskov; Paul P. Continuous, real time microwave plasma element sensor
US5565118A (en) * 1994-04-04 1996-10-15 Asquith; Joseph G. Self starting plasma plume igniter for aircraft jet engine
TW285746B (ko) * 1994-10-26 1996-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH09199294A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Fujitsu Ltd プラズマ形成方法
US6029602A (en) * 1997-04-22 2000-02-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for efficient and compact remote microwave plasma generation
RU2171554C2 (ru) * 1999-04-07 2001-07-27 Корчагин Юрий Владимирович Способ генерации плазмы и устройство для его осуществления
US6225745B1 (en) * 1999-12-17 2001-05-01 Axcelis Technologies, Inc. Dual plasma source for plasma process chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64725A (en) * 1987-03-20 1989-01-05 Canon Inc Plasma treatment method and device therefor
KR890004127A (ko) * 1987-08-13 1989-04-20 돈 스마트 미분탄 연료 버너
KR940020452A (ko) * 1993-02-26 1994-09-16 김주용 마이크로웨이브 파워 발생 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130107091A (ko) * 2012-03-21 2013-10-01 엘지전자 주식회사 마이크로웨이브 가스버너

Also Published As

Publication number Publication date
EP1190605A1 (en) 2002-03-27
KR100522658B1 (ko) 2005-10-20
WO2000069230A1 (en) 2000-11-16
JP2002543985A (ja) 2002-12-24
US6734385B1 (en) 2004-05-11
AU5251600A (en) 2000-11-21
EP1190605A4 (en) 2006-08-23
JP3553021B2 (ja) 2004-08-11
KR20020015989A (ko) 2002-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100522658B1 (ko) 마이크로웨이브 플라즈마 버너
US6362449B1 (en) Very high power microwave-induced plasma
US4611108A (en) Plasma torches
US6388225B1 (en) Plasma torch with a microwave transmitter
US4883570A (en) Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electromagnetic waves
KR100638109B1 (ko) 플라즈마 화염 발생장치
US6194835B1 (en) Device for producing plasma
JPS57186067A (en) Ignition device of engine
US3280364A (en) High-frequency discharge plasma generator utilizing an auxiliary flame to start, maintain and stop the main flame
Al-Shamma'a et al. Atmospheric microwave plasma jet for material processing
RU2171554C2 (ru) Способ генерации плазмы и устройство для его осуществления
NO891264L (no) Plasmabrenner.
KR100394994B1 (ko) 전자파를 이용한 플라즈마토치
JPH09289099A (ja) プラズマ処理方法および装置
CA3121390A1 (en) Apparatus for treating materials with plasma
KR100375423B1 (ko) 디젤 엔진에서 배출되는 매연 제거 플라즈마 장치
RU2274963C2 (ru) Сверхвысокочастотный плазмотрон
JP2000012283A (ja) プラズマ生成装置
KR20130107091A (ko) 마이크로웨이브 가스버너
US11956882B2 (en) High-power plasma torch with dielectric resonator
KR20040107334A (ko) 절단, 용접 및 국부 가열 장치를 위한 전자파 플라즈마 토치
JP3118300B2 (ja) 高周波誘導熱プラズマトーチ
CN112105136B (zh) 一种微波等离子体炬点火方法
KR20030064125A (ko) 고효율 상압 마이크로웨이브 플라즈마시스템
JPH06290896A (ja) 高周波プラズマヒータおよびその運転方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination