JPH0559020A - 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 - Google Patents
置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法Info
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- JPH0559020A JPH0559020A JP21505791A JP21505791A JPH0559020A JP H0559020 A JPH0559020 A JP H0559020A JP 21505791 A JP21505791 A JP 21505791A JP 21505791 A JP21505791 A JP 21505791A JP H0559020 A JPH0559020 A JP H0559020A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 下記反応式で表わされる、除草剤として有用
な式(I)の置換フェノキシスルホニルカルバモイルト
リアゾール誘導体の製造法。 〔式中、R1およびR2は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、Yは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
など、mは1〜5の整数、Xはハロゲン原子を示す〕 【効果】 式(I)の置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を効率的に製造できる。
な式(I)の置換フェノキシスルホニルカルバモイルト
リアゾール誘導体の製造法。 〔式中、R1およびR2は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、Yは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
など、mは1〜5の整数、Xはハロゲン原子を示す〕 【効果】 式(I)の置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を効率的に製造できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は置換フェノキシスルホニ
ルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法に関し、さ
らに詳しくは、除草剤として有用な下記式(I)、
ルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法に関し、さ
らに詳しくは、除草剤として有用な下記式(I)、
【化4】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、mは1,2,3,4または5の整数を
表わす〕で表わされるカルバモイルトリアゾール誘導体
の製造法に関する。
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、mは1,2,3,4または5の整数を
表わす〕で表わされるカルバモイルトリアゾール誘導体
の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、前記式(I)で示される化合物の
製造方法として、下記反応式Aに示す行程に従い合成す
る方法が知られている(特願平2−416502号明細
書参照)。
製造方法として、下記反応式Aに示す行程に従い合成す
る方法が知られている(特願平2−416502号明細
書参照)。
【0003】
【化5】 〔式中、Y,m,R1 およびR2 は上記と同義であり、
ZおよびAはハロゲン原子を表わす。〕
ZおよびAはハロゲン原子を表わす。〕
【0004】しかしながら、前記反応において使用する
原料の上記式(IV)で示される化合物は、非常に不安定
であり、貯蔵することができず、また反応性の低い前記
式(II)で示される化合物とは反応しがたいという欠点を
有している。
原料の上記式(IV)で示される化合物は、非常に不安定
であり、貯蔵することができず、また反応性の低い前記
式(II)で示される化合物とは反応しがたいという欠点を
有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た除草活性を有する化合物である前記式(I)の化合物
を、入手し易い安価でかつ安定な原料を用いて、短い反
応工程で製造する方法を見い出すことである。
た除草活性を有する化合物である前記式(I)の化合物
を、入手し易い安価でかつ安定な原料を用いて、短い反
応工程で製造する方法を見い出すことである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、少ない施
用量で高い除草活性を示し、殺草スペクトラムが広く且
つ主要作物に良好な選択性を有する前記式(I)で示さ
れる置換フェノキシスルホニルカルバモイルトリアゾー
ル誘導体の効率的な製造法を確立すべく鋭意研究努力を
重ねた。その結果、従来の文献に未載の下記式(III)
用量で高い除草活性を示し、殺草スペクトラムが広く且
つ主要作物に良好な選択性を有する前記式(I)で示さ
れる置換フェノキシスルホニルカルバモイルトリアゾー
ル誘導体の効率的な製造法を確立すべく鋭意研究努力を
重ねた。その結果、従来の文献に未載の下記式(III)
【0007】
【化6】 〔式中、Y,R1 およびR2 は、前記と同義であり、X
はハロゲン原子を表す。〕で示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイルトリアゾール誘導体を前記式(II)で
示されるフェノール類と反応させることにより、除草剤
として非常に有用な前記式(I)で示される置換フェノ
キシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体が有利
に製造できることを見い出し本発明を完成するに至っ
た。かくして、本発明によれば、下記式(I)
はハロゲン原子を表す。〕で示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイルトリアゾール誘導体を前記式(II)で
示されるフェノール類と反応させることにより、除草剤
として非常に有用な前記式(I)で示される置換フェノ
キシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体が有利
に製造できることを見い出し本発明を完成するに至っ
た。かくして、本発明によれば、下記式(I)
【0008】
【化7】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、mは1,2,3,4または5の整数を
表わす〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバモ
イルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
(II)
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、mは1,2,3,4または5の整数を
表わす〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバモ
イルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
(II)
【0009】
【化8】 〔式中、Yおよびmは上記と同義である、〕で示される
フェノール類と、下記式(III)
フェノール類と、下記式(III)
【0010】
【化9】 〔式中、R1 およびR2 は上記と同義であり、Xはハロ
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式(I)で示される置換フェノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法が提供
される。
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式(I)で示される置換フェノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法が提供
される。
【0011】本発明の方法は、前記式(II)で示される
フェノール類と、前記式(III)で示されるハロゲン化ス
ルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体とのカップリ
ング反応により、前記式(I)で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体を工業的に収率よく製造できる非常
に有用な方法である。すなわち、前記式(I)で示され
る化合物は、下記反応式Bのとおり、式(II)で示され
るフェノール類と式(III)て示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイル誘導体とを、塩基の存在下、適当な有
機溶媒中で反応させることにより製造することができ
る。
フェノール類と、前記式(III)で示されるハロゲン化ス
ルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体とのカップリ
ング反応により、前記式(I)で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体を工業的に収率よく製造できる非常
に有用な方法である。すなわち、前記式(I)で示され
る化合物は、下記反応式Bのとおり、式(II)で示され
るフェノール類と式(III)て示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイル誘導体とを、塩基の存在下、適当な有
機溶媒中で反応させることにより製造することができ
る。
【0012】
【化10】 〔式中、Y,X,m,R1 およびR2 は前記と同義であ
る。〕本発明の出発原料として用いられる上記式(III)
の化合物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、下記
反応式Cのとおり、式(VI) で示されるベンジルチオカ
ルバモイルトリアゾール誘導体と塩素原子または臭素原
子とを反応させることにより製造することができる。
る。〕本発明の出発原料として用いられる上記式(III)
の化合物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、下記
反応式Cのとおり、式(VI) で示されるベンジルチオカ
ルバモイルトリアゾール誘導体と塩素原子または臭素原
子とを反応させることにより製造することができる。
【0013】
【化11】 〔式中、X′は塩素原子または臭素原子を表わし、R1
およびR2 は前記と同義である。〕また、式(III)の化
合物においてXがフッ素原子の場合、下記反応式Dのと
おり、反応式Cに示される方法で製造された式(III −
b)のクロロスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導
体とフッ素化剤とを反応させることにより製造すること
ができる。
およびR2 は前記と同義である。〕また、式(III)の化
合物においてXがフッ素原子の場合、下記反応式Dのと
おり、反応式Cに示される方法で製造された式(III −
b)のクロロスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導
体とフッ素化剤とを反応させることにより製造すること
ができる。
【0014】
【化12】 〔式中、R1 およびR2 は前記と同義である。〕これら
の式(III −a),(III −b),(III −c)で示さ
れる化合物の製造法は、特願平3−206992号明細
書に詳細に述べられている。出発原料として用いられる
前記式(II)で示されるフェノール類は、全て市販され
ており、容易に入手可能である。さらに、式(III)の化
合物の出発原料として用いられる式(VI) で示される化
合物の製造法は、例えばドイツ公開特許第303119
1A1号公報および特開昭57−58675号公報等に
記載されている。
の式(III −a),(III −b),(III −c)で示さ
れる化合物の製造法は、特願平3−206992号明細
書に詳細に述べられている。出発原料として用いられる
前記式(II)で示されるフェノール類は、全て市販され
ており、容易に入手可能である。さらに、式(III)の化
合物の出発原料として用いられる式(VI) で示される化
合物の製造法は、例えばドイツ公開特許第303119
1A1号公報および特開昭57−58675号公報等に
記載されている。
【0015】ここで本明細書において、「ハロゲン原
子」としてはたとえばフッ素、塩素、臭素が挙げられ
る。これらの中でも臭素または塩素原子が好ましい。ま
た、本明細書において「低級」なる語はこの語が付され
た原子団または化合物の炭素原子数が6個以下、好まし
くは4個以下であることを意味する。かくして、「低級
アルキル基」は、直鎖状または分岐鎖状のいずれかのタ
イプのものであってもよく、例えばメチル、エチル、n
−プロピル、iso −プロピル、n−ブチル、sec −ブチ
ル、iso −ブチル、tert−ブチル、n−アミル等が挙げ
られる。「低級アルケニル基」は、例えば、アリル、2
−メチル−2−プロペニル、2−ブテニルおよび3−ブ
テニル基等が挙げられる。
子」としてはたとえばフッ素、塩素、臭素が挙げられ
る。これらの中でも臭素または塩素原子が好ましい。ま
た、本明細書において「低級」なる語はこの語が付され
た原子団または化合物の炭素原子数が6個以下、好まし
くは4個以下であることを意味する。かくして、「低級
アルキル基」は、直鎖状または分岐鎖状のいずれかのタ
イプのものであってもよく、例えばメチル、エチル、n
−プロピル、iso −プロピル、n−ブチル、sec −ブチ
ル、iso −ブチル、tert−ブチル、n−アミル等が挙げ
られる。「低級アルケニル基」は、例えば、アリル、2
−メチル−2−プロペニル、2−ブテニルおよび3−ブ
テニル基等が挙げられる。
【0016】「低級ハロアルケニル基」は、例えば、3
−クロロ−2−プロペニル、2−クロロ−2−プロペニ
ル、4−クロロ−2−ブテニルおよび3−クロロ−2−
ブテニル基等が挙げられる。「低級ハロアルキル基」
は、例えば、モノクロロメチル、トリフルオロメチル、
2−クロロエチルおよびトリフルオロエチル基等が挙げ
られる。「R1 およびR2 が一緒になって低級アルキル
基で置換されていてもよい炭素数3〜6のアルキレン
鎖」は、例えば2−メチルピペリジル環基、2,6−ジ
メチルピペリジル環基および2−エチルピペリジル環基
等が挙げられる。
−クロロ−2−プロペニル、2−クロロ−2−プロペニ
ル、4−クロロ−2−ブテニルおよび3−クロロ−2−
ブテニル基等が挙げられる。「低級ハロアルキル基」
は、例えば、モノクロロメチル、トリフルオロメチル、
2−クロロエチルおよびトリフルオロエチル基等が挙げ
られる。「R1 およびR2 が一緒になって低級アルキル
基で置換されていてもよい炭素数3〜6のアルキレン
鎖」は、例えば2−メチルピペリジル環基、2,6−ジ
メチルピペリジル環基および2−エチルピペリジル環基
等が挙げられる。
【0017】「低級アルコキシ基」は、例えば、メトキ
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−
ブトキシ、イソブトキシ、第二ブトキシおよび第三ブト
キシ基等が挙げられる。「低級ハロアルコキシ基」は、
例えば、ジフルオロメトキシ、トリフルオロエトキシお
よびテトラフルオロエトキシ基等が挙げられる。「低級
アルキルカルボニル基」は、例えば、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレ
リルおよびピバロイル基等が挙げられる。また「低級ア
ルコキシカルボニル基」は、例えば、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニルおよびn−プロポキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−
ブトキシ、イソブトキシ、第二ブトキシおよび第三ブト
キシ基等が挙げられる。「低級ハロアルコキシ基」は、
例えば、ジフルオロメトキシ、トリフルオロエトキシお
よびテトラフルオロエトキシ基等が挙げられる。「低級
アルキルカルボニル基」は、例えば、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレ
リルおよびピバロイル基等が挙げられる。また「低級ア
ルコキシカルボニル基」は、例えば、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニルおよびn−プロポキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
【0018】上記反応式Bで示される本発明方法におい
て、式(II)の化合物に対する式(III)の化合物の使用
割合は特に厳密に制限されるものではないが、通常式
(II)の化合物1当量に対して式(III)の化合物は1〜
1.2当量の範囲内の量で使用するのが好ましい。本発
明方法は、通常塩基の存在下に行うことができ、用いう
る塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩
基;トリエチルアミン、ジエチルアニリン、ピリジンな
どの有機塩基を好ましく例示することができる。その使
用量は適宜に選択できるが、例えば式(II)の化合物1
モルに対して通常1〜5モル、好ましくは1〜2モルの
範囲内の使用量を例示することができる。
て、式(II)の化合物に対する式(III)の化合物の使用
割合は特に厳密に制限されるものではないが、通常式
(II)の化合物1当量に対して式(III)の化合物は1〜
1.2当量の範囲内の量で使用するのが好ましい。本発
明方法は、通常塩基の存在下に行うことができ、用いう
る塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩
基;トリエチルアミン、ジエチルアニリン、ピリジンな
どの有機塩基を好ましく例示することができる。その使
用量は適宜に選択できるが、例えば式(II)の化合物1
モルに対して通常1〜5モル、好ましくは1〜2モルの
範囲内の使用量を例示することができる。
【0019】反応温度は、氷冷下ないし溶媒の沸点の温
度範囲で任意に設定できる。反応時間は、設定条件によ
って変化するが、通常1〜24時間で終了させることが
できる。上記の反応は通常溶媒中で行うことができ、使
用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケトン
類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテルなどの
エーテル類;酢酸エチルなどのエステル類;ジクロロメ
タンなどのハロゲン化炭化水素類;ベンゼン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド
などの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例示するこ
とができる。更に、水と上記溶媒類との混合溶媒も使用
可能である。溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば式(II)の化合物に対して5〜20重量倍量の如き使
用量を例示することができる。かくして式(I)の目的
化合物を製造することができる。
度範囲で任意に設定できる。反応時間は、設定条件によ
って変化するが、通常1〜24時間で終了させることが
できる。上記の反応は通常溶媒中で行うことができ、使
用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケトン
類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテルなどの
エーテル類;酢酸エチルなどのエステル類;ジクロロメ
タンなどのハロゲン化炭化水素類;ベンゼン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド
などの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例示するこ
とができる。更に、水と上記溶媒類との混合溶媒も使用
可能である。溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば式(II)の化合物に対して5〜20重量倍量の如き使
用量を例示することができる。かくして式(I)の目的
化合物を製造することができる。
【0020】本発明の出発原料として用いられる式(II
I)の化合物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、前
記反応式Cで示されるとおり、式(VI) の化合物に、適
当な溶媒中、−10℃〜10℃の温度範囲内で5〜10
時間塩素を吹き込むか、または攪拌しながら臭素を滴下
することにより製造することができる。この反応に使用
しうる溶媒としては、例えば5〜20%食塩水、水−塩
化鉄混合溶媒などを、あるいはXが塩素原子の場合は1
〜5規定塩酸、Xが臭素原子の場合は1〜5規定臭化水
素酸などを例示することができる。溶媒の使用量は適当
に選択変更でき、例えば(VI)の化合物に対して5〜2
0重量倍が適当である。式(III)の化合物において、X
がフッ素原子の場合は、前記反応式Dで示されるとお
り、式(III −b)の化合物に、適当な溶媒の存在下、
フッ素化剤を反応させることにより製造することができ
る。
I)の化合物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、前
記反応式Cで示されるとおり、式(VI) の化合物に、適
当な溶媒中、−10℃〜10℃の温度範囲内で5〜10
時間塩素を吹き込むか、または攪拌しながら臭素を滴下
することにより製造することができる。この反応に使用
しうる溶媒としては、例えば5〜20%食塩水、水−塩
化鉄混合溶媒などを、あるいはXが塩素原子の場合は1
〜5規定塩酸、Xが臭素原子の場合は1〜5規定臭化水
素酸などを例示することができる。溶媒の使用量は適当
に選択変更でき、例えば(VI)の化合物に対して5〜2
0重量倍が適当である。式(III)の化合物において、X
がフッ素原子の場合は、前記反応式Dで示されるとお
り、式(III −b)の化合物に、適当な溶媒の存在下、
フッ素化剤を反応させることにより製造することができ
る。
【0021】反応に使用しうるフッ素化剤としては例え
ばフッ化カリウムなどを使用することができ、その使用
量は化合物(III −b)1当量に対して1〜3当量が適
当である。反応温度は、氷冷下ないし、溶媒の沸点の温
度範囲内で任意に設定できる。反応時間は、設定条件に
よって変化し、特に限定されないが、通常1〜24時間
が適当である。上記反応は通常溶媒中で行うことがで
き、使用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどの
ケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエ
ーテルなどのエーテル類;酢酸エチルなどのエステル
類;ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類;ベン
セン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチ
ルホルムアミドなどの極性溶媒などの単独または混合溶
媒を例示することができる。更に、水と前記溶媒類との
混合系も使用可能である。溶媒の使用量には特別な制限
はないが、通常式(III −b)の化合物に対して5〜2
0重量倍が適当である。
ばフッ化カリウムなどを使用することができ、その使用
量は化合物(III −b)1当量に対して1〜3当量が適
当である。反応温度は、氷冷下ないし、溶媒の沸点の温
度範囲内で任意に設定できる。反応時間は、設定条件に
よって変化し、特に限定されないが、通常1〜24時間
が適当である。上記反応は通常溶媒中で行うことがで
き、使用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどの
ケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエ
ーテルなどのエーテル類;酢酸エチルなどのエステル
類;ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類;ベン
セン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチ
ルホルムアミドなどの極性溶媒などの単独または混合溶
媒を例示することができる。更に、水と前記溶媒類との
混合系も使用可能である。溶媒の使用量には特別な制限
はないが、通常式(III −b)の化合物に対して5〜2
0重量倍が適当である。
【0022】かくして式(III )の本発明の原料として
用いられる化合物を製造することができる。以上に述べ
た本発明方法により得られた生成物の反応混合物からの
分離及び/又は精製は、それ自体既知の方法、例えば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で行な
うことができる。
用いられる化合物を製造することができる。以上に述べ
た本発明方法により得られた生成物の反応混合物からの
分離及び/又は精製は、それ自体既知の方法、例えば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で行な
うことができる。
【0023】
【実施例】次に実施例により本発明の方法をさらに具体
的に説明する。 実施例1:4−メチルフェニル−[1−(ジエチルカル
バモイル)−1,2,4−トリアゾール−3−イル]ス
ルホネート(化合物番号)の製造; ドイツ公開特許第3031191A1号公報および特開
昭57−58675号公報に記載の方法に準じて合成し
た1−ジエチルカルバモイル−3−ベンジルチオ−1,
2,4−トリアゾール20gを2規定塩酸250mlに
溶解し、−5〜0℃で攪拌しながら塩素を10時間吹き
込んだ。生じた粗結晶を水で洗浄、さらに副生するベン
ジルクロリドをヘキサンで除去した後、溶媒を留去して
1−ジエチルカルバモイル−3−クロロスルホニル1,
2,4−トリアゾール11.5gを得た(収率62%;
融点55〜57℃)。
的に説明する。 実施例1:4−メチルフェニル−[1−(ジエチルカル
バモイル)−1,2,4−トリアゾール−3−イル]ス
ルホネート(化合物番号)の製造; ドイツ公開特許第3031191A1号公報および特開
昭57−58675号公報に記載の方法に準じて合成し
た1−ジエチルカルバモイル−3−ベンジルチオ−1,
2,4−トリアゾール20gを2規定塩酸250mlに
溶解し、−5〜0℃で攪拌しながら塩素を10時間吹き
込んだ。生じた粗結晶を水で洗浄、さらに副生するベン
ジルクロリドをヘキサンで除去した後、溶媒を留去して
1−ジエチルカルバモイル−3−クロロスルホニル1,
2,4−トリアゾール11.5gを得た(収率62%;
融点55〜57℃)。
【0024】次に、P−クレゾール0.44gをテトラ
ヒドロフラン20mlに溶解し、攪拌ながらトリエチル
アミン0.56mlを加えた。さらに氷冷下、攪拌しな
がら上記で合成した1−ジエチルカルバモイル−3−ク
ロロスルホニル−1,2,4−トリアゾール1.00g
を徐々に加え、室温で14時間攪拌した。テトラヒドロ
フランを減圧下で留去し、2N塩酸10mlを加え、粗
結晶を得た。これをn−ヘキサン−酢酸エチルから再結
晶して標題化合物0.90gを得た(収率70%)。こ
の化合物の 1H−NMRデータ(δ ppm;CDCl3 中)は
次のとおりであった。1.23(6H,t)、2.30
(3H,s)、3.51(4H,q)、7.60(4
H,s)、8.85(1H,s)。
ヒドロフラン20mlに溶解し、攪拌ながらトリエチル
アミン0.56mlを加えた。さらに氷冷下、攪拌しな
がら上記で合成した1−ジエチルカルバモイル−3−ク
ロロスルホニル−1,2,4−トリアゾール1.00g
を徐々に加え、室温で14時間攪拌した。テトラヒドロ
フランを減圧下で留去し、2N塩酸10mlを加え、粗
結晶を得た。これをn−ヘキサン−酢酸エチルから再結
晶して標題化合物0.90gを得た(収率70%)。こ
の化合物の 1H−NMRデータ(δ ppm;CDCl3 中)は
次のとおりであった。1.23(6H,t)、2.30
(3H,s)、3.51(4H,q)、7.60(4
H,s)、8.85(1H,s)。
【0025】実施例2:2−t−ブチルフェニル−[1
−(ジエチルカルバモイル−1,2,4−トリアゾール
−3−イル]スルホネート(化合物番号2)の製造; 2−tert−ブチルフェノール1.95gをテトラヒ
ドロフラン20mlに溶解し、水素化ナトリウム(60
% in oil )0.52gを氷冷下で少しずつ添加し、さ
らに実施例1で合成した1−ジエチルカルバモイル−3
−クロロスルホニル−1,2,4−トリアゾール3.5
0gの20mlテトラヒドロフラン溶液を加え、20時
間加熱還流した。テトラヒドロフランを減圧下で留去
と、氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
を留去して得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル/n−ヘキサン:酢酸エチル=10:
1)で精製し標題化合物1.01gを得た(収率20
%)。この化合物の 1H−NMRデータ(δ ppm;CDCl
3 中)は次のとおりであった。1.29(6H,t)、
1.40(9H,s)、3.58(4H,q)、7.0
〜7.6(4H,m)、8.90(1H,s)。
−(ジエチルカルバモイル−1,2,4−トリアゾール
−3−イル]スルホネート(化合物番号2)の製造; 2−tert−ブチルフェノール1.95gをテトラヒ
ドロフラン20mlに溶解し、水素化ナトリウム(60
% in oil )0.52gを氷冷下で少しずつ添加し、さ
らに実施例1で合成した1−ジエチルカルバモイル−3
−クロロスルホニル−1,2,4−トリアゾール3.5
0gの20mlテトラヒドロフラン溶液を加え、20時
間加熱還流した。テトラヒドロフランを減圧下で留去
と、氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
を留去して得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー(シリカゲル/n−ヘキサン:酢酸エチル=10:
1)で精製し標題化合物1.01gを得た(収率20
%)。この化合物の 1H−NMRデータ(δ ppm;CDCl
3 中)は次のとおりであった。1.29(6H,t)、
1.40(9H,s)、3.58(4H,q)、7.0
〜7.6(4H,m)、8.90(1H,s)。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記式(I) 【化1】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、Yは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、mは1,2,3,4または5の整数を
表わす、〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
(II) 【化2】 〔式中、Yおよびmは上記と同義である、〕で示される
フェノール類と、下記式(III) 【化3】 〔式中、R1 およびR2 は上記と同義であり、Xはハロ
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式(I)で示される置換フエノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21505791A JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21505791A JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0559020A true JPH0559020A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16666048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21505791A Pending JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0559020A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1296363C (zh) * | 2002-04-03 | 2007-01-24 | 国际壳牌研究有限公司 | 制备环氧烷的方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21505791A patent/JPH0559020A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1296363C (zh) * | 2002-04-03 | 2007-01-24 | 国际壳牌研究有限公司 | 制备环氧烷的方法 |
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