JPH0555131A - レジストの塗布方法および塗布装置 - Google Patents
レジストの塗布方法および塗布装置Info
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- JPH0555131A JPH0555131A JP21336791A JP21336791A JPH0555131A JP H0555131 A JPH0555131 A JP H0555131A JP 21336791 A JP21336791 A JP 21336791A JP 21336791 A JP21336791 A JP 21336791A JP H0555131 A JPH0555131 A JP H0555131A
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- Japan
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- resist
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの全表面にわたって、より均一な厚さ
でレジストを塗布することができる方法および装置を提
供する。 【構成】 回転ヘッド３に固定されたウェハ４上に、レ
ジストを滴下した後、回転ヘッド３を回転させることに
より、滴下されたレジスト液をウェハ４の表面に広げる
方法および装置において、第１の局面では、図１（ａ）
に示すように、複数のノズル６、７および８からウェハ
４上で回転中心から距離が異なる複数の場所にレジスト
液を滴下し、かつレジスト液の粘度は回転中心からの距
離が大きくなるにつれてより高くなることを特徴とし、
第２の局面では、図１（ｂ）に示すように、ウェハの回
転中心の上方に設けられる熱源１０により滴下されたレ
ジスト液を加熱しながらウェハ上に広げることを特徴と
する。
でレジストを塗布することができる方法および装置を提
供する。 【構成】 回転ヘッド３に固定されたウェハ４上に、レ
ジストを滴下した後、回転ヘッド３を回転させることに
より、滴下されたレジスト液をウェハ４の表面に広げる
方法および装置において、第１の局面では、図１（ａ）
に示すように、複数のノズル６、７および８からウェハ
４上で回転中心から距離が異なる複数の場所にレジスト
液を滴下し、かつレジスト液の粘度は回転中心からの距
離が大きくなるにつれてより高くなることを特徴とし、
第２の局面では、図１（ｂ）に示すように、ウェハの回
転中心の上方に設けられる熱源１０により滴下されたレ
ジスト液を加熱しながらウェハ上に広げることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路装置
等の製造において、レジストを塗布するための方法およ
び装置に関し、特に、スピンコート法およびその装置の
改良に関する。
等の製造において、レジストを塗布するための方法およ
び装置に関し、特に、スピンコート法およびその装置の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体集積回路装置等の製造において、レジストの塗布に広
く用いられるスピンコート法では、たとえば図４に示さ
れるように、回転ヘッド３に吸引により固定された円盤
形状のウェハ４の中心部に、塗布すべきレジスト液５が
ノズル９によって滴下された後、回転ヘッド３が一定方
向に回転させられる。この回転による遠心力に従って、
レジストはウェハの表面全体に広がるとともに、余分の
レジストが周辺に飛散るようになる。スピンコート法の
場合、得られる膜厚は、レジストの粘度、回転ヘッドの
回転速度、レジストの溶剤および回転ヘッドの初期回転
速度等によって左右される。
体集積回路装置等の製造において、レジストの塗布に広
く用いられるスピンコート法では、たとえば図４に示さ
れるように、回転ヘッド３に吸引により固定された円盤
形状のウェハ４の中心部に、塗布すべきレジスト液５が
ノズル９によって滴下された後、回転ヘッド３が一定方
向に回転させられる。この回転による遠心力に従って、
レジストはウェハの表面全体に広がるとともに、余分の
レジストが周辺に飛散るようになる。スピンコート法の
場合、得られる膜厚は、レジストの粘度、回転ヘッドの
回転速度、レジストの溶剤および回転ヘッドの初期回転
速度等によって左右される。
【０００３】上述したような従来のスピンコート法で
は、レジスト液はウェハの回転中心部分のみに滴下され
るため、遠心力小さい中心部分では、レジスト液の粘性
のため厚いレジスト膜が形成され、遠心力の大きい外周
部分では、薄いレジスト膜が形成される傾向にあった。
ウェハの直径が大きくなれば、この傾向が顕著になり、
レジストパターンの形成に悪影響を及ぼした。このこと
は、デバイス形成の歩留まりを低下させる原因の１つと
なった。
は、レジスト液はウェハの回転中心部分のみに滴下され
るため、遠心力小さい中心部分では、レジスト液の粘性
のため厚いレジスト膜が形成され、遠心力の大きい外周
部分では、薄いレジスト膜が形成される傾向にあった。
ウェハの直径が大きくなれば、この傾向が顕著になり、
レジストパターンの形成に悪影響を及ぼした。このこと
は、デバイス形成の歩留まりを低下させる原因の１つと
なった。
【０００４】この発明の目的は、上記問題点を解決し、
ウェハの表面全体にわたって、より均一な厚さでレジス
トを塗布することができる方法および装置を提供するこ
とにある。
ウェハの表面全体にわたって、より均一な厚さでレジス
トを塗布することができる方法および装置を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に従うレジスト
の塗布方法は、ウェハ上にレジスト液を滴下するレジス
ト滴下工程と、ウェハを回転させることにより、滴下さ
れたレジスト液をウェハの表面全体に拡げる回転塗布工
程とを備え、かつ次に示すことを特徴とする。すなわ
ち、第１の発明に従うレジストの塗布方法は、レジスト
滴下工程が、ウェハの回転中心からの距離が異なるウェ
ハ上の複数の箇所に、回転中心からの距離が大きくなる
につれてより高い粘度を有するレジスト液を滴下するこ
とを特徴とする。一方、第２の発明に従うレジストの塗
布方法は、回転塗布工程が、ウェハの回転中心の上方に
設けられる熱源によりレジスト液を加熱しながら行なわ
れることを特徴とする。
の塗布方法は、ウェハ上にレジスト液を滴下するレジス
ト滴下工程と、ウェハを回転させることにより、滴下さ
れたレジスト液をウェハの表面全体に拡げる回転塗布工
程とを備え、かつ次に示すことを特徴とする。すなわ
ち、第１の発明に従うレジストの塗布方法は、レジスト
滴下工程が、ウェハの回転中心からの距離が異なるウェ
ハ上の複数の箇所に、回転中心からの距離が大きくなる
につれてより高い粘度を有するレジスト液を滴下するこ
とを特徴とする。一方、第２の発明に従うレジストの塗
布方法は、回転塗布工程が、ウェハの回転中心の上方に
設けられる熱源によりレジスト液を加熱しながら行なわ
れることを特徴とする。
【０００６】第３の発明に従うレジストの塗布装置は、
第１の発明の方法を実施するための装置であって、ウェ
ハを回転可能に保持する回転ヘッドと、回転ヘッドに保
持されたウェハ上にレジスト液を滴下するためのノズル
とを備え、回転中心からの距離が異なるウェハ上の複数
の箇所にレジスト液を滴下するため、ノズルが複数個設
けられることを特徴とする。
第１の発明の方法を実施するための装置であって、ウェ
ハを回転可能に保持する回転ヘッドと、回転ヘッドに保
持されたウェハ上にレジスト液を滴下するためのノズル
とを備え、回転中心からの距離が異なるウェハ上の複数
の箇所にレジスト液を滴下するため、ノズルが複数個設
けられることを特徴とする。
【０００７】第４の発明に従うレジストの塗布装置は、
第２の発明の方法を実施するための装置であって、ウェ
ハを回転可能に保持する回転ヘッドと、回転ヘッドに保
持されたウェハ上にレジスト液を滴下するためのノズル
と、ウェハの回転中心の上方に設けられる熱源とを備え
る。熱源には、紫外光を発生しないものが好ましく、た
とえば、ハロゲンランプを赤外透過フィルタで被ったも
の等を使用することができる。
第２の発明の方法を実施するための装置であって、ウェ
ハを回転可能に保持する回転ヘッドと、回転ヘッドに保
持されたウェハ上にレジスト液を滴下するためのノズル
と、ウェハの回転中心の上方に設けられる熱源とを備え
る。熱源には、紫外光を発生しないものが好ましく、た
とえば、ハロゲンランプを赤外透過フィルタで被ったも
の等を使用することができる。
【０００８】
【発明の作用効果】第１の発明に従えば、スピンコート
法において、ウェハ上の複数の箇所にレジスト液が滴下
される。レジスト液が滴下される箇所は、ウェハを回転
させる際の回転中心からそれぞれ異なった距離にある
（なお、滴下場所は回転中心部も含まれる）。また、滴
下されるレジスト液の粘度は、滴下場所が回転中心から
遠くなるほど高くされる。たとえば、回転中心部Ａ、回
転中心からｆ1 だけ離れた部分Ｂおよび回転中心からｆ
2 （ｆ1 ＜ｆ2 ）だけ離れた部分Ｃの３箇所にレジスト
液を滴下するとすれば、それぞれの部分に滴下されるレ
ジスト液の粘度ηA 、η B およびηC は、ηA ＜ηB ＜
ηC の関係となる。このように、回転中心からの距離に
応じてレジスト液の粘度を変えることによって、レジス
ト液にかかる遠心力の違いに対応することができる。す
なわち、回転中心部または回転中心部に近い箇所により
粘度の低いレジスト液を滴下することにより、小さい遠
心力でも十分レジスト液を広げる一方、回転中心部から
比較的遠い箇所では、レジスト液の粘度を高くすること
によって、レジスト液が広がりすぎないようにする。こ
のように、滴下する箇所の遠心力に応じて粘度を調整す
れば、大口径ウェハでもレジストの広がり具合をうまく
バランスさせて、より均一な厚さでレジストを塗布でき
るようになる。
法において、ウェハ上の複数の箇所にレジスト液が滴下
される。レジスト液が滴下される箇所は、ウェハを回転
させる際の回転中心からそれぞれ異なった距離にある
（なお、滴下場所は回転中心部も含まれる）。また、滴
下されるレジスト液の粘度は、滴下場所が回転中心から
遠くなるほど高くされる。たとえば、回転中心部Ａ、回
転中心からｆ1 だけ離れた部分Ｂおよび回転中心からｆ
2 （ｆ1 ＜ｆ2 ）だけ離れた部分Ｃの３箇所にレジスト
液を滴下するとすれば、それぞれの部分に滴下されるレ
ジスト液の粘度ηA 、η B およびηC は、ηA ＜ηB ＜
ηC の関係となる。このように、回転中心からの距離に
応じてレジスト液の粘度を変えることによって、レジス
ト液にかかる遠心力の違いに対応することができる。す
なわち、回転中心部または回転中心部に近い箇所により
粘度の低いレジスト液を滴下することにより、小さい遠
心力でも十分レジスト液を広げる一方、回転中心部から
比較的遠い箇所では、レジスト液の粘度を高くすること
によって、レジスト液が広がりすぎないようにする。こ
のように、滴下する箇所の遠心力に応じて粘度を調整す
れば、大口径ウェハでもレジストの広がり具合をうまく
バランスさせて、より均一な厚さでレジストを塗布でき
るようになる。
【０００９】第３の発明は、第１の発明の方法を実施す
るための装置であって、ノズルを複数個設けることによ
って、ウェハ上の複数の箇所にレジスト液が滴下できる
ようになっている。この装置を用いれば、上述したよう
に、ウェハの回転中心から異なる距離の複数の場所に粘
度の異なるレジスト液をそれぞれ滴下することができ
る。そして、回転ヘッド上のウェハを回転して、上述し
たようにウェハ面全体に均一の厚さでレジストを塗布す
ることができる。
るための装置であって、ノズルを複数個設けることによ
って、ウェハ上の複数の箇所にレジスト液が滴下できる
ようになっている。この装置を用いれば、上述したよう
に、ウェハの回転中心から異なる距離の複数の場所に粘
度の異なるレジスト液をそれぞれ滴下することができ
る。そして、回転ヘッド上のウェハを回転して、上述し
たようにウェハ面全体に均一の厚さでレジストを塗布す
ることができる。
【００１０】第２の発明に従えば、スピンコート法にお
いて、レジスト液は回転中心の上方に設けられる熱源に
より加熱されながらウェハ上に広げられる。加熱によっ
てレジスト液の粘度は全体的に低下する。また、熱源は
回転中心部の上方にあるので、熱源により近い中心部ほ
どより加熱される。したがって、レジスト液は回転中心
に近いほど粘度が低くなり、遠いほど粘度が高くなる。
このような粘度の分布は、上述したような遠心力の分布
に対応する。すなわち、遠心力の弱い中心部では、レジ
スト液の粘度が低く広がりやすくなる一方、遠心力の強
い外周部では、粘度が高くなって広がりすぎが食止めら
れる。このように、粘度の分布を形成することで、レジ
ストの広がり具合がうまく調整されて、大口径ウェハで
も均一な厚さでレジストを塗布できるようになる。
いて、レジスト液は回転中心の上方に設けられる熱源に
より加熱されながらウェハ上に広げられる。加熱によっ
てレジスト液の粘度は全体的に低下する。また、熱源は
回転中心部の上方にあるので、熱源により近い中心部ほ
どより加熱される。したがって、レジスト液は回転中心
に近いほど粘度が低くなり、遠いほど粘度が高くなる。
このような粘度の分布は、上述したような遠心力の分布
に対応する。すなわち、遠心力の弱い中心部では、レジ
スト液の粘度が低く広がりやすくなる一方、遠心力の強
い外周部では、粘度が高くなって広がりすぎが食止めら
れる。このように、粘度の分布を形成することで、レジ
ストの広がり具合がうまく調整されて、大口径ウェハで
も均一な厚さでレジストを塗布できるようになる。
【００１１】第４の発明は、第２の発明の方法を実施す
るための装置であって、ウェハの回転中心の上方に熱源
を設けることによって、上述したようにレジスト液を加
熱することができる。加熱によって、上述したようにレ
ジスト液の粘度分布が形成される。回転ヘッド上のウェ
ハを回転すれば、この粘度分布のためレジストが均一の
厚さで塗布されるようになる。
るための装置であって、ウェハの回転中心の上方に熱源
を設けることによって、上述したようにレジスト液を加
熱することができる。加熱によって、上述したようにレ
ジスト液の粘度分布が形成される。回転ヘッド上のウェ
ハを回転すれば、この粘度分布のためレジストが均一の
厚さで塗布されるようになる。
【００１２】以上に示したこの発明によれば、ウェハの
表面全体にわたって均一な厚さのレジスト膜を形成する
ことができる。したがって、この発明は半導体デバイス
の製造に対して効果的であり、製造されるデバイスの歩
留まり向上に寄与する。
表面全体にわたって均一な厚さのレジスト膜を形成する
ことができる。したがって、この発明は半導体デバイス
の製造に対して効果的であり、製造されるデバイスの歩
留まり向上に寄与する。
【００１３】
【実施例】実施例１ 図１（ａ）は、実施例１において用いられたレジストの
塗布装置を示す。この装置において、カップ１内には、
回転軸２で支持された回転ヘッド３が設けられている。
ウェハ４は、減圧により回転ヘッド３上に吸付けられ
る。ウェハ４の上方には、３つのノズル６、７および８
が設けられている。ノズル８は、ウェハの回転中心部に
レジスト液が滴下されるよう設けられる。また、ノズル
６および７は、回転中心から外周に向かってそれぞれ異
なる位置にレジスト液を滴下するよう設けられている。
塗布装置を示す。この装置において、カップ１内には、
回転軸２で支持された回転ヘッド３が設けられている。
ウェハ４は、減圧により回転ヘッド３上に吸付けられ
る。ウェハ４の上方には、３つのノズル６、７および８
が設けられている。ノズル８は、ウェハの回転中心部に
レジスト液が滴下されるよう設けられる。また、ノズル
６および７は、回転中心から外周に向かってそれぞれ異
なる位置にレジスト液を滴下するよう設けられている。
【００１４】以上のように構成される装置を用いて、以
下に示すとおりウェハ上にレジスト膜を形成した。ま
ず、３インチφのＧａＡｓウェハを、回転ヘッド上に固
定した。ノズル８はウェハの回転中心部、ノズル７は回
転中心部から１２ｍｍ離れた部分、ノズル６は回転中心
部から２４ｍｍ離れた部分にレジスト液を滴下するよう
その位置が調整された。レジスト液は、ＲＤ２０００Ｎ
（日立化成（株）製）の標準品および標準品を溶媒シク
ロヘキサノン（Ｃ6 Ｈ10Ｏ）に希釈して調製したものを
使用した。ノズル６、７および８から滴下されるレジス
ト液は、それぞれノズル６ 標準品（粘度２４±１セン
チストークス）、ノズル７ 標準品：溶媒＝９：１，ノ
ズル８ 標準品：溶媒＝７：３であった。
下に示すとおりウェハ上にレジスト膜を形成した。ま
ず、３インチφのＧａＡｓウェハを、回転ヘッド上に固
定した。ノズル８はウェハの回転中心部、ノズル７は回
転中心部から１２ｍｍ離れた部分、ノズル６は回転中心
部から２４ｍｍ離れた部分にレジスト液を滴下するよう
その位置が調整された。レジスト液は、ＲＤ２０００Ｎ
（日立化成（株）製）の標準品および標準品を溶媒シク
ロヘキサノン（Ｃ6 Ｈ10Ｏ）に希釈して調製したものを
使用した。ノズル６、７および８から滴下されるレジス
ト液は、それぞれノズル６ 標準品（粘度２４±１セン
チストークス）、ノズル７ 標準品：溶媒＝９：１，ノ
ズル８ 標準品：溶媒＝７：３であった。
【００１５】ウェハ上に、ノズル６、７および８からそ
れぞれのレジスト液を１ｃｃずつ滴下した後、回転ヘッ
ドを３００ｒｐｍで２５秒間回転させた。次いで、ウェ
ハ表面に広げられたレジスト液の厚さについて調べた。
その結果、図２（ａ）に示すようなウェハ直径方向に対
する厚さの分布が得られた。一方、従来の方法に従っ
て、ウェハ中心部のみにレジスト液を滴下して塗布した
場合、図２（ｂ）に示すような分布が得られた。図２
（ａ）と図２（ｂ）を比較することにより、第１および
第３の発明に従えば、塗布されるレジスト膜の厚みを、
従来より狭い分布の範囲に収められることが明らかにな
った。 実施例２ 図１（ｂ）は、実施例２において用いられたレジスト塗
布装置を示す。この装置において、ウェハ４は、回転軸
２に支持された回転ヘッド３上に減圧で吸付けられて固
定される。ウェハ４の回転中心上方には、ハロゲンラン
プ１０が設けられている。また、ハロゲンランプ１０と
ウエハ４の間には、紫外光によるレジストの感光を防ぐ
ため、赤外透過フィルタ１１を設ける。
れぞれのレジスト液を１ｃｃずつ滴下した後、回転ヘッ
ドを３００ｒｐｍで２５秒間回転させた。次いで、ウェ
ハ表面に広げられたレジスト液の厚さについて調べた。
その結果、図２（ａ）に示すようなウェハ直径方向に対
する厚さの分布が得られた。一方、従来の方法に従っ
て、ウェハ中心部のみにレジスト液を滴下して塗布した
場合、図２（ｂ）に示すような分布が得られた。図２
（ａ）と図２（ｂ）を比較することにより、第１および
第３の発明に従えば、塗布されるレジスト膜の厚みを、
従来より狭い分布の範囲に収められることが明らかにな
った。 実施例２ 図１（ｂ）は、実施例２において用いられたレジスト塗
布装置を示す。この装置において、ウェハ４は、回転軸
２に支持された回転ヘッド３上に減圧で吸付けられて固
定される。ウェハ４の回転中心上方には、ハロゲンラン
プ１０が設けられている。また、ハロゲンランプ１０と
ウエハ４の間には、紫外光によるレジストの感光を防ぐ
ため、赤外透過フィルタ１１を設ける。
【００１６】以上のように構成される装置を用いて、以
下に示すとおりウェハ上にレジストを塗布した。まず、
３インチφのＧａＡｓウェハを準備し、回転ヘッド３上
に固定させた。次いで、ウェハ４の中心部分に、ＲＤ２
０００Ｎ（日立化成（株）製）標準品（粘度２４±１セ
ンチストークス）からなるレジスト液を滴下した後、ウ
ェハ４の回転中心上方、１００ｍｍのところから、２０
Ｗのハロゲンランプ１０を点灯しながら、３５００回転
／分で２５秒間ウェハ４を回転させた。このとき、ハロ
ゲンランプ１０の光量はレジストが硬化しない程度の温
度（５０℃以下）で加熱するよう制御する必要があっ
た。なお、使用したレジストは赤外線に対して感光する
恐れはなかった。次いで、溶媒を揮発させた後、形成さ
れたレジスト膜の厚み分布について調べた。その結果を
図３の○印に示す。一方、従来の方法に従いハロゲンラ
ンプを点灯せずにレジストを塗布した結果を図３の×印
に示す。この図から明らかなように、第２および第４の
発明に従って形成されたレジスト膜は、従来より均一な
厚みの分布を有するものであった。
下に示すとおりウェハ上にレジストを塗布した。まず、
３インチφのＧａＡｓウェハを準備し、回転ヘッド３上
に固定させた。次いで、ウェハ４の中心部分に、ＲＤ２
０００Ｎ（日立化成（株）製）標準品（粘度２４±１セ
ンチストークス）からなるレジスト液を滴下した後、ウ
ェハ４の回転中心上方、１００ｍｍのところから、２０
Ｗのハロゲンランプ１０を点灯しながら、３５００回転
／分で２５秒間ウェハ４を回転させた。このとき、ハロ
ゲンランプ１０の光量はレジストが硬化しない程度の温
度（５０℃以下）で加熱するよう制御する必要があっ
た。なお、使用したレジストは赤外線に対して感光する
恐れはなかった。次いで、溶媒を揮発させた後、形成さ
れたレジスト膜の厚み分布について調べた。その結果を
図３の○印に示す。一方、従来の方法に従いハロゲンラ
ンプを点灯せずにレジストを塗布した結果を図３の×印
に示す。この図から明らかなように、第２および第４の
発明に従って形成されたレジスト膜は、従来より均一な
厚みの分布を有するものであった。
【図１】実施例１および実施例２においてそれぞれ用い
られたレジストの塗布装置を示す模式図である。
られたレジストの塗布装置を示す模式図である。
【図２】ウェハに塗布されたレジストの厚みの分布につ
いて、実施例１と従来とを比較する図である。
いて、実施例１と従来とを比較する図である。
【図３】実施例２で塗布されたレジストの厚みの分布を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来のレジスト塗布装置を示す模式図である。
２ 回転軸 ３ 回転ヘッド ４ ウェハ ６、７、８ ノズル １０ ハロゲンランプ
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェハ上にレジスト液を滴下するレジス
ト滴下工程と、 前記ウェハを回転させることにより、滴下されたレジス
ト液を前記ウェハの表面全体に拡げる回転塗布工程とを
備えるレジストの塗布方法において、 前記レジスト滴下工程が、前記ウェハ回転中心からの距
離が異なる前記ウェハ上の複数の箇所に、前記回転中心
からの距離が大きくなるにつれてより高い粘度を有する
レジスト液を滴下することを特徴する、レジストの塗布
方法。 - 【請求項２】 ウェハ上にレジスト液を滴下するレジス
ト滴下工程と、 前記ウェハを回転させることにより、滴下されたレジス
ト液を前記ウェハの表面全体に拡げる回転塗布工程とを
備えるレジストの塗布方法において、 前記回転塗布工程が、前記ウェハの回転中心の上方に設
けられる熱源により前記レジスト液を加熱しながら行な
われることを特徴する、レジストの塗布方法。 - 【請求項３】 ウェハを回転可能に保持する回転ヘッド
と、 前記回転ヘッドに保持されたウェハ上にレジスト液を滴
下するためのノズルとを備えるレジストの塗布装置にお
いて、 前記回転中心からの距離が異なるウェハ上の複数の箇所
に前記レジスト液を滴下するため、前記ノズルが複数個
設けられることを特徴する、レジストの塗布装置。 - 【請求項４】 ウェハを回転可能に保持する回転ヘッド
と、 前記回転ヘッドに保持されたウェハ上にレジスト液を滴
下するためのノズルと、 前記ウェハの回転中心の上方に設けられる熱源とを備え
る、レジストの塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336791A JPH0555131A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21336791A JPH0555131A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555131A true JPH0555131A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16638012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21336791A Withdrawn JPH0555131A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555131A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5720814A (en) * | 1995-04-25 | 1998-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist coating apparatus |
| JP2006239479A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 成膜装置、成膜方法、および電子機器の製造方法 |
| JP2014113527A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21336791A patent/JPH0555131A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5720814A (en) * | 1995-04-25 | 1998-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist coating apparatus |
| JP2006239479A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 成膜装置、成膜方法、および電子機器の製造方法 |
| JP2014113527A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |