JPH0552590A - アブソリユ−ト・エンコ−ダ用検出素子 - Google Patents

アブソリユ−ト・エンコ−ダ用検出素子

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JPH0552590A
JPH0552590A JP3233753A JP23375391A JPH0552590A JP H0552590 A JPH0552590 A JP H0552590A JP 3233753 A JP3233753 A JP 3233753A JP 23375391 A JP23375391 A JP 23375391A JP H0552590 A JPH0552590 A JP H0552590A
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pattern
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sensor
track type
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JP3233753A
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Yasushi Ono
康 大野
Takeshi Matsumoto
豪 松本
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンとイ
ンクリメンタル・パタ−ンとを並列に読取る検出素子を
多種多様な符号板に対して共用可能とする。例えば、1
周100刻みのロ−タリ−型アブソリュ−ト・エンコ−
ダと1周60刻みロ−タリ−型アブソリュ−ト・エンコ
−ダとの間で筐体、検出素子、光学式のものにあっては
光源も共通化する。同時に、温度湿度、ごみの侵入、振
動等に対するアブソリュ−ト・エンコ−ダの耐久性を増
す。 【構成】 センサE、F、Gを配置した基板Dと、該基
板Dの上方に交換可能に取付けた透明保護板Hとで検出
素子Bを構成する。ピッチの異なるインクリメンタル・
パタ−ンI、Jに対しては、適正なインデックス・スケ
−ルM、Nを有する透明保護板Hへの交換で対処する。
最小読取単位長さが異なる1トラック型アブソリュ−ト
・パタ−ンPに対しては、例えば複数のセンサから適正
な個数間隔でセンサE、F、Gが選択されるようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、符号板に形成されたパ
タ−ンを読取る複数のセンサをまとめて1枚の基板上に
形成したアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素子、詳し
くは、最小読取り単位長さが異なる1トラック型アブソ
リュ−ト・パタ−ンを有する別の符号板に対しても、該
検出素子を共用できる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】符号板に対する検出部の位置情報をそれ
ぞれの相対位置に固有な絶対位置信号として出力するア
ブソリュ−ト・エンコ−ダは、相対移動可能に組合せた
符号板と検出部とで基本的に構成され、その符号板に
は、絶対位置信号の数字を特定の物理情報に置換えて連
続的に配置したアブソリュ−ト・パタ−ンが形成され、
検出部には、該パタ−ンの物理情報を判別するセンサが
配置される。アブソリュ−ト・エンコ−ダは、外観上、
帯状の符号板に沿って検出部が直線的に移動するリニア
型のものと、円盤または円筒状の符号板に対して検出部
が角移動するロ−タリ−型のものとに大別されるが、い
ずれにせよアブソリュ−ト・パタ−ン上に物理情報とし
て記録された目盛情報(絶対位置信号)を検出部のセン
サにより直接に読取って再び数字に組立て直す計測器で
ある。
【0003】アブソリュ−ト・エンコ−ダとして、従来
は、それぞれピッチの異なる複数本のインクリメンタル
・パタ−ン(多トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン)
を並列に読取って、トラック数だけの桁数の絶対位置信
号を組立てる多トラック型アブソリュ−ト・エンコ−ダ
が一般的であった。しかし、近年では、多トラック型に
代って1トラック型のものが盛んに研究され実用化され
ている。1トラック型アブソリュ−ト・エンコ−ダは、
1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンと呼ばれる1本
の不規則なパタ−ンによってアブソリュ−ト・パタ−ン
が構成されており、パタ−ン本数が少ない分だけ、多ト
ラック型アブソリュ−ト・エンコ−ダに比較して機械構
成が簡略で済み、機械全体の小型化および組立ての自動
化に有利である。
【0004】1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
は、全周期系列やM系列等の特殊な二値数列の1と0を
2種類の最小読取り単位(例えば透明、不透明)に置換
えて1列に並べたものであって、該パタ−ン上で連続し
て隣接した所定複数個の最小読取単位をそれぞれ独立に
読取って二進数(絶対位置信号)を組立てれば、該パタ
−ン上の最小読取単位の個数だけの絶対位置をそれぞれ
相互に判別できる。この絶対位置信号は、「それぞれ異
なるが順序は全くでたらめな二進数」に過ぎないが、安
価に得られる近年の半導体メモリ素子を用いてバイナリ
−コ−ドのような取扱い易い絶対位置信号に1対1に変
換することができる。
【0005】一方、1トラック型アブソリュ−ト・パタ
−ンを読取るため、検出部には、1トラック型アブソリ
ュ−ト・パタ−ンの最小読取単位長さのピッチで複数個
のセンサが該パタ−ンに沿って配列され、それぞれのセ
ンサが絶対位置信号を構成する各桁の1ビットづつを読
取る。従って、アブソリュ−ト・エンコ−ダの高分解能
化を最小読取単位長さの短縮によって達成しようとする
と、センサのピッチおよび開口が縮小されてセンサの出
力特性のばらつきが拡大し、読取りのSN比も低下する
という問題がある。しかし、これらのセンサに関して
は、近年進歩の著しい半導体製造技術を応用して、特性
および形状の揃った複数のセンサを1枚の基板上に一括
形成した集積回路型の検出素子を利用することができ
る。
【0006】実用的な1トラック型アブソリュ−ト・エ
ンコ−ダの多くは、符号板に、1トラック型アブソリュ
−ト・パタ−ンと並べてインクリメンタル・パタ−ンを
配置したものである。インクリメンタル・パタ−ンは、
等間隔な0、1の繰返しパタ−ンであって、通常、1ト
ラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最小読取単位長さ
をλ、nを自然数として、ピッチλ、または、ピッチλ
/2n のものが採用され、両方を採用して合計2本以上
を使用する場合もある。これらのインクリメンタル・パ
タ−ンの用途は、1トラック型アブソリュ−ト・パタ
−ンの読取位置(時期)を制御して、最小読取単位の境
界領域を避けた読取りを行わせる、最小読取単位長さ
を分割して、さらに細かい刻みの絶対位置信号を組立て
る、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの検出信
号の立上りを揃えて絶対位置信号の位置精度を向上させ
る、の3つに大別される。
【0007】の用途にインクリメンタル・パタ−ンを
用いた1トラック型アブソリュ−ト・エンコ−ダとし
て、本願出願人は、先に、特願平3−103723号の
「アブソリュ−ト・エンコ−ダ」を提案した。ここで
は、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン読取り用と
して、最小読取単位長さに等しいピッチλのセンサ群が
位相差1/2λで2組設けられ、インクリメンタル・パ
タ−ンから得たピッチλの方形波の1、0に応じて2組
のセンサ群を交互に切り替えている。従って、1トラッ
ク型アブソリュ−ト・パタ−ン読取り用のセンサは、見
掛け上、検出部にピッチ1/2λで配列される。
【0008】およびの用途にインクリメンタル・パ
タ−ンを用いた光学式の1トラック型アブソリュ−ト・
エンコ−ダの例として、本願出願人は、先に、特願平2
−187988号の「アブソリュ−ト・エンコ−ダ」を
提案した。ここでは、符号板に2本のインクリメンタル
・パタ−ンが配置され、一方のインクリメンタル・パタ
−ンは、そのピッチが1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンの最小読取単位長さの1/8に定めてある。この
先願に示されるように、インクリメンタル・パタ−ンの
光学的な検出については、インクリメンタル・パタ−ン
の一部からなるマスク(インデックス・スケ−ル)をセ
ンサ上に固定して、パタ−ンとインデックス・スケ−ル
との重なりを検出する方法を採用でき、この方法によれ
ば、インクリメンタル・パタ−ンの複数ピッチ分をまと
めたSN比の高い検出信号が得られる。従って、アブソ
リュ−ト・エンコ−ダの分解能を向上させる場合、イン
クリメンタル・パタ−ンを用いて最小読取単位長さを分
割する方法は極めて有効である。
【0009】また、1トラック型アブソリュ−ト・パタ
−ンおよびインクリメンタル・パタ−ンに対する光学式
検出手段の例として、本願出願人は、先に、特願平2−
406194号の「光学式アブソリュ−ト・エンコ−
ダ」を提案した。ここでは、両方のパタ−ンに対するす
べてのセンサが共通な検出素子内(基板上)に配置され
ており、読取り用の光源も共用されている。
【0010】これらの先願によれば、アブソリュ−ト・
エンコ−ダの小型化および高分解能化が1トラック型ア
ブソリュ−ト・パタ−ンの最小読取単位長さの縮小なし
にでも可能であり、インクリメンタル・パタ−ンの活用
は、逆に、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最
小読取単位数(パルス数)を大幅に減らし、最小読取単
位長さを著しく拡大することをも可能にしている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、1トラック
型アブソリュ−ト・パタ−ンだけを単純に読取る初歩的
なアブソリュ−ト・エンコ−ダにせよ、1トラック型ア
ブソリュ−ト・パタ−ンと複数本のインクリメンタル・
パタ−ンを並列に読取る高度な1トラック型アブソリュ
−ト・エンコ−ダにせよ、最小読取単位長さが異なる1
トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンを設けた符号板に
対して、検出素子を共用できないという問題がある。1
トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン検出用のセンサ
は、最小読取単位長さに等しいピッチで配列された、そ
の最小読取り単位長さのパタ−ンにだけ適合する専用部
品であって、異なる最小読取り単位長さの1トラック型
アブソリュ−ト・パタ−ンには転用できない。このこと
は、用途に応じてアブソリュ−ト・エンコ−ダを設計製
作する場合の部品の共通化を妨げ、製品の価格上昇に結
びつく可能性がある。
【0012】例えば、1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ン1周の最小読取単位数を100(100パルス)
としたロ−タリ−型アブソリュ−ト・エンコ−ダの検出
素子を60パルスのロ−タリ−型アブソリュ−ト・エン
コ−ダに共用しようとする場合、最小読取単位長さをそ
のままに維持すると、1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンの直径を縮小することになる。このとき、検出素
子や光源の取付け位置も符号板上内側に移動されること
になり、これらの新しい配置に合わせて筐体全体を作り
直す必要がある。逆に、検出素子や光源の取付け位置を
そのままにして筐体全体を共用しようとすると、最小読
取単位長さを拡大する結果となり、検出素子における1
トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン検出用センサのピ
ッチも拡大する必要がある。
【0013】1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンと
インクリメンタル・パタ−ンを両方読取るようにした検
出素子の場合、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
の最小読取単位長さの変更は、インクリメンタル・パタ
−ンのピッチの変更および該変更に伴うセンサ相互の位
置調整を伴うのでさらに厄介である。インクリメンタル
・パタ−ンの検出にインデックス・スケ−ルを用いるア
ブソリュ−ト・エンコ−ダの場合、異なるピッチのイン
クリメンタル・パタ−ンに対してインデックス・スケ−
ルを共用できないので、新しい最小読取単位長さに併せ
てインデックス・スケ−ルを作り直し、このインデック
ス・スケ−ルを新しい1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンの検出信号に適合するように位置調整する必要が
ある。
【0014】つまり、符号板のパタ−ンの作り直しは、
例えば光学式の場合、既存パタ−ンの剥離、金属薄膜形
成、新規パタ−ン形成まで、磁気式の場合は着磁だけと
極めて容易であるのに対して、筐体および検出素子の作
り直し(再利用)はほとんど不可能で、それぞれ新規に
設計製作する必要がある。従って、最小読取単位長さの
変更に対する検出素子の融通の無さは、1トラック型ア
ブソリュ−ト・エンコ−ダの仕様変更に対する、時間的
かつ費用的な大きな障害である。
【0015】本発明は、このような問題点を鑑みてなさ
れたもので、最小読取単位長さの変更に対する融通性が
大きいアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素子を提供す
ることを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1のアブソリュ−
ト・エンコ−ダ用検出素子は、1トラック型アブソリュ
−ト・パタ−ンを読取るアブソリュ−ト・エンコ−ダ用
検出素子において、前記1トラック型アブソリュ−ト・
パタ−ンの最小読取単位長さの1/2未満のピッチで配
列された複数のセンサと、該複数のセンサを所定の個数
間隔で選択する選択手段とからなり、該個数間隔を調整
することで、最小読取単位長さの異なる別の1トラック
型アブソリュ−ト・パタ−ンにも対応できるものであ
る。
【0017】請求項2のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用
検出素子は、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンと
インクリメンタル・パタ−ンとを並列に読取り、かつイ
ンクリメンタル・パタ−ンの読取りを該インクリメンタ
ル・パタ−ンとインデックス・スケ−ルとの重なりを検
出することで行うアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素
子において、前記アブソリュ−ト・パタ−ンの最小読取
単位長さの1/2未満のピッチで配列された複数のセン
サと前記インクリメンタル・パタ−ンとインデックス・
スケ−ルとの重なりを検出する検出用センサとを並べて
設けた基板と、該基板上に交換可能に設けられ、インデ
ックス・スケ−ルが部分的に形成された透明保護板と、
を有するものである。
【0018】
【作用】請求項1のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出
素子においては、複数のセンサのうち、選択手段に設定
された個数間隔で選択された複数個のセンサによって1
トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンが読取られる。こ
の個数間隔は、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
のほぼ最小読取単位長さごとに最低1個のセンサが選択
されるように設定される。ここで、ほぼ最小読取単位長
さごととしたのは、センサピッチと最小読取り単位長さ
の比が整数または簡単な分数となる以外の場合でもそれ
ぞれの個数間隔を個別に伸縮調整して、対応できること
を示す。また、最低1個のセンサとしたのは、ほぼ最小
読取単位長さごとのセンサと、その前後いくつかのセン
サとをまとめて1個のセンサとして扱うことができるこ
とを示す。
【0019】例えば、ある1トラック型アブソリュ−ト
・パタ−ンの8個の最小読取単位を該最小読取単位長さ
λ当り3個のピッチで配列した30個のセンサを用いて
読取る場合、30個のセンサのうち3個ごとに1個選択
して合計8個を設定する。しかし、該8個の出力に、そ
れぞれ隣接する1個づつの出力を加算するようにして1
6個を設定しても、また、それぞれ前後2個づつの出力
を加算するようにして24個を設定してもよい。これに
より、実質的な出力が増加して、読取りのSN比を向上
できる。
【0020】この30個のセンサを有する検出素子を用
いて、最小読取単位長さ8/7λの別の1トラック型ア
ブソリュ−ト・パタ−ンを8個の最小読取単位によって
読取る場合、最小読取単位長さが1/8λだけ長いた
め、8個のセンサの設定間隔のうちのいくつかは、4個
おきに設定される。すなわち、30個のセンサを1〜3
0番としたとき、例えば、2、5、9、12、16、1
9、23、26番を設定すればよい。このとき、あるセ
ンサが最小読取単位の中心を検出する符号板と検出素子
の位置関係において、他のセンサは最小読取単位の中心
からずれた位置を検出することになるが、適当な手法を
用いて読取りの時期(位相位置)を限定すれば、読み誤
りを避けることができる。
【0021】一方、センサピッチをさらに縮小する、
あるいは1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最
小読取単位数(パルス数)を減らして最小読取単位長さ
を拡大することにより、最小読取単位長さ当りのセンサ
個数を増加すれば、円滑かつ適正に選択の個数間隔を調
整できる。この場合、のセンサピッチを縮小する場合
は、読取りのSN比を確保するための対策、1トラッ
ク型アブソリュ−ト・パタ−ンのパルス数を減らす場合
は、符号板の分解能を確保するための対策を施しておく
必要がある。
【0022】請求項2のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用
検出素子は、光学式の1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンに並べて1本以上の光学式のインクリメンタル・
パタ−ンを符号板に配置したアブソリュ−ト・エンコ−
ダに応用される。1トラック型アブソリュ−ト・パタ−
ンについては、請求項1の場合と同様にしてでも、異な
る最小読取単位長さの別の1トラック型アブソリュ−ト
・パタ−ンに対応できる。一方、インクリメンタル・パ
タ−ンについては、パタ−ンとインデックス・スケ−ル
の重なりの透過光検出によって読取られるから、本来の
透明保護板を、インデックス・スケ−ルのピッチを異な
らせた別の透明保護板に交換して、異なるピッチのイン
クリメンタル・パタ−ンに対応できる。
【0023】1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン検
出信号に対するインクリメンタル・パタ−ン検出信号の
1ピッチ内の位相調整は、センサを配置した基板に対す
るインデックス・スケ−ルの位置調整により行うことが
できる。従って、該基板に保護板を無調整で精度良く位
置決めできる構造を追加して、ピッチの異なるインデッ
クス・スケ−ルを精度良くそれぞれ形成した何種類かの
透明保護板を準備しておけば、インクリメンタル・パタ
−ンの検出信号の1ピッチ内の位相調整も省略できてさ
らに都合が良い。
【0024】従来の技術で説明したように、インクリメ
ンタル・パタ−ンを用いて1トラック型アブソリュ−ト
・パタ−ンの最小読取単位長さを細かく分割する方法に
よれば、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最小
読取単位長さを大幅に拡大しても、不足する分解能を該
方法によって十分に補うことができる。このようにして
達成された最小読取単位長さの拡大は、1トラック型ア
ブソリュ−ト・パタ−ン検出用センサの開口の拡大と、
1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンからセンサまで
の距離の拡大とを同時に可能にする。一方、インクリメ
ンタル・パタ−ンについては、パタ−ンとインデックス
・スケ−ルの間隔さえ小さければ、両者の重なりの透過
光を検出するセンサからインデックス・スケ−ルまでの
距離は広くてもよい。
【0025】従って、このような設計手順を採用すれ
ば、センサを配置した基板と符号板との間に透明保護板
を交換可能に配置しても、アブソリュ−ト・エンコ−ダ
の分解能および読取りのSN比は、悪影響を全く受けず
に済む。一方、透明保護板は、勿論、基板上のセンサを
保護し、環境中の湿気、筐体内のごみ、符号板との直接
擦過等に対するアブソリュ−ト・エンコ−ダの抵抗力を
増し、アブソリュ−ト・エンコ−ダの耐久性と信頼性を
向上させる。
【0026】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【0027】図1は、第1実施例のアブソリュ−ト・エ
ンコ−ダ用検出素子を説明するための模式図である。こ
こでは、集積回路(センサアレイ)型の検出素子が、光
学式の1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンを平行光
の照明下で読取る。
【0028】図1において、符号板Aの下面には、1ト
ラック型アブソリュ−ト・パタ−ンPが形成され、符号
板Aの上方には、コリメ−トレンズLと光源Rとが配置
されている。検出素子Bには、1トラック型アブソリュ
−ト・パタ−ンPの最小読取単位長さλのほぼ1/4の
ピッチ(1/4λ)で同一基板上に、センサf1〜f2
0を一括形成したセンサアレイFと、センサf1〜f2
0のなかから複数個のセンサを選択して出力u1〜u4
に接続する選択回路Uとが配置される。選択回路Uで選
択されるそれぞれのセンサの個数間隔は、調整器Vによ
り連続的に変更できる。ここで、選択回路Uの調整器V
は、予め、センサf1が出力u1に、センサf5が出力
f2に、センサf9が出力f3に、センサf13が出力
f4にそれぞれ接続されるように設定してある。
【0029】このように構成されたアブソリュ−ト・エ
ンコ−ダ用検出素子においては、光源Rおよびコリメ−
トレンズLで発生した平行光によって、1トラック型ア
ブソリュ−ト・パタ−ンPの影がセンサアレイF上に形
成され、該影の濃度がセンサf1〜f20のそれぞれの
出力に反映される。選択回路Uは、選択された4個のセ
ンサf1、f5、f9、f12の出力をそれぞれ端子u
1、u2、u3、u4に出力させる。
【0030】このアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素
子を最小読取単位長さが異なる別の1トラック型アブソ
リュ−ト・パタ−ンに対応させる場合、選択回路Uの調
整器Vを調整し直して、新しい最小読取単位長さに適合
させる。このようにして、光源R、コリメ−トレンズ
L、センサアレイF、選択回路Wは共用できる。
【0031】図1の選択回路Uにおいて、1トラック型
アブソリュ−ト・パタ−ンの最小読取単位長さλ当り2
個ずつのセンサを選択し、これらのセンサを1つおきに
2組に分け、両方の組を交互に切り替え、最小読取り単
位の境界領域を避けて1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンを読取るようにすることもできる。先願の特願平
3−103723号における実施例と同様、このとき、
符号板Aには、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
Pに並べてピッチλのインクリメンタルパタ−ンが配置
され、インクリメンタル・パタ−ンから得たピッチλの
方形波の1、0に応じて2組のセンサが交互に切り替え
られる。
【0032】図2は第2実施例のアブソリュ−ト・エン
コ−ダ用検出素子の模式図、図3は図2の検出素子の集
積回路の平面図、図4は図2の検出素子の遮光板の平面
図、図5は図2の符号板の部分的な平面図である。図2
の1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンおよびインク
リメンタル・パタ−ンは、図面に垂直な方向に読取られ
る。
【0033】図2において、符号板Aの下面には、1ト
ラック型アブソリュ−ト・パタ−ンPおよび2本のイン
クリメンタル・パタ−ンI、Jが配置され、符号板Aの
上方には、コリメ−トレンズLと光源Rとが配置されて
いる。プリント基板Kに取付けられた検出素子Bは、半
導体基板Dと、透明保護板Hと、両者を位置決めるケ−
ス(図示せず)とからなる。半導体基板D上には、1ト
ラック型アブソリュ−ト・パタ−ンPの最小読取単位長
さのほぼ1/8のピッチで配列された複数のセンサF
と、インクリメンタル・パタ−ンI検出用のセンサG
と、インクリメンタル・パタ−ンJ検出用のセンサEと
が一括して形成されている。また、透明保護板Hの表面
には遮光膜Sが形成され、遮光膜Sのパタ−ンエッチン
グによって、センサFに相当する位置には長方形の透明
部Cが、センサG、Eに相当する位置にはインデックス
・スケ−ルN、Mがそれぞれ形成される。
【0034】図3〜図5において、図5の符号板Aの下
面に形成される1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
Pは、実際には1対の反転パタ−ンP1、P2からな
る。1対の反転パタ−ンP1、P2に対して設けられた
図3のセンサF1、F2の対応するセンサ同士の出力差
を求めることにより、個々のセンサにおける実質的な出
力値が倍増され、個々のセンサの間口がこのように狭く
ても、読取りのSN比を十分確保することができる。従
って、図4の透明保護板Hの遮光膜Sを除いた透明部C
1、C2も図3のセンサF1、F2に対応して2つ準備
される。
【0035】図5において、インクリメンタル・パタ−
ンIは1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンP1、P
2の最小読取単位長さに等しいピッチ、一方、インクリ
メンタル・パタ−ンJは1トラック型アブソリュ−ト・
パタ−ンP1、P2の最小読取単位長さの1/4のピッ
チにそれぞれ形成されている。図5のインクリメンタル
・パタ−ンIに対して、図3の半導体基板Dには、4個
のセンサG1、G2、G3、G4が配置される。同様に
インクリメンタル・パタ−ンJに対しては、4個のセン
サE1、E2、E3、E4が配置される。これらのセン
サF1、F2、G1、G2、G3、G4、E1、E2、
E3、E4の出力は、端子Qを通じて半導体基板Dの外
に出力される。
【0036】図4の透明保護板Hの遮光膜Sには、4個
のセンサG1、G2、G3、G4に対応させて、インク
リメンタル・パタ−ンIのためのインデックス・スケ−
ルN1、N2、N3、N4が、また、4個のセンサE
1、E2、E3、E4に対応させて、インクリメンタル
・パタ−ンJのためのインデックス・スケ−ルM1、M
2、M3、M4がそれぞれパタ−ン形成されている。イ
ンデックス・スケ−ルN1、N2に対するインデックス
・スケ−ルN3、N4の関係、また、インデックス・ス
ケ−ルM1、M2に対するインデックス・スケ−ルM
3、M4の関係はそれぞれのインクリメンタル・パタ−
ンI、Jの1/4ピッチ分だけずらせたもので、A相、
B相の出力を得るためのものである。
【0037】このアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素
子を最小読取単位長さが異なる別の1トラック型アブソ
リュ−ト・パタ−ンを有する符号板(当然、インクリメ
ンタル・パタ−ンのピッチも異なる)に対応させようと
する場合、透明保護板Hを交換すれば、このアブソリュ
−ト・エンコ−ダ用検出素子をそのまま利用できる。す
なわち、図4のインデックス・スケ−ルN1、N2、N
3、N4のピッチを新しい1トラック型アブソリュ−ト
・パタ−ンの最小読取単位長さのものに改め、インデッ
クス・スケ−ルM1、M2、M3、M4のピッチを新し
い1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最小読取単
位長さの1/4のものに改める。
【0038】このように構成された第2実施例のアブソ
リュ−ト・エンコ−ダ用検出素子においては、光源Rか
らの光をコリメ−タレンズLにより平行光とし、平行光
が符号板Aに照射され、各パタ−ンを通過した平行光
が、1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンP1、P2
の場合は、図4の透明保護板Hの透明部C1、C2を通
って図3のセンサF1、F2上に1トラック型アブソリ
ュ−ト・パタ−ンP1、P2どおりの明暗パタ−ンを作
る。このパタ−ンをF1、F2で読取る。一方、図5の
インクリメンタルパタ−ンI、Jを通った光は、図4の
パタ−ンを有する透明保護板Hのインデックス・スケ−
ルN1、N2、N3、N4、M1、M2、M3、M4を
照射する。その通過後の光の強弱を図3のセンサG1、
G2、G3、G4、E1、E2、E3、E4により検出
することでインクリメンタル信号とする。
【0039】絶対位置の検出は、まず、図3のセンサE
1、E2、E3、E4から得た方形波で同期を取ったセ
ンサG1、G2、G3、G4から得た方形波の出力を組
合せて、最小読取単位長さを4分割する補助信号を形成
する。この補助信号を用いて最小読取単位長さの1/4
ごとの絶対位置を判別するとともに、符号板Aと検出素
子Bの現在の位置関係がこの最小読取単位長さの1/4
ごとのどの絶対位置かにより、センサF1、F2からそ
れぞれ1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンP1、P
2を検出する先頭のセンサ番号が決定される。同時に、
この先頭のセンサ番号を先頭にした最小読取単位長さに
相当する個数間隔ごとのセンサがセンサF1、F2から
4個づつ選択されて、1トラック型アブソリュ−ト・パ
タ−ンP1、P2を読取る。これにより、1トラック型
アブソリュ−ト・パタ−ンP1、P2に沿った16個の
絶対位置がそれぞれ判別される。この16個の絶対位置
信号を先の補助絶対位置信号と組合せることにより、1
トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンP1、P2に沿っ
た64個の絶対位置が相互に判別される。
【0040】図5の符号板Aのパルス数が変更になった
場合、従来であると、図3に示されるセンサF1、F2
のピッチを変更しなければならない。本実施例の場合、
最小読取単位長さがセンサF1、F2のピッチの2倍ま
での1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンおよびこれ
に相当するインクリメンタル・パタ−ンであれば、検出
素子Bの少なくとも半導体基板Dは変更なしでそのまま
転用できる。変更するのは、図4の透明保護板Hのイン
デックス・スケ−ルN1、N2、N3、N4、M1、M
2、M3、M4のピッチだけであって、インデックス・
スケ−ルN1、N2、N3、N4、M1、M2、M3、
M4のピッチを新しい符号板の最小読取単位長さ(また
はパルス数)に応じて変更するのみである。
【0041】本実施例の場合、検出素子BにセンサF
1、F2のすべてセンサの出力をそれぞれ外部に取り出
すようにすると、膨大な端子数が必要となるので、外部
クロックによりセンサF1、F2をシリアル転送させる
シフト・レジスタ・アナログ・スイッチを組込んであ
る。
【0042】
【発明の効果】請求項1のアブソリュ−ト・エンコ−ダ
用検出素子においては、選択手段に設定される個数間隔
を設定し直す操作だけで、最小読取単位長さがそれぞれ
異なる複数の1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンに
対して1種類の検出素子を共通に使用することができ
る。これにより、検出素子、筐体、光学式のものにあっ
ては光源をそれぞれそのまま共用して、多種類の最小読
取単位長さのアブソリュ−ト・エンコ−ダ(例えば、1
周のパルス数が異なるロ−タリ−型アブソリュ−ト・エ
ンコ−ダ)を設計製作することが可能となる。これによ
り、用途に応じた多種多様なアブソリュ−ト・エンコ−
ダを短い納期で安価に提供できる。
【0043】請求項2のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用
検出素子においては、検出素子の透明保護板を交換また
は作り直すだけで、最小読取単位長さがそれぞれ異なる
複数の1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン、および
ピッチがそれぞれ異なる複数のインクリメンタル・パタ
−ンに対して1種類の検出素子の主要部(基板、配線、
ケ−ス等)を共通に使用することができる。これによ
り、構成部品の共通化が促進されて、用途に応じた多種
多様なアブソリュ−ト・エンコ−ダを短い納期で安価に
提供できる。また、センサが透明保護板により保護され
て、湿度等の環境変化、ごみの侵入、組立て時における
符号板と検出素子の接触等に対する抵抗力が増して、ア
ブソリュ−ト・エンコ−ダの信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検
出素子の模式図である。
【図2】第2実施例のアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検
出素子の模式図である。
【図3】図2の検出素子の半導体基板の平面図である。
【図4】図2の検出素子の保護板の平面図である。
【図5】図2の符号板の部分的な平面図である。
【符号の説明】
A 符号板 B 検出素子 C 透明部 D 半導体基板 E センサ F センサ G センサ H 透明保護板 I インクリメンタル・パタ−ン J インクリメンタル・パタ−ン K プリント基板 L コリメ−タレンズ M インデックス・スケ−ル N インデックス・スケ−ル P 1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン R 発光ダイオ−ド S 遮光膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
    を読取るアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出素子におい
    て、前記1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ンの最小
    読取単位長さの1/2未満のピッチで配列された複数の
    センサと、該複数のセンサを所定の個数間隔で選択する
    選択手段とからなり、該個数間隔を調整することで、最
    小読取単位長さの異なる別の1トラック型アブソリュ−
    ト・パタ−ンにも対応できることを特長とするアブソリ
    ュ−ト・エンコ−ダ用検出素子。
  2. 【請求項2】 1トラック型アブソリュ−ト・パタ−ン
    とインクリメンタル・パタ−ンとを並列に読取り、かつ
    インクリメンタル・パタ−ンの読取りを該インクリメン
    タル・パタ−ンとインデックス・スケ−ルとの重なりを
    検出することで行うアブソリュ−ト・エンコ−ダ用検出
    素子において、前記アブソリュ−ト・パタ−ンの最小読
    取単位長さの1/2未満のピッチで配列された複数のセ
    ンサと前記インクリメンタル・パタ−ンとインデックス
    ・スケ−ルとの重なりを検出する検出用センサとを並べ
    て設けた基板と、該基板上に交換可能に設けられ、イン
    デックス・スケ−ルが部分的に形成された透明保護板
    と、を有することを特長とするアブソリュ−ト・エンコ
    −ダ用検出素子。
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