JPH0551953U - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPH0551953U
JPH0551953U JP11015291U JP11015291U JPH0551953U JP H0551953 U JPH0551953 U JP H0551953U JP 11015291 U JP11015291 U JP 11015291U JP 11015291 U JP11015291 U JP 11015291U JP H0551953 U JPH0551953 U JP H0551953U
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JP
Japan
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electrode
adjusting
plate
numbered
adjusting plate
Prior art date
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JP11015291U
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徹 松浪
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 奇数番目の電極板間間隔と偶数番目の電極板
間間隔との差の調整を容易に行うことができるようにし
たプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 真空容器の上蓋4の上部に、第1および第2
の調整板40および50を上下2段に設けた。調整板4
0には、第1の電極支持棒8aの全数が固定金具38a
によって固定されている。この調整板40は、調整シャ
フト42およびナット44から成る第1のねじ機構によ
って高さ調整が可能である。調整板50には、第2の電
極支持棒8bの全数が固定金具38bによって固定され
ている。この調整板50は、調整シャフト52およびナ
ット54から成る第2のねじ機構によって高さ調整が可
能である。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、例えばプラズマCVD装置、プラズマエッチング装置等のように 、プラズマを用いて基板を処理するものであって、いわゆる多段平行平板電極を 使用したプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種のプラズマ処理装置全体の概略例を図5に示す。図示しない真空排気装 置によって真空排気される真空容器2内に、第1および第2の電極支持棒8a、 8bが、真空容器2の上蓋4から吊り下げられた形で収納されている。各電極支 持棒8a、8bと上蓋4との間は、パッキン6によって真空シールおよび電気絶 縁されている。この真空容器2内には、左右のガス導入口16から、ガス18と してCVD用の原料ガスやエッチングガスが導入される。
【0003】 電極支持棒8a、8bには、複数枚の電極板12が多段状に重なるように取り 付けられいてる。より具体的には、奇数番目の電極板12は第1の電極支持棒8 aに取り付けられており、偶数番目の電極板12は第2の電極支持棒8bに取り 付けられている。各電極板12の上面には、詳細は省略するが窪みが設けられて おり、そこに処理すべき基板(例えばウェーハ)14がそれぞれ載せられる。
【0004】 また、真空容器2の外部には、処理の際に各基板14を加熱するヒータ20が 設けられている。
【0005】 動作例を簡単に説明すると、真空容器2内を真空排気すると共にその中に所要 のガス18を導入して内部の圧力を所定範囲(例えば10-3Torr〜数十To rr程度)に保ち、かつ電極支持棒8a、8b間に高周波電源22から高周波電 圧を供給すると、それが奇数番目の電極板12と偶数番目の電極板12との間に 印加され、各電極板12、12間に放電が生じてプラズマが形成され、それによ って基板14に対して成膜やエッチング等の処理を施すことができる。
【0006】 上記電極支持棒8a、8b周りのより具体的な構造を図6ないし図8を参照し て説明する。
【0007】 この例では、第1の電極支持棒8aおよび第2の電極支持棒8bはいずれも3 本ずつあり、それぞれに奇数番目の電極板12(図7A参照)および偶数番目の 電極板12(図7B参照)が取り付けられている。
【0008】 上蓋4の上部の左右には、二つの固定板24が固定ボルト26およびナット2 8によって固定されている(詳細は図8参照)。この各固定板24には、絶縁カ ラー30によって電気的に絶縁した状態で、第1および第2の各電極支持棒8a および8bの頭部が、そのねじ部9に螺合する固定金具38aおよび38bによ って、それぞれ固定されている。
【0009】 なお、この例では上蓋4の中央部に、この多段状の電極部を前述した真空容器 2内へ図示しない搬送機構によって導入する際の支持用のロッド36が設けられ ているが、これはこの考案の本質に影響するものではない。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】
上記のようなプラズマ処理装置においては、各電極板12間の間隔Lを等しく しているにも拘わらず、基板14に対する処理(成膜、エッチング等)のバッチ 内均一性および面内均一性があまり良くなく、これを検討したところ、奇数番目 の電極板間間隔Lと偶数番目の電極板間間隔Lとの差の調整を行うことが、基板 14に対する処理のバッチ内均一性および面内均一性に大きな影響を持たらすこ とが分かった。
【0011】 ところが、上記のような従来のプラズマ処理装置では、このような電極板間間 隔の差の調整が困難であった。即ち、前述した固定金具38a、38bは各電極 支持棒8a、8bの高さを微調整して各電極板12を互いに平行に保つためのも のであり、これを個々に回すと電極板12の平行がくずれてしまう。また、各固 定板24を上下させても、それには第1の電極支持棒8aおよび第2の電極支持 棒8bが共に取り付けられているので、電極板間間隔Lを調整することはできな い。
【0012】 そこでこの考案は、奇数番目の電極板間間隔と偶数番目の電極板間間隔との差 の調整を容易に行うことができるようにしたプラズマ処理装置を提供することを 主たる目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この考案のプラズマ処理装置は、前記第1の電極支 持棒の全数または第2の電極支持棒の全数を当該電極支持棒と電気的に絶縁した 状態で支持する調整板と、この調整板を前記真空容器の上部から支持すると共に 同調整板の高さ調整が可能なねじ機構とを設けたことを特徴とする。
【0014】
【作用】
上記構成によれば、ねじ機構によって調整板の高さ調整を行うことにより、第 1の電極支持棒の全数または第2の電極支持棒の全数を上下させることができ、 それによって、奇数番目の電極板間間隔と偶数番目の電極板間間隔との差の調整 を容易に行うことができる。
【0015】
【実施例】
図1は、この考案の一実施例に係るプラズマ処理装置の電極支持棒周りを部分 的に示す図であり、(A)はその平面図、(B)は側面図である。図2は、図1 中の第1の調整板周りを拡大して部分的に示す断面図である。図3は、図1中の 第2の調整板周りを拡大して部分的に示す断面図である。図6ないし図8の従来 例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例と の相違点を主に説明する。
【0016】 この実施例においては、前述したような真空容器2の上蓋4の上部に、第1の 調整板40および第2の調整板50を上下2段に設けている。
【0017】 第1の調整板40には、図2に示すように絶縁カラー30によって電気的に絶 縁した状態で、第1の電極支持棒8aの全数本(この例では3本)の頭部が、そ のねじ部9に螺合する固定金具38aによって固定されている。従来例と同様に 、この電極支持棒8aには奇数番目の電極板12が取り付けられている(図7も 参照)。また固定金具38aは主として各電極支持棒8aの高さの微調整用のも のである。
【0018】 この調整板40は、上蓋4の上部に立設されていて頭部にねじ部42aを有す る複数本の第1の調整シャフト42およびそのねじ部42aに当該調整板40を 上下から挟んで螺合するナット44によって、上蓋4の上部に支持されている。 この例ではこの調整シャフト42とナット44とで第1のねじ機構を構成してお り、各ナット44の固定位置によって調整板40の高さ調整が可能である。
【0019】 第2の調整板50には、図3に示すように絶縁カラー30によって電気的に絶 縁した状態で、第2の電極支持棒8bの全数本(この例では3本)の頭部が、そ のねじ部9に螺合する固定金具38bによって固定されている。従来例と同様に 、この電極支持棒8bには偶数番目の電極板12が取り付けられている(図8も 参照)。また固定金具38bは主として各電極支持棒8bの高さの微調整用のも のである。
【0020】 この調整板50は、上蓋4の上部に立設されていて頭部にねじ部52aを有す る複数本の第2の調整シャフト52およびそのねじ部52aに当該調整板50を 上下から挟んで螺合するナット54によって、上蓋4の上部に支持されている。 この例ではこの調整シャフト52とナット54とで第2のねじ機構を構成してお り、各ナット54の固定位置によって調整板50の高さ調整が可能である。
【0021】 このような構造にすれば、各ナット44の固定位置を調整することによって、 第1の調整板40の高さ調整を容易に行うことができる。その結果、それに取り 付けられた電極支持棒8aの全数を、第2の電極支持棒8bとは独立して、真空 容器2内で上下させることができ、それによって電極支持棒8aに取り付けられ た奇数番目の電極板12を上下にずらして、奇数番目の電極板間間隔Lと偶数番 目の電極板間間隔Lとに差をつけることができる。
【0022】 その場合、調整板40の傾きにより各電極板12の傾きを容易に知ることがで きる。また、調整板40の高さで各電極板12がどの程度上下したかも容易に知 ることができる。また上記のような調整は多段状の電極部を真空容器2に取り付 けた状態で容易に行うことができる。
【0023】 第2の電極支持棒8bおよびそれに取り付けられた偶数番目の電極板12の高 さ調整も上記と同様にして容易に行うことができ、それによっても、奇数番目の 電極板間間隔Lと偶数番目の電極板間間隔Lとに差をつけることができる。
【0024】 なお、以上から分かるように、奇数番目の電極板間間隔Lと偶数番目の電極板 間間隔Lとに差をつけるには、第1の電極支持棒8aと第2の電極支持棒8bの 少なくとも一方を上記のようにして上下に調整可能にすれば良いが、この実施例 のように両方を調整可能にしても良く、そのようにすれば調整の自由度が大きく なる。
【0025】 この実施例の装置によって、奇数番目の電極板間間隔Lと偶数番目の電極板間 間隔Lとの差ΔLを種々に変えて、プラズマCVD法によってSiN膜を成膜し た場合の膜厚均一性の測定結果の一例を図4に示す。このときの条件は次のとお りである。
【0026】 原料ガス: SiN4 0.3リットル/分 NH3 2.0リットル/分 成膜時の基板温度: 300℃ 高周波出力: 400W 成膜時の真空容器内圧力: 1Torr 電極板間間隔の差: 0〜0.4mm
【0027】 従来は電極板間間隔の差ΔLは0mmに固定であり、このとき膜厚のバッチ内 均一性が±4%、面内均一性が±3%であったものが、上記のようにして電極板 間間隔の差ΔLを0.2mm程度に調整することにより、膜厚のバッチ内均一性 および面内均一性を共に±2%に向上させることができた。
【0028】 なお、調整板40の高さを調整するねじ機構は、上記例のような調整シャフト 42およびナット44以外のもので構成しても良い。調整板50の高さを調整す るねじ機構についても同様である。
【0029】
【考案の効果】
以上のようにこの考案によれば、上記のような調整板およびねじ機構を設けた ので、奇数番目の電極板間間隔と偶数番目の電極板間間隔との差の調整を容易に 行うことができる。その結果、基板に対する処理のバッチ内均一性および面内均 一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この考案の一実施例に係るプラズマ処理装置
の電極支持棒周りを部分的に示す図であり、(A)はそ
の平面図、(B)は側面図である。
【図2】 図1中の第1の調整板周りを拡大して部分的
に示す断面図である。
【図3】 図1中の第2の調整板周りを拡大して部分的
に示す断面図である。
【図4】 電極板間間隔の差と膜厚均一性との関係の一
例を示すグラフである。
【図5】 プラズマ処理装置全体の一例を示す概略図で
ある。
【図6】 従来のプラズマ処理装置の電極支持棒周りを
部分的に示す図であり、(A)はその平面図、(B)は
側面図である。
【図7】 電極板と電極支持棒との関係を示す平面図で
あり、(A)は奇数番目の電極板周りを示し、(B)は
偶数番目の電極板周りを示す。
【図8】 図6中の固定板周りを拡大して部分的に示す
断面図である。
【符号の説明】
2 真空容器 4 上蓋 8a 第1の電極支持棒 8b 第2の電極支持棒 12 電極板 14 基板 30 絶縁カラー 38a,38b 固定金具 40 第1の調整板 42 第1の調整シャフト 44 ナット 50 第2の調整板 52 第2の調整シャフト 54 ナット

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガスが導入される真空容器内に、基板を
    載せる複数枚の電極板を多段状に収納し、その奇数番目
    の電極板と偶数番目の電極板との間に高周波電圧を印加
    するようにしたプラズマ処理装置であって、奇数番目の
    電極板を支持する複数本の第1の電極支持棒と、偶数番
    目の電極板を支持する複数本の第2の電極支持棒とを備
    えるものにおいて、前記第1の電極支持棒の全数または
    第2の電極支持棒の全数を当該電極支持棒と電気的に絶
    縁した状態で支持する調整板と、この調整板を前記真空
    容器の上部から支持すると共に同調整板の高さ調整が可
    能なねじ機構とを設けたことを特徴とするプラズマ処理
    装置。
JP11015291U 1991-12-12 1991-12-12 プラズマ処理装置 Pending JPH0551953U (ja)

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