JPH0548184A - 半導体レーザの高周波重畳方式 - Google Patents
半導体レーザの高周波重畳方式Info
- Publication number
- JPH0548184A JPH0548184A JP3223518A JP22351891A JPH0548184A JP H0548184 A JPH0548184 A JP H0548184A JP 3223518 A JP3223518 A JP 3223518A JP 22351891 A JP22351891 A JP 22351891A JP H0548184 A JPH0548184 A JP H0548184A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- circuit
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- high frequency
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録媒体の材質のバラツキ等に関係無く、Ｃ／
Ｎ比の良好な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供する
ことを目的とする。 【構成】磁気媒体の読み出した際のキャリアレベルとノ
イズレベルの差分値に基づいて最適な重畳レベルを算出
する重畳レベル制御回路３０を具備し、該重畳レベル制
御回路３０において算出された逆バイアス電圧Ｖｂに基
づいてバリキャップＣＤ1,ＣＤ2の容量Ｃを変更するこ
とによって高周波重畳の重畳レベルを変化させ、半導体
レ−ザ１０に対して高周波重畳をかける。
Ｎ比の良好な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供する
ことを目的とする。 【構成】磁気媒体の読み出した際のキャリアレベルとノ
イズレベルの差分値に基づいて最適な重畳レベルを算出
する重畳レベル制御回路３０を具備し、該重畳レベル制
御回路３０において算出された逆バイアス電圧Ｖｂに基
づいてバリキャップＣＤ1,ＣＤ2の容量Ｃを変更するこ
とによって高周波重畳の重畳レベルを変化させ、半導体
レ−ザ１０に対して高周波重畳をかける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録媒体に格納された
情報を、光学的に読み取り再生する光学的情報再生装置
に用いられる半導体レ−ザの高周波重畳方式に関するも
のである。
情報を、光学的に読み取り再生する光学的情報再生装置
に用いられる半導体レ−ザの高周波重畳方式に関するも
のである。
【０００２】
【従来技術】従来から、光磁気ディスク装置やＣＤプレ
イヤ−等の光学的情報再生装置には、光源として半導体
レ−ザを用いた光学ピックアップを用いたものが知られ
ている。かかる光学ピックアップは、半導体レ−ザから
レ−ザ光を射出し、記録媒体からの反射光を半導体レ−
ザに帰還させずに、光検知器を用いて受光することによ
って、記録媒体に記録された情報に対応した電気信号を
得ているものが多い。
イヤ−等の光学的情報再生装置には、光源として半導体
レ−ザを用いた光学ピックアップを用いたものが知られ
ている。かかる光学ピックアップは、半導体レ−ザから
レ−ザ光を射出し、記録媒体からの反射光を半導体レ−
ザに帰還させずに、光検知器を用いて受光することによ
って、記録媒体に記録された情報に対応した電気信号を
得ているものが多い。
【０００３】ここで、記録媒体の材質が複屈折性を有す
る場合があり、かかる記録媒体に対してレ−ザ光が射出
された場合には、該記録媒体からの反射光の一部が半導
体レ−ザに帰還される。半導体レ−ザは記録媒体からの
戻り光がほんの微小(0.04％程度)であっても光出力に揺
らぎが生じ、雑音が発生する。
る場合があり、かかる記録媒体に対してレ−ザ光が射出
された場合には、該記録媒体からの反射光の一部が半導
体レ−ザに帰還される。半導体レ−ザは記録媒体からの
戻り光がほんの微小(0.04％程度)であっても光出力に揺
らぎが生じ、雑音が発生する。
【０００４】かかる雑音の発生を抑止するために特公昭
５９−９０８６号公報に記載されているような装置が提
案されている。この装置は、図２に示すように直流電流
源１００と高周波電流源１１０とを具備し、半導体レ−
ザの発振を多モ−ド化することによって該雑音を抑えて
いる。従って、半導体レ−ザ１０を駆動する電流は直流
電流源１００から流れる直流電流に、高周波電流源１１
０から流れる高周波電流を重畳した形式となる。直流電
流と高周波の交流電流とを重ねあわせた電流によって半
導体レ−ザを駆動し、また、直流電流と高周波電流とを
重ねあわせた電流値の和の最小値が、発振しきい値電流
よりも小さくなるようにすると、該半導体レ−ザの発振
スペクトルは多重縦モ−ド発振となる。
５９−９０８６号公報に記載されているような装置が提
案されている。この装置は、図２に示すように直流電流
源１００と高周波電流源１１０とを具備し、半導体レ−
ザの発振を多モ−ド化することによって該雑音を抑えて
いる。従って、半導体レ−ザ１０を駆動する電流は直流
電流源１００から流れる直流電流に、高周波電流源１１
０から流れる高周波電流を重畳した形式となる。直流電
流と高周波の交流電流とを重ねあわせた電流によって半
導体レ−ザを駆動し、また、直流電流と高周波電流とを
重ねあわせた電流値の和の最小値が、発振しきい値電流
よりも小さくなるようにすると、該半導体レ−ザの発振
スペクトルは多重縦モ−ド発振となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波重畳方式においては以下の通りの問題点があ
った。高周波重畳の最適な重畳レベルは、記録媒体の反
射率や面状態等の相違から、個々の記録媒体によって大
きく異なる。従って、従来のように一定の高周波重畳を
かけると、反射率や面状態の異なる記録媒体を再生した
際にかえってＣ／Ｎ比（キャリアレベルとノイズレベル
の比）の劣化を招き、読み取りエラ−が増加する場合が
ある。
来の高周波重畳方式においては以下の通りの問題点があ
った。高周波重畳の最適な重畳レベルは、記録媒体の反
射率や面状態等の相違から、個々の記録媒体によって大
きく異なる。従って、従来のように一定の高周波重畳を
かけると、反射率や面状態の異なる記録媒体を再生した
際にかえってＣ／Ｎ比（キャリアレベルとノイズレベル
の比）の劣化を招き、読み取りエラ−が増加する場合が
ある。
【０００６】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
もので、記録媒体の材質のバラツキ等に関係無く、Ｃ／
Ｎ比の良好な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供する
ことを目的とする。
もので、記録媒体の材質のバラツキ等に関係無く、Ｃ／
Ｎ比の良好な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振す
る半導体レ−ザ素子と、半導体レ−ザ素子を直流電流に
より駆動する駆動回路と、半導体レ−ザ素子を多重縦モ
−ドで発振させる高周波発振回路を有し、半導体レ−ザ
素子の駆動直流電流に高周波発振回路からの高周波電流
を重畳させる半導体レ−ザの高周波重畳方式において、
高周波発振回路の電流を最適化する重畳レベル最適化回
路を具備し、高周波発振回路からの高周波電流は、重畳
レベル最適化回路において算出された重畳レベル最適値
に基づいてその電流値の振幅を変化せしめる構成とし
た。
に本発明は、直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振す
る半導体レ−ザ素子と、半導体レ−ザ素子を直流電流に
より駆動する駆動回路と、半導体レ−ザ素子を多重縦モ
−ドで発振させる高周波発振回路を有し、半導体レ−ザ
素子の駆動直流電流に高周波発振回路からの高周波電流
を重畳させる半導体レ−ザの高周波重畳方式において、
高周波発振回路の電流を最適化する重畳レベル最適化回
路を具備し、高周波発振回路からの高周波電流は、重畳
レベル最適化回路において算出された重畳レベル最適値
に基づいてその電流値の振幅を変化せしめる構成とし
た。
【０００８】また、高周波発振回路からの高周波電流
は、可変容量ダイオ−ドからなる容量可変回路を通して
半導体レ−ザに重畳されており、重畳レベル最適化回路
は、容量可変回路の可変容量ダイオ−ドの逆バイアス電
圧を変化させることを特徴とする。
は、可変容量ダイオ−ドからなる容量可変回路を通して
半導体レ−ザに重畳されており、重畳レベル最適化回路
は、容量可変回路の可変容量ダイオ−ドの逆バイアス電
圧を変化させることを特徴とする。
【０００９】また、重畳レベル最適化回路は、記録媒体
を読み出した際のキャリアレベル及びノイズレベルの差
分値に基づいて、重畳レベル最適値を算出することを特
徴とする。
を読み出した際のキャリアレベル及びノイズレベルの差
分値に基づいて、重畳レベル最適値を算出することを特
徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は半導体レ−ザの高周波重畳方式を上述
のごとく構成し、重畳レベル最適化回路において算出さ
れた値に基づいた重畳レベルの高周波電流を直流電流に
重ねあわせ、半導体レ−ザを駆動するため、記録媒体の
状態に応じて重畳レベルの調整をすることができる。
のごとく構成し、重畳レベル最適化回路において算出さ
れた値に基づいた重畳レベルの高周波電流を直流電流に
重ねあわせ、半導体レ−ザを駆動するため、記録媒体の
状態に応じて重畳レベルの調整をすることができる。
【００１１】また、キャリアレベルとノイズレベルとの
差分値に基づいて重畳レベルを算出するため、最もＣ／
Ｎ比の良好な重畳レベルを用いて高周波重畳をかけるこ
とができる。
差分値に基づいて重畳レベルを算出するため、最もＣ／
Ｎ比の良好な重畳レベルを用いて高周波重畳をかけるこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。図１は本発明を適用した半導体レ−ザ駆動回路の
構成を示す図である。同図中、１０は半導体レ−ザ、２
０は容量可変回路、３０は重畳レベル制御回路、４０は
光検知器、５０は基準電圧発生器、６０は比較回路であ
る。容量可変回路２０は可変容量ダイオ−ド（バリキャ
ップ）ＣＤ１，ＣＤ２をカップリングしており、逆バイ
アス電圧Ｖbに従って、Ｖbを大きくすると該容量可変回
路２０の容量Ｃは小さくなり、Ｖbを小さくすると容量
可変回路２０の容量Ｃは大きくなるよう構成されてい
る。なお、同図中、Ｃ1〜Ｃ2、Ｒ1〜Ｒ3、ＴＲは各々コ
ンデンサ、抵抗、トランジスタである。
する。図１は本発明を適用した半導体レ−ザ駆動回路の
構成を示す図である。同図中、１０は半導体レ−ザ、２
０は容量可変回路、３０は重畳レベル制御回路、４０は
光検知器、５０は基準電圧発生器、６０は比較回路であ
る。容量可変回路２０は可変容量ダイオ−ド（バリキャ
ップ）ＣＤ１，ＣＤ２をカップリングしており、逆バイ
アス電圧Ｖbに従って、Ｖbを大きくすると該容量可変回
路２０の容量Ｃは小さくなり、Ｖbを小さくすると容量
可変回路２０の容量Ｃは大きくなるよう構成されてい
る。なお、同図中、Ｃ1〜Ｃ2、Ｒ1〜Ｒ3、ＴＲは各々コ
ンデンサ、抵抗、トランジスタである。
【００１３】トランジスタＴＲのベ−スに電流が流れて
いるとき、直流電源Ｖから流れる直流電流に、高周波発
振器OSCからコンデンサＣ1、バリキャップＣＤ1，Ｃ
Ｄ2、コンデンサＣ2を介した高周波電流が重畳され、半
導体レ−ザ１０が駆動される。半導体レ−ザ１０からの
射出光は、光検知器４０によって検知され電気信号に変
換される。そして該電気信号は、基準電圧発生器５０か
ら出力された基準電圧Ｖrefと比較回路６０において比
較され、差分値に応じてトランジスタＴＲのベ−ス端子
に電流が流れ、半導体レ−ザ１０のパワ−が一定とな
る。
いるとき、直流電源Ｖから流れる直流電流に、高周波発
振器OSCからコンデンサＣ1、バリキャップＣＤ1，Ｃ
Ｄ2、コンデンサＣ2を介した高周波電流が重畳され、半
導体レ−ザ１０が駆動される。半導体レ−ザ１０からの
射出光は、光検知器４０によって検知され電気信号に変
換される。そして該電気信号は、基準電圧発生器５０か
ら出力された基準電圧Ｖrefと比較回路６０において比
較され、差分値に応じてトランジスタＴＲのベ−ス端子
に電流が流れ、半導体レ−ザ１０のパワ−が一定とな
る。
【００１４】次に、本発明にかかる重畳レベル制御回路
３０について説明する。図３は本実施例の重畳レベル制
御回路の構成を示すブロック図である。同図に示すとお
り重畳レベル制御回路３０はキャリアレベルサンプリン
グ回路３１、ノイズレベルサンプリング回路３２、差動
増幅器３３、Ａ／Ｄコンバ−タ３４、ＣＰＵ３５、Ｄ／
Ａコンバ−タ３６から構成される。
３０について説明する。図３は本実施例の重畳レベル制
御回路の構成を示すブロック図である。同図に示すとお
り重畳レベル制御回路３０はキャリアレベルサンプリン
グ回路３１、ノイズレベルサンプリング回路３２、差動
増幅器３３、Ａ／Ｄコンバ−タ３４、ＣＰＵ３５、Ｄ／
Ａコンバ−タ３６から構成される。
【００１５】キャリアレベルサンプリング回路３１は、
磁気媒体（図示せず）のデ−タ部からの反射光が図示し
ない光検出器によって検知され、電気信号に変換された
ＭＯ信号（読み出し信号）により、キャリアレベルのピ
−ク値を、所定のタイミングでサンプリングし、かつホ
−ルドしておくものである。また、ノイズレベルサンプ
リング回路３２は、磁気媒体のイレ−ス部のＭＯ信号に
より、ノイズレベルを所定のタイミングでサンプリング
し、かつホ−ルドしておくものである。キャリアレベル
サンプリング回路３１においてサンプルされたキャリア
レベル及びノイズレベルサンプリング回路３２において
サンプルされたノイズレベルのレベル差C/Nが差動増幅
器３３において求められる。該レベル差C/NはＡ／Ｄコ
ンバ−タ３４においてディジタル信号に変換され、ＣＰ
Ｕ３５に出力される。
磁気媒体（図示せず）のデ−タ部からの反射光が図示し
ない光検出器によって検知され、電気信号に変換された
ＭＯ信号（読み出し信号）により、キャリアレベルのピ
−ク値を、所定のタイミングでサンプリングし、かつホ
−ルドしておくものである。また、ノイズレベルサンプ
リング回路３２は、磁気媒体のイレ−ス部のＭＯ信号に
より、ノイズレベルを所定のタイミングでサンプリング
し、かつホ−ルドしておくものである。キャリアレベル
サンプリング回路３１においてサンプルされたキャリア
レベル及びノイズレベルサンプリング回路３２において
サンプルされたノイズレベルのレベル差C/Nが差動増幅
器３３において求められる。該レベル差C/NはＡ／Ｄコ
ンバ−タ３４においてディジタル信号に変換され、ＣＰ
Ｕ３５に出力される。
【００１６】ＣＰＵ３５は、逆バイアス電圧Ｖbを決定
し、所定のデ−タをＤ／Ａコンバ−タ３６に出力する。
従って、Ｄ／Ａコンバ−タ３６から逆バイアス電流Ｖb
が出力され、容量可変回路２０が制御される。
し、所定のデ−タをＤ／Ａコンバ−タ３６に出力する。
従って、Ｄ／Ａコンバ−タ３６から逆バイアス電流Ｖb
が出力され、容量可変回路２０が制御される。
【００１７】ＣＰＵ３５は上述した一連の動作を、記録
媒体の挿入時、コマンド待ち状態時等にレベル差C/Nが
最大値となるまで繰返し行ない、最適な逆バイアス電流
Ｖbを決定する。
媒体の挿入時、コマンド待ち状態時等にレベル差C/Nが
最大値となるまで繰返し行ない、最適な逆バイアス電流
Ｖbを決定する。
【００１８】なお、図１においてＣ1及びＣ2を数百ｐＦ
程度とし、容量可変回路２０の容量Ｃを３ｐＦ〜１０ｐ
Ｆの範囲となるよう逆バイアス電圧Ｖｂをかけると、磁
気媒体のバラツキに対応して十分に重畳レベルを変化さ
せることができる。
程度とし、容量可変回路２０の容量Ｃを３ｐＦ〜１０ｐ
Ｆの範囲となるよう逆バイアス電圧Ｖｂをかけると、磁
気媒体のバラツキに対応して十分に重畳レベルを変化さ
せることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記のような優れた効果を得ることができる。重畳レベ
ル制御回路において算出された逆バイアス電圧に基づい
て、バリキャップの容量を変化させるため、記録媒体の
状態に応じて重畳レベルの調整をすることができる。
記のような優れた効果を得ることができる。重畳レベ
ル制御回路において算出された逆バイアス電圧に基づい
て、バリキャップの容量を変化させるため、記録媒体の
状態に応じて重畳レベルの調整をすることができる。
【００２０】キャリアレベルとノイズレベルの差分値
に基づいて、該差分値が最大となるように逆バイアス電
圧が決定されるため、Ｃ／Ｎ比が良好となり、エラ−レ
−トを確保し、光学的記録再生装置の信頼性を向上させ
ることが可能となる。
に基づいて、該差分値が最大となるように逆バイアス電
圧が決定されるため、Ｃ／Ｎ比が良好となり、エラ−レ
−トを確保し、光学的記録再生装置の信頼性を向上させ
ることが可能となる。
【図１】本発明を適用した半導体レ−ザ駆動回路の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】従来の半導体レ−ザ駆動回路の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】本実施例の重畳レベル制御回路の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１０ 半導体レ−ザ ２０ 容量可変回路 ３０ 重畳レベル制御回路 ４０ 光検知器 ５０ 基準電圧発生器 ６０ 比較回路 Ｃ1，Ｃ2 コンデンサ Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3 抵抗 ＴＲ トランジスタ ＯＳＣ 発振器 ＣＤ1，ＣＤ2 バリキャップ（可変容量ダイオ−ド）
Claims (3)
- 【請求項１】直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振す
る半導体レ−ザ素子と、前記半導体レ−ザ素子を直流電
流により駆動する駆動回路と、前記半導体レ−ザ素子を
多重縦モ−ドで発振させる高周波発振回路を有し、前記
半導体レ−ザ素子の駆動直流電流に前記高周波発振回路
からの高周波電流を重畳させる半導体レ−ザの高周波重
畳方式において、 前記高周波発振回路の電流を最適化する重畳レベル最適
化回路を具備し、 前記高周波発振回路からの高周波電流は、前記重畳レベ
ル最適化回路において算出された重畳レベル最適値に基
づいてその電流値の振幅を可変とすることを特徴とする
半導体レ−ザの高周波重畳方式。 - 【請求項２】前記高周波発振回路からの高周波電流は、
可変容量ダイオ−ドからなる容量可変回路を通して前記
半導体レ−ザ素子に重畳されており、 前記重畳レベル最適化回路は、前記容量可変回路の可変
容量ダイオ−ドの逆バイアス電圧を変化させることを特
徴とする請求項１記載の半導体レ−ザの高周波重畳方
式。 - 【請求項３】前記重畳レベル最適化回路は、記録媒体を
読み出した際のキャリアレベル及びノイズレベルの差分
値に基づいて、重畳レベル最適値を算出することを特徴
とする請求項１又は２記載の半導体レ−ザの高周波重畳
方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223518A JPH0548184A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223518A JPH0548184A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548184A true JPH0548184A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16799400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223518A Pending JPH0548184A (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548184A (ja) |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3223518A patent/JPH0548184A/ja active Pending
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