JPH0547731A - Both side type radiation assistant treating device - Google Patents
Both side type radiation assistant treating deviceInfo
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- JPH0547731A JPH0547731A JP20041791A JP20041791A JPH0547731A JP H0547731 A JPH0547731 A JP H0547731A JP 20041791 A JP20041791 A JP 20041791A JP 20041791 A JP20041791 A JP 20041791A JP H0547731 A JPH0547731 A JP H0547731A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は放射線補助処理装置に関
し、より詳しくは、表面の紫外線（ＵＶ）補助洗浄を行
う装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation assisted treatment apparatus, and more particularly to an apparatus for performing ultraviolet (UV) assisted cleaning of a surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在用いられている幾つかの形式の放射
線補助処理方法として、急速加熱法（rapid thermal pr
ocessing、ＲＴＰ）、化学蒸着法（chemical vapor dep
osition 、ＣＶＤ）及びＵＶ／オゾン洗浄法（ＵＶ／oz
one cleaning) がある。急速加熱法は、赤外線（ＩＲ）
熱を発生する放射線源（例えば、赤外域における波長の
７０〜８０％の波長をもつ放射線を放射するタングステ
ン−ハロゲンランプ）を用いてしばしば行われる。化学
蒸着法は、主としてＩＲ加熱を用いるか、或いは、熱反
応を加速するため赤外線に加え紫外線を用いて行われ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION Several types of radiation-assisted treatment methods currently in use include rapid thermal pr
ocessing, RTP, chemical vapor dep
osition, CVD) and UV / ozone cleaning method (UV / oz
one cleaning). Rapid heating method is infrared (IR)
This is often done with a radiation source that produces heat, such as a tungsten-halogen lamp that emits radiation having a wavelength of 70-80% of the wavelength in the infrared. The chemical vapor deposition method is performed mainly by using IR heating or by using ultraviolet rays in addition to infrared rays to accelerate the thermal reaction.
【０００３】ＵＶ／オゾン洗浄法は、例えば低圧水銀ラ
ンプのような紫外線発生源を用いて行われる。紫外線を
発生する処理装置の他の用途として、レジスト除去及び
EPROM 消去がある。本願明細書で使用する放射線とは、
可視範囲の波長及び可視範囲近くの波長（例えば紫外線
及び赤外線を含む）をもつ電磁波（すなわち光）をい
う。The UV / ozone cleaning method is carried out by using an ultraviolet ray generating source such as a low pressure mercury lamp. Another application of the processing equipment that generates ultraviolet rays is resist removal and
There is EPROM erase. Radiation used in this specification means
Refers to electromagnetic waves (ie, light) having wavelengths in and near the visible range (including, for example, ultraviolet and infrared).
【０００４】これらの種々の形式の放射線補助処理方法
は同種のものであり、或る形式の放射線補助処理を行う
ように設計された装置は、例えば放射線源を変えること
により、他の形式の放射線補助処理に使用できるように
容易に変更できる。従って、例えば従来の放射線補助処
理装置を説明するのに、同じことを行うＵＶ／オゾン洗
浄方法及び装置を用いることができる。These various types of radiation-assisted treatment methods are of the same kind, and devices designed to perform one type of radiation-assisted treatment may, for example, change the radiation source to change the radiation source to other types of radiation. Can be easily modified for use in auxiliary processing. Thus, for example, to describe a conventional radiation-assisted treatment device, a UV / ozone cleaning method and device that does the same can be used.
【０００５】例えばシリコン基板の洗浄及び製造に有効
であることが実証されているＵＶ／オゾン洗浄において
は、基板が酸素含有環境（例えば濾過空気）をもつ反応
チャンバ内に置かれ、紫外線に曝される。紫外線源は、
184.9 及び253.7nm の波長をもつ放射線を発生するもの
が選択される。184.9nm の波長の放射線は、酸素に吸収
されてオゾン（Ｏ3)を発生させるため重要である。253.
7nm の放射線は酸素に吸収されず、従ってオゾンの発生
には貢献しない。しかしながら、253.7nm の放射線は多
くの有機物質には吸収され、またオゾンにも吸収される
し、オゾンと有機物質との多数の反応生成物にも吸収さ
れる。オゾンによる253.7nm の放射線の吸収は、主とし
て反応チャンバ内でのオゾンの破壊に起因している。従
って、184.9nm 及び253.7nm の両波長が存在すると、オ
ゾンは連続的に形成されかつ破壊される。オゾンの形成
時及び破壊時の中間生成物は原子酸素であり、これは非
常に強力な酸化剤である。有機物質及びこれらのオゾン
分解生成物により253.7nmの放射線も吸収され、有機物
質を分解する。For example, in UV / ozone cleaning, which has proven effective in cleaning and manufacturing silicon substrates, the substrate is placed in a reaction chamber having an oxygen-containing environment (eg, filtered air) and exposed to ultraviolet light. It UV source is
Those which emit radiation with wavelengths of 184.9 and 253.7 nm are selected. Radiation with a wavelength of 184.9 nm is important because it is absorbed by oxygen to generate ozone (O 3 ). 253.
Radiation at 7 nm is not absorbed by oxygen and therefore does not contribute to ozone generation. However, radiation at 253.7 nm is absorbed by many organic substances, and also by ozone, and also by many reaction products of ozone and organic substances. The absorption of 253.7 nm radiation by ozone is primarily due to the destruction of ozone in the reaction chamber. Thus, in the presence of both 184.9 nm and 253.7 nm, ozone is continuously formed and destroyed. The intermediate product during the formation and destruction of ozone is atomic oxygen, which is a very strong oxidant. Radiation at 253.7 nm is also absorbed by the organic substances and their ozonolysis products, decomposing the organic substances.
【０００６】ＵＶ／オゾン洗浄法は、紫外線でオゾンを
発生させるのではなく、外部供給源から反応チャンバに
オゾンを供給するように変更することができる。効率
（従って、ＵＶ／オゾン洗浄に要する時間）は、環境の
気圧、紫外線の強さ、洗浄される材料の温度、及び洗浄
される材料の化学組成及び化学構造（これらの化学組成
及び化学構造は触媒効果又は特別な安定性を与えるもの
である）に基づいて定まる。洗浄すべき基板の表面にお
いて、独立した供給源又は複数の独立した供給源から得
られる紫外線の強さは、放射線源（紫外線源）と基板と
の間の距離を小さくすることにより増大させることがで
きる。しかしながら、洗浄すべき基板の表面上に環境ガ
スの均一な流れを維持することが有益であり、このため
には基板と放射線源との間に間隙を維持することが必要
である。The UV / ozone cleaning method can be modified to supply ozone to the reaction chamber from an external source, rather than generating ozone with ultraviolet light. The efficiency (and therefore the time required for UV / ozone cleaning) depends on the atmospheric pressure of the environment, the intensity of UV light, the temperature of the material being cleaned, and the chemical composition and structure of the material being cleaned (these chemical compositions and structures are It provides a catalytic effect or special stability). On the surface of the substrate to be cleaned, the intensity of the UV radiation obtained from the independent source or from the multiple independent sources can be increased by reducing the distance between the radiation source (UV source) and the substrate. it can. However, it is beneficial to maintain a uniform flow of ambient gas over the surface of the substrate to be cleaned, which requires maintaining a gap between the substrate and the radiation source.
【０００７】ＵＶ／オゾン洗浄は、次の文献すなわち、
John R. Vig 及びJ. Vac. の「表面のＵＶ／オゾン洗浄
（UV/ozone cleaning of Surfaces)」（Vol 3 、No. 3
、1985年、５月／６月) 、Michiharu Tabe、Appl. Phy
s. Lett. の「シリコン分子のビームエピタクシ中での
シリコン基板のＵＶ／オゾン洗浄（UV/ozone Cleaningo
f Silicon Substrates in Silicon Molecular Beam Epi
taxy)」（Vol. 45 、No. 10、1984年、１１月１５
日）、F. K. Clarkeの「ＵＶ／オゾン処理、ハイブリッ
ド回路工業におけるその応用（UV/ozone Processing: I
tsApplications in the Hybrid Circuit Industry) 」
（Hybrid Circuit Technology, 1985 年、１２月号、第
４２頁）、Norstrom等の「紫外線で発生させたオゾンを
用いた接触孔の乾燥洗浄（Dry Cleaning of Contact Ho
les Using Ultraviolet (UV) GeneratedOzone) 」（J.
Electrochem. Soc.: Solid-State Scienceand Technolo
gy, Vol. 132, No. 9, 1985 年、９月、第2285頁) に開
示されている。UV / ozone cleaning is described in the following documents:
"UV / ozone cleaning of Surfaces" by John R. Vig and J. Vac. (Vol 3, No. 3)
, 1985, May / June), Michiharu Tabe, Appl. Phy
s. Lett. “UV / ozone cleaning of silicon substrates in beam epitaxy of silicon molecules (UV / ozone Cleaningo
f Silicon Substrates in Silicon Molecular Beam Epi
taxy) "(Vol. 45, No. 10, 1984, November 15)
FK Clarke, “UV / ozone processing, its application in the hybrid circuit industry (UV / ozone Processing: I)
tsApplications in the Hybrid Circuit Industry) ''
(Hybrid Circuit Technology, December 1985, p. 42), Norstrom et al., "Dry Cleaning of Contact Ho, using ozone generated by ultraviolet rays.
les Using Ultraviolet (UV) Generated Ozone) '' (J.
Electrochem. Soc .: Solid-State Scienceand Technolo
gy, Vol. 132, No. 9, 1985, September, page 2285).
【０００８】大型基板を処理できる放射線補助処理装置
で、本発明者が知っている全ての装置は、リフレクタ
（反射器）を用いて、処理に使用する放射線の強さを増
強している。より詳しくは、ともすれば放射線源により
基板から離れる方向に向けられる傾向をもつ放射線を基
板の方に向けるのに、リフレクタを使用している。例え
ば米国特許第4,558,660 号では、紫外線を発生する放射
線源及び赤外線を発生する放射線源の両方にリフレクタ
を使用している。また、米国特許第3,801,773 号及び
「表面のＵＶ／オゾン洗浄」という名称の上記論文に
は、基板の表面における放射線の強さを増強して処理時
間の短縮を図るのにリフレクタを使用することに伴う幾
つかの複雑性及び困難性が指摘されている。Of the radiation-assisted processing systems capable of processing large substrates, all of the systems known to the inventor use reflectors to enhance the intensity of the radiation used for processing. More specifically, a reflector is used to direct radiation towards the substrate, which is likely to be directed away from the substrate by the radiation source. For example, in U.S. Pat. No. 4,558,660, reflectors are used for both radiation sources that emit ultraviolet light and radiation that emits infrared light. U.S. Pat. No. 3,801,773 and the above-mentioned article entitled "UV / Ozone Cleaning of Surfaces" describe the use of reflectors to enhance the intensity of radiation at the surface of a substrate to reduce processing time. Some complications and difficulties involved have been noted.
【０００９】紫外線及び赤外線用のリフレクタとして種
々の材料が使用されており、放射線補助処理装置用の適
当なリフレクタを開発するのに多大の時間及び努力が費
やされている。リフレクタに付随する幾つかの問題は、
紫外線の範囲において、金及び銀を含む殆どの金属の反
射率が小さいこと、及び紫外線及び／又は赤外線を受け
るリフレクタの腐食防止が困難なことである。リフレク
タにはアルミニウムが好ましいけれども、アルミニウム
の表面の腐食を防止するのに多大の努力を費やす必要が
ある。Various materials have been used as reflectors for ultraviolet and infrared radiation, and a great deal of time and effort has been expended in developing suitable reflectors for radiation-assisted processing equipment. Some problems with reflectors are:
In the range of ultraviolet rays, most metals including gold and silver have low reflectance, and it is difficult to prevent corrosion of a reflector that receives ultraviolet rays and / or infrared rays. Although aluminum is preferred for the reflector, great effort must be expended to prevent corrosion of the aluminum surface.
【００１０】また、効率が１００％のリフレクタは存在
しないため、リフレクタに入射するときに強さ Ii をも
つ放射線（光）は、反射されて強さ Ir になり、強さ I
r は必ず強さ Ii より小さくなる。また、放射線源は、
処理すべき基板と反射面との間に配置されるため、強さ
Ir をもつ反射された放射線（反射放射線）の或る量は
基板に入射する前に放射線源を通らなくてはならず、こ
のため反射放射線の強さは更に低下する。放射線源を通
って戻る反射放射線の強さは I′r ′であり、I′r ′
＜ Ir となる。この問題が図１に示してあり、放射線源
１０からあらゆる方向に放射線が放射される。放射線の
或るものは面１２上に支持された基板１４に直接入射
し、或るものはリフレクタ１６の方向に向かう。基板１
４から所与の距離だけ隔てられた放射線源１０から放射
された放射線は、基板１４の表面においてI0の強さを有
している。図１には、放射線源１０から放射された放射
線の３つの経路が Ii1、 Ii2、 Ii3で示されている。 I
i1は、放射線源１０から直接基板１４に向かい、強さ I
i で基板１４に衝突する放射線である。 Ii2 は、リフ
レクタ１６により反射された放射線であり、反射された
強さ（反射強さ）は I r2である（ Ir2＜ Ii2）。次に、
この放射線 Ii2は放射線源１０に戻り、該放射線源１０
を通ることにより強さが更に低下し、その後、強さ I′
r2で基板１４に衝突する（ I′r2≪ Ii2）。 Ii3は、リ
フレクタ１６で反射されるけれども放射線源１０を通る
ようには戻らない放射線であり、従って強さ Ir3で基板
１４に衝突する（ Ir3＜ Ii3）。リフレクタ１６により
反射されて基板１４に入射する放射線の強さは、基板１
４に直接入射する放射線の強さI0の約５０〜７０％の間
で変化する。There is also a reflector with 100% efficiency.
Therefore, the intensity I when entering the reflector isiAlso
Radiation (light) is reflected and has intensity IrAnd strength I
rIs always strength IiIt gets smaller. Also, the radiation source is
Since it is placed between the substrate to be processed and the reflective surface,
IrSome amount of reflected radiation (reflected radiation) with
It must pass through the radiation source before it hits the substrate.
Therefore, the intensity of reflected radiation is further reduced. Through the radiation source
The intensity of the reflected radiation returned byr'And I'r′
<IrBecomes This problem is illustrated in Figure 1 and the radiation source
Radiation is emitted from 10 in all directions. Radiation
Some are directly incident on the substrate 14 supported on the surface 12.
However, some go in the direction of the reflector 16. Board 1
Radiation from a radiation source 10 separated by a given distance from 4
The generated radiation is I on the surface of the substrate 14.0Having the strength of
is doing. The radiation emitted by the radiation source 10 is shown in FIG.
The three paths of the line are Ii1, Ii2, Ii3Indicated by. I
i1Is directed from the radiation source 10 directly to the substrate 14 and has an intensity I
iThe radiation that strikes the substrate 14 at. Ii2 The riff
Radiation reflected by the reflector 16 and reflected
Strength (reflex strength) is I r2Is (Ir2<Ii2). next,
This radiation Ii2Returns to the radiation source 10 and the radiation source 10
The strength is further reduced by passing through and then the strength I ′
r2Collide with the substrate 14 at (I 'r2≪ Ii2). Ii3Is
Passes through the radiation source 10 though reflected by the reflector 16
Radiation that does not return, and thus intensity Ir3With board
Collide with 14 (Ir3<Ii3). By the reflector 16
The intensity of the radiation reflected and incident on the substrate 14 is
Radiation intensity directly incident on 4 I0Between about 50-70%
It changes with.
【００１１】また、前述のように、紫外線はオゾンによ
り吸収される。従って、紫外線が基板１４に衝突する前
に大きな距離を移動すると、紫外線の強さは低下する。
紫外線の強さは、ベールの吸収法則（Beer's absorptio
n law)、すなわち Ix ＝I0・e -ax に従って指数関数的
に低下する（ここで、x は、吸収率ａの吸収媒体を通っ
て放射線が移動した距離である）。従って、反射放射線
の強さは、放射線源１０から基板１４まで直接移動する
放射線の強さよりも常に大幅に減衰される。これは、反
射放射線が、放射線源１０とリフレクタ１６との間の距
離の２倍に等しい付加距離を移動するからである。Further, as described above, ultraviolet rays are absorbed by ozone. Therefore, if the ultraviolet rays travel a large distance before they collide with the substrate 14, the intensity of the ultraviolet rays decreases.
The intensity of ultraviolet rays is determined by Beer's absorptio
n law), ie, I x = I 0 · e −ax , where exponential decay occurs (where x is the distance traveled by the radiation through the absorbing medium of absorptance a). Therefore, the intensity of the reflected radiation is always much more attenuated than the intensity of the radiation traveling directly from the radiation source 10 to the substrate 14. This is because the reflected radiation travels an additional distance equal to twice the distance between the radiation source 10 and the reflector 16.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、リフレクタの使用により引き起こされる強さの損失
を受けない放射線補助処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、リフレクタの使用を必要としない
放射線補助処理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a radiation-assisted treatment system which does not suffer the loss of strength caused by the use of reflectors.
Another object of the present invention is to provide a radiation-assisted processing device that does not require the use of a reflector.
【００１３】本発明の他の目的は、多数の放射線源を用
いて複数の基板を同時に処理できる放射線補助処理装置
を提供することにある。本発明の他の目的は、処理すべ
き基板を放射線源の両側に配置することにより、処理に
用いられる放射線の強さを、放射線源から出て基板に直
接入射する光の強さの２倍（２I0）にすることができる
放射線補助処理装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a radiation assisted processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates using a large number of radiation sources. Another object of the invention is to arrange the substrate to be treated on both sides of the radiation source so that the intensity of the radiation used for the treatment is twice the intensity of the light leaving the radiation source and directly incident on the substrate. It is an object of the present invention to provide a radiation assisted processing device capable of (2I 0 ).
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】基板の放射線補助処理を
行う本発明による両側形処理装置は、反応チャンバと、
平らな放射線源とを有しており、該放射線源が、第１の
側及び第２の側を備えておりかつ反応チャンバ内に置か
れた基板の表面に強さI0を与えることができる。放射線
源の第１及び第２のそれぞれの側において反応チャンバ
内には、基板を支持するための第１チャック及び第２チ
ャックが設けられていて、第１及び第２チャックの各々
により支持された基板が強さI0の入射放射線を受けるこ
とができるようになっている。反応チャンバは、該チャ
ンバを通る均一なガス流が形成されるようにしたガス入
口及びガス出口を有している。チャックは基板を加熱す
る加熱エレメントを備えており、また、基板を回転でき
るようにチャックを設計してもよい。別の構成として、
放射線源は、該放射線源から放射された放射線を実質的
に透過できる材料で作られた反応チャンバの外部に配置
することもできる。A dual-sided processing apparatus according to the present invention for performing radiation-assisted processing of a substrate comprises a reaction chamber,
A flat radiation source, the radiation source having a first side and a second side and capable of imparting an intensity I 0 to a surface of a substrate placed in the reaction chamber. .. A first chuck and a second chuck for supporting a substrate are provided in the reaction chamber on each of the first and second sides of the radiation source and are supported by each of the first and second chucks. The substrate is adapted to receive incident radiation of intensity I 0 . The reaction chamber has a gas inlet and a gas outlet adapted to form a uniform gas flow through the chamber. The chuck comprises heating elements that heat the substrate, and the chuck may be designed to rotate the substrate. As another configuration,
The radiation source can also be located outside the reaction chamber made of a material that is substantially transparent to the radiation emitted by the radiation source.
【００１５】処理中に基板上に汚染微粒子が堆積するこ
とを防止するため、平らな放射線源及び基板は、反応チ
ャンバ内で垂直方向に配置するのが好ましい。本発明に
よる放射線補助処理装置の特別な利点は、処理に利用さ
れる放射線の強さが２I0であり、これは、リフレクタに
頼る従来の処理装置で利用される強さ（I0＋ IR ）に比
べ非常に強いことである。The flat radiation source and the substrate are preferably oriented vertically within the reaction chamber to prevent deposition of contaminant particulates on the substrate during processing. A particular advantage of the radiation-assisted treatment device according to the invention is that the intensity of the radiation used for treatment is 2 I 0 , which is the intensity (I 0 + I R used in conventional treatment devices that rely on reflectors. ) Is very strong compared to.
【００１６】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、所与の面積をもつ放射線源の場合、従来の処理装
置が前記所与の面積の１／２に過ぎない単一の基板を処
理するのに要する時間より極く僅か長い時間で、本発明
の装置は２枚の基板を処理できることである。従って、
本発明の処理装置は、基板の単位面積当たりの処理速度
が大きいといえる。Another advantage of the radiation-assisted processing apparatus according to the present invention is that, for a radiation source having a given area, the conventional processing apparatus processes a single substrate which is only half of said given area. The apparatus of the present invention is capable of processing two substrates in a time slightly longer than the time required to perform. Therefore,
It can be said that the processing apparatus of the present invention has a high processing speed per unit area of the substrate.
【００１７】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、多数の放射線源と、各対をなす放射線源同士の間
に配置された両面形チャックとを用いて多数の基板の
（バッチ）処理を行うのに非常に適していることであ
る。本発明による放射線補助処理装置の他の利点は、従
来の放射線補助処理装置に比べて空間を節約できること
であり、この空間節約には、リフレクタを省略したこと
が少なくとも或る程度は貢献している。Another advantage of the radiation-assisted processing apparatus according to the present invention is the (batch) processing of multiple substrates using multiple radiation sources and a double-sided chuck disposed between each pair of radiation sources. It is very suitable to do. Another advantage of the radiation-assisted treatment device according to the invention is that it saves space compared to conventional radiation-assisted treatment devices, the elimination of reflectors contributing at least to some extent to this space savings. ..
【００１８】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、クリーンルーム装置の「足跡（footprint)」（フ
ィート単位の面積）を減少できることである。Another advantage of the radiation-assisted treatment system according to the present invention is that it can reduce the "footprint" (area in feet) of a clean room system.
【００１９】[0019]
【実施例】図２〜図８を参照して、放射線補助処理装置
の種々の実施例及び該放射線補助処理装置に使用できる
放射線源の幾つかの実施例を説明する。本発明による放
射線補助処理装置は、大型で実質的に平らな基板の処理
に使用することを意図したものである。このような基板
の例として、シリコンウェーハ、セラミック、データ記
憶ディスク（磁気式及び光学式の両方）、ガラスプレー
ト（例えばフォトマスク基板）及び印刷回路板がある。
本発明の装置を用いて処理できる他の基板としてレンズ
及び鏡がある。従って、以下の記載の或る部分が半導体
基板のＵＶ／オゾン処理に向けられていても、本発明の
装置は、大型で実質的に平らな多種類の基板に使用でき
ることを理解すべきである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various embodiments of a radiation auxiliary processing apparatus and some embodiments of a radiation source which can be used in the radiation auxiliary processing apparatus will be described with reference to FIGS. The radiation-assisted processing apparatus according to the present invention is intended for use in processing large, substantially flat substrates. Examples of such substrates are silicon wafers, ceramics, data storage disks (both magnetic and optical), glass plates (eg photomask substrates) and printed circuit boards.
Other substrates that can be processed using the apparatus of the present invention include lenses and mirrors. Therefore, it should be understood that the apparatus of the present invention can be used with a wide variety of large, substantially flat substrates, even though some of the following description is directed to UV / ozone treatment of semiconductor substrates. ..
【００２０】本発明の第１実施例による放射線補助処理
装置２０を図２に関連して説明する。放射線補助処理装
置２０は反応チャンバ２２を有しており、該反応チャン
バ２２内には放射線源２４が支持されている。この放射
線源２４は、本発明の放射線補助処理装置に使用できる
平らな配列の放射線源の第１実施例であり、曲がりくね
った形状を有している。この曲がりくねった形状は、単
一の放射線源で大きく平らな基板を均一に照射できるよ
うに選択されたものである。放射線源２４は、該放射線
源２４の第１の側３０ａ及び第２の側３０ｂにそれぞれ
配置された２つの基板２８ａ及び２８ｂに強さI0の放射
線２６を与えることができる。第１基板２８ａ及び第２
基板２８ｂは、それぞれ、第１チャック３２ａ及び第２
チャック３２ｂにより支持されている。A radiation assistance processing apparatus 20 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The radiation assisted treatment device 20 has a reaction chamber 22, and a radiation source 24 is supported in the reaction chamber 22. The radiation source 24 is a first example of a flat array radiation source that can be used in the radiation assisted processing apparatus of the present invention, and has a meandering shape. This serpentine shape was chosen to allow uniform illumination of large flat substrates with a single radiation source. Radiation source 24 is capable of providing radiation 26 of intensity I 0 to two substrates 28a and 28b located on first side 30a and second side 30b of radiation source 24, respectively. First substrate 28a and second
The substrate 28b includes a first chuck 32a and a second chuck 32a, respectively.
It is supported by the chuck 32b.
【００２１】本発明の第１実施例においては、放射線源
２４、第１及び第２基板２８ａ、２８ｂ、第１及び第２
チャック３２ａ、３２ｂが、反応チャンバ２２内で垂直
に配置されている。これらのエレメントは、反応チャン
バ２２内で水平に配置することもできる（図６参照）。
チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂを垂直
方向に配向するには、基板２８ａ、２８ｂをチャック３
２ａ、３２ｂに固定する手段を設けることが必要であ
る。処理を大気圧で行う場合には、各チャック３２内に
真空チャンバを設け、基板２８の背面が真空チャンバに
当たるように配置し、次に、チャンバ内を真空引きす
る。チャック３２を真空引き手段（図示せず）に連結す
るラインがチャック支持体３４ａ、３４ｂに通されてい
る。基板２８ａ、２８ｂを垂直に配置することの利点は
２つある。第１の利点は、反応チャンバ２２内には汚染
微粒子が常に存在しているけれども、基板２８ａ、２８
ｂの垂直配向によりこれらの微粒子が基板上に落下する
ことを防止できることである。第２の利点は、処理中に
基板２８ａ、２８ｂが加熱されるとき、ガスが加熱され
て上昇し不均一な対流及び循環が生じるため、ガスが、
加熱された水平な基板を通って均一に流れることを維持
するのが困難であるけれども、垂直配向によりこの問題
が解決できることである。In the first embodiment of the present invention, the radiation source 24, the first and second substrates 28a and 28b, the first and second substrates.
The chucks 32 a and 32 b are vertically arranged in the reaction chamber 22. These elements can also be arranged horizontally within the reaction chamber 22 (see Figure 6).
In order to orient the chucks 32a, 32b and the substrates 28a, 28b in the vertical direction, the substrates 28a, 28b are chucked to the chuck 3.
It is necessary to provide means for fixing to 2a, 32b. When the processing is performed at atmospheric pressure, a vacuum chamber is provided in each chuck 32, and the back surface of the substrate 28 is arranged so as to contact the vacuum chamber. A line connecting the chuck 32 to a vacuuming means (not shown) is passed through the chuck supports 34a and 34b. There are two advantages to vertically arranging the substrates 28a, 28b. The first advantage is that although the contaminant particles are always present in the reaction chamber 22, the substrates 28a, 28
The vertical orientation of b can prevent these fine particles from falling on the substrate. The second advantage is that when the substrates 28a, 28b are heated during processing, the gas is heated and rises, causing non-uniform convection and circulation, so
Although it is difficult to maintain a uniform flow through the heated horizontal substrate, vertical alignment can solve this problem.
【００２２】処理は、電源３６からの適当な電圧を放射
線源２４に印加し、該放射線源２４から選択された波長
の放射線を発生させることにより行われる。前述のよう
に、ＵＶ／オゾン洗浄には、主として184.9nm 及び253.
7nm の波長が使用される。急速加熱処理を行うには、主
として赤外域の波長が選択される。異なる形式の放射を
行うには、１つ以上の放射線源を用いることもできる。
例えばＵＶ／オゾン洗浄の場合に、赤外線と紫外線とを
組み合わせて洗浄能力を高めることもでき、また、洗浄
すべき基板を加熱することにより、ＵＶ／オゾン洗浄に
要する時間を短縮することができる。The treatment is carried out by applying an appropriate voltage from the power supply 36 to the radiation source 24 to generate radiation of a selected wavelength from the radiation source 24. As mentioned above, for UV / ozone cleaning mainly 184.9 nm and 253.
A wavelength of 7 nm is used. To perform the rapid heat treatment, wavelengths in the infrared region are mainly selected. More than one radiation source may be used to provide different types of radiation.
For example, in the case of UV / ozone cleaning, it is possible to enhance the cleaning ability by combining infrared rays and ultraviolet rays, and by heating the substrate to be cleaned, the time required for UV / ozone cleaning can be shortened.
【００２３】基板を加熱する別の手段として、例えば抵
抗加熱エレメント３８をチャック３２ａ、３２ｂに設け
ることができる。この抵抗加熱エレメント３８の作動に
要する電流は、チャックの支持体３４ａ、３４ｂを通し
て供給される。前述のように、処理中には、基板２８
ａ、２８ｂの表面上での環境ガス及び反応ガスの均一の
流れを維持することが重要である。実際には、基板２８
ａ、２８ｂ上を準層流が流れるようにする。しかしなが
ら、チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂが
加熱され、これにより、これらを通って流れるガスが加
熱される。加熱されたガスは加熱されないガスよりも高
速で上昇する傾向があるため、ガスの加熱により流れが
分散される効果が生じる。この欠点は、本発明の装置に
おいて全体的に下向きのガス流を発生させることにより
解決される。ガス４０は、圧力ゲージ／制御装置４４に
よりモニタリングされかつ制御された圧力でガス入口４
２から反応チャンバ２２内に導入され、該反応チャンバ
２２の底部に設けられた孔４６から排出される。これに
対し、基板２８ａ、２８ｂの表面に新鮮な反応体を供給
しかつ反応生成物を基板２８ａ、２８ｂの表面から除去
する所望の効果が得られるようにするため、ガスの流れ
は反応チャンバ２２内で任意の方向にすることができ
る。As another means of heating the substrate, a resistance heating element 38 may be provided on the chucks 32a, 32b, for example. The current required to operate the resistance heating element 38 is supplied through the chuck supports 34a, 34b. As described above, during processing, the substrate 28
It is important to maintain a uniform flow of environmental and reactive gases over the surface of a, 28b. In reality, the substrate 28
A quasi-laminar flow is allowed to flow over a and 28b. However, the chucks 32a, 32b and the substrates 28a, 28b are heated, thereby heating the gas flowing therethrough. Since heated gas tends to rise faster than unheated gas, heating the gas has the effect of dispersing the flow. This deficiency is overcome by producing a generally downward gas flow in the device of the invention. The gas 40 is at a pressure monitored and controlled by a pressure gauge / control device 44 and at the gas inlet 4
2 is introduced into the reaction chamber 22 and discharged from a hole 46 provided at the bottom of the reaction chamber 22. In contrast, the flow of gas is controlled by the reaction chamber 22 to provide the desired effect of supplying fresh reactants to the surfaces of the substrates 28a, 28b and removing reaction products from the surfaces of the substrates 28a, 28b. It can be in any direction within.
【００２４】放射線源２４からの放射線２６は、両基板
２８ａ、２８ｂに直接入射する。従って、処理は、各基
板２８ａ、２８ｂの表面における強さI0の２倍の強さ
（２I0）で行われる。このため、本発明の処理装置は、
従来の処理装置（従来の処理装置は、単一基板につき
（I0＋ IR ）の処理強さを用いており、（I0＋ IR ）≪
２I0である）に比べ、単位面積当たりの処理速度が高速
で作動する。Radiation 26 from the radiation source 24 directly impinges on both substrates 28a, 28b. Therefore, the treatment is performed with twice the strength (2I 0 ) of the strength I 0 on the surface of each substrate 28a, 28b. Therefore, the processing device of the present invention is
Conventional processing apparatus (conventional processing apparatus is using the processing strength of every single substrate (I 0 + I R), (I 0 + I R) «
2I 0 ), the processing speed per unit area is faster.
【００２５】次に、図３に関連して本発明の第２実施例
による放射線補助処理装置５０を説明する。この第２実
施例は、単一の反応チャンバ５２内に多数の放射線源２
４を設けることにより、第１実施例の両側形ウェーハ処
理装置にバッチ概念を適用したものである。複数の放射
線源２４の第１の側には複数の第１基板２８ａ1 〜２８
ａ3 が設けられており、各放射線源２４の第２の側には
複数の基板２８ｂ1 〜２８ｂ3 が設けられている。２つ
の放射線源２４同士の間には両面形チャック５４が用い
られており、またチャンバ５２の両端部においては片面
形チャック５６を用いて単一の基板２８を保持してい
る。両面形チャック５４及び片面形チャック５６は、全
てチャック支持体５８により支持されている。第１実施
例の場合と同様に、チャック５４、５６内の抵抗ヒータ
を作動させる電線及び基板をチャック５４、５６上に保
持すべく真空チャンバ（反応チャンバ）２２内の真空引
きを行う真空ラインがチャック支持体５８内に設けられ
ている。ガス６２は、ガス入口６０から供給されて均一
な下向きのガス流を形成し、排出孔６４から排出され
る。Next, a radiation assistance processing device 50 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This second embodiment shows multiple radiation sources 2 in a single reaction chamber 52.
By providing No. 4, the batch concept is applied to the double-sided wafer processing apparatus of the first embodiment. The first substrate 28a to the first side of the plurality of the plurality of radiation sources 24 1 to 28
a 3 is provided, and a plurality of substrates 28 b 1 to 28 b 3 are provided on the second side of each radiation source 24. A double-sided chuck 54 is used between the two radiation sources 24, and a single-sided chuck 56 is used at both ends of the chamber 52 to hold a single substrate 28. The double-sided chuck 54 and the single-sided chuck 56 are all supported by a chuck support 58. As in the case of the first embodiment, a vacuum line for evacuating the vacuum chamber (reaction chamber) 22 to hold the wires and the substrate for operating the resistance heaters in the chucks 54 and 56 on the chucks 54 and 56 is provided. It is provided in the chuck support 58. The gas 62 is supplied from the gas inlet 60 to form a uniform downward gas flow, and is discharged from the discharge hole 64.
【００２６】図４、図５及び図７には、放射線源の別の
構成が示してある。より詳しくは、第２実施例（図４）
に係る放射線源６６は、放射状に配置された複数の直線
状の放射線源６８で構成されている。第３実施例（図
５）に係る放射線源７０は、互いに平行に配置された複
数の直線状の放射線源６８で構成されている。また、第
４実施例（図７）に係る放射線源７２は、渦巻き状の単
一の放射線源で構成されている。4, 5 and 7 show another configuration of the radiation source. More specifically, the second embodiment (FIG. 4)
The radiation source 66 according to (1) is composed of a plurality of linear radiation sources 68 radially arranged. The radiation source 70 according to the third embodiment (FIG. 5) is composed of a plurality of linear radiation sources 68 arranged in parallel with each other. The radiation source 72 according to the fourth embodiment (FIG. 7) is composed of a single spiral radiation source.
【００２７】図６には、上記第３実施例に係る放射線源
７０（図５）を用いた放射線補助処理装置が示されてい
る。放射線源７０は、該放射線源７０の第１の側及び第
２の側に配置された第１基板８０ａ及び第２基板８０ｂ
に入射する。両基板８０ａ、８０ｂは、回転可能なチャ
ック８２ａ、８２ｂにより支持され、これらのチャック
８２ａ、８２ｂは、シャフト８６ａ、８６ｂを介してチ
ャックに連結された回転手段（例えばモータ）８４ａ、
８４ｂにより回転される。基板８０ａ、８０ｂは、第１
実施例及び第２実施例と同様に真空により、或いは、ピ
ンのような他の既知の位置決め装置によりチャック８２
ａ、８２ｂ上に保持する。FIG. 6 shows a radiation auxiliary processing apparatus using the radiation source 70 (FIG. 5) according to the third embodiment. The radiation source 70 includes a first substrate 80a and a second substrate 80b arranged on the first side and the second side of the radiation source 70.
Incident on. Both substrates 80a and 80b are supported by rotatable chucks 82a and 82b, and these chucks 82a and 82b are rotating means (for example, a motor) 84a connected to the chucks via shafts 86a and 86b.
It is rotated by 84b. The substrates 80a and 80b are the first
As with the second and second embodiments, the chuck 82 may be vacuumed or by any other known positioning device such as a pin.
a, 82b.
【００２８】図６に示す本発明の処理装置（第３実施
例）の他の特徴は、互いに隣接する放射線源６８（これ
らの放射線源６８は平らな配列の放射線源７０を構成す
る）の間にリフレクタ８８が設けられていることであ
る。図６にはリフレクタ８８の断面形状が示されている
けれども、これらのリフレクタ８８は直線状をなしてお
りかつ個々の放射線源６８の長さにわたって延びている
（他の実施例に係る各放射線源にも同様なリフレクタを
設けることができる）。これらのリフレクタ８８は、平
らな配列の放射線源７０の平面内で放射線源６８から放
射された放射線を、放射線源７０の平面の両側で、選択
された角度θよりも小さい角度で基板８０ａ、８０ｂに
向けて反射できる形状を有している。選択された角度θ
よりも小さい角度で放射された放射線は基板８０ａ、８
０ｂには入射しないであろうし、仮に基板８０ａ、８０
ｂに入射することがあっても、長距離を経て到達するた
め入射箇所での強さは大幅に低下される。しかしなが
ら、、リフレクタ８８は、平らな配列の光源（放射線
源）７０から基板８０ａ、８０ｂに直接入射する放射線
２６の強さI0を低下させることはない。従って、各基板
８０ａ、８０ｂに入射する放射線の強さは（I0＋ IR ）
となり、処理に利用できる全体としての強さは２（I0＋
IR ）となる。Another feature of the treatment apparatus of the present invention (third embodiment) shown in FIG. 6 is that between adjacent radiation sources 68 (these radiation sources 68 constitute a flat array of radiation sources 70). Is provided with a reflector 88. Although the cross-sectional shape of the reflectors 88 is shown in FIG. 6, the reflectors 88 are straight and extend the length of the individual radiation sources 68 (each radiation source according to other embodiments). Can also be provided with a similar reflector). These reflectors 88 direct radiation emitted from the radiation source 68 in the plane of the flat array of radiation sources 70 on both sides of the plane of the radiation source 70 at angles less than a selected angle θ of the substrates 80a, 80b. It has a shape that can be reflected toward. Selected angle θ
Radiation emitted at a smaller angle than the substrate 80a, 8
0b will not be incident, and if the substrates 80a, 80
Even if it is incident on b, since it arrives through a long distance, the strength at the incident point is greatly reduced. However, the reflector 88 does not reduce the intensity I 0 of the radiation 26 directly incident on the substrates 80a, 80b from the flat array of light sources (radiation sources) 70. Therefore, the intensity of radiation incident on the substrates 80a, 80b (I 0 + I R)
And the overall strength available for processing is 2 (I 0 +
I R ).
【００２９】図８には本発明の第４実施例が示してあ
る。この実施例では、チャック８２ａ、８２ｂ上に支持
された基板８０ａ、８０ｂを収容する反応チャンバ９０
ａ、９０ｂの外部に放射線源７０が設けられている。こ
の構成は、図３の実施例と同様なバッチ概念に利用し
て、複数の光源７０と複数のチャンバ９０とを設けるこ
とができる。また、図８には、放射線源７０の平面内に
設けられたリフレクタ９２について、種々の形状のうち
の１つが示されている。FIG. 8 shows a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, a reaction chamber 90 containing substrates 80a, 80b supported on chucks 82a, 82b.
A radiation source 70 is provided outside a and 90b. This configuration can be used for a batch concept similar to the embodiment of FIG. 3 to provide a plurality of light sources 70 and a plurality of chambers 90. Further, FIG. 8 shows one of various shapes for the reflector 92 provided in the plane of the radiation source 70.
【００３０】図６及び図８の実施例において、チャック
８２を加熱できること、チャック８２に基板８０を保持
する真空チャンバを設けること、及びガス流を供給する
手段を設けることは理解されよう。本発明の好ましい実
施例についての上記説明から、当業者には本発明による
放射線補助処理装置の多くの特徴及び利点が明らかにな
ったであろう。本発明のあらゆる変更及び均等物は、特
許請求の範囲によりカバーされるものである。It will be appreciated that in the embodiment of FIGS. 6 and 8, the chuck 82 can be heated, the chuck 82 is provided with a vacuum chamber for holding the substrate 80, and means for providing a gas flow is provided. From the above description of the preferred embodiments of the invention, those skilled in the art will appreciate many of the features and advantages of the radiation-assisted processing device according to the invention. All modifications and equivalents of the invention are covered by the claims.
【図１】従来の放射線補助処理装置の一部を切り欠いた
斜視図である。FIG. 1 is a perspective view in which a part of a conventional radiation assistance processing device is cut away.
【図２】本発明の第１実施例による放射線補助処理装置
の一部を切り欠いた斜視図である。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the radiation assistance processing apparatus according to the first exemplary embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施例による放射線補助処理装置
の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a radiation assistance processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第２実施例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a second embodiment of a flat array of radiation sources that can be used in the radiation assisted processing apparatus of the present invention.
【図５】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第３実施例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a third embodiment of a flat array radiation source that can be used in the radiation auxiliary processing apparatus of the present invention.
【図６】図５の第３実施例による平らな配列の放射線源
を使用した本発明による放射線補助処理装置の第３実施
例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the radiation assistance processing apparatus according to the present invention using the flat array radiation source according to the third embodiment of FIG. 5;
【図７】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第４実施例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a fourth embodiment of a flat array radiation source that can be used in the radiation assistance processing apparatus of the present invention.
【図８】本発明による放射線補助処理装置の第４実施例
を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a fourth embodiment of the radiation assistance processing device according to the present invention.
２０ 放射線補助処理装置 ２２ 反応チャンバ ２４ 放射線源 ２６ 放射線 ２８ａ 第１基板 ２８ｂ 第２基板 ３０ａ 第１の側 ３０ｂ 第２の側 ３２ａ 第１チャック ３２ｂ 第２チャック ３４ａ チャック支持体 ３４ｂ チャック支持体 ３６ 電源 ３８ 抵抗加熱エレメント ４２ ガス入口 ４４ 圧力ゲージ／制御装置 ５２ 反応チャンバ ５４ 両面形チャック ５６ 片面形チャック ５８ チャック支持体 ６０ ガス入口 ６４ 排出孔 ６６ 第２実施例による放射線源 ６８ 放射線源 ７０ 第３実施例による放射線源 ７２ 第４実施例による放射線源 ８０ａ 第１基板 ８０ｂ 第２基板 ８２ａ チャック ８２ｂ チャック ８４ａ 回転手段 ８４ｂ 回転手段 ８８ リフレクタ ９０ａ 反応チャンバ ９０ｂ 反応チャンバ ９２ リフレクタ 20 Radiation Auxiliary Processing Device 22 Reaction Chamber 24 Radiation Source 26 Radiation 28a First Substrate 28b Second Substrate 30a First Side 30b Second Side 32a First Chuck 32b Second Chuck 34a Chuck Support 34b Chuck Support 36 Power Supply 38 Resistance heating element 42 Gas inlet 44 Pressure gauge / control device 52 Reaction chamber 54 Double-sided chuck 56 Single-sided chuck 58 Chuck support 60 Gas inlet 64 Discharge hole 66 Radiation source according to the second embodiment 68 Radiation source 70 According to the third embodiment Radiation source 72 Radiation source according to the fourth embodiment 80a First substrate 80b Second substrate 82a Chuck 82b Chuck 84a Rotating means 84b Rotating means 88 Reflector 90a Reaction chamber 90b Reaction chamber 92 Reflector
Claims (26)
基板を処理する両側形処理装置において、 前記基板の表面が実質的に平行になるようにして前記第
１及び第２基板を支持する支持手段と、 前記第１基板と第２基板との間に、これらの両基板と実
質的に平行に配置されていて、リフレクタの補助がなく
ても約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、第
１及び第２基板の各々を強さI0で均一に照射する放射線
を放射するための平らな放射線手段とを含み、該放射線
手段が、前記第１及び第２基板のいずれの面積よりも大
きな面積を有していることを特徴とする両側形処理装
置。1. A flat first substrate having a certain area and a second flat substrate
In a double-sided processing apparatus for processing a substrate, between a support means for supporting the first and second substrates such that the surfaces of the substrates are substantially parallel, and between the first and second substrates. , Each of the first and second substrates being arranged substantially parallel to both of these substrates so that they can be processed with a radiation intensity of about 2I 0 without the aid of a reflector. A flat radiation means for radiating radiation that is uniformly irradiated at 0 , the radiation means having an area larger than either area of the first and second substrates. Double-sided processing device.
内に前記平らな放射線手段及び前記支持手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の両側形処理装
置。2. The double-sided processing apparatus according to claim 1, further comprising a chamber, wherein the flat radiation means and the supporting means are provided in the chamber.
各１つを支持する第１チャック手段及び第２チャック手
段を備えており、該第１及び第２チャック手段が前記第
１及び第２基板の各１つを加熱する手段を備えているこ
とを特徴とする請求項２に記載の両側形処理装置。3. The supporting means comprises a first chuck means and a second chuck means for supporting each one of the first and second substrates, the first and second chuck means comprising the first and second chuck means. The double-sided processing apparatus according to claim 2, further comprising means for heating each one of the second substrates.
Ｖ）が得られ、前記処理がＵＶ／オゾン洗浄であること
を特徴とする請求項３に記載の両側形処理装置。4. The ultraviolet ray (U) is generated by the flat radiation source.
V) is obtained, and the treatment is UV / ozone cleaning.
第１及び第２基板の平面内でこれらの両基板を回転させ
ることを特徴とする請求項３に記載の両側形処理装置。5. The double sided processing apparatus according to claim 3, wherein the first and second chuck means rotate both of the first and second substrates in a plane of the first and second substrates.
第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請求
項２に記載の両側形処理装置。6. The double-sided processing apparatus according to claim 2, wherein the flat radiation means and the first and second substrates are vertically oriented.
第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請求
項５に記載の両側形処理装置。7. The double-sided processing apparatus according to claim 5, wherein the flat radiation means and the first and second substrates are vertically oriented.
ス流を供給する手段を更に有していることを特徴とする
請求項６に記載の両側形処理装置。8. The double-sided processing apparatus according to claim 6, further comprising means for supplying a gas flow from the top to the bottom of the chamber.
ス流を供給する手段を更に有していることを特徴とする
請求項７に記載の両側形処理装置。9. The double-sided processing apparatus according to claim 7, further comprising means for supplying a gas flow from the top to the bottom of the chamber.
バを更に有しており、前記支持手段が、前記第１及び第
２反応チャンバの各１つの中に設けられた第１支持手段
及び第２支持手段を備えていることを特徴とする請求項
１に記載の両側形処理装置。10. A first reaction chamber and a second reaction chamber, the support means being provided in each one of the first and second reaction chambers. The double-sided processing device according to claim 1, further comprising a supporting means.
第２反応チャンバの外部に設けられていることを特徴と
する請求項１０に記載の両側形処理装置。11. The double-sided processing apparatus according to claim 10, wherein the flat radiation means is provided outside the first and second reaction chambers.
び第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請
求項１１に記載の両側形処理装置。12. The double-sided processing apparatus according to claim 11, wherein the flat radiation means and the first and second substrates are vertically oriented.
底部に向かうガス流を供給する手段を更に有しているこ
とを特徴とする請求項１２に記載の両側形処理装置。13. The double-sided processing apparatus according to claim 12, further comprising means for supplying a gas flow from the top to the bottom of the first and second chambers.
２基板を処理する両側形ＵＶ／オゾン処理装置におい
て、 チャンバと、 該チャンバ内に設けられていて紫外線を放射する平らな
放射線源とを有しており、該放射線源が第１の側及び第
２の側と、前記第１及び第２基板のいずれの面積よりも
大きな面積とを備えており、 前記各基板を、前記平らな放射線源から放射される強さ
I0の放射線で均一に照射し、リフレクタを使用しなくて
も約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、前記
平らな放射線源の前記第１及び第２の側で、前記平らな
放射線源に対する固定位置において前記基板を支持する
支持手段を更に有していることを特徴とする両側形ＵＶ
／オゾン処理装置。14. A double-sided UV / ozone processing apparatus for processing a flat first substrate and a second substrate having a certain area, a chamber, and a flat radiation source provided in the chamber for emitting an ultraviolet ray. And the radiation source has a first side and a second side, and an area larger than the area of any of the first and second substrates. Intensity emitted from various radiation sources
On the first and second sides of the flat radiation source, the flat radiation source is provided so that it can be uniformly illuminated with radiation of I 0 and can be processed with a radiation intensity of about 2 I 0 without the use of a reflector. Double-sided UV, further comprising supporting means for supporting the substrate in a fixed position with respect to various radiation sources.
/ Ozone treatment equipment.
段を更に有していることを特徴とする請求項１４に記載
の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。15. The double-sided UV / ozone treatment apparatus according to claim 14, further comprising means for introducing ozone into the chamber.
とを特徴とする請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン
処理装置。16. The double-sided UV / ozone treatment apparatus according to claim 14, wherein the supporting means heats the substrate.
置された複数の平らな放射線源からなることを特徴とす
る請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。17. The double sided UV / ozone treatment apparatus of claim 14, wherein the flat radiation source comprises a plurality of flat radiation sources arranged in a plane.
れていることを特徴とする請求項１７に記載の両側形Ｕ
Ｖ／オゾン処理装置。18. The double-sided shape U according to claim 17, wherein the plurality of radiation sources are radially arranged.
V / ozone treatment device.
た形状をもつ単一の放射線源からなることを特徴とする
請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。19. The dual-sided UV / ozone treatment apparatus of claim 14, wherein the flat radiation source comprises a single radiation source having a serpentine shape.
置された単一の放射線源からなることを特徴とする請求
項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。20. The double-sided UV / ozone treatment apparatus according to claim 14, wherein the flat radiation source comprises a single radiation source arranged in a spiral shape.
ＵＶ／オゾン処理装置において、 紫外線を放射する平らな放射線源を有しており、該放射
線源が、第１の側及び及び第２の側と、前記基板のいず
れの面積よりも大きな面積とを備えており、 前記平らな放射線源の前記第１及び第２の側の各一方の
側に設けられた第１チャンバ及び第２チャンバと、 該第１及び第２チャンバの各１つのチャンバ内に設けら
れた第１支持手段及び第２支持手段であって、前記各基
板を、強さI0の紫外線で均一に照射できるように、前記
平らな放射線源の前記第１及び第２の側で、前記平らな
放射線源に対する固定位置において、処理すべき前記基
板を支持する支持手段とを更に有していることを特徴と
する両側形ＵＶ／オゾン処理装置。21. A double-sided UV / ozone treatment apparatus for treating a substrate having an area, comprising a flat radiation source emitting ultraviolet light, the radiation source comprising a first side and a second side. Side and a larger area than any area of the substrate, and a first chamber and a second chamber provided on each one of the first and second sides of the flat radiation source. And a first support means and a second support means provided in each one of the first and second chambers so that each substrate can be uniformly irradiated with ultraviolet light of intensity I 0. Both sides of the flat radiation source, further comprising support means for supporting the substrate to be processed in a fixed position relative to the flat radiation source on the first and second sides. Type UV / ozone treatment device.
板の放射線補助処理を行う装置において、 複数の平らな放射線源を有しており、各放射線源が第１
の側及び及び第２の側を備えておりかつこれらの第１及
び第２の側の各側において強さI0の放射線を与え、前記
各放射線源が更に、前記基板のいずれの面積よりも大き
な面積を備えており、 前記各基板が、対応する前記平らな各放射線源に対して
実質的に平行になりかつ強さI0の放射線で均一に照射さ
れるように、かつ前記平らな各放射線源が約２I0の放射
線強さを用いて処理できるように、前記平らな各放射線
源の前記第１及び第２の側の各一方の側において少なく
とも１つの基板を支持する支持手段を更に有しているこ
とを特徴とする複数の平らな基板の放射線補助処理を行
う装置。22. An apparatus for radiation-assisted treatment of a plurality of flat substrates, each having an area, comprising a plurality of flat radiation sources, each radiation source being a first
Side and and a second side and provides a radiation of intensity I 0 on each side of these first and second sides, each said radiation source being further than any area of said substrate. A large area such that each substrate is substantially parallel to each corresponding flat radiation source and is uniformly illuminated by radiation of intensity I 0 , and Supporting means for supporting at least one substrate on each one of said first and second sides of each said flat radiation source are further provided so that the radiation source can be treated with a radiation intensity of about 2I 0. An apparatus for performing radiation-assisted processing of a plurality of flat substrates, the apparatus having:
バ内に前記放射線源及び支持手段が設けられていること
を特徴とする請求項２２に記載の装置。23. The apparatus of claim 22, further comprising a chamber, wherein the radiation source and the support means are provided in the chamber.
れた複数のチャンバを更に有しており、前記支持手段
が、前記チャンバの各１つに設けられた複数の支持体を
備えていることを特徴とする請求項２２に記載の装置。24. Further comprising a plurality of chambers in which said plurality of flat radiation sources are incorporated, said supporting means comprising a plurality of supports provided in each one of said chambers. 23. The device according to claim 22, characterized in that
を行うためのリフレクタを備えていない装置において、 チャンバと、 或る強さの放射線を放射できるように前記チャンバ内に
配置されておりかつ垂直に配向された平らな放射線手段
とを有しており、該放射線手段が、第１の側及び第２の
側と、前記基板のいずれの面積よりも大きな面積とを備
えており、 前記平らな放射線手段の前記第１及び第２の側の各一方
の側で前記チャンバ内に設けられた第１支持手段及び第
２手段であって、前記基板が前記チャンバ内で垂直でか
つ前記平らな放射線手段に対して実質的に平行に配向さ
れるように、前記各基板が強さI0の入射放射線を受けて
約２I0の放射線強さで処理されるように、かつ前記基板
が前記平らな放射線手段に対する固定位置において支持
されるようにして前記基板を支持する第１及び第２支持
手段と、 前記チャンバ内に均一で垂直方向のガス流を供給するガ
ス供給手段とを更に有していることを特徴とする基板の
放射線補助処理を行うためのリフレクタを備えていない
装置。25. An apparatus not provided with a reflector for radiation-assisted treatment of a substrate having an area, the chamber and a chamber arranged to emit a certain intensity of radiation and A vertically oriented flat radiating means, the radiating means comprising a first side and a second side and an area greater than either area of the substrate, Support means and second means provided in the chamber on one side of each of the first and second sides of the radiation means, the substrate being vertical and flat in the chamber. as oriented substantially parallel to the radiation means such that said each substrate is processed in the radiation intensity of about 2I 0 receives the incident radiation intensity I 0, and the substrate is the flat Fixed position for different radiation means Further comprising first and second supporting means for supporting the substrate in such a manner as to be supported by the same, and gas supply means for supplying a uniform and vertical gas flow into the chamber. Equipment without a reflector for radiation-assisted processing of substrates.
いて、 チャンバと、 放射線を放射できるように前記チャンバ内に配置されて
おりかつ垂直に配向された平らな放射線手段とを有して
おり、該放射線手段が第１の側及び第２の側を備えてお
り、 前記平らな放射線手段の前記第１及び第２の側の各一方
の側で前記チャンバ内に設けられた第１支持手段及び第
２手段であって、前記基板が前記チャンバ内で垂直でか
つ前記平らな放射線手段に対して実質的に平行に配向さ
れるように、前記各基板が強さI0の入射放射線を受ける
ように、かつ前記基板が前記平らな放射線手段に対する
固定位置において支持されるようにして前記基板を支持
する第１及び第２支持手段と、 前記チャンバ内に均一で垂直方向のガス流を供給するガ
ス供給手段と、 前記平らな放射線手段の平面内に設けられていて、前記
放射線手段から放射された放射線を、選択された角度よ
り小さい前記放射線手段の平面からの角度で前記基板に
向けて反射するリフレクタ手段であって、各基板が強さ
I0＋ IR （ここで、 IR は前記放射線手段により基板に
与えられる強さ）の入射放射線を受けるように、かつ約
２（I0＋ IR ）の放射線強さを用いて処理が行えるよう
にしたリフレクタ手段とを更に有していることを特徴と
する基板の放射線補助処理を行う装置。26. An apparatus for radiation-assisted treatment of a substrate, comprising a chamber and a flat radiation means arranged in said chamber for emitting radiation and vertically oriented, said radiation means comprising: A radiation means comprising a first side and a second side, a first support means and a first means provided in the chamber on each one of the first and second sides of the flat radiation means. Two means, wherein each substrate receives incident radiation of intensity I 0 such that the substrates are oriented in the chamber vertically and substantially parallel to the flat radiation means. And first and second supporting means for supporting the substrate so that the substrate is supported at a fixed position with respect to the flat radiation means, and a gas supply for supplying a uniform and vertical gas flow into the chamber. Means and Reflector means provided in the plane of the flat radiation means for reflecting radiation emitted from the radiation means toward the substrate at an angle from the plane of the radiation means that is less than a selected angle. And each board is strong
I 0 + I R (where, I R is the intensity provided to the substrate by said radiation means) to receive incident radiation and treatment with radiation strength of about 2 (I 0 + I R) is An apparatus for performing radiation-assisted processing of a substrate, further comprising reflector means adapted to perform the radiation treatment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041791A JPH0547731A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Both side type radiation assistant treating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041791A JPH0547731A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Both side type radiation assistant treating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547731A true JPH0547731A (en) | 1993-02-26 |
Family
ID=16423972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20041791A Pending JPH0547731A (en) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Both side type radiation assistant treating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547731A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275587A (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Sony Corp | Printed circuit board washing device |
| JP2018107401A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP20041791A patent/JPH0547731A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275587A (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Sony Corp | Printed circuit board washing device |
| JP2018107401A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing system |
| CN108257891A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, base plate processing system and substrate processing method using same |
| KR20180077039A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus, substrate processing system and substrate processing method |
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