JPH0445277A - Loading chamber for film formation device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は成膜装置用ローディング室に関し、特に液晶基
板用プラズマ化学気相堆積装置及びスパッタ装置のロー
ディング室に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a loading chamber for a film forming apparatus, and more particularly to a loading chamber for a plasma chemical vapor deposition apparatus and a sputtering apparatus for liquid crystal substrates.
液晶表示パネル用ＴＦＴ （Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）は、通常透明ガラス基板上に形成さ
れ、ＴＰＴ製造工程の中に、アモルファスシリコン膜や
透明導電膜ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ
）を基板上に堆積する工程が含まれている。TFT for liquid crystal display panels (Thin-Film-Tr
Ansistor) is usually formed on a transparent glass substrate, and during the TPT manufacturing process, an amorphous silicon film or a transparent conductive film ITO (Indium-Tin-Oxide) is used.
) on the substrate.
アモルファスシリコン膜の成膜には、通常プラズマによ
るガス分解２攻応を利用したプラズマ化学気相堆積（プ
ラズマＣＶＤ ）装置が用いられる。また、ＩＴＯの成
膜にはスパッタ装置が用いられる。For forming an amorphous silicon film, a plasma chemical vapor deposition (plasma CVD) apparatus that utilizes gas decomposition two reactions using plasma is usually used. Further, a sputtering device is used to form the ITO film.
パネルの大型化、生産効率化に伴い、成膜時の基板寸法
も大型化の傾向をたどり、例えば３５０ｍｍ’という、
シリコン基板の寸法をはるかに凌ぐ大きさが用いられる
ようになった。この傾向に伴い、成膜装置自体も装置専
有面積やパーティクル付着の低減化の観点から、縦型搬
送が用いられるようになった。成膜装置は通常ローディ
ング室、成膜室アンローディング室から構成される。As panels become larger and production efficiency increases, the substrate size during film formation also tends to increase, for example, 350 mm.
Sizes that far exceed those of silicon substrates have come to be used. Along with this trend, vertical transport has come to be used in the film forming apparatus itself from the viewpoint of reducing the area occupied by the apparatus and reducing particle adhesion. A film forming apparatus usually consists of a loading chamber, a film forming chamber, and an unloading chamber.
従来のローディング室構造を第４図に示す。第４図は、
ローディング室内の縦断面図で、基板２が垂直に２枚載
置されたトレイ１が２組並列に設けられた場合を示す。A conventional loading chamber structure is shown in FIG. Figure 4 shows
This is a vertical cross-sectional view of the inside of the loading chamber, showing a case where two sets of trays 1 on which two substrates 2 are vertically placed are provided in parallel.
基板２は、表面及び裏面側から例えばタングステン線を
用いた加熱用ランプ１２で加熱できるようになっている
。ローディング室と成膜室は通常シャッターで仕切られ
ており、真空ポンプＩＯによりローディング室を成膜室
と同じ真空度にしたのち、シャッターを開き、トレイ支
持体３を移動させることで、成膜室へ基板を移すように
なっている。The substrate 2 can be heated from the front and back sides using a heating lamp 12 using, for example, a tungsten wire. The loading chamber and the film-forming chamber are usually separated by a shutter, and after making the loading chamber the same degree of vacuum as the film-forming chamber with a vacuum pump IO, opening the shutter and moving the tray support 3 opens the film-forming chamber. The board is now being moved to.
この従来のローディング室は、前述したように、室内排
気機構と、基板加熱機構とを有しており、成膜プロセス
との関連においては予備加熱機能の役割を果たしている
。As described above, this conventional loading chamber has an indoor exhaust mechanism and a substrate heating mechanism, and plays the role of a preheating function in relation to the film forming process.
成膜工程では、ピンホールが少なく、かつ密着性の良い
膜を形成することが電気的耐性、プロセス耐性の点で極
めて重要となる。これを実現するためには、従来基板を
成膜装置のローディング室に入れる前に、洗浄装置を用
いて基板の洗浄処理を行い、できるだけゴミを付着させ
ないように細心の注意を払いながら基板を成膜装置のロ
ーディング室へ移さねばならないという煩わしさがあっ
た。また、洗浄は通常、薬液による湿式が用いられるた
め、洗浄装置と成膜装置とをインライン化するのは難し
く、装置的には分離されているのが一般的である。１台
の成膜装置が複数工程を担っている場合には洗浄後、直
ちに成膜装置へ入れることができない場合も生じ、成膜
前での一時保管におけるパーティクル付着という厄介な
問題点もあった。In the film formation process, it is extremely important to form a film with few pinholes and good adhesion in terms of electrical resistance and process resistance. In order to achieve this, conventional substrates must be cleaned using a cleaning device before being placed in the loading chamber of a film deposition system, and the substrates must be carefully cleaned to avoid adhesion of dust as much as possible. There was the inconvenience of having to move it to the loading chamber of the membrane device. Further, since a wet method using a chemical solution is usually used for cleaning, it is difficult to install the cleaning device and the film forming device in-line, and the devices are generally separated. When a single film-forming system is responsible for multiple processes, it may not be possible to put the film into the film-forming system immediately after cleaning, and there is also the troublesome problem of particle adhesion during temporary storage before film-forming. .
本発明の目的は、成膜装置のローディング室で基板表面
の洗浄を行うことにより、従来の問題点を解決した成膜
装置用ローディング室を提供することにある。An object of the present invention is to provide a loading chamber for a film forming apparatus that solves the conventional problems by cleaning the surface of a substrate in the loading chamber of the film forming apparatus.
〔課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る成膜装置用ロー
ディング室においては、基板加熱機構と、オゾン散布機
構と、紫外線照射機構とを有する成膜装置用ローディン
グ室であって、
基板加熱機構は、搬送用のトレイに支持された基板を加
熱するものであり、
オゾン散布機構は、前記トレイに支持された基板にオゾ
ンを散布するものであり、
紫外線照射機構は、前記トレイに支持された基板に紫外
線を照射するものであり、
前記オゾン散布機構及び紫外線照射機構は、オゾン雰囲
気中で紫外線を照射することにより、前記基板の表面で
洗浄する機構を構成するものである。[Means for Solving the Problem] In order to achieve the above object, the loading chamber for a film forming apparatus according to the present invention includes a loading chamber for a film forming apparatus having a substrate heating mechanism, an ozone dispersion mechanism, and an ultraviolet irradiation mechanism. The chamber includes: a substrate heating mechanism for heating a substrate supported on a transport tray; an ozone dispersion mechanism for dispersing ozone on the substrate supported on the tray; and an ultraviolet irradiation mechanism. is for irradiating the substrate supported by the tray with ultraviolet rays, and the ozone dispersion mechanism and the ultraviolet ray irradiation mechanism constitute a mechanism for cleaning the surface of the substrate by irradiating ultraviolet rays in an ozone atmosphere. It is something.
また本発明において、前記基板加熱機構は、前記トレイ
に支持された基板の裏面側を加熱させる加熱体と、該基
板の表面側を加熱させる加熱用ランプと、加熱用ランプ
の光を基板側に向けて反射する反射板とを有するもので
あり、
前記紫外線照射機構は、前記加熱ランプに対して一定周
期で交互に配列された低圧水銀ランプと、低圧水銀ラン
プの紫外線を基板側に向けて反射させる反射板を有する
ものであり、
前記オゾン散布機構は、前記トレイに支持された基板の
表面に対して平行に配置され、基板表面に平行にオゾン
を散布するための複数個の吹き出し孔を開口したオゾン
散布管を有するものである。Further, in the present invention, the substrate heating mechanism includes a heating body that heats the back side of the substrate supported by the tray, a heating lamp that heats the front side of the substrate, and a heating lamp that directs light from the heating lamp to the substrate side. The ultraviolet ray irradiation mechanism includes low-pressure mercury lamps arranged alternately at a constant period with respect to the heating lamp, and the ultraviolet rays of the low-pressure mercury lamps are reflected toward the substrate side. The ozone dispersion mechanism is arranged parallel to the surface of the substrate supported by the tray, and has a plurality of blowing holes for dispersing ozone parallel to the substrate surface. It has an ozone dispersion tube.
〔作用］
オゾン（０３）雰囲気中で紫外線を照射する方法は有機
物汚染に対する洗浄や、レジストのアッシングに有効で
あることは、原理的に既に知られている［例えば科学雑
誌：ボリマー、エンジニアリング、サイエンス、 １９
７２年第１２巻、１０９ページ（Ｐｏｌｙｍ、Ｅｎｇ、
Ｓｃｉ、、１２．１０９（１９７２月。即ち、オゾン
ガス存在下で紫外線を照射すると、オゾンは約２００〜
３００ナノメートルの波長領域の光を吸収して活性な励
起酸素原子（○）に分解される。また、酸素分子（０２
）は約１９５ナノメートル以下の紫外線を吸収してオゾ
ンに変換される。低圧水銀ランプは、１８４、９ナノメ
ートル、 ２５３．７ナノメードルの波長の強い光を発
生するので、オゾン・酸素雰囲気中に基板を置くと、そ
の表面はＱ３．○にさらされ、基板表面の有機物は０３
．Ｏの酸化作用や、紫外線による直接分解で気化し、洗
浄効果が得られる。[Function] It is already known in principle that the method of irradiating ultraviolet rays in an ozone (03) atmosphere is effective for cleaning organic contamination and for resist ashing [for example, scientific journals: Bolimar, Engineering, Science , 19
1972, Volume 12, Page 109 (Polym, Eng,
Sci., 12.109 (February 197). That is, when irradiated with ultraviolet rays in the presence of ozone gas, ozone
It absorbs light in the wavelength range of 300 nanometers and is decomposed into active excited oxygen atoms (○). In addition, oxygen molecules (02
) absorbs ultraviolet light of approximately 195 nanometers or less and is converted to ozone. Low-pressure mercury lamps generate strong light with wavelengths of 184.9 nanometers and 253.7 nanometers, so when a substrate is placed in an ozone/oxygen atmosphere, its surface becomes Q3. When exposed to ○, the organic matter on the substrate surface is 03
．． It vaporizes due to the oxidation effect of O or direct decomposition by ultraviolet light, resulting in a cleaning effect.
［実施例］ 次に本発明について図面を参照して説明する。[Example] Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
（実施例１）
第１図、第２図は本発明の実施例１を模式的に示すロー
ディング室の縦断面図である。第１図は基板の搬送方向
からみた断面図、第２図は基板表面側からみた基板とラ
ンプとの位置関係を示す断面図である。(Example 1) FIGS. 1 and 2 are vertical sectional views of a loading chamber schematically showing Example 1 of the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view as seen from the direction of conveyance of the substrate, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the positional relationship between the substrate and the lamp as seen from the surface side of the substrate.
本実施例では第１図、第２図に示されるように、基板２
を１組のトレイ１に２枚垂直に並べ、このようなトレイ
がトレイ支持体３に２組並列に設置した場合について述
べる。２組のトレイ１．１をシーズヒータ４を挾んで両
側に位置するように設けることで、基板２は裏面側から
シーズヒータ４の熱輻肘によって加熱される。In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 2
A case where two such trays are arranged vertically on one set of trays 1 and two sets of such trays are installed in parallel on the tray support 3 will be described. By providing two sets of trays 1.1 so as to sandwich the sheathed heater 4 and position it on both sides, the substrate 2 is heated from the back side by the heat radiation of the sheathed heater 4.
また、オゾン散布管５はその吹き出し孔１１を下方に向
けてトレイ支持体３の両側上方位ｌに該トレイ支持体３
に沿って平行に、かつ水平に設置しである。Further, the ozone dispersion pipe 5 is placed on both sides of the tray support 3 in an upper direction l with its blowout hole 11 facing downward.
It is installed parallel to and horizontally along.
オゾン散布管は、その吹き出し孔１１から基板表面にオ
ゾン・酸素混合ガス６を均一に散布するものである。更
に、トレイ支持体３の両側には基板表面を加熱するため
の加熱用ランプ１２と、紫外線を照射するための低圧水
銀ランプ８とが交互に並べて設けである。各々の加熱用
ランプ１２及び低圧水銀ランプ８には反射板（第１図で
は低圧水銀ランプ用の反射板７を示す）を設け、照射効
率を高めである。The ozone dispersion tube uniformly sprays ozone/oxygen mixed gas 6 onto the substrate surface from its blow-off hole 11. Furthermore, heating lamps 12 for heating the substrate surface and low-pressure mercury lamps 8 for irradiating ultraviolet rays are arranged alternately on both sides of the tray support 3. Each of the heating lamps 12 and the low-pressure mercury lamps 8 is provided with a reflecting plate (a reflecting plate 7 for the low-pressure mercury lamp is shown in FIG. 1) to increase irradiation efficiency.
本実施例は、基板として大きさ３００ Ｘ ３００ ｍ
ｍ ２．厚さ１ｍｍのガラス基板を対象とした。In this example, the size of the substrate is 300 x 300 m.
m2. The target was a glass substrate with a thickness of 1 mm.
シーズヒータ４として、ニクロム線ヒータ、加熱用ラン
プ１２として８００ワツトのタングステン線ランプヒー
タをそれぞれ用い、２００℃の加熱が出きるようにした
。オゾン散布管５として、内径１５鵬、長さ７００ ｍ
ｍのステンレス管に直径３ＩＩＩＩ１１の吹き出し孔１
１が、円周上約６０度の角度範囲にわたって８Ｍピッチ
で多数設けられている管を用いた。低圧水銀ランプ８と
して、長さ６５０ｍ、出力２００ワツトのランプを用い
た。反射板７として、直径４０ｍｍの半円筒状のステン
レス板にアルミ蒸着したものを用いた。このような低圧
水銀ランプ８を、第２図に示すように、加熱用ランプ１
２と交互になるような配置で、８０ｍｍピッチで片側あ
たり８本並べた。A nichrome wire heater was used as the sheathed heater 4, and an 800 watt tungsten wire lamp heater was used as the heating lamp 12, so that they could heat at 200°C. The ozone dispersion pipe 5 has an inner diameter of 15 mm and a length of 700 m.
Blowout hole 1 with a diameter of 3III11 in a stainless steel pipe of m
1 was used, in which a large number of tubes were provided at a pitch of 8M over an angular range of about 60 degrees on the circumference. As the low-pressure mercury lamp 8, a lamp with a length of 650 m and an output of 200 watts was used. As the reflection plate 7, a semi-cylindrical stainless steel plate with a diameter of 40 mm and aluminum vapor-deposited was used. Such a low-pressure mercury lamp 8 is used as a heating lamp 1 as shown in FIG.
Eight pieces were lined up on each side at a pitch of 80 mm in an alternating arrangement.
加熱用ランプ１２の数も８本とした。加熱用ランプ１２
及び低圧水銀ランプ８と基板２との距離は１５ｍｍとし
た。ローディング室内を排気するための真空ポンプｌＯ
としては、通常用いられるロータリーポンプ、メカニカ
ルブースターポンプ、ターボ分子ポンプを用い、５ Ｘ
］ Ｏ−” ０Ｔｏｒｒ以下の到達真空度が得られる
ようにした。オゾンを散布する場合、オゾン１００％の
ガスでなくてもよく、酸素の中にオゾンをある比率で混
合したものが一般的に用いられる。散布量に関しては、
例えば上述した寸法のオゾン散布管、基板寸法に対して
毎分３０Ｑの量で基板全面にオゾンを供給することが可
能となる。トレイ支持体３を介してトレイ１を第２図に
示す方向に±７５ｉｕｎの範囲を毎秒１ｍｍの速度で往
復運動させながら、オゾン、紫外線照射、加熱を施した
。The number of heating lamps 12 was also eight. Heating lamp 12
The distance between the low-pressure mercury lamp 8 and the substrate 2 was 15 mm. Vacuum pump lO for evacuating the loading chamber
As for the 5X
] O-" It was possible to obtain an ultimate vacuum of 0 Torr or less. When spraying ozone, it is not necessary to use 100% ozone gas; it is generally a mixture of ozone and oxygen at a certain ratio. As for the amount of spraying,
For example, with an ozone dispersion tube having the above-mentioned dimensions, it is possible to supply ozone to the entire surface of the substrate at a rate of 30 Q per minute for the substrate dimensions. While the tray 1 was reciprocated in the direction shown in FIG. 2 via the tray support 3 at a speed of 1 mm per second within a range of ±75 iun, ozone, ultraviolet ray irradiation, and heating were applied.
本実施例に示した構造を有するローディング室において
、オゾンを７ＶｏＱ％混合した酸素ガスを毎分３ｉ散布
しながら、無アルカリガラス基板（商品名：コーニング
７０５９）に対する洗浄効果を調べた。In a loading chamber having the structure shown in this example, the cleaning effect on an alkali-free glass substrate (trade name: Corning 7059) was investigated while spraying oxygen gas containing 7 VoQ% ozone at 3 i/min.
基板温度２００℃、室内圧力２００Ｔｏｒｒで５分間処
理した結果、１μｍ以上のパーティクルが２７０ｍｍ’
内に５個以下となり、通常の湿式洗浄と同等の効果が得
られた。通常のローディング室内の保持時間（タクトタ
イムに相当）は、成膜方式、成膜条件によって異なるが
、例えばプラズマＣＶＤの場合には、タクトタイムは通
常２０〜３０分となるため、本発明のローティング室を
用いた場合でも、従来のタクトタイム内で十分に洗浄処
理を完了することができる。基板裏面側を加熱する手段
として、本実施例ではシーズヒータを用いたが、例えば
タングステン線ランプヒータを用いてもよい。また、成
膜装置としてプラズマＣＶＤのみに限らず、スパッタ装
置に対しても本発明は有効である。As a result of processing for 5 minutes at a substrate temperature of 200°C and an indoor pressure of 200 Torr, there were 270 mm' of particles larger than 1 μm.
The number of cleaning particles was 5 or less, and the same effect as normal wet cleaning was obtained. The holding time (equivalent to takt time) in a normal loading chamber varies depending on the film forming method and film forming conditions, but for example, in the case of plasma CVD, the takt time is usually 20 to 30 minutes. Even when a cleaning chamber is used, the cleaning process can be sufficiently completed within the conventional takt time. Although a sheathed heater is used in this embodiment as a means for heating the back side of the substrate, a tungsten wire lamp heater may also be used, for example. Further, the present invention is effective not only for plasma CVD but also for sputtering equipment as a film forming apparatus.
（実施例２）
第３図は本発明の実施例２に係るローディング室を示す
縦断面図である。(Embodiment 2) FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a loading chamber according to Embodiment 2 of the present invention.
本実施例では加熱用ランプ１２と低圧水銀ランプ８とを
２本ずつ交互に配列した点が、実施例１と異なる。ラン
プの長さ、ワット数は実施例１と同じである。使用した
ランプの本数も片側あたり実施例１と同様各８本とした
。トレイ１は±１１２，５−の範囲を毎秒１．５Ｍの速
度で往復運転させた。This embodiment differs from the first embodiment in that two heating lamps 12 and two low-pressure mercury lamps 8 are arranged alternately. The length and wattage of the lamp are the same as in Example 1. The number of lamps used was also 8 on each side, as in Example 1. Tray 1 was reciprocated in a range of ±112,5- at a speed of 1.5 M/sec.
実施例１と同じオゾン散布方式、散布量を用いて基板温
度２００°Ｃ９室内圧力２００Ｔｏｒｒで５分間処理し
た結果、実施例１で述べたと同等の洗浄効果が得られた
。Using the same ozone spraying method and spraying amount as in Example 1, the substrate temperature was 200° C. and the room pressure was 200 Torr for 5 minutes, and as a result, the same cleaning effect as described in Example 1 was obtained.
以上説明したように本発明は、成膜装置のローディング
室で基板表面の洗浄を可能としたものである。As explained above, the present invention makes it possible to clean the surface of a substrate in the loading chamber of a film forming apparatus.
従来、成膜に先たち湿式洗浄装置を用いて基板表面の洗
浄を行い、然るのち成膜装置のローディング室へ基板を
挿入して成膜を行うという方法をとっていたが、本発明
のローティング室を用いることにより湿式の洗浄装置が
不要となる更に、洗浄工程から成膜工程への基板移し替
えに伴うパーティクル汚染を著しく低減することが可能
となる。例えば、従来洗浄後、５分間クラス１００のク
リーンルーム内に基板をさらした場合、Ｉｐｍ以上のパ
ーティクルが２７０皿０あたり３０個程度の増加がみら
れたが、このパーティクル増加を殆ど零に抑えることが
できる。Conventionally, the surface of the substrate was cleaned using a wet cleaning device prior to film formation, and then the substrate was inserted into the loading chamber of the film formation device to form a film. By using a loading chamber, a wet cleaning device is not required, and furthermore, it is possible to significantly reduce particle contamination that accompanies transferring the substrate from the cleaning process to the film forming process. For example, when a substrate is exposed to a class 100 clean room for 5 minutes after cleaning, the number of particles of Ipm or higher increases by about 30 per 270 plates, but it is possible to reduce this increase to almost zero. can.
本発明の効果は、上述したパーティクル低減効果のみで
なく、従来行っていた湿式洗浄に費やされた時間分を削
減できる。湿式洗浄では例えば基板２０枚を処理するの
に約５０分を要する。ＴＰＴ工程では通常成膜工程は５
〜６エ程あるため、洗浄時間の短縮分は４〜５時間とな
り、リードタイム短縮に対する効果は太きい。The effect of the present invention is not only the above-mentioned particle reduction effect but also the ability to reduce the time spent on conventional wet cleaning. In wet cleaning, for example, it takes about 50 minutes to process 20 substrates. In the TPT process, there are usually 5 film formation steps.
Since there are about 6 steps, the cleaning time will be reduced by 4 to 5 hours, and the effect on lead time reduction will be significant.
第１図、第２図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第
３図は本発明の実施例２を示す縦断面図、第４図は従来
のローディング室構造を示す縦断面図である。
１・・・トレイ ２・・・基板３・・・
トレイ支持体 ４・・・シーズヒータ５・・・オ
ゾン散布管 ６・・・オゾン・酸素混合ガス７・・・
反射板 ８・・・低圧水銀ランプ９・・・
排気ガス １０・・・真空ポンプ１１・・・
吹き出し孔
１２・・・加熱用ランプ
！−一
第
図FIGS. 1 and 2 are longitudinal sectional views showing Embodiment 1 of the present invention, FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing Embodiment 2 of the invention, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a conventional loading chamber structure. It is. 1... Tray 2... Board 3...
Tray support 4... Sheathed heater 5... Ozone spray tube 6... Ozone/oxygen mixed gas 7...
Reflector plate 8...Low pressure mercury lamp 9...
Exhaust gas 10... Vacuum pump 11...
Blowout hole 12...heating lamp! -Figure 1
Claims (4)
機構とを有する成膜装置用ローディング室であって、 基板加熱機構は、搬送用のトレイに支持された基板を加
熱するものであり、 オゾン散布機構は、前記トレイに支持された基板にオゾ
ンを散布するものであり、 紫外線照射機構は、前記トレイに支持された基板に紫外
線を照射するものであり、 前記オゾン散布機構及び紫外線照射機構は、オゾン雰囲
気中で紫外線を照射することにより、前記基板の表面で
洗浄する機構を構成するものであることを特徴とする成
膜装置用ローディング室。(1) A loading chamber for a film forming apparatus having a substrate heating mechanism, an ozone dispersion mechanism, and an ultraviolet irradiation mechanism, the substrate heating mechanism heating a substrate supported on a transport tray, The ozone dispersion mechanism is for dispersing ozone onto the substrate supported by the tray, and the ultraviolet irradiation mechanism is for irradiating the substrate supported by the tray with ultraviolet rays. The ozone dispersion mechanism and the ultraviolet irradiation mechanism The loading chamber for a film forming apparatus is characterized in that the loading chamber constitutes a mechanism for cleaning the surface of the substrate by irradiating it with ultraviolet rays in an ozone atmosphere.
板の裏面側を加熱させる加熱体と、該基板の表面側を加
熱させる加熱用ランプと、加熱用ランプの光を基板側に
向けて反射する反射板とを有することを特徴とする請求
項第（１）項記載の成膜装置用ローディング室。(2) The substrate heating mechanism includes a heating body that heats the back side of the substrate supported by the tray, a heating lamp that heats the front side of the substrate, and a heating lamp that directs light from the heating lamp toward the substrate side. The loading chamber for a film forming apparatus according to claim 1, further comprising a reflecting plate for reflecting light.
一定周期で交互に配列された低圧水銀ランプと、低圧水
銀ランプの紫外線を基板側に向けて反射させる反射板と
を有することを特徴とする請求項第（１）項記載の成膜
装置用ローディング室。(3) The ultraviolet irradiation mechanism is characterized by having low-pressure mercury lamps arranged alternately at a constant period with respect to the heating lamp, and a reflector that reflects the ultraviolet rays of the low-pressure mercury lamp toward the substrate side. A loading chamber for a film forming apparatus according to claim (1).
基板の表面に対して平行に配置され、基板表面に平行に
オゾンを散布するための複数個の吹き出し孔を開口した
オゾン散布管を有することを特徴とする請求項第（１）
項記載の成膜装置用ローディング室。(4) The ozone dispersion mechanism has an ozone dispersion tube that is arranged parallel to the surface of the substrate supported by the tray and has a plurality of blow holes for dispersing ozone parallel to the substrate surface. Claim No. (1) characterized in that
Loading chamber for the film forming apparatus described in Section 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469290A JPH0445277A (en) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Loading chamber for film formation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469290A JPH0445277A (en) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Loading chamber for film formation device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445277A true JPH0445277A (en) | 1992-02-14 |
Family
ID=15589853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15469290A Pending JPH0445277A (en) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | Loading chamber for film formation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445277A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103805954A (en) * | 2014-02-20 | 2014-05-21 | 江西沃格光电股份有限公司 | Magneto-controlled sputter coating system |
| CN103938168A (en) * | 2014-04-08 | 2014-07-23 | 江西沃格光电股份有限公司 | Magnetron sputtering coating system |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15469290A patent/JPH0445277A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103805954A (en) * | 2014-02-20 | 2014-05-21 | 江西沃格光电股份有限公司 | Magneto-controlled sputter coating system |
| CN103805954B (en) * | 2014-02-20 | 2016-01-13 | 江西沃格光电股份有限公司 | Magnetron sputtering coating system |
| CN103938168A (en) * | 2014-04-08 | 2014-07-23 | 江西沃格光电股份有限公司 | Magnetron sputtering coating system |
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