JPH053903B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH053903B2 JPH053903B2 JP59280938A JP28093884A JPH053903B2 JP H053903 B2 JPH053903 B2 JP H053903B2 JP 59280938 A JP59280938 A JP 59280938A JP 28093884 A JP28093884 A JP 28093884A JP H053903 B2 JPH053903 B2 JP H053903B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piece
- sensor
- temperature
- gas
- open porosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
この発明は、ガス検出片の温度依存性を温度補
償片により補償するようにしたλセンサの改良に
関し、自動車エンジン、ボイラー、ストーブ、加
熱炉等の空燃比の制御に適したもので有る。 〔用語法〕 この明細書での用語、開気孔率は焼結体の開気
孔容積と前容積との比を%単位で示したものと
し、酸素勾配はガス検出片の抵抗地Rsを、 Rs=K・Po2 -n と整理した際のn値を意味する。酸素勾配は原則
として、700℃のN2バランス系で酸素濃度を1か
ら10%へ増した際の測定値を示す。 〔従来技術〕 特公昭57−46641号は、緻密に焼結したTiO2温
度補償片とし、多孔質に焼結したTiO2ガス検出
片とする、λセンサを開示している。そしてこの
センサの主要な用途は、リーンバーン領域、(空
燃比λが1以上の領域、でのλの検出に有る。 このようなλセンサには以下の問題がある。 (1) 当量点(λ=1)での抵抗値の変化が大きす
ぎる。温度補償片は完全にガスに感応しないの
ではなく、応答が極めて遅いことを用いるので
有る。ここでセンサがたまたまλ<1の領域に
おかれると、温度補償片の抵抗値が変化する。
またλ>1とλ<1とで、抵抗温度係数が異な
ることも検出誤差を大きくする(第2図参照)。 (2) ガス検出片の抵抗値を定める要素は、酸素濃
度、温度、未反応の可燃性ガス濃度の3者で有
る。従つて温度補償片による補償のみでは、可
燃性ガス濃度の変動による検出誤差が生ずる
(第3図参照)。 なおこの発明で用いるSrTiO3−δについて、
特開昭56−54340はn形半導体で、酸素勾配の絶
対値はLaCoO3−δとほぼ等しいことを開示して
いる。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、 (1) λ<1の雰囲気にふれた際の検出誤差と、 (2) 未反応の可燃性ガスによる検出誤差、 とが小さいλセンサの提供に有る。 〔発明の構成〕 この発明のλセンサは、 (1) センサ材料としてペロブスカイト化合物
ATiO3−δ、(ここにAはCaおよびSrからなる
群の少くとも一員を、δは非化学量論的パラメ
ータを現す。)、を用いた点、 (2) ガス検出片側の焼結体の開気孔率を10%以
上、より好ましくは10〜45%、とした点、およ
び温度補償片側の焼結体の開気孔率を0〜5%
とした点、 を特徴とする。 ここで化合物ATiO3−δは (1) リーンバーン領域では強いP形性を示し、酸
素分圧の増加とともに抵抗値が減少するが、 (2) λ>1とλ<1との間での抵抗値の変化が小
さく、還元性雰囲気にふれた際の検出誤差が小
さい、 (3) 未反応の可燃性ガスへの感度が低い、 という特徴を有する。 〔実施例〕 第4図と第5図とにより、λセンサの構造を説
明する。図において2はアルミナ製の6穴管基体
で、その先端にはヒータ内蔵のセラミツクス管4
が取り付けてある。このセラミツクス管4は、内
部にタングステンや白金等の膜ヒータ6を設けた
もので、ガス検出片8や温度補償片10を一定温
度に加熱するためのもので有る。なおヒータつい
ては、図示の膜ヒータ6以外にも種々のものを用
い得る。 基体2とセラミツクス管4との間のくぼみ部に
は、しきい部12を介してガス検出片8と温度補
償片10とを設ける。 ここで第6図によりガス検出片8の構造を説明
すると、CaTiO3−δやSrTiO3−δの多孔質焼結
体14に一対の貴金属電極16,18を埋設し、
全体を厚さ100μ程度の多孔質セラミツクス膜2
0で被覆したもので有る。セラミツクス膜20と
しては、例えばSiO2ゲル状被膜や、スピネル
(MgAl2O4)、ムライト(Al6Si2O13)等の被膜を
用いる。つぎに開気孔率は、10〜45%とし、より
好ましくは10〜25%とする。開気孔率の下限は酸
素感度の低下により、上限は強度の低下により定
まる。また多孔質セラミツクス膜20は設けなく
ても良い。 温度補償片10については、開気孔率は5%以
下、より好ましくは0〜3%とする他はガス検出
片8と同様に構成すれば良い。なおガス検出片8
と温度補償片10とには、同種の金属酸化物半導
体を用いることが好ましいが、一方をCaTO3−
δ、他方をSrTiO3−δとする等のものでも良い。 第4〜第5図にもどつて、22はλセンサを自
動車エンジンの排気管やストーブやボイラー等の
燃焼室等に取り付けるための金具である。また2
4,26は膜ヒータ6に接続したリードピン、2
8,30はガス検出片8に接続したリードピン、
32,34は温度補償片10に接続したリードピ
ンで有る。 第7図に、自動車エンジンやボイラー等の空燃
非をリーン領域で高精度に制御するための回路例
を示す。この回路例では、ガス検出片8や温度補
償片10の抵抗値の変化を、負荷抵抗R1,R2へ
の印加電圧の変化として検出する。負荷抵抗R1,
R2への印加電圧の変化をユニテイゲイアンプ9
2,94により取り出し、除算回路96によりガ
ス検出片8と温度補償片10の抵抗値の比を取り
出す。このようにしてガス検出片8の温度依存性
を補償する。次に、除算回路96の出力により、
制御回路98を動作させて空燃比を一定とする。 一方、排ガスセンサの温度を一定とするため、
膜ヒータ6への印加電力を目標温度と現実の温度
の差により比例制御的に変化させる。温度補償片
10と、負荷抵抗R2や2つの抵抗R3,R4でブリ
ツジ回路を構成し、その出力を差動増幅回路10
0へ入力する。八振回路102の出力パルスを、
電圧−パルス幅変調回路104に加え、差動増幅
回路100の出力によりパルス幅を変化させ、ス
イツチングトランジスタ106のオン時間を変化
させる。このようにして電源108から膜ヒータ
6への印加電力を排ガスセンサの温度により変化
させて、加熱温度を一定とする。 なお検出精度がより低くても良い場合には、ガ
ス検出片8と温度補償片10の抵抗値の差を用い
ることもできる。 ガス検出片8や温度補償片10は、例えば以下
のようにして製造する。 CaCO3やSrCO3を等モル量のTiO2と混合し、
1100〜1300℃で空気中で1時間仮焼し、CaTiO3
−δやSrTiO3−δを得る。得られたペロブスカ
イト化合物SrTiO3−δ等を粉砕後第4図のガス
検出片8や温度補償片10の形状に成型し、空気
中で1時間1200〜1400℃で焼結する。 SrTiO3−δやCaTiO3−δは焼結性の良い物質
で、容易に緻密な焼結対が得られる(表1)。 開気孔率と酸素勾配とは良く対応し、14%以上
の開気孔率での酸素勾配は約0.2、3%以下での
酸素勾配は0.02以下で有つた。またCaTiO3−δ
についても、SrTiO3−δと同様の結果が得られ
た。
償片により補償するようにしたλセンサの改良に
関し、自動車エンジン、ボイラー、ストーブ、加
熱炉等の空燃比の制御に適したもので有る。 〔用語法〕 この明細書での用語、開気孔率は焼結体の開気
孔容積と前容積との比を%単位で示したものと
し、酸素勾配はガス検出片の抵抗地Rsを、 Rs=K・Po2 -n と整理した際のn値を意味する。酸素勾配は原則
として、700℃のN2バランス系で酸素濃度を1か
ら10%へ増した際の測定値を示す。 〔従来技術〕 特公昭57−46641号は、緻密に焼結したTiO2温
度補償片とし、多孔質に焼結したTiO2ガス検出
片とする、λセンサを開示している。そしてこの
センサの主要な用途は、リーンバーン領域、(空
燃比λが1以上の領域、でのλの検出に有る。 このようなλセンサには以下の問題がある。 (1) 当量点(λ=1)での抵抗値の変化が大きす
ぎる。温度補償片は完全にガスに感応しないの
ではなく、応答が極めて遅いことを用いるので
有る。ここでセンサがたまたまλ<1の領域に
おかれると、温度補償片の抵抗値が変化する。
またλ>1とλ<1とで、抵抗温度係数が異な
ることも検出誤差を大きくする(第2図参照)。 (2) ガス検出片の抵抗値を定める要素は、酸素濃
度、温度、未反応の可燃性ガス濃度の3者で有
る。従つて温度補償片による補償のみでは、可
燃性ガス濃度の変動による検出誤差が生ずる
(第3図参照)。 なおこの発明で用いるSrTiO3−δについて、
特開昭56−54340はn形半導体で、酸素勾配の絶
対値はLaCoO3−δとほぼ等しいことを開示して
いる。 〔発明の課題〕 この発明の課題は、 (1) λ<1の雰囲気にふれた際の検出誤差と、 (2) 未反応の可燃性ガスによる検出誤差、 とが小さいλセンサの提供に有る。 〔発明の構成〕 この発明のλセンサは、 (1) センサ材料としてペロブスカイト化合物
ATiO3−δ、(ここにAはCaおよびSrからなる
群の少くとも一員を、δは非化学量論的パラメ
ータを現す。)、を用いた点、 (2) ガス検出片側の焼結体の開気孔率を10%以
上、より好ましくは10〜45%、とした点、およ
び温度補償片側の焼結体の開気孔率を0〜5%
とした点、 を特徴とする。 ここで化合物ATiO3−δは (1) リーンバーン領域では強いP形性を示し、酸
素分圧の増加とともに抵抗値が減少するが、 (2) λ>1とλ<1との間での抵抗値の変化が小
さく、還元性雰囲気にふれた際の検出誤差が小
さい、 (3) 未反応の可燃性ガスへの感度が低い、 という特徴を有する。 〔実施例〕 第4図と第5図とにより、λセンサの構造を説
明する。図において2はアルミナ製の6穴管基体
で、その先端にはヒータ内蔵のセラミツクス管4
が取り付けてある。このセラミツクス管4は、内
部にタングステンや白金等の膜ヒータ6を設けた
もので、ガス検出片8や温度補償片10を一定温
度に加熱するためのもので有る。なおヒータつい
ては、図示の膜ヒータ6以外にも種々のものを用
い得る。 基体2とセラミツクス管4との間のくぼみ部に
は、しきい部12を介してガス検出片8と温度補
償片10とを設ける。 ここで第6図によりガス検出片8の構造を説明
すると、CaTiO3−δやSrTiO3−δの多孔質焼結
体14に一対の貴金属電極16,18を埋設し、
全体を厚さ100μ程度の多孔質セラミツクス膜2
0で被覆したもので有る。セラミツクス膜20と
しては、例えばSiO2ゲル状被膜や、スピネル
(MgAl2O4)、ムライト(Al6Si2O13)等の被膜を
用いる。つぎに開気孔率は、10〜45%とし、より
好ましくは10〜25%とする。開気孔率の下限は酸
素感度の低下により、上限は強度の低下により定
まる。また多孔質セラミツクス膜20は設けなく
ても良い。 温度補償片10については、開気孔率は5%以
下、より好ましくは0〜3%とする他はガス検出
片8と同様に構成すれば良い。なおガス検出片8
と温度補償片10とには、同種の金属酸化物半導
体を用いることが好ましいが、一方をCaTO3−
δ、他方をSrTiO3−δとする等のものでも良い。 第4〜第5図にもどつて、22はλセンサを自
動車エンジンの排気管やストーブやボイラー等の
燃焼室等に取り付けるための金具である。また2
4,26は膜ヒータ6に接続したリードピン、2
8,30はガス検出片8に接続したリードピン、
32,34は温度補償片10に接続したリードピ
ンで有る。 第7図に、自動車エンジンやボイラー等の空燃
非をリーン領域で高精度に制御するための回路例
を示す。この回路例では、ガス検出片8や温度補
償片10の抵抗値の変化を、負荷抵抗R1,R2へ
の印加電圧の変化として検出する。負荷抵抗R1,
R2への印加電圧の変化をユニテイゲイアンプ9
2,94により取り出し、除算回路96によりガ
ス検出片8と温度補償片10の抵抗値の比を取り
出す。このようにしてガス検出片8の温度依存性
を補償する。次に、除算回路96の出力により、
制御回路98を動作させて空燃比を一定とする。 一方、排ガスセンサの温度を一定とするため、
膜ヒータ6への印加電力を目標温度と現実の温度
の差により比例制御的に変化させる。温度補償片
10と、負荷抵抗R2や2つの抵抗R3,R4でブリ
ツジ回路を構成し、その出力を差動増幅回路10
0へ入力する。八振回路102の出力パルスを、
電圧−パルス幅変調回路104に加え、差動増幅
回路100の出力によりパルス幅を変化させ、ス
イツチングトランジスタ106のオン時間を変化
させる。このようにして電源108から膜ヒータ
6への印加電力を排ガスセンサの温度により変化
させて、加熱温度を一定とする。 なお検出精度がより低くても良い場合には、ガ
ス検出片8と温度補償片10の抵抗値の差を用い
ることもできる。 ガス検出片8や温度補償片10は、例えば以下
のようにして製造する。 CaCO3やSrCO3を等モル量のTiO2と混合し、
1100〜1300℃で空気中で1時間仮焼し、CaTiO3
−δやSrTiO3−δを得る。得られたペロブスカ
イト化合物SrTiO3−δ等を粉砕後第4図のガス
検出片8や温度補償片10の形状に成型し、空気
中で1時間1200〜1400℃で焼結する。 SrTiO3−δやCaTiO3−δは焼結性の良い物質
で、容易に緻密な焼結対が得られる(表1)。 開気孔率と酸素勾配とは良く対応し、14%以上
の開気孔率での酸素勾配は約0.2、3%以下での
酸素勾配は0.02以下で有つた。またCaTiO3−δ
についても、SrTiO3−δと同様の結果が得られ
た。
【表】
第1図に、1200℃で仮焼し1300℃で焼結した
SrTiO3−δを用いたガス検出片8の、空燃比と
抵抗値との関係を示す。同様に第2図に、1200℃
で仮焼し1300℃で焼結したTiO2についての結果
を示す。なおCaTiO3−δの特性は、SrTiO3−δ
のものに類似した。 SrTiO3−δではλ=0.99とλ=1.01との間の抵
抗値の差が小さい。これに対しTiO2では、抵抗
値の変化が大きく、かつ抵抗温度係数も異つてい
る。ここで何らかの原因でセンサが環元性雰囲気
(λ<1)にふれると、温度補償片10もわずか
では有るがその影響を受け、長時間かかつて回復
する。TiO2の場合、還元側(λ<1)と酸化側
(λ>1)との間の変化が大きいので、わずかな
影響であつても大きな検出誤差が生ずる。 つぎにλ=1.01とλ=1.15との間の差は、リー
ンバーン領域での検出感度を示す。この感度は
SrTiO3−δの方がTiO2よりすぐれている。 開気孔率3%のSrTiO3(表1の試料4)を用い
た温度補償片10と、同じ開気孔率のTiO2を用
いた温度補償片、(1100℃で仮焼、1550℃で焼結)
の特性を表2に示す。
SrTiO3−δを用いたガス検出片8の、空燃比と
抵抗値との関係を示す。同様に第2図に、1200℃
で仮焼し1300℃で焼結したTiO2についての結果
を示す。なおCaTiO3−δの特性は、SrTiO3−δ
のものに類似した。 SrTiO3−δではλ=0.99とλ=1.01との間の抵
抗値の差が小さい。これに対しTiO2では、抵抗
値の変化が大きく、かつ抵抗温度係数も異つてい
る。ここで何らかの原因でセンサが環元性雰囲気
(λ<1)にふれると、温度補償片10もわずか
では有るがその影響を受け、長時間かかつて回復
する。TiO2の場合、還元側(λ<1)と酸化側
(λ>1)との間の変化が大きいので、わずかな
影響であつても大きな検出誤差が生ずる。 つぎにλ=1.01とλ=1.15との間の差は、リー
ンバーン領域での検出感度を示す。この感度は
SrTiO3−δの方がTiO2よりすぐれている。 開気孔率3%のSrTiO3(表1の試料4)を用い
た温度補償片10と、同じ開気孔率のTiO2を用
いた温度補償片、(1100℃で仮焼、1550℃で焼結)
の特性を表2に示す。
【表】
表2から明らかなように、SrTiO3を用いた温
度補償片10の抵抗値は安定で、雰囲気変化によ
る変動が小さい。 500〜500ppmのプロピレンと、500〜10000ppm
の一酸化炭素を例に、SrTiO3−δとTiO2との可
燃性ガス感度を第3図に示す。実験は酸素4.6%
を含むN2バランス系で、700℃で行い、1000ppm
の可燃性ガス中の抵抗値(Rstd)を基準とした
抵抗値(Rs)の変化により結果を示す。 SrTiO3−δは、COに対してもC3H6に対して
も低感度で、可燃性ガスの共存による検出誤差の
小さな材料で有る。 各種材料の特性の概要を、表3に示す。
度補償片10の抵抗値は安定で、雰囲気変化によ
る変動が小さい。 500〜500ppmのプロピレンと、500〜10000ppm
の一酸化炭素を例に、SrTiO3−δとTiO2との可
燃性ガス感度を第3図に示す。実験は酸素4.6%
を含むN2バランス系で、700℃で行い、1000ppm
の可燃性ガス中の抵抗値(Rstd)を基準とした
抵抗値(Rs)の変化により結果を示す。 SrTiO3−δは、COに対してもC3H6に対して
も低感度で、可燃性ガスの共存による検出誤差の
小さな材料で有る。 各種材料の特性の概要を、表3に示す。
この発明のλセンサは、
(1) λ<1の雰囲気に触れた際の検出誤差と、
(2) 未反応の可燃性ガスの共存による検出誤差と
が小さいという効果に加え、 (3) 酸素分圧への検出感度が高く、 (4) 材料の焼結性が良く温度補償片の製造が容易
で有るという、副次的効果を有する。
が小さいという効果に加え、 (3) 酸素分圧への検出感度が高く、 (4) 材料の焼結性が良く温度補償片の製造が容易
で有るという、副次的効果を有する。
第1図は実施例のλセンサの特性図、第2図は
従来例のλセンサの特性図、第3図は実施例のλ
センサの特性図、第4図は実施例のλセンサの部
分切り欠き部付き斜視図、第5図はその長手方向
断面図、第6図は実施例に用いるガス検出片の断
面図、第7図はλセンサの付帯回路のブロツク図
である。 2……基体、6……膜ヒータ、8……ガス検出
片、10……温度補償片。
従来例のλセンサの特性図、第3図は実施例のλ
センサの特性図、第4図は実施例のλセンサの部
分切り欠き部付き斜視図、第5図はその長手方向
断面図、第6図は実施例に用いるガス検出片の断
面図、第7図はλセンサの付帯回路のブロツク図
である。 2……基体、6……膜ヒータ、8……ガス検出
片、10……温度補償片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 多孔質のガス敏感性金属酸化物半導体の焼結
体に一対の電極を接続したガス検出片と、緻密質
のガス敏感性金属酸化物半導体の焼結体に一対の
電極を接続した温度補償片とを有するλセンサに
おいて、 各金属酸化物半導体はペロブスカイト化合物
ATiO3−δ、(ここにAはCaおよびSrからなる群
の少くとも一員を、δは非化学量論的パラメータ
を現す。)、で有り、 かつ前記多孔質焼結体の開気孔率は10%以上
で、前記緻密質焼結体の開気孔率は5〜0%で有
ることを特徴とするλセンサ。 2 特許請求の範囲第1項記載のλセンサにおい
て、 前記多孔質焼結対の開気孔率は10〜45%で有る
ことを特徴とするλセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28093884A JPS61155749A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | λセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28093884A JPS61155749A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | λセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61155749A JPS61155749A (ja) | 1986-07-15 |
JPH053903B2 true JPH053903B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17632008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28093884A Granted JPS61155749A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | λセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61155749A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106053550A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-10-26 | 怀远县金浩电子科技有限公司 | 一种气敏半导体器件的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48102695A (ja) * | 1972-04-11 | 1973-12-24 | ||
JPS55165504A (en) * | 1979-06-09 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature and humidity detecting elements and detector using same |
JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
JPS5734446A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nultifunctional detecting element and multifunctional detector |
JPS57132051A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Air-fuel ratio measuring sensor and air-fuel ratio measuring method using said sensor |
JPS58150853A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-09-07 | Nippon Soken Inc | ガス成分検出器 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP28093884A patent/JPS61155749A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS48102695A (ja) * | 1972-04-11 | 1973-12-24 | ||
JPS55165504A (en) * | 1979-06-09 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature and humidity detecting elements and detector using same |
JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
JPS5734446A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nultifunctional detecting element and multifunctional detector |
JPS57132051A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Air-fuel ratio measuring sensor and air-fuel ratio measuring method using said sensor |
JPS58150853A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-09-07 | Nippon Soken Inc | ガス成分検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61155749A (ja) | 1986-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4578172A (en) | Air/fuel ratio detector | |
US4824549A (en) | Exhaust gas sensor for determining A/F ratio | |
US4770760A (en) | Electrochemical NOx sensor | |
EP1074834B1 (en) | Method and apparatus for measuring NOx gas concentration | |
US5236569A (en) | Air/fuel ratio sensor having resistor for limiting leak current from pumping cell to sensing cell | |
US6514397B2 (en) | Gas sensor | |
GB2056083A (en) | Device for producing control signal for feedback control of air/fuel mixing ratio | |
US4233033A (en) | Method and apparatus for measuring the O2 content of a gas | |
US4875981A (en) | Oxygen analyzing method and device | |
US4049524A (en) | Oxygen sensor with noncatalytic electrode | |
JP3736921B2 (ja) | 空燃比センサ | |
JP2811976B2 (ja) | 酸化物半導体ガスセンサ | |
JPH038706B2 (ja) | ||
EP0962765B1 (en) | Exhaust oxygen sensing | |
JPH053903B2 (ja) | ||
JP2815125B2 (ja) | 接触燃焼式ガス検知素子 | |
JPH053902B2 (ja) | ||
JPS6012575B2 (ja) | ガス成分検出器 | |
JP3773014B2 (ja) | 天然ガスエンジン用ガスセンサ | |
JPS59190646A (ja) | リツチバ−ンセンサ | |
JPH053900B2 (ja) | ||
JPH053901B2 (ja) | ||
JPS5994051A (ja) | 酸素センサ | |
JPS60205343A (ja) | リ−ンバ−ン用の空燃比検出装置 | |
JPH053893B2 (ja) |