JPH053900B2 - - Google Patents
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- JPH053900B2 JPH053900B2 JP59280935A JP28093584A JPH053900B2 JP H053900 B2 JPH053900 B2 JP H053900B2 JP 59280935 A JP59280935 A JP 59280935A JP 28093584 A JP28093584 A JP 28093584A JP H053900 B2 JPH053900 B2 JP H053900B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 LaCoO 3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
〔発明の利用分野〕
この発明はn形金属酸化物半導体とp形金属酸
化物半導体とを組み合せた排ガスセンサの改良に
関し、エンジンやボイラーの空燃比の制御や、ス
トーブの不完全燃焼の防止等に適したもので有
る。 〔従来技術〕 特公昭57−37824号は、n形金属酸化物半導体
とp形金属酸化物半導体とを組み合せた排ガスセ
ンサを開示する。この技術の特長は、2つの半導
体の組み合せにより、センサの温度依存性の補償
と空熱比(λ)への検出信号の倍増とを図つた点
に有る。 p形金属酸化物半導体として着目されているの
は、LaCoO3、LaNiO3、SrFeO3等のペロブスカ
イト化合物で有る(特開昭55−166030、同57−
204445〜7、同57−8439、同57−178147、同57−
179654等)。しかしこれらの化合物は、 (1) 酸素感度が低い、 (2) 可燃性ガス感度が酸素感度にくらべて高く、
未反応の可燃性ガスにより検出誤差が生ずる、 (3) 抵抗値と抵抗温度係数とが極端に小さく、n
形半導体とマツチしない。 という点が問題になる。 〔発明の課題〕 この発明の課題は排ガスセンサのp形ガス検出
片を改良し、 (1) 酸素感度の改善と、 (2) 未反応の可燃性ガスによる検出誤差の抑制
と、 (3) p形ガス検出片とn形ガス検出片の抵抗温度
係数のマツチング、 とを得ることに有る。 〔発明の構成〕 この発明の排ガスセンサは、 n形金属酸化物半導体を用いたn形ガス検出片
と、p形金属酸化物半導体を用いたp形ガス検出
片とを組み合せた排ガスセンサにおいて、 p形金属酸化物半導体としてATiO3−δ、(こ
こにAはSrおよびCaからなる群の少くとも一員
の元素を、δは非化学量論的パラメータを現す)、
を用いたことを特徴とする。 〔表記法〕 以下では非化学量論的パラメータδを除いて化
合物を表示する。また酸素感度を示す概念とし
て、酸素勾配(n)を導入し、 Rs=K・Po2 n、(Rs;半導体の抵抗値)として
定義する。 〔実施例〕 (A) 排ガスセンサの構造 第1図と第2図とにより、排ガスセンサの構
造を説明する。図において2はアルミナ製の6
穴管基体で、その先端にはヒータ内蔵のセラミ
ツクス管4が取り付けてある。このセラミツク
ス管4は、内部にタングステンや白金等の膜ヒ
ータ6を設けたもので、n形ガス検出片8やp
形ガス検出片10を一定温度に加熱するための
もので有る。なおヒータについては、図示の膜
ヒータ6以外にも種々のものを用い得る。 基体2とセラミツクス管4との間のくぼみ部
には、しきい部12を介してn形ガス検出片8
とp形ガス検出片10とを設ける。 ここでn形ガス検出片8は、TiO2、
BaTiO3、SnO2、ZnO、In2O3等の適宜のn形
金属酸化物半導体の多孔質焼結体に、図示しな
い一体の電極を接続したもので有る。 p形ガス検出片10は、SrTiO3、CaTiO3、
Sr0.7Ca0.3TiO3等のp形ペロブスカイト化合
物の多孔質焼結体に、図示しない一対の貴金属
電極を接続したもので有る。SrTiO3、
CaTiO3、Sr0.7Ca0.3TiO3の特性は、抵抗値、
抵抗温度係数、酸素感度、可燃性ガス感度も、
良く類似し、特性的には相互に均等物で有る。 抵抗値等について見ると、SrTiO3の抵抗値
は700℃のリーン側(空燃比λが1以上)で
100KΩ弱、同じ雰囲気で温度を500℃から900
℃に増すと抵抗値は1/1000程度に減少する。
これはTiO2やBaTiO3の抵抗値とその温度関係
とに、類似する。ところでLaCoO3のリーン側
の抵抗値は200℃で約1Ω、800℃で2Ω弱で有る
(例えば特開昭55−166030)。 酸素勾配について見ると、SrTiO3の酸素勾
配は600℃で−0.20、700〜800℃で−0.21で有
る。またTiO2の酸素勾配は600〜800℃で約
0.15となる。これに対して、LaCoO3、
LaNiO3、SrFeO3等の酸素勾配は700℃で−
0.11で、SrTiO3の約1/2となる。 SrTiO3のCOやH2への感度は低く、酸素感
度と良くバランスしている。TiO2ではCOやH2
への感度は酸素感度より高く、LaCoO3等では
酸素感度よりかなり高い。 周知のようにペロブスカイト化合物は、置換
に鈍感な物質で有り、例えばA元素やTi元素
を10モル%程度他の元素で置換しても良い。ま
たATiO3は、の抵抗値が支配的となる範囲で、
他の化合物と混合して用いても良い。このよう
な例としては、PtやRh等の貴金属触媒の添加
が有る。22はセンサを自動車エンジンの排気
管やストーブやボイラー等の燃焼室等に取り付
けるための金具である。また24,26は膜ヒ
ータ6に接続したリードピン、28,30はn
形ガス検出片8に接続したリードピン、32,
34はp形ガス検出片10に接続したリードピ
ンで有る。 (B) 付帯回路 第3図に付帯回路例を示すと、ガス検出片
8,10に負荷抵抗R1,R2を接続してブリツ
ジ回路として、電源EBを接続する。また各負
荷抵抗R1,R2への印加電圧を増幅器A1,A
2を介して取り出す。 増幅器A1,A2の出力を、除算回路D1に
入力し、温度補償済みの出力を制御回路40に
加えて、空燃比を制御する。 一方、排ガスセンサの温度を一定とするた
め、膜ヒータ6への印加電圧のデユーテイ比を
制御する。増幅器A1,A2の出力を、乗算回
路M1に加えて、温度にのみ依存する信号を得
る。発振回路42の出力パルスの幅を、電圧−
パルス幅変調回路44で乗算回路M1の出力に
より変化させ、スイツチングトランジスタ46
のオン時間を変化させる。このようにして電源
EB′から膜ヒータ6への印加電力を排ガスセン
サの温度により変化させて、加熱温度を一定と
する。 (C) ガス検出片8,10の製造 SrCO3やCaCO3とTiO2を混合し、1200℃で
仮焼してペロブスカイト化合物ATiO3とする。
生成物の粉砕後、1300℃で焼成しp形ガス検出
片10とする。好ましい変形範囲は、仮焼温度
が1100〜1300℃で、焼成温度がこれと同一また
は100℃高いもので有る。 TiO2を1200℃で仮焼し、粉砕後に1300℃で
焼成してn形ガス検出片8とする。 比較例のp形ガス検出片10として、
LaCoO3、LaNiO3、SrFeO3を用いる。La2
(CO3)3やSrCO3を、CoO、NiO、Fe2O3と混合
し、1200℃で仮焼し、粉砕後に1300℃で焼成し
て、比較例のp形ガス検出片10を完成する。 以下SrTiO3とTiO2との組み合せ等を実施例
に、LaCoO3とTiO2との組み合せ等を比較例
に、特性を測定した。 (D) 測定例 第4図に700℃のN2バランス中で酸素濃度を
0.3%から10%へ変化させた際の結果を示す。
図の縦軸はn形ガス検出片8とp形ガス検出片
10の抵抗値の比を示し、酸素濃度0.3%での
値を基準とする。SrTiO3とTiO2との組み合せ
の酸素勾配は0.36で、LaCoO3とTiO2との組み
合せの値、0.26より40%大きい。 第5図に、700℃でO24.6%を含むN2バラン
ス系でCO濃度を0.1から1%へ変化させた際の
結果を示す。図の縦軸はn形ガス検出片8とp
形ガス検出片10の抵抗値の比、あるいはガス
検出片8,10単独の抵抗値を示す。なおCO
濃度0.1%での値を1とする。またこの測定で
は、LaCoO3やTiO2等には、可燃性ガス感度を
抑制するため、金属換算で1g当り100μgの
Ptを添加した。Pt無添加の場合のCO感度はさ
らに高い。TiO2等にPt等を加える場合、Ptは
RhやIr等の他の貴金属に代えても良く、その
添加量はTiO2等の1g当り30〜1000μgが好ま
しい。 CO濃度の0.9%の変化は、酸素との平衡を仮
定すると、酸素濃度を4.5%から4%へ変化さ
せることに相当し、小さな変化で有る。にもか
かわらずLaCoO3の抵抗値は大きく増大する。
LaCoO3とTiO2とを組み合せたものの抵抗値の
比は、約3倍変化する。これに対しSrTiO3と
TiO2との組み合せたものでは、1.4倍しか変化
しない。なお、SrTiO3とTiO2の組み合せでの
変化は、大部分TiO2に起因する。 これらの結果を表に一般的に示す。
化物半導体とを組み合せた排ガスセンサの改良に
関し、エンジンやボイラーの空燃比の制御や、ス
トーブの不完全燃焼の防止等に適したもので有
る。 〔従来技術〕 特公昭57−37824号は、n形金属酸化物半導体
とp形金属酸化物半導体とを組み合せた排ガスセ
ンサを開示する。この技術の特長は、2つの半導
体の組み合せにより、センサの温度依存性の補償
と空熱比(λ)への検出信号の倍増とを図つた点
に有る。 p形金属酸化物半導体として着目されているの
は、LaCoO3、LaNiO3、SrFeO3等のペロブスカ
イト化合物で有る(特開昭55−166030、同57−
204445〜7、同57−8439、同57−178147、同57−
179654等)。しかしこれらの化合物は、 (1) 酸素感度が低い、 (2) 可燃性ガス感度が酸素感度にくらべて高く、
未反応の可燃性ガスにより検出誤差が生ずる、 (3) 抵抗値と抵抗温度係数とが極端に小さく、n
形半導体とマツチしない。 という点が問題になる。 〔発明の課題〕 この発明の課題は排ガスセンサのp形ガス検出
片を改良し、 (1) 酸素感度の改善と、 (2) 未反応の可燃性ガスによる検出誤差の抑制
と、 (3) p形ガス検出片とn形ガス検出片の抵抗温度
係数のマツチング、 とを得ることに有る。 〔発明の構成〕 この発明の排ガスセンサは、 n形金属酸化物半導体を用いたn形ガス検出片
と、p形金属酸化物半導体を用いたp形ガス検出
片とを組み合せた排ガスセンサにおいて、 p形金属酸化物半導体としてATiO3−δ、(こ
こにAはSrおよびCaからなる群の少くとも一員
の元素を、δは非化学量論的パラメータを現す)、
を用いたことを特徴とする。 〔表記法〕 以下では非化学量論的パラメータδを除いて化
合物を表示する。また酸素感度を示す概念とし
て、酸素勾配(n)を導入し、 Rs=K・Po2 n、(Rs;半導体の抵抗値)として
定義する。 〔実施例〕 (A) 排ガスセンサの構造 第1図と第2図とにより、排ガスセンサの構
造を説明する。図において2はアルミナ製の6
穴管基体で、その先端にはヒータ内蔵のセラミ
ツクス管4が取り付けてある。このセラミツク
ス管4は、内部にタングステンや白金等の膜ヒ
ータ6を設けたもので、n形ガス検出片8やp
形ガス検出片10を一定温度に加熱するための
もので有る。なおヒータについては、図示の膜
ヒータ6以外にも種々のものを用い得る。 基体2とセラミツクス管4との間のくぼみ部
には、しきい部12を介してn形ガス検出片8
とp形ガス検出片10とを設ける。 ここでn形ガス検出片8は、TiO2、
BaTiO3、SnO2、ZnO、In2O3等の適宜のn形
金属酸化物半導体の多孔質焼結体に、図示しな
い一体の電極を接続したもので有る。 p形ガス検出片10は、SrTiO3、CaTiO3、
Sr0.7Ca0.3TiO3等のp形ペロブスカイト化合
物の多孔質焼結体に、図示しない一対の貴金属
電極を接続したもので有る。SrTiO3、
CaTiO3、Sr0.7Ca0.3TiO3の特性は、抵抗値、
抵抗温度係数、酸素感度、可燃性ガス感度も、
良く類似し、特性的には相互に均等物で有る。 抵抗値等について見ると、SrTiO3の抵抗値
は700℃のリーン側(空燃比λが1以上)で
100KΩ弱、同じ雰囲気で温度を500℃から900
℃に増すと抵抗値は1/1000程度に減少する。
これはTiO2やBaTiO3の抵抗値とその温度関係
とに、類似する。ところでLaCoO3のリーン側
の抵抗値は200℃で約1Ω、800℃で2Ω弱で有る
(例えば特開昭55−166030)。 酸素勾配について見ると、SrTiO3の酸素勾
配は600℃で−0.20、700〜800℃で−0.21で有
る。またTiO2の酸素勾配は600〜800℃で約
0.15となる。これに対して、LaCoO3、
LaNiO3、SrFeO3等の酸素勾配は700℃で−
0.11で、SrTiO3の約1/2となる。 SrTiO3のCOやH2への感度は低く、酸素感
度と良くバランスしている。TiO2ではCOやH2
への感度は酸素感度より高く、LaCoO3等では
酸素感度よりかなり高い。 周知のようにペロブスカイト化合物は、置換
に鈍感な物質で有り、例えばA元素やTi元素
を10モル%程度他の元素で置換しても良い。ま
たATiO3は、の抵抗値が支配的となる範囲で、
他の化合物と混合して用いても良い。このよう
な例としては、PtやRh等の貴金属触媒の添加
が有る。22はセンサを自動車エンジンの排気
管やストーブやボイラー等の燃焼室等に取り付
けるための金具である。また24,26は膜ヒ
ータ6に接続したリードピン、28,30はn
形ガス検出片8に接続したリードピン、32,
34はp形ガス検出片10に接続したリードピ
ンで有る。 (B) 付帯回路 第3図に付帯回路例を示すと、ガス検出片
8,10に負荷抵抗R1,R2を接続してブリツ
ジ回路として、電源EBを接続する。また各負
荷抵抗R1,R2への印加電圧を増幅器A1,A
2を介して取り出す。 増幅器A1,A2の出力を、除算回路D1に
入力し、温度補償済みの出力を制御回路40に
加えて、空燃比を制御する。 一方、排ガスセンサの温度を一定とするた
め、膜ヒータ6への印加電圧のデユーテイ比を
制御する。増幅器A1,A2の出力を、乗算回
路M1に加えて、温度にのみ依存する信号を得
る。発振回路42の出力パルスの幅を、電圧−
パルス幅変調回路44で乗算回路M1の出力に
より変化させ、スイツチングトランジスタ46
のオン時間を変化させる。このようにして電源
EB′から膜ヒータ6への印加電力を排ガスセン
サの温度により変化させて、加熱温度を一定と
する。 (C) ガス検出片8,10の製造 SrCO3やCaCO3とTiO2を混合し、1200℃で
仮焼してペロブスカイト化合物ATiO3とする。
生成物の粉砕後、1300℃で焼成しp形ガス検出
片10とする。好ましい変形範囲は、仮焼温度
が1100〜1300℃で、焼成温度がこれと同一また
は100℃高いもので有る。 TiO2を1200℃で仮焼し、粉砕後に1300℃で
焼成してn形ガス検出片8とする。 比較例のp形ガス検出片10として、
LaCoO3、LaNiO3、SrFeO3を用いる。La2
(CO3)3やSrCO3を、CoO、NiO、Fe2O3と混合
し、1200℃で仮焼し、粉砕後に1300℃で焼成し
て、比較例のp形ガス検出片10を完成する。 以下SrTiO3とTiO2との組み合せ等を実施例
に、LaCoO3とTiO2との組み合せ等を比較例
に、特性を測定した。 (D) 測定例 第4図に700℃のN2バランス中で酸素濃度を
0.3%から10%へ変化させた際の結果を示す。
図の縦軸はn形ガス検出片8とp形ガス検出片
10の抵抗値の比を示し、酸素濃度0.3%での
値を基準とする。SrTiO3とTiO2との組み合せ
の酸素勾配は0.36で、LaCoO3とTiO2との組み
合せの値、0.26より40%大きい。 第5図に、700℃でO24.6%を含むN2バラン
ス系でCO濃度を0.1から1%へ変化させた際の
結果を示す。図の縦軸はn形ガス検出片8とp
形ガス検出片10の抵抗値の比、あるいはガス
検出片8,10単独の抵抗値を示す。なおCO
濃度0.1%での値を1とする。またこの測定で
は、LaCoO3やTiO2等には、可燃性ガス感度を
抑制するため、金属換算で1g当り100μgの
Ptを添加した。Pt無添加の場合のCO感度はさ
らに高い。TiO2等にPt等を加える場合、Ptは
RhやIr等の他の貴金属に代えても良く、その
添加量はTiO2等の1g当り30〜1000μgが好ま
しい。 CO濃度の0.9%の変化は、酸素との平衡を仮
定すると、酸素濃度を4.5%から4%へ変化さ
せることに相当し、小さな変化で有る。にもか
かわらずLaCoO3の抵抗値は大きく増大する。
LaCoO3とTiO2とを組み合せたものの抵抗値の
比は、約3倍変化する。これに対しSrTiO3と
TiO2との組み合せたものでは、1.4倍しか変化
しない。なお、SrTiO3とTiO2の組み合せでの
変化は、大部分TiO2に起因する。 これらの結果を表に一般的に示す。
この発明では、酸素に高感度で、未反応の可燃
性ガスの残存による検出誤差が小さく、かつn形
ガス検出片とp形ガス検出片の抵抗温度係数の整
合が容易な、排ガスセンサが得られる。
性ガスの残存による検出誤差が小さく、かつn形
ガス検出片とp形ガス検出片の抵抗温度係数の整
合が容易な、排ガスセンサが得られる。
第1図は実施例の排ガスセンサの部分切り欠き
部付き斜視図、第2図はその長手方向断面図、第
3図は付帯回路のブロツク図、第4図〜第5図
は、排ガスセンサの特性図で有る。 2……基体、4……セラミツクス管、6……膜
ヒータ、8……n形ガス検出片、10……p形ガ
ス検出片。
部付き斜視図、第2図はその長手方向断面図、第
3図は付帯回路のブロツク図、第4図〜第5図
は、排ガスセンサの特性図で有る。 2……基体、4……セラミツクス管、6……膜
ヒータ、8……n形ガス検出片、10……p形ガ
ス検出片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 n形金属酸化物半導体を用いたn形ガス検出
片と、p形金属酸化物半導体を用いたp形ガス検
出片とを組み合せた排ガスセンサにおいて、 前記p形金属酸化物半導体はATiO3−δ、(こ
こにAはSrおよびCaからなる群の少くとも一員
の元素を、δは非化学量論的パラメータを現す)、
で有ることを特徴とする排ガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28093584A JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28093584A JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61155746A JPS61155746A (ja) | 1986-07-15 |
JPH053900B2 true JPH053900B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17631970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28093584A Granted JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61155746A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6347240U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | ||
JPH06102225A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-04-15 | Ford Motor Co | 一酸化炭素選択的センサー |
US9291526B2 (en) * | 2012-11-12 | 2016-03-22 | Kerdea Technologies, Inc. | Oxygen sensing method and system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5119592A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Nissan Motor | Gasunodo kenshutsuki |
JPS55165504A (en) * | 1979-06-09 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature and humidity detecting elements and detector using same |
JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP28093584A patent/JPS61155746A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5119592A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Nissan Motor | Gasunodo kenshutsuki |
JPS55165504A (en) * | 1979-06-09 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature and humidity detecting elements and detector using same |
JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61155746A (ja) | 1986-07-15 |
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