JPH0537750A - レーザ記録装置 - Google Patents
レーザ記録装置Info
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- JPH0537750A JPH0537750A JP3193780A JP19378091A JPH0537750A JP H0537750 A JPH0537750 A JP H0537750A JP 3193780 A JP3193780 A JP 3193780A JP 19378091 A JP19378091 A JP 19378091A JP H0537750 A JPH0537750 A JP H0537750A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
- B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/52—Arrangement for printing a discrete number of tones, not covered by group B41J2/205, e.g. applicable to two or more kinds of printing or marking process
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Color, Gradation (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のレーザビームを共通な偏向器で同時に
走査させるレーザ記録装置で、中間調記録時の濃度むら
の発生を低減させて高画像品質化を図ること。 【構成】 Ｍ個（Ｍは２以上の整数）の半導体レーザを
有する半導体レーザアレイを光源とし、Ｍ本のレーザビ
ームを共通な偏向器で偏向させ、結像光学系でこれらの
レーザビームを記録媒体上に所定間隔で結像させて一括
走査露光するとともに、中間調記録時には、Ｎ×Ｌ（Ｎ
は主走査方向の微小画素数、Ｌは副走査方向の微小画素
数）の微小画素からなる画素マトリクス１８内での露光
パターンを画像信号中に含まれる濃度情報に応じて変化
させて中間調を再現させるレーザ記録装置において、副
走査方向の微小画素数Ｌを半導体レーザの個数Ｍの整数
倍、例えば同一数とし、走査線曲がりによる走査線のピ
ッチ変動があっても各画素マトリクス１８内での露光パ
ターン、即ち画素面積を維持させるようにした。
走査させるレーザ記録装置で、中間調記録時の濃度むら
の発生を低減させて高画像品質化を図ること。 【構成】 Ｍ個（Ｍは２以上の整数）の半導体レーザを
有する半導体レーザアレイを光源とし、Ｍ本のレーザビ
ームを共通な偏向器で偏向させ、結像光学系でこれらの
レーザビームを記録媒体上に所定間隔で結像させて一括
走査露光するとともに、中間調記録時には、Ｎ×Ｌ（Ｎ
は主走査方向の微小画素数、Ｌは副走査方向の微小画素
数）の微小画素からなる画素マトリクス１８内での露光
パターンを画像信号中に含まれる濃度情報に応じて変化
させて中間調を再現させるレーザ記録装置において、副
走査方向の微小画素数Ｌを半導体レーザの個数Ｍの整数
倍、例えば同一数とし、走査線曲がりによる走査線のピ
ッチ変動があっても各画素マトリクス１８内での露光パ
ターン、即ち画素面積を維持させるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを光源と
し、中間調記録を可能としたデジタル複写機、レーザプ
リンタ等のレーザ記録装置に関する。
し、中間調記録を可能としたデジタル複写機、レーザプ
リンタ等のレーザ記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子写真技術とレーザ走査技術と
を組合せたレーザプリンタは、普通紙が使用でき、高速
で高品質な画像が得られるので、コンピュータ出力装
置、デジタル複写機等として急速に普及しつつある。
を組合せたレーザプリンタは、普通紙が使用でき、高速
で高品質な画像が得られるので、コンピュータ出力装
置、デジタル複写機等として急速に普及しつつある。
【０００３】図１０に一般的なレーザ走査光学系を示
す。画像信号に応じて変調された半導体レーザ１から出
射されたレーザビーム２はレンズ３を介して回転多面鏡
４で反射され、結像レンズ５を通して感光体６上に微小
スポットとして結像される。この微小スポットは回転多
面鏡４と感光体６の回転により、感光体６上を２次元的
に走査露光し、静電潜像を形成する。なお、７は走査線
上の走査開始位置側の画像範囲外に置かれた受光素子で
あり、主走査方向の画像書込み開始位置を制御するため
のものである。
す。画像信号に応じて変調された半導体レーザ１から出
射されたレーザビーム２はレンズ３を介して回転多面鏡
４で反射され、結像レンズ５を通して感光体６上に微小
スポットとして結像される。この微小スポットは回転多
面鏡４と感光体６の回転により、感光体６上を２次元的
に走査露光し、静電潜像を形成する。なお、７は走査線
上の走査開始位置側の画像範囲外に置かれた受光素子で
あり、主走査方向の画像書込み開始位置を制御するため
のものである。
【０００４】このようにレーザプリンタにおいて、Ａ４
サイズの画像を１分間に１００枚出力するような光学系
を実現するためには、感光体６の速度は５００ｍｍ／秒
となり、回転多面鏡４の回転数Ｒ〔ｒｐｍ〕は、 Ｒ ＝ Ｖｏ × ＤＰＩ × ６０ ／ （２５．４×ｎ） で与えられる。ここに、Ｖｏは感光体６の速度、ＤＰＩ
は１インチ当たりに記録できるドット数であり、一般的
には３００〜４００、ｎは回転多面鏡４の反射面数であ
り、一般的には６〜１０である。今、Ｖｏ＝５００、Ｄ
ＰＩ＝３００、ｎ＝８を上式に代入すると、回転多面鏡
４の回転数Ｒは４４２９１となる。
サイズの画像を１分間に１００枚出力するような光学系
を実現するためには、感光体６の速度は５００ｍｍ／秒
となり、回転多面鏡４の回転数Ｒ〔ｒｐｍ〕は、 Ｒ ＝ Ｖｏ × ＤＰＩ × ６０ ／ （２５．４×ｎ） で与えられる。ここに、Ｖｏは感光体６の速度、ＤＰＩ
は１インチ当たりに記録できるドット数であり、一般的
には３００〜４００、ｎは回転多面鏡４の反射面数であ
り、一般的には６〜１０である。今、Ｖｏ＝５００、Ｄ
ＰＩ＝３００、ｎ＝８を上式に代入すると、回転多面鏡
４の回転数Ｒは４４２９１となる。
【０００５】しかし、現実には、このような回転数では
回転軸を支える軸受として一般的なボールベアリングは
使用できず、流体軸受、磁気軸受といった特殊な軸受が
必要となりコスト高となる。また、光源である半導体レ
ーザ１の変調周波数が高くなるため、レーザ制御回路及
びホストマシンからのデータ転送速度の高速化が必要と
なり、この面からもコスト高となる。
回転軸を支える軸受として一般的なボールベアリングは
使用できず、流体軸受、磁気軸受といった特殊な軸受が
必要となりコスト高となる。また、光源である半導体レ
ーザ１の変調周波数が高くなるため、レーザ制御回路及
びホストマシンからのデータ転送速度の高速化が必要と
なり、この面からもコスト高となる。
【０００６】高速化の別の方法として、複数の光源から
のレーザビームを１個の回転多面鏡で偏向走査させ、同
時に複数ライン分の記録を行わせるようにしたものもあ
る。複数のレーザビームで走査することにより、レーザ
ビームの本数が例えばＭ本となれば、上記の回転多面鏡
の回転数及びレーザ変調周波数はともに１／Ｍとなり、
大幅にコストダウンを図れるものとなる。
のレーザビームを１個の回転多面鏡で偏向走査させ、同
時に複数ライン分の記録を行わせるようにしたものもあ
る。複数のレーザビームで走査することにより、レーザ
ビームの本数が例えばＭ本となれば、上記の回転多面鏡
の回転数及びレーザ変調周波数はともに１／Ｍとなり、
大幅にコストダウンを図れるものとなる。
【０００７】特開昭５９−１１２７６３号公報に示され
る記録装置はその一例であり、複数個の半導体レーザか
らなる半導体レーザアレイを光源とし、個々の半導体レ
ーザからの出射ビームの断面形状が隣接する点を記録体
上に結像させる光学系と、個々の半導体レーザを独立駆
動する駆動回路とを備え、複数個の半導体レーザからの
レーザビームを一括走査させ得るようにしたものであ
る。
る記録装置はその一例であり、複数個の半導体レーザか
らなる半導体レーザアレイを光源とし、個々の半導体レ
ーザからの出射ビームの断面形状が隣接する点を記録体
上に結像させる光学系と、個々の半導体レーザを独立駆
動する駆動回路とを備え、複数個の半導体レーザからの
レーザビームを一括走査させ得るようにしたものであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、通常の１本
のレーザビームの光学系ではレーザビームが回転多面鏡
の反射面に対して副走査方向に垂直入射するのに対し、
複数ビームを同一の回転多面鏡で走査させる光学系では
レーザビームは反射面に対して僅かではあるが角度を持
って入射することになる。この結果、走査面（記録体）
上では、複数の走査線が図１１に示すように副走査方向
にわん曲してしまう。この走査線の曲がり量は回転多面
鏡の反射面に対する入射角が垂直からずれるに従って大
きくなる。即ち、同時に走査されるビームの中では端の
ビームほど（レンズ径の光軸から離れるほど）、走査線
のわん曲が大きくなる。
のレーザビームの光学系ではレーザビームが回転多面鏡
の反射面に対して副走査方向に垂直入射するのに対し、
複数ビームを同一の回転多面鏡で走査させる光学系では
レーザビームは反射面に対して僅かではあるが角度を持
って入射することになる。この結果、走査面（記録体）
上では、複数の走査線が図１１に示すように副走査方向
にわん曲してしまう。この走査線の曲がり量は回転多面
鏡の反射面に対する入射角が垂直からずれるに従って大
きくなる。即ち、同時に走査されるビームの中では端の
ビームほど（レンズ径の光軸から離れるほど）、走査線
のわん曲が大きくなる。
【０００９】従って、このような光学系で記録を行った
場合、走査線のピッチは光源の数（半導体レーザの数）
を周期として変動するものとなる。このような走査線の
ピッチの変動は、記録媒体上での露光むらとなり、画像
上では濃度むらとなって顕在化される。
場合、走査線のピッチは光源の数（半導体レーザの数）
を周期として変動するものとなる。このような走査線の
ピッチの変動は、記録媒体上での露光むらとなり、画像
上では濃度むらとなって顕在化される。
【００１０】このような濃度むらは文字などの２値画像
ではそれ程目立たないが、複数の微小画素（ドット）か
らなる画素マトリクス内で画像の濃淡情報に応じて露光
パターンを変化（ドットを記録する個数、光源レーザを
点灯させる時間、レーザ発光パワーの可変等）させて中
間調記録する場合には、バンディングと呼ばれる濃度む
らとなり、画像品質を著しく劣化させるものとなる。
ではそれ程目立たないが、複数の微小画素（ドット）か
らなる画素マトリクス内で画像の濃淡情報に応じて露光
パターンを変化（ドットを記録する個数、光源レーザを
点灯させる時間、レーザ発光パワーの可変等）させて中
間調記録する場合には、バンディングと呼ばれる濃度む
らとなり、画像品質を著しく劣化させるものとなる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、画像信号に応じて独立して変調自在なＭ個（Ｍは２
以上の整数）の半導体レーザを有する半導体レーザアレ
イを光源とし、Ｍ個の前記半導体レーザから出射される
Ｍ本のレーザビームを共通な一つの偏向器により偏向さ
せ、結像光学系によりこれらのＭ本のレーザビームをレ
ーザビームに垂直な方向に移動する記録媒体上に所定間
隔で結像させて一括走査露光するとともに、中間調記録
時には、Ｎ×Ｌ（Ｎはレーザ主走査方向の微小画素数、
Ｌは副走査方向の微小画素数）の微小画素からなる画素
マトリクス内での露光パターンを画像信号中に含まれる
濃度情報に応じて変化させて中間調を再現させるように
したレーザ記録装置において、副走査方向の微小画素数
Ｌを半導体レーザの個数Ｍの整数倍とした。
は、画像信号に応じて独立して変調自在なＭ個（Ｍは２
以上の整数）の半導体レーザを有する半導体レーザアレ
イを光源とし、Ｍ個の前記半導体レーザから出射される
Ｍ本のレーザビームを共通な一つの偏向器により偏向さ
せ、結像光学系によりこれらのＭ本のレーザビームをレ
ーザビームに垂直な方向に移動する記録媒体上に所定間
隔で結像させて一括走査露光するとともに、中間調記録
時には、Ｎ×Ｌ（Ｎはレーザ主走査方向の微小画素数、
Ｌは副走査方向の微小画素数）の微小画素からなる画素
マトリクス内での露光パターンを画像信号中に含まれる
濃度情報に応じて変化させて中間調を再現させるように
したレーザ記録装置において、副走査方向の微小画素数
Ｌを半導体レーザの個数Ｍの整数倍とした。
【００１２】このとき、請求項２記載の発明では、中間
調記録時の画素マトリクス内での露光パターンを、濃度
レベルの上昇に応じて副走査方向の中心付近の微小画素
を優先させて露光させるパターンとした。
調記録時の画素マトリクス内での露光パターンを、濃度
レベルの上昇に応じて副走査方向の中心付近の微小画素
を優先させて露光させるパターンとした。
【００１３】また、請求項３記載の発明では、中間調記
録時の画素マトリクス内での露光パターンを、濃度レベ
ルの上昇に応じて副走査方向の中心画素を主走査方向に
順に露光し、Ｎ個の微小画素分の露光後は中心画素に対
して副走査方向に隣接する次の微小画素を主走査方向に
順に露光させるパターンとした。
録時の画素マトリクス内での露光パターンを、濃度レベ
ルの上昇に応じて副走査方向の中心画素を主走査方向に
順に露光し、Ｎ個の微小画素分の露光後は中心画素に対
して副走査方向に隣接する次の微小画素を主走査方向に
順に露光させるパターンとした。
【００１４】
【作用】請求項１記載の発明によれば、半導体レーザア
レイの半導体レーザの個数Ｍに対して、中間調記録用の
画素マトリクスの副走査方向の微小画素数Ｌが整数倍、
例えば同一であるので、走査線曲がりによる走査線のピ
ッチ変動があっても各画素マトリクス内での画素面積は
維持されるものとなり、副走査方向に濃度むらのない均
一な濃度の画像が得られるものとなり、中間調記録の品
質が向上するものとなる。
レイの半導体レーザの個数Ｍに対して、中間調記録用の
画素マトリクスの副走査方向の微小画素数Ｌが整数倍、
例えば同一であるので、走査線曲がりによる走査線のピ
ッチ変動があっても各画素マトリクス内での画素面積は
維持されるものとなり、副走査方向に濃度むらのない均
一な濃度の画像が得られるものとなり、中間調記録の品
質が向上するものとなる。
【００１５】この際、請求項２記載の発明によれば、中
間調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応
じて副走査方向の中心付近の微小画素を優先させるパタ
ーンとしたので、低濃度部において副走査方向の濃度む
らが低減されるものとなる。
間調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応
じて副走査方向の中心付近の微小画素を優先させるパタ
ーンとしたので、低濃度部において副走査方向の濃度む
らが低減されるものとなる。
【００１６】特に、請求項３記載の発明によれば、中間
調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応じ
て副走査方向の中心画素を順に主走査方向に露光させる
ものとし、これを副走査方向に隣接する画素に同様に拡
大するパターンとしたので、低濃度部において副走査方
向の濃度むらがさらに低減されるものとなる。
調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応じ
て副走査方向の中心画素を順に主走査方向に露光させる
ものとし、これを副走査方向に隣接する画素に同様に拡
大するパターンとしたので、低濃度部において副走査方
向の濃度むらがさらに低減されるものとなる。
【００１７】
【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１ないし
図４に基づいて説明する。まず、本発明が適用されるレ
ーザ記録装置の走査光学系を図２及び図３に示す。図２
は主走査方向、図３は副走査方向の構成を示すもので、
まず、光源として半導体レーザアレイ１１が設けられて
いる。この半導体レーザアレイ１１は図３(ａ)に示すよ
うに副走査方向に僅かに離れた複数、例えば３個の半導
体レーザ１１ａ，１１ｂ，１１ｃなる発光点を有するも
のである。これらの半導体レーザ１１ａ〜１１ｃから出
射されたレーザビーム１２ａ〜１２ｃは同一のコリメー
トレンズ１３により平行光束とされた後、シリンダレン
ズ１４により偏向器なる回転多面鏡１５の一つの反射面
１５ａ近傍に絞り込まれる。この時、図３に示すよう
に、レンズ光軸上に位置する半導体レーザ１１ｂからの
レーザビーム１２ｂは反射面１５ａに対して垂直に入射
するが、他のレーザビーム１２ａ，１２ｃはこのレーザ
ビーム１２ｂから離れた位置に向けて僅かに傾いた角度
で反射面１５ａに入射する（これが、従来例で説明した
走査線がわん曲を示す原因となる）。回転多面鏡１５の
回転により偏向走査されたレーザビーム１２ａ〜１２ｃ
は一般にｆθレンズと称される結像レンズ（結像光学
系）１６を通して記録媒体１７上に微小スポットとし
て、かつ、各レーザビーム１２ａ〜１２ｃが記録密度に
応じたピッチとなるように絞り込まれる。この結像レン
ズ１６は主走査方向と副走査方向とで焦点距離の異なる
アナモフィックなレンズであり、副走査方向には回転多
面鏡１５の反射面１５ａと記録媒体１７とが幾何光学的
に共役な関係となるように設計されている。これは、回
転多面鏡１５の各反射面１５ａの回転軸に対する角度誤
差（反射面１５ａの倒れ）による走査線間のピッチの変
動を低減させるための補正光学系を構成するためであ
る。また、シリンダレンズ１４は記録媒体１７上での副
走査方向のビーム径を適正なスポット径とさせる機能を
持つ。
図４に基づいて説明する。まず、本発明が適用されるレ
ーザ記録装置の走査光学系を図２及び図３に示す。図２
は主走査方向、図３は副走査方向の構成を示すもので、
まず、光源として半導体レーザアレイ１１が設けられて
いる。この半導体レーザアレイ１１は図３(ａ)に示すよ
うに副走査方向に僅かに離れた複数、例えば３個の半導
体レーザ１１ａ，１１ｂ，１１ｃなる発光点を有するも
のである。これらの半導体レーザ１１ａ〜１１ｃから出
射されたレーザビーム１２ａ〜１２ｃは同一のコリメー
トレンズ１３により平行光束とされた後、シリンダレン
ズ１４により偏向器なる回転多面鏡１５の一つの反射面
１５ａ近傍に絞り込まれる。この時、図３に示すよう
に、レンズ光軸上に位置する半導体レーザ１１ｂからの
レーザビーム１２ｂは反射面１５ａに対して垂直に入射
するが、他のレーザビーム１２ａ，１２ｃはこのレーザ
ビーム１２ｂから離れた位置に向けて僅かに傾いた角度
で反射面１５ａに入射する（これが、従来例で説明した
走査線がわん曲を示す原因となる）。回転多面鏡１５の
回転により偏向走査されたレーザビーム１２ａ〜１２ｃ
は一般にｆθレンズと称される結像レンズ（結像光学
系）１６を通して記録媒体１７上に微小スポットとし
て、かつ、各レーザビーム１２ａ〜１２ｃが記録密度に
応じたピッチとなるように絞り込まれる。この結像レン
ズ１６は主走査方向と副走査方向とで焦点距離の異なる
アナモフィックなレンズであり、副走査方向には回転多
面鏡１５の反射面１５ａと記録媒体１７とが幾何光学的
に共役な関係となるように設計されている。これは、回
転多面鏡１５の各反射面１５ａの回転軸に対する角度誤
差（反射面１５ａの倒れ）による走査線間のピッチの変
動を低減させるための補正光学系を構成するためであ
る。また、シリンダレンズ１４は記録媒体１７上での副
走査方向のビーム径を適正なスポット径とさせる機能を
持つ。
【００１８】このような基本構成において、中間調を記
録する場合について考える。この場合の微小画素（ドッ
ト）からなる画素マトリクス１８の構成を図１(ａ)に示
し、濃度レベルに対する露光パターン例を図４に示す
（網かけ画素部分が露光部を示す）。図示例は、図３等
に示したように３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを持
つ半導体レーザアレイ１１により３ライン分同時に記録
する場合で、マトリクスサイズは３×３である。ここ
に、３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの内、中央の半
導体レーザ１１ｂによるレーザビーム１２ｂが結像光学
系の副走査方向の光軸を通るようにした場合、画素マト
リクス１８を構成する中央の走査線はレーザビーム１２
ｂが回転多面鏡１５の反射面１５ａに垂直に入射するの
で曲がりがないが、他のレーザビーム１２ａ，１２ｃに
よる走査線には曲がりが発生する。しかし、本実施例で
は、画素マトリクス１８を構成する副走査方向の画素数
Ｌ＝３が、半導体レーザアレイ１１における半導体レー
ザの個数Ｍ＝３と同じ（整数倍の一つ）であるので、走
査線曲がりによるピッチ変動によって画素面積が変動す
ることがなく、均一な濃度の画像が得られる。図１(ｂ)
は例えば図４中に示した濃度パターン中の濃度レベル３
による場合の記録例を示す。
録する場合について考える。この場合の微小画素（ドッ
ト）からなる画素マトリクス１８の構成を図１(ａ)に示
し、濃度レベルに対する露光パターン例を図４に示す
（網かけ画素部分が露光部を示す）。図示例は、図３等
に示したように３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを持
つ半導体レーザアレイ１１により３ライン分同時に記録
する場合で、マトリクスサイズは３×３である。ここ
に、３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃの内、中央の半
導体レーザ１１ｂによるレーザビーム１２ｂが結像光学
系の副走査方向の光軸を通るようにした場合、画素マト
リクス１８を構成する中央の走査線はレーザビーム１２
ｂが回転多面鏡１５の反射面１５ａに垂直に入射するの
で曲がりがないが、他のレーザビーム１２ａ，１２ｃに
よる走査線には曲がりが発生する。しかし、本実施例で
は、画素マトリクス１８を構成する副走査方向の画素数
Ｌ＝３が、半導体レーザアレイ１１における半導体レー
ザの個数Ｍ＝３と同じ（整数倍の一つ）であるので、走
査線曲がりによるピッチ変動によって画素面積が変動す
ることがなく、均一な濃度の画像が得られる。図１(ｂ)
は例えば図４中に示した濃度パターン中の濃度レベル３
による場合の記録例を示す。
【００１９】つづいて、請求項２記載の発明の一実施例
を図５ないし図７により説明する。本実施例は、例えば
５個の半導体レーザを持つ半導体レーザアレイを光源と
し、５ライン分同時に記録する場合であり、画素マトリ
クス１９の構成は図５に示すように５×３である（Ｌ＝
Ｍ＝５）。５個の半導体レーザの内、中央の１つが結像
光学系の副走査方向の光軸を通るように配設させる。ま
た、濃度レベルに対する露光パターン例の一部を図６に
示す（途中、レベル８〜１３については省略してあ
る）。
を図５ないし図７により説明する。本実施例は、例えば
５個の半導体レーザを持つ半導体レーザアレイを光源と
し、５ライン分同時に記録する場合であり、画素マトリ
クス１９の構成は図５に示すように５×３である（Ｌ＝
Ｍ＝５）。５個の半導体レーザの内、中央の１つが結像
光学系の副走査方向の光軸を通るように配設させる。ま
た、濃度レベルに対する露光パターン例の一部を図６に
示す（途中、レベル８〜１３については省略してあ
る）。
【００２０】この場合も、画素マトリクス１９を構成す
る中央の走査線は回転多面鏡の反射面に垂直に入射する
ので曲がりがないが、他の走査線には曲がりを生ずる。
しかし、半導体レーザの個数Ｍと画素マトリクス１９の
副走査方向の画素数Ｌとが同一であるので、前記実施例
と同じく、走査線曲がりによるピッチ変動によって画素
面積が変動することはなく、副走査方向に均一な濃度の
画像が得られる。加えて、本実施例においては、図６に
示すように、濃度レベルの上昇に応じて画素マトリクス
１９の露光パターンが副走査方向の中心の微小画素（具
体的には、図５中に示す微小画素〔３，１〕）から露光
されるため、濃度レベルが低い場合には走査線曲がりの
少ない副走査方向の中心付近の微小画素のみを用いるこ
とになり、画像中央と画像端部とで画素面積の変動が少
なくなる。図７は例えば濃度レベル４の場合を例にと
り、同図(ａ)には主走査方向の画像端部、同図(ｂ)には
主走査方向の画像中央付近での記録例を示す。この例に
示されるように、副走査方向の濃度むらが低減されるも
のとなる。
る中央の走査線は回転多面鏡の反射面に垂直に入射する
ので曲がりがないが、他の走査線には曲がりを生ずる。
しかし、半導体レーザの個数Ｍと画素マトリクス１９の
副走査方向の画素数Ｌとが同一であるので、前記実施例
と同じく、走査線曲がりによるピッチ変動によって画素
面積が変動することはなく、副走査方向に均一な濃度の
画像が得られる。加えて、本実施例においては、図６に
示すように、濃度レベルの上昇に応じて画素マトリクス
１９の露光パターンが副走査方向の中心の微小画素（具
体的には、図５中に示す微小画素〔３，１〕）から露光
されるため、濃度レベルが低い場合には走査線曲がりの
少ない副走査方向の中心付近の微小画素のみを用いるこ
とになり、画像中央と画像端部とで画素面積の変動が少
なくなる。図７は例えば濃度レベル４の場合を例にと
り、同図(ａ)には主走査方向の画像端部、同図(ｂ)には
主走査方向の画像中央付近での記録例を示す。この例に
示されるように、副走査方向の濃度むらが低減されるも
のとなる。
【００２１】さらに、請求項３記載の発明の一実施例を
図８及び図９により説明する。本実施例は、例えば図３
に示したような３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを用
いた構成とし、図１(ａ)に示すような画素マトリクス１
８構成において、濃度レベルに応じたその露光パターン
を図８に示すように工夫したものである。即ち、濃度レ
ベルの上昇に応じて画素マトリクス１８の露光パターン
が副走査方向の中心画素（図１(ａ)における画素〔２，
１〕）を優先させて主走査方向に露光し（濃度レベル１
〜３）、主走査方向の微小画素分の露光が終わったら、
副走査方向に隣接した次の画素（図１(ａ)における画素
〔３，１〕）を順次主走査方向に露光するパターンとし
（濃度レベル４〜６）、この主走査方向の微小画素分の
露光も終わったら、他方に隣接した画素（図１(ａ)にお
ける画素〔１，１〕）を順次主走査方向に露光するパタ
ーン（濃度レベル７〜９）としたものである。
図８及び図９により説明する。本実施例は、例えば図３
に示したような３個の半導体レーザ１１ａ〜１１ｃを用
いた構成とし、図１(ａ)に示すような画素マトリクス１
８構成において、濃度レベルに応じたその露光パターン
を図８に示すように工夫したものである。即ち、濃度レ
ベルの上昇に応じて画素マトリクス１８の露光パターン
が副走査方向の中心画素（図１(ａ)における画素〔２，
１〕）を優先させて主走査方向に露光し（濃度レベル１
〜３）、主走査方向の微小画素分の露光が終わったら、
副走査方向に隣接した次の画素（図１(ａ)における画素
〔３，１〕）を順次主走査方向に露光するパターンとし
（濃度レベル４〜６）、この主走査方向の微小画素分の
露光も終わったら、他方に隣接した画素（図１(ａ)にお
ける画素〔１，１〕）を順次主走査方向に露光するパタ
ーン（濃度レベル７〜９）としたものである。
【００２２】これによれば、濃度レベルが低い場合に
は、走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心付近の微
小画素のみが優先的に使用されるパターンによるため、
例えば、濃度レベル２であれば、図９に示すような画素
面積の変動の少ない記録例となり（(ａ)が画像端部、
(ｂ)が画像中央を示す）、前記実施例の露光パターン以
上に、副走査方向の濃度むらが低減されるものとなる。
は、走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心付近の微
小画素のみが優先的に使用されるパターンによるため、
例えば、濃度レベル２であれば、図９に示すような画素
面積の変動の少ない記録例となり（(ａ)が画像端部、
(ｂ)が画像中央を示す）、前記実施例の露光パターン以
上に、副走査方向の濃度むらが低減されるものとなる。
【００２３】なお、前述した各実施例では、微小画素を
２値で記録する場合のみについて説明したが、微小画素
内でレーザの点灯時間又はレーザパワーを変化させるこ
とにより１ドット多値記録とするようなレーザ記録装置
にも同様に適用できる。
２値で記録する場合のみについて説明したが、微小画素
内でレーザの点灯時間又はレーザパワーを変化させるこ
とにより１ドット多値記録とするようなレーザ記録装置
にも同様に適用できる。
【００２４】また、例示した画素マトリクス１８，１９
は３×３，５×３としたが、このようなマトリクスサイ
ズに限られず、適宜サイズのものに適用し得る。
は３×３，５×３としたが、このようなマトリクスサイ
ズに限られず、適宜サイズのものに適用し得る。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、上述したように構成したの
で、請求項１記載の発明によれば、半導体レーザアレイ
の半導体レーザの個数Ｍに対して、中間調記録用の画素
マトリクスの副走査方向の微小画素数Ｌを整数倍、例え
ば同一としたので、走査線曲がりによる走査線のピッチ
変動があっても各画素マトリクス内での露光パターン、
即ち画素面積を維持できることになり、副走査方向に濃
度むらのない均一な濃度の画像を得ることができ、中間
調記録の画像品質を向上させることができる。
で、請求項１記載の発明によれば、半導体レーザアレイ
の半導体レーザの個数Ｍに対して、中間調記録用の画素
マトリクスの副走査方向の微小画素数Ｌを整数倍、例え
ば同一としたので、走査線曲がりによる走査線のピッチ
変動があっても各画素マトリクス内での露光パターン、
即ち画素面積を維持できることになり、副走査方向に濃
度むらのない均一な濃度の画像を得ることができ、中間
調記録の画像品質を向上させることができる。
【００２６】この際、請求項２記載の発明によれば、中
間調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応
じて走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心付近の微
小画素を優先させるパターンとしたので、低濃度部にお
いて副走査方向の濃度むらを低減させることができる。
間調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応
じて走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心付近の微
小画素を優先させるパターンとしたので、低濃度部にお
いて副走査方向の濃度むらを低減させることができる。
【００２７】特に、請求項３記載の発明によれば、中間
調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応じ
て走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心画素を順に
主走査方向に露光させるものとし、これを副走査方向に
隣接する画素に同様に拡大するパターンとしたので、低
濃度部において副走査方向の濃度むらをさらに低減させ
ることができる。
調記録のための露光パターンを濃度レベルの上昇に応じ
て走査線の曲がりの少ない副走査方向の中心画素を順に
主走査方向に露光させるものとし、これを副走査方向に
隣接する画素に同様に拡大するパターンとしたので、低
濃度部において副走査方向の濃度むらをさらに低減させ
ることができる。
【図１】請求項１記載の発明の一実施例を示し、(ａ)は
画素マトリクスの構成図、(ｂ)は記録例を示す説明図で
ある。
画素マトリクスの構成図、(ｂ)は記録例を示す説明図で
ある。
【図２】走査光学系構成を示す平面図である。
【図３】走査光学系を示す側面図である。
【図４】濃度レベルに応じた露光パターンの説明図であ
る。
る。
【図５】請求項２記載の発明の一実施例を示す画素マト
リクスの構成図である。
リクスの構成図である。
【図６】濃度レベルに応じた露光パターンの説明図であ
る。
る。
【図７】記録例を示す説明図である。
【図８】請求項３記載の発明の一実施例を示す露光パタ
ーンの説明図である。
ーンの説明図である。
【図９】記録例を示す説明図である。
【図１０】従来例を示す一般的な走査光学系の概略斜視
図である。
図である。
【図１１】走査線の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１１ 半導体レーザアレイ
１１ａ〜１１ｃ 半導体レーザ
１５ 偏向器
１６ 結像光学系
１７ 記録媒体
１８，１９ 画素マトリクス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｇ０３Ｇ 15/04 １１６ 9122−2Ｈ
Ｈ０４Ｎ 1/04 １０４ Ｚ 7251−5Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 画像信号に応じて独立して変調自在なＭ
個（Ｍは２以上の整数）の半導体レーザを有する半導体
レーザアレイを光源とし、Ｍ個の前記半導体レーザから
出射されるＭ本のレーザビームを共通な一つの偏向器に
より偏向させ、結像光学系によりこれらのＭ本のレーザ
ビームをレーザビームに垂直な方向に移動する記録媒体
上に所定間隔で結像させて一括走査露光するとともに、
中間調記録時には、Ｎ×Ｌ（Ｎはレーザ主走査方向の微
小画素数、Ｌは副走査方向の微小画素数）の微小画素か
らなる画素マトリクス内での露光パターンを画像信号中
に含まれる濃度情報に応じて変化させて中間調を再現さ
せるようにしたレーザ記録装置において、副走査方向の
微小画素数Ｌを半導体レーザの個数Ｍの整数倍としたこ
とを特徴とするレーザ記録装置。 - 【請求項２】 中間調記録時の画素マトリクス内での露
光パターンを、濃度レベルの上昇に応じて副走査方向の
中心付近の微小画素を優先させて露光させるパターンと
したことを特徴とする請求項１記載のレーザ記録装置。 - 【請求項３】 中間調記録時の画素マトリクス内での露
光パターンを、濃度レベルの上昇に応じて副走査方向の
中心画素を主走査方向に順に露光し、Ｎ個の微小画素分
の露光後は中心画素に対して副走査方向に隣接する次の
微小画素を主走査方向に順に露光させるパターンとした
ことを特徴とする請求項１記載のレーザ記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193780A JPH0537750A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | レーザ記録装置 |
| US07/922,761 US5392060A (en) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | Half tone laser recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193780A JPH0537750A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | レーザ記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537750A true JPH0537750A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16313681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193780A Pending JPH0537750A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | レーザ記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5392060A (ja) |
| JP (1) | JPH0537750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009023151A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Brother Ind Ltd | 光走査装置及び印刷装置 |
| KR101015699B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2011-02-22 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 프로젝터 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3287289B2 (ja) * | 1997-11-18 | 2002-06-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置及び分割光走査装置の制御方法 |
| KR100346704B1 (ko) * | 1999-07-29 | 2002-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 인쇄기 |
| JP3512171B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2004-03-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
| US7063517B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-06-20 | Ingersoll-Rand Company | Valve apparatus and pneumatically driven diaphragm pump incorporating same |
| GB0712739D0 (en) | 2007-07-02 | 2007-08-08 | Smith & Nephew | Apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4566042A (en) * | 1979-02-13 | 1986-01-21 | Coulter Systems Corporation | Electrophotographic imaging apparatus by variably placing pixel elements |
| JPS59112763A (ja) * | 1983-10-24 | 1984-06-29 | Hitachi Ltd | レ−ザ情報記録装置 |
| JPS63256937A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録装置 |
| US5283658A (en) * | 1989-05-10 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus with TTL to ECL conversion between reading and printing circuits |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3193780A patent/JPH0537750A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-31 US US07/922,761 patent/US5392060A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101015699B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2011-02-22 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 프로젝터 |
| JP2009023151A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Brother Ind Ltd | 光走査装置及び印刷装置 |
| US8174554B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-05-08 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical scanning device and printing apparatus using a threshold matrix to improve image quality |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5392060A (en) | 1995-02-21 |
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