JPH0536876A - 電力変換装置の冷却装置 - Google Patents
電力変換装置の冷却装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単かつ確実に高い電力密度の放熱が可能と
なり、その結果、同一半導体でより大きな電気的出力又
はより高周波の電力を取り出すことができ、小形で大出
力の電力変換装置を得ることが可能である。 【構成】 ダイオード、サイリスタ、トランジスタ等の
電力用半導体素子とコンデンサ、リアクトル、トラン
ス、抵抗等の電子部品を組合せてなるスイッチングによ
る電力変換回路を絶縁基板11上に銅箔パターン12,13 と
ボンデイングワイヤ14、ハンダ付15等により構成してな
る電力変換装置において、絶縁基板11上に水密容器16に
よる水密空間18を設け、かつ特に発熱する半導体素子の
表面を狭隘空間18ａとしてこの水密空間18に絶縁性の高
い冷却液12を強制循環させる。
なり、その結果、同一半導体でより大きな電気的出力又
はより高周波の電力を取り出すことができ、小形で大出
力の電力変換装置を得ることが可能である。 【構成】 ダイオード、サイリスタ、トランジスタ等の
電力用半導体素子とコンデンサ、リアクトル、トラン
ス、抵抗等の電子部品を組合せてなるスイッチングによ
る電力変換回路を絶縁基板11上に銅箔パターン12,13 と
ボンデイングワイヤ14、ハンダ付15等により構成してな
る電力変換装置において、絶縁基板11上に水密容器16に
よる水密空間18を設け、かつ特に発熱する半導体素子の
表面を狭隘空間18ａとしてこの水密空間18に絶縁性の高
い冷却液12を強制循環させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直流を交流に変換する
インバータ等の電力交換器の冷却を行う冷却装置に関す
るものである。
インバータ等の電力交換器の冷却を行う冷却装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インバータの冷却方式としては自
然冷却、風冷、水冷、ふっとう冷却等の方式が実用され
ている。自然冷却は論外として、風冷、水冷について
は、電力用半導体素子→ハンダ付→金属板→絶縁基板
（セラミック等）→金属ベース→伝熱グリース→冷却フ
ィン→風又は水と熱伝達が行われるため、全体の放熱抵
抗が大きくなり冷却能力に限界がある。例えば、半導体
の単位面積当たりで考えると、実用的には10〜30Ｗ／cm
2 程度しか放熱が出来なかった。
然冷却、風冷、水冷、ふっとう冷却等の方式が実用され
ている。自然冷却は論外として、風冷、水冷について
は、電力用半導体素子→ハンダ付→金属板→絶縁基板
（セラミック等）→金属ベース→伝熱グリース→冷却フ
ィン→風又は水と熱伝達が行われるため、全体の放熱抵
抗が大きくなり冷却能力に限界がある。例えば、半導体
の単位面積当たりで考えると、実用的には10〜30Ｗ／cm
2 程度しか放熱が出来なかった。
【０００３】ふっとう冷却の方式は、発熱部の表面で絶
縁性の冷媒液をふっとうさせて冷却させるもので、信号
用半導体（例えば大形コンピュータのＣＰＵ）の冷却を
したり、大形電力用半導体（平形圧接素子）の圧接金属
構造物の表裏両面をふっとう冷却したりする実用例があ
る。このふっとう冷却はヒートパイプの原理によりふっ
とう部と液化（凝縮）部との熱抵抗は非常に小さく出来
る利点がある。また、このふっとう冷却は全体として微
量のガス又は液体の循環で大量の熱が扱えるという利点
もある。
縁性の冷媒液をふっとうさせて冷却させるもので、信号
用半導体（例えば大形コンピュータのＣＰＵ）の冷却を
したり、大形電力用半導体（平形圧接素子）の圧接金属
構造物の表裏両面をふっとう冷却したりする実用例があ
る。このふっとう冷却はヒートパイプの原理によりふっ
とう部と液化（凝縮）部との熱抵抗は非常に小さく出来
る利点がある。また、このふっとう冷却は全体として微
量のガス又は液体の循環で大量の熱が扱えるという利点
もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ふっとう冷却
の方式でもふっとう（沸騰）部分では気化したガスが熱
伝導を阻害するので単位面積当りの放熱量は、絶縁性の
冷媒液では20Ｗ／cm2 程度が限界である。さらにこれを
改良したものとして液を吹き付けて気化させる等の方法
があるが30〜50Ｗ／cm2 程度が限界である。
の方式でもふっとう（沸騰）部分では気化したガスが熱
伝導を阻害するので単位面積当りの放熱量は、絶縁性の
冷媒液では20Ｗ／cm2 程度が限界である。さらにこれを
改良したものとして液を吹き付けて気化させる等の方法
があるが30〜50Ｗ／cm2 程度が限界である。
【０００５】また、ふっとう冷却を確実なものとするに
は純粋な（水分、空気を含まない）冷媒を決まった圧力
（大気圧以下が多い）で管理して循環させる必要があ
り、かかる圧力管理も非常に面倒である。
は純粋な（水分、空気を含まない）冷媒を決まった圧力
（大気圧以下が多い）で管理して循環させる必要があ
り、かかる圧力管理も非常に面倒である。
【０００６】本発明は前記従来例の不都合を解消し、簡
単かつ確実に高い電力密度の放熱が可能となり、その結
果、同一半導体でより大きな電気的出力又はより高周波
の電力を取り出すことができ、小形で大出力の電力変換
装置を得ることが可能な電力変換装置の冷却装置を提供
することにある。
単かつ確実に高い電力密度の放熱が可能となり、その結
果、同一半導体でより大きな電気的出力又はより高周波
の電力を取り出すことができ、小形で大出力の電力変換
装置を得ることが可能な電力変換装置の冷却装置を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、ダイオード、サイリスタ、トランジスタ等の
電力用半導体素子とコンデンサ、リアクトル、トラン
ス、抵抗等の電子部品を組合せてなるスイッチングによ
る電力変換回路を絶縁基板上に銅箔パターンとボンデイ
ングワイヤ、ハンダ付等により構成してなる電力変換装
置において、絶縁基板上に水密容器による水密空間を設
け、かつ特に発熱する半導体素子の表面を狭隘空間とし
てこの水密空間に絶縁性の高い冷却液を強制循環させる
ことを要旨とするものである。
するため、ダイオード、サイリスタ、トランジスタ等の
電力用半導体素子とコンデンサ、リアクトル、トラン
ス、抵抗等の電子部品を組合せてなるスイッチングによ
る電力変換回路を絶縁基板上に銅箔パターンとボンデイ
ングワイヤ、ハンダ付等により構成してなる電力変換装
置において、絶縁基板上に水密容器による水密空間を設
け、かつ特に発熱する半導体素子の表面を狭隘空間とし
てこの水密空間に絶縁性の高い冷却液を強制循環させる
ことを要旨とするものである。
【０００８】
【作用】半導体特にトランジスタの発熱はハンダ付面と
反対側の表面に近い部分（全体で約0.5 mm厚さの表面に
近い５〜10％の部分）で生ずる。本発明によれば、絶縁
性の高い冷却液をふっとうさせないでこの発熱が多い半
導体の表面に直接、高速で通流させるので、効果的に冷
却でき、数ｍ／secの流速で100 Ｗ／cm2 以上の冷却能
力が得られる。これにより小さな電力用半導体素子で大
きな交流出力を得ることが出来る。また従来半導体のス
イッチングでは実用が難しかった数10MHZの高周波出力
が容易に得られるようになる。
反対側の表面に近い部分（全体で約0.5 mm厚さの表面に
近い５〜10％の部分）で生ずる。本発明によれば、絶縁
性の高い冷却液をふっとうさせないでこの発熱が多い半
導体の表面に直接、高速で通流させるので、効果的に冷
却でき、数ｍ／secの流速で100 Ｗ／cm2 以上の冷却能
力が得られる。これにより小さな電力用半導体素子で大
きな交流出力を得ることが出来る。また従来半導体のス
イッチングでは実用が難しかった数10MHZの高周波出力
が容易に得られるようになる。
【０００９】
【実施例】以下、図面について本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明の電力変換装置の冷却装置の第
１実施例を示す縦断側面図、図２は同上説明図で、図中
１は電力変換回路としてのインバータ回路である。この
インバータ回路１は電力用半導体素子であるトランジス
タＱ1 〜Ｑ4 とコンデンサＣ1 〜Ｃ3 、トランスＴ1 〜
Ｔ4 等の電子部品とからなり、Ｐ，Ｎ間に入力される直
流電力をＧ1 ，Ｇ2間に入力されるスイッチング指令信
号によりＱ1 〜Ｑ4 が交互にオンオフしてＵ，Ｖ間に交
流出力を発生するようになっている。
説明する。図１は本発明の電力変換装置の冷却装置の第
１実施例を示す縦断側面図、図２は同上説明図で、図中
１は電力変換回路としてのインバータ回路である。この
インバータ回路１は電力用半導体素子であるトランジス
タＱ1 〜Ｑ4 とコンデンサＣ1 〜Ｃ3 、トランスＴ1 〜
Ｔ4 等の電子部品とからなり、Ｐ，Ｎ間に入力される直
流電力をＧ1 ，Ｇ2間に入力されるスイッチング指令信
号によりＱ1 〜Ｑ4 が交互にオンオフしてＵ，Ｖ間に交
流出力を発生するようになっている。
【００１０】該インバータ回路１を絶縁基板11の表面に
銅箔パターン12、部品のハンダ付15、ボンデイングワイ
ヤ14による接続等で形成して電力変換装置を構成する。
その際、必要により裏面のパターン13を利用する。
銅箔パターン12、部品のハンダ付15、ボンデイングワイ
ヤ14による接続等で形成して電力変換装置を構成する。
その際、必要により裏面のパターン13を利用する。
【００１１】本発明はこのインバータ回路部分を水密容
器16でカバーして、冷却液２が流通できる水密空間18を
設けた。そして、この水密空間の高さはコンデンサＣ1
〜Ｃ3 、トランスＴ1 〜Ｔ4 等の発熱の小さい部分のと
ころでは高くし、トランジスタＱ1 〜Ｑ4 の如く発熱量
の大きいところでは低い狭隘空間18ａとして該狭隘空間
18ａでは流速を高めるようにする。
器16でカバーして、冷却液２が流通できる水密空間18を
設けた。そして、この水密空間の高さはコンデンサＣ1
〜Ｃ3 、トランスＴ1 〜Ｔ4 等の発熱の小さい部分のと
ころでは高くし、トランジスタＱ1 〜Ｑ4 の如く発熱量
の大きいところでは低い狭隘空間18ａとして該狭隘空間
18ａでは流速を高めるようにする。
【００１２】この冷却液２としては絶縁性の高い化学的
に安定なふっ化炭素の如き液体が使用され、水密容器16
の前記水密空間18の出入口は図３に示すようにポンプ５
と冷却器４を連結して水密容器16から冷却器４へ行き、
この冷却器４からポンプ５を介して水密容器16へもどる
循環液路を形成した。冷却器４はファン41を付設してい
る。
に安定なふっ化炭素の如き液体が使用され、水密容器16
の前記水密空間18の出入口は図３に示すようにポンプ５
と冷却器４を連結して水密容器16から冷却器４へ行き、
この冷却器４からポンプ５を介して水密容器16へもどる
循環液路を形成した。冷却器４はファン41を付設してい
る。
【００１３】図２、図３において、３は加熱コイル、31
は被加熱物としてのワークであり、インバータ回路１の
電気出力はＵ，Ｖから加熱コイル３、被加熱物ワーク31
等に熱エネルギーとして供給される。ここでは誘導加熱
負荷の例を示しているが、誘電加熱とか超音波負荷等に
も好適である。
は被加熱物としてのワークであり、インバータ回路１の
電気出力はＵ，Ｖから加熱コイル３、被加熱物ワーク31
等に熱エネルギーとして供給される。ここでは誘導加熱
負荷の例を示しているが、誘電加熱とか超音波負荷等に
も好適である。
【００１４】図４は本発明の第２実施例として、インバ
ータ回路１を冷却した冷却液２を加熱コイル３等の同一
システム内の冷却を要する発熱部にも循環させるように
して液冷コイル32を形成した例を示したものである。こ
れにより一組のポンプと冷却器により加熱コイルおよび
誘電加熱電極等を効果的に小形、高性能化することが出
来る。
ータ回路１を冷却した冷却液２を加熱コイル３等の同一
システム内の冷却を要する発熱部にも循環させるように
して液冷コイル32を形成した例を示したものである。こ
れにより一組のポンプと冷却器により加熱コイルおよび
誘電加熱電極等を効果的に小形、高性能化することが出
来る。
【００１５】図５は本発明の第３実施例を示すもので、
図３に示すポンプ５と冷却器４からなる循環液路で冷却
器４のあとにアキュムレータ６を設けた。このアキュム
レータ６内には例えばゴム袋の内部に大気圧より十分高
圧のガス圧Ｐが封じ込まれており、冷却液２の圧力を常
に数気圧の高圧力に保持するようにする。これによりイ
ンバータ１内のトランジスタ表面を流れる冷却液２は気
化しにくくなり、より高い放熱能力を有することにな
る。
図３に示すポンプ５と冷却器４からなる循環液路で冷却
器４のあとにアキュムレータ６を設けた。このアキュム
レータ６内には例えばゴム袋の内部に大気圧より十分高
圧のガス圧Ｐが封じ込まれており、冷却液２の圧力を常
に数気圧の高圧力に保持するようにする。これによりイ
ンバータ１内のトランジスタ表面を流れる冷却液２は気
化しにくくなり、より高い放熱能力を有することにな
る。
【００１６】第４〜第６実施例として、図６〜図８に示
すように絶縁基板11の下にも水密空間18を設け、この水
密空間18の特定部分を狭隘空間18ａとして冷却液２を高
速で通流させるようにした。このように絶縁基板11の表
裏両面に冷却液２を流通させることでさらに冷却能力を
高めると同時に基板11の機械的強度を弱めることすなわ
ち基板を薄くすることができる。
すように絶縁基板11の下にも水密空間18を設け、この水
密空間18の特定部分を狭隘空間18ａとして冷却液２を高
速で通流させるようにした。このように絶縁基板11の表
裏両面に冷却液２を流通させることでさらに冷却能力を
高めると同時に基板11の機械的強度を弱めることすなわ
ち基板を薄くすることができる。
【００１７】図６の例では、絶縁基板11に熱伝達の特に
良好なちっ化アルミ等のセラミック基板を用いた上で基
板11の裏面にも冷却液２を所定の部分に高速で流通させ
るものである。これにより冷却能力は30〜50％増加す
る。なお、冷却液２の速度を全体に高速にすることは圧
力損が過大となりポンプ５の能力を大きくすることにな
るので得策ではない。
良好なちっ化アルミ等のセラミック基板を用いた上で基
板11の裏面にも冷却液２を所定の部分に高速で流通させ
るものである。これにより冷却能力は30〜50％増加す
る。なお、冷却液２の速度を全体に高速にすることは圧
力損が過大となりポンプ５の能力を大きくすることにな
るので得策ではない。
【００１８】図７は発熱部品を絶縁基板11の表裏両面に
配置した例を示すもので、これにより基板11の面積を大
幅に節約できる。また、図８は水密容器を水密容器16,1
7 の分割体の結合で構成し、絶縁基板11をこれら水密容
器16,17 内に納めるようにした。絶縁基板11の水密保持
はこの方が行いやすい。しかし電気的な入出力端子が必
要で、本実施例では金属の端子ピン21で基板11上のパタ
ーン12と端子板23を接触導通し、Ｏリング22で水密を保
持させた。この場合、接触圧力を保持するためクョショ
ン24を介して圧力Ｆで常時押し付けておくようにする。
このように圧接端子を利用することにより基板の組立分
解がハンダ付を外すことなく容易にできる。
配置した例を示すもので、これにより基板11の面積を大
幅に節約できる。また、図８は水密容器を水密容器16,1
7 の分割体の結合で構成し、絶縁基板11をこれら水密容
器16,17 内に納めるようにした。絶縁基板11の水密保持
はこの方が行いやすい。しかし電気的な入出力端子が必
要で、本実施例では金属の端子ピン21で基板11上のパタ
ーン12と端子板23を接触導通し、Ｏリング22で水密を保
持させた。この場合、接触圧力を保持するためクョショ
ン24を介して圧力Ｆで常時押し付けておくようにする。
このように圧接端子を利用することにより基板の組立分
解がハンダ付を外すことなく容易にできる。
【００１９】図９〜図11は半導体素子Ｑ1 としてＭＯＳ
ＦＥＴを使用し、これにボンデイングワイヤ14を施した
例を示すものである。半導体素子Ｑ1 の下面はＤ（ドレ
イン）でパターン12にハンダ付される。Ｓ（ソース）は
主回路電流が流れるので複数のワイヤ14で接続される。
Ｇ（ゲート）はこの例では１本のワイヤ14で接続され
る。
ＦＥＴを使用し、これにボンデイングワイヤ14を施した
例を示すものである。半導体素子Ｑ1 の下面はＤ（ドレ
イン）でパターン12にハンダ付される。Ｓ（ソース）は
主回路電流が流れるので複数のワイヤ14で接続される。
Ｇ（ゲート）はこの例では１本のワイヤ14で接続され
る。
【００２０】通常ボンデイングワイヤ14は純アルミ等の
やわらかい金属線が使用され機械的には弱いものであ
る。ここに高速の冷却液２が通流するとワイヤ14の周辺
には渦が発生し機械的な振動が発生しワイヤ14を破断す
る恐れがある。これを防ぐには冷却液２の流れ方向とワ
イヤ14の方向を３０°以内で一致させるのが有効であ
る。このようにすれば、ボンデイングワイヤ14の強度を
節約して流速を高めたり、信頼性を高めることが出来
る。
やわらかい金属線が使用され機械的には弱いものであ
る。ここに高速の冷却液２が通流するとワイヤ14の周辺
には渦が発生し機械的な振動が発生しワイヤ14を破断す
る恐れがある。これを防ぐには冷却液２の流れ方向とワ
イヤ14の方向を３０°以内で一致させるのが有効であ
る。このようにすれば、ボンデイングワイヤ14の強度を
節約して流速を高めたり、信頼性を高めることが出来
る。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の電力変換装置
の冷却装置は、半導体の発熱部である表面に直接高速の
冷却液をふっとうさせることなく通流させるようにした
ので、高い電力密度の放熱が可能となり、同一半導体で
より大きな電気的出力又はより高周波の電力を取り出す
ことができるものである。
の冷却装置は、半導体の発熱部である表面に直接高速の
冷却液をふっとうさせることなく通流させるようにした
ので、高い電力密度の放熱が可能となり、同一半導体で
より大きな電気的出力又はより高周波の電力を取り出す
ことができるものである。
【００２２】また、冷却器の能力を増して冷却液を室温
以下（例えば10°Ｃ以下とか０°Ｃ以下）に下げること
で電力変換装置の出力をより増加することもでき、さら
に、ふっとう冷却ではないのでより多量の冷却液を通流
する必要はあるが、わずかな漏れとかわずかな水分、空
気の混入は支障とならないため取扱い、構造が簡便です
むものである。
以下（例えば10°Ｃ以下とか０°Ｃ以下）に下げること
で電力変換装置の出力をより増加することもでき、さら
に、ふっとう冷却ではないのでより多量の冷却液を通流
する必要はあるが、わずかな漏れとかわずかな水分、空
気の混入は支障とならないため取扱い、構造が簡便です
むものである。
【図１】本発明の電力変換装置の冷却装置の第１実施例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図２】本発明の電力変換装置の冷却装置の第１実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】本発明の電力変換装置の冷却装置の第１実施例
を示す配管図である。
を示す配管図である。
【図４】本発明の電力変換装置の冷却装置の第２実施例
を示す配管図である。
を示す配管図である。
【図５】本発明の電力変換装置の冷却装置の第３実施例
を示す配管図である。
を示す配管図である。
【図６】本発明の電力変換装置の冷却装置の第４実施例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図７】本発明の電力変換装置の冷却装置の第５実施例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図８】本発明の電力変換装置の冷却装置の第６実施例
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図９】本発明の電力変換装置の冷却装置の第７実施例
を示す要部の平面図である。
を示す要部の平面図である。
【図１０】本発明の電力変換装置の冷却装置の第７実施
例を示す要部の縦断側面図である。
例を示す要部の縦断側面図である。
【図１１】本発明の電力変換装置の冷却装置の第７実施
例を示す半導体素子の説明図である。
例を示す半導体素子の説明図である。
１…インバータ回路 ２…冷却液
３…コイル ４…冷却器
５…ポンプ ６…アキュム
レータ 11…絶縁基板 12, 13…銅箔
パターン 14…ボンディングワイヤ 15…ハンダ付 16,17 …水密容器 18…水密空間 18ａ…狭隘空間 21…端子ピン 22…Ｏリング 23…端子板 24…クッション 31…ワーク 32…液冷コイル 41…ファン
レータ 11…絶縁基板 12, 13…銅箔
パターン 14…ボンディングワイヤ 15…ハンダ付 16,17 …水密容器 18…水密空間 18ａ…狭隘空間 21…端子ピン 22…Ｏリング 23…端子板 24…クッション 31…ワーク 32…液冷コイル 41…ファン
Claims (7)
- 【請求項１】 ダイオード、サイリスタ、トランジスタ
等の電力用半導体素子とコンデンサ、リアクトル、トラ
ンス、抵抗等の電子部品を組合せてなるスイッチングに
よる電力変換回路を絶縁基板上に銅箔パターンとボンデ
イングワイヤ、ハンダ付等により構成してなる電力変換
装置において、絶縁基板上に水密容器による水密空間を
設け、かつ特に発熱する半導体素子の表面を狭隘空間と
してこの水密空間に絶縁性の高い冷却液を強制循環させ
ることを特徴とする電力変換装置の冷却装置。 - 【請求項２】 冷却液を同一システム内の加熱コイルま
たは加熱電極等の冷却を要する加熱部分にも循環させる
請求項１記載の電力変換装置の冷却装置。 - 【請求項３】 水密空間に対し、ポンプ、冷却器からな
る冷却液の強制循環路にアキュムレータを設けて液圧を
大気圧より十分高く保持する請求項１または請求項２記
載の電力変換装置の冷却装置。 - 【請求項４】 絶縁基板下にも水密空間を設け、この水
密空間の特定部分を狭隘空間として冷却液を高速で通流
させる請求項１乃至請求項３の１つに記載の電力変換装
置の冷却装置。 - 【請求項５】 絶縁基板の両面に発熱部を配置する請求
項１または請求項４記載の電力変換装置の冷却装置。 - 【請求項６】 水密容器を貫通する端子ピンをＯリング
で水密とし、端子板と端子ピンと絶縁基板とを常時圧接
している請求項１記載の電力変換装置の冷却装置。 - 【請求項７】 ボンディングワイヤの方向と冷却液の通
流方向を３０°以内で一致させる請求項１記載の電力変
換装置の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214346A JPH0536876A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 電力変換装置の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214346A JPH0536876A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 電力変換装置の冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536876A true JPH0536876A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16654247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214346A Pending JPH0536876A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 電力変換装置の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536876A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477965B2 (en) * | 2000-03-10 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device for a rail way vehicle |
| JP2004297069A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Stmicroelectronics Inc | 露出されている集積回路ダイ表面の直接的対流冷却用のシステム及び方法 |
| JP2013034271A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Denso Corp | 電源装置 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3214346A patent/JPH0536876A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477965B2 (en) * | 2000-03-10 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device for a rail way vehicle |
| JP2004297069A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Stmicroelectronics Inc | 露出されている集積回路ダイ表面の直接的対流冷却用のシステム及び方法 |
| JP4657617B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2011-03-23 | エスティーマイクロエレクトロニクス，インコーポレイテッド | 露出されている集積回路ダイ表面の直接的対流冷却用のシステム及び方法 |
| JP2013034271A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Denso Corp | 電源装置 |
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