JPH0536147A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
- Publication number
- JPH0536147A JPH0536147A JP21015791A JP21015791A JPH0536147A JP H0536147 A JPH0536147 A JP H0536147A JP 21015791 A JP21015791 A JP 21015791A JP 21015791 A JP21015791 A JP 21015791A JP H0536147 A JPH0536147 A JP H0536147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- optical recording
- recording
- layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一レーザビーム、単一バイアス磁界又はバ
イアス磁界なしで信頼性の高いオーバーライトを実現す
る。 【構成】 支持体１の上に室温とキュリー温度との間に
補償温度を有し垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる
記録層３を設け、さらにこの記録層３に隣接して高透磁
率材料からなる層４を設けた構成の光磁気記録媒体を使
用する。そして、この光磁気記録媒体に照射する光の照
射条件（スポット径、パルス幅、レーザパワー、単パル
スか連続パルスか等）のみを変化させて記録、消去を行
い、オーバーライトが実現される。
イアス磁界なしで信頼性の高いオーバーライトを実現す
る。 【構成】 支持体１の上に室温とキュリー温度との間に
補償温度を有し垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる
記録層３を設け、さらにこの記録層３に隣接して高透磁
率材料からなる層４を設けた構成の光磁気記録媒体を使
用する。そして、この光磁気記録媒体に照射する光の照
射条件（スポット径、パルス幅、レーザパワー、単パル
スか連続パルスか等）のみを変化させて記録、消去を行
い、オーバーライトが実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録方法に関する。
磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、初期化用磁石が必要になる、Ｔ
ｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いるので記録感
度が悪くなるなどの問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、初期化用磁石が必要になる、Ｔ
ｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いるので記録感
度が悪くなるなどの問題があった。
【０００５】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、単一レーザビームで信頼性良くオーバーライトで
きる光磁気記録方法を提供することを目的とする。
消し、単一レーザビームで信頼性良くオーバーライトで
きる光磁気記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、室温とキュリー温度との間に補償
温度を有し垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる記録
層に隣接して高透磁率材料からなる層を設けてなる光磁
気記録媒体を用い、該光磁気記録媒体に照射する光の照
射条件のみを変化させることによりオーバーライト可能
な光磁気記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が
提供される。
め、本発明によれば、室温とキュリー温度との間に補償
温度を有し垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる記録
層に隣接して高透磁率材料からなる層を設けてなる光磁
気記録媒体を用い、該光磁気記録媒体に照射する光の照
射条件のみを変化させることによりオーバーライト可能
な光磁気記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が
提供される。
【０００７】以下本発明を図面に基づき詳述する。先ず
本発明の方法に使用される光磁気記録媒体について説明
すると基本的に、保磁力が大きく垂直磁気異方性を示す
強磁性膜からなる記録層に隣接して高透磁率材料よりな
る磁性層を積層して構成される。図１にこのような光磁
気記録媒体の一構成例を示す。
本発明の方法に使用される光磁気記録媒体について説明
すると基本的に、保磁力が大きく垂直磁気異方性を示す
強磁性膜からなる記録層に隣接して高透磁率材料よりな
る磁性層を積層して構成される。図１にこのような光磁
気記録媒体の一構成例を示す。
【０００８】この記録媒体は、ガラス、プラスチック、
セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4などからなる保護膜２（膜厚１００〜
５０００Å）を設け、その上に室温とキュリー温度Ｔｃ
の間に補償温度Ｔcompを有し垂直磁気異方性を示す強磁
性膜からなる記録層３を設ける。記録層３はＴｂ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなど
の希土類−遷移金属系アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃ
ｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などを用いて構成され、膜厚は
１００Å〜５０００Åとする。記録層３の上には高透磁
率材料からなる磁性層（以下高透磁率層と記す）を設け
る。高透磁率層４はパーマロイ、Ｍｏパーマロイ、スー
パマロイ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
ト、Ｃｕ−Ｚｎフェライトなどの膜からなり、膜厚は１
００Å〜１００００Åとする。高透磁率層４の上にはＳ
ｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯなどからなる保護膜５（膜厚
１００Å〜５０００Å）を設ける。各膜はスパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。
セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4などからなる保護膜２（膜厚１００〜
５０００Å）を設け、その上に室温とキュリー温度Ｔｃ
の間に補償温度Ｔcompを有し垂直磁気異方性を示す強磁
性膜からなる記録層３を設ける。記録層３はＴｂ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなど
の希土類−遷移金属系アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃ
ｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などを用いて構成され、膜厚は
１００Å〜５０００Åとする。記録層３の上には高透磁
率材料からなる磁性層（以下高透磁率層と記す）を設け
る。高透磁率層４はパーマロイ、Ｍｏパーマロイ、スー
パマロイ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
ト、Ｃｕ−Ｚｎフェライトなどの膜からなり、膜厚は１
００Å〜１００００Åとする。高透磁率層４の上にはＳ
ｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯなどからなる保護膜５（膜厚
１００Å〜５０００Å）を設ける。各膜はスパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。
【０００９】なお、本発明で用いる光磁気記録媒体の層
構成は図１に示すものに限定されるものでなく種々の変
形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜を
設けても良く、保護膜２、５を適当に除いても良い。
構成は図１に示すものに限定されるものでなく種々の変
形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜を
設けても良く、保護膜２、５を適当に除いても良い。
【００１０】次に、本発明の光磁気記録方法を説明す
る。本発明の光磁気記録方法は、上記光磁気記録媒体を
用い、照射光の照射条件のみを変化させることによりオ
ーバーライトを実現するものである。外部磁界として
は、記録、消去の際に数Ｏｅ〜３００Ｏｅ程度の小さい
バイアス磁界を加えてもよいし、場合によっては加えな
くても構わない。変化させる照射条件としては、照射光
のスポット径、パルス幅、照射パワー、単パルスか連続
パルスか等を挙げることができる。これらは単独で変化
させてもよいし、２種以上を変化させてもよい。
る。本発明の光磁気記録方法は、上記光磁気記録媒体を
用い、照射光の照射条件のみを変化させることによりオ
ーバーライトを実現するものである。外部磁界として
は、記録、消去の際に数Ｏｅ〜３００Ｏｅ程度の小さい
バイアス磁界を加えてもよいし、場合によっては加えな
くても構わない。変化させる照射条件としては、照射光
のスポット径、パルス幅、照射パワー、単パルスか連続
パルスか等を挙げることができる。これらは単独で変化
させてもよいし、２種以上を変化させてもよい。
【００１１】ここで、照射条件を変化させる方法の具体
例を述べるが、もちろん本発明はここに例示のものに限
定されない。先ず、第１の例として、記録を行おうとす
る部分の磁区の方向を上向きから下向きに、あるいは、
下向きから上向きに切り替える時に、照射光のパルス幅
を他の時とは変える方法がある。以下この方法を用いた
場合の記録、消去動作について述べる。
例を述べるが、もちろん本発明はここに例示のものに限
定されない。先ず、第１の例として、記録を行おうとす
る部分の磁区の方向を上向きから下向きに、あるいは、
下向きから上向きに切り替える時に、照射光のパルス幅
を他の時とは変える方法がある。以下この方法を用いた
場合の記録、消去動作について述べる。
【００１２】図２は本発明者らによる実験結果を示すも
ので、補償温度Ｔcompが室温以上にある希土類−遷移金
属系アモルファス磁性膜にパルス幅を変えて（照射エネ
ルギーは一定になるようにレーザパワーも変化させてい
る）レーザ照射を行なったときの反転した磁区の半径
（室温にもどったときの）とキュリー温度Ｔｃ以上に昇
温されたエリアの半径の変化を表わしている。このよう
に、レーザ照射条件を変えることにより、書込まれた磁
区の大きさが異なることが分かる。また、書込みができ
ない照射条件も存在することが分かる。そこで、本例に
おいては、上記構成の光磁気記録媒体を用い、記録層の
磁化の飽和方向に小さいバイアス磁界Ｈexを印加し（加
えなくてもよい）、図２におけるＡという照射条件（反
転磁区が大きくなる条件）とＢという条件（反転磁区が
小さくなる条件）を組み合わせて記録、消去を行う。そ
の原理を図３に示す。図３では磁壁を作る場合を
“１”、前の磁区を伸ばして新たなる磁壁を作らない場
合を“０”と表している。まず、最初に（ａ）に示すよ
うにＡ照射条件でレーザ光を照射し、大きい反転磁区を
作り、“１”の記録を行なう。そのあと“０”の記録を
行なうときには、（ｂ），（ｃ）に示すように前の磁区
の一部が照射スポットとオーバーラップするようにして
Ｂ照射条件でレーザ光を照射する。そのとき、前の磁区
の小さい反転磁区が中央部にできるとともにその小さい
反転磁区の部分迄磁区が伸びて“０”記録が行なえる。
これをくり返してＢ照射条件で連続的にレーザ光を照射
すると前の磁区がどんどん伸びる。そして、磁区を切断
したい、つまり新しく磁壁を作って“１”記録をしたい
というときは、（ｄ）のように前の磁区の一部がオーバ
ーラップするようにしてＡ照射条件で照射する。する
と、前の磁区の大きい反転磁区ができるため、前の磁区
は伸びることができず、そこで止まり、“１”記録が行
なえる。
ので、補償温度Ｔcompが室温以上にある希土類−遷移金
属系アモルファス磁性膜にパルス幅を変えて（照射エネ
ルギーは一定になるようにレーザパワーも変化させてい
る）レーザ照射を行なったときの反転した磁区の半径
（室温にもどったときの）とキュリー温度Ｔｃ以上に昇
温されたエリアの半径の変化を表わしている。このよう
に、レーザ照射条件を変えることにより、書込まれた磁
区の大きさが異なることが分かる。また、書込みができ
ない照射条件も存在することが分かる。そこで、本例に
おいては、上記構成の光磁気記録媒体を用い、記録層の
磁化の飽和方向に小さいバイアス磁界Ｈexを印加し（加
えなくてもよい）、図２におけるＡという照射条件（反
転磁区が大きくなる条件）とＢという条件（反転磁区が
小さくなる条件）を組み合わせて記録、消去を行う。そ
の原理を図３に示す。図３では磁壁を作る場合を
“１”、前の磁区を伸ばして新たなる磁壁を作らない場
合を“０”と表している。まず、最初に（ａ）に示すよ
うにＡ照射条件でレーザ光を照射し、大きい反転磁区を
作り、“１”の記録を行なう。そのあと“０”の記録を
行なうときには、（ｂ），（ｃ）に示すように前の磁区
の一部が照射スポットとオーバーラップするようにして
Ｂ照射条件でレーザ光を照射する。そのとき、前の磁区
の小さい反転磁区が中央部にできるとともにその小さい
反転磁区の部分迄磁区が伸びて“０”記録が行なえる。
これをくり返してＢ照射条件で連続的にレーザ光を照射
すると前の磁区がどんどん伸びる。そして、磁区を切断
したい、つまり新しく磁壁を作って“１”記録をしたい
というときは、（ｄ）のように前の磁区の一部がオーバ
ーラップするようにしてＡ照射条件で照射する。する
と、前の磁区の大きい反転磁区ができるため、前の磁区
は伸びることができず、そこで止まり、“１”記録が行
なえる。
【００１３】上記では記録を行おうとする部分の磁区の
方向を切り替える時に、照射光のパルス幅を他の時とは
変える場合について述べたが、この場合も含めて磁区の
方向を切り替える時に照射条件を変える方法のいくつか
の例を図４に示す。図中（ａ）記録情報信号、（ｂ）〜
（ｋ）がそれぞれ照射方法の例である。
方向を切り替える時に、照射光のパルス幅を他の時とは
変える場合について述べたが、この場合も含めて磁区の
方向を切り替える時に照射条件を変える方法のいくつか
の例を図４に示す。図中（ａ）記録情報信号、（ｂ）〜
（ｋ）がそれぞれ照射方法の例である。
【００１４】図５は照射条件を変化させる別の方法（３
値オーバライト）の説明図である。この方法では上記第
１の例のＡとＢの照射条件の他に、反転磁区を完全に消
去する照射条件のＡ′条件を用いて、Ａ，Ｂの照射条件
で記録を行ない、Ａ′、Ｂの照射条件で消去を行なう。
値オーバライト）の説明図である。この方法では上記第
１の例のＡとＢの照射条件の他に、反転磁区を完全に消
去する照射条件のＡ′条件を用いて、Ａ，Ｂの照射条件
で記録を行ない、Ａ′、Ｂの照射条件で消去を行なう。
【００１５】図６は照射条件を変化させる更に別の方法
（２値オーバーライト）の説明図である。この方法では
図５の方法における条件ＡとＡ′つまり反転磁区を作る
照射条件Ａと反転磁区を消去する照射条件Ａ′を用い、
Ａ照射条件で記録を行ない、Ａ′照射条件で消去を行な
う。
（２値オーバーライト）の説明図である。この方法では
図５の方法における条件ＡとＡ′つまり反転磁区を作る
照射条件Ａと反転磁区を消去する照射条件Ａ′を用い、
Ａ照射条件で記録を行ない、Ａ′照射条件で消去を行な
う。
【００１６】本発明の方法では、他にもパルス幅と照射
パワーを変化させたり、単パルスと連続パルスとを組合
せたり、ＤＣとパルスとを組合せたりすることによって
もオーバーライトを実現できる。
パワーを変化させたり、単パルスと連続パルスとを組合
せたり、ＤＣとパルスとを組合せたりすることによって
もオーバーライトを実現できる。
【００１７】本発明の方法においては、前記構成の光磁
気記録媒体を用いているため図１のようにレーザ照射さ
れた部分に働くまわりの磁化からの反磁界が高透磁率層
を介してリラクタンス（磁気抵抗）を小さくする形で有
効に働く為、記録および消去の照射条件のマージンを拡
げ、オーバーライトの信頼性を上げることができる。
気記録媒体を用いているため図１のようにレーザ照射さ
れた部分に働くまわりの磁化からの反磁界が高透磁率層
を介してリラクタンス（磁気抵抗）を小さくする形で有
効に働く為、記録および消去の照射条件のマージンを拡
げ、オーバーライトの信頼性を上げることができる。
【００１８】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３
０ｍｍ）の上にｒｆマグネトロンスパッタ法にて下記の
膜を真空中で順次積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録膜：Ｔｂ0.23（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1）0.77（１０００Å） 高透磁率膜：Ｆｅ0.22Ｎｉ0.78（２０００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å）
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３
０ｍｍ）の上にｒｆマグネトロンスパッタ法にて下記の
膜を真空中で順次積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録膜：Ｔｂ0.23（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1）0.77（１０００Å） 高透磁率膜：Ｆｅ0.22Ｎｉ0.78（２０００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å）
【００１９】記録層の補償温度Ｔcompおよびキュリー
温度Ｔｃは以下の通りであった。 Ｔcomp＝１００℃ Ｔｃ＝２００℃
温度Ｔｃは以下の通りであった。 Ｔcomp＝１００℃ Ｔｃ＝２００℃
【００２０】以上のようにして得た記録媒体を線速１０
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界Ｈex＝１００Ｏｅを印加す
るとともに、記録時、消去時及び再生時で以下のように
レーザ照射条件を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生
し、記録／再生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：８ｍＷ 記録時のパルス幅：１００ｎｓ 消去時のレーザパワー：１４ｍＷ 消去時のパルス幅：５０ｎｓ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施した結果、Ｃ／Ｎは４８ｄＢで、高透磁率
層を設けないときに比べて２ｄＢ良くなった。
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界Ｈex＝１００Ｏｅを印加す
るとともに、記録時、消去時及び再生時で以下のように
レーザ照射条件を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生
し、記録／再生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：８ｍＷ 記録時のパルス幅：１００ｎｓ 消去時のレーザパワー：１４ｍＷ 消去時のパルス幅：５０ｎｓ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施した結果、Ｃ／Ｎは４８ｄＢで、高透磁率
層を設けないときに比べて２ｄＢ良くなった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、記録層に隣接して高透
磁率層を設けた光磁気記録媒体を用い、照射光の照射条
件の変化のみでオーバーライトを行なうようにしたの
で、オーバーライトの信頼性を向上させ、記録および消
去の照射条件のマージンを拡げることが可能となる。
磁率層を設けた光磁気記録媒体を用い、照射光の照射条
件の変化のみでオーバーライトを行なうようにしたの
で、オーバーライトの信頼性を向上させ、記録および消
去の照射条件のマージンを拡げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】特定の磁気特性を持つ磁性膜にパルス幅を変え
てレーザ照射を行なったときの反転した磁区の半径とキ
ュリー温度Ｔｃ以上に昇温されたエリアの半径の変化を
表わす図である。
てレーザ照射を行なったときの反転した磁区の半径とキ
ュリー温度Ｔｃ以上に昇温されたエリアの半径の変化を
表わす図である。
【図３】本発明による一例の記録方法における記録、消
去の原理を説明する図である。
去の原理を説明する図である。
【図４】磁区の方向を切り替える時に照射条件を他の時
とは変える方法の例を示す図である。
とは変える方法の例を示す図である。
【図５】照射光の照射条件を変える別の例の説明図であ
る。
る。
【図６】照射光の照射条件を変える更に別の例の説明図
である。
である。
１ 支持体 ２、５ 保護層 ３ 記録層 ４ 高透磁率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 室温とキュリー温度との間に補償温度を
有し垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる記録層に隣
接して高透磁率材料からなる層を設けてなる光磁気記録
媒体を用い、該光磁気記録媒体に照射する光の照射条件
のみを変化させることによりオーバーライト可能な光磁
気記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21015791A JPH0536147A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21015791A JPH0536147A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536147A true JPH0536147A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16584714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21015791A Pending JPH0536147A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476520A (en) * | 1989-07-10 | 1995-12-19 | Applied Materials, Inc. | Shield assembly for semiconductor wafer supports |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP21015791A patent/JPH0536147A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476520A (en) * | 1989-07-10 | 1995-12-19 | Applied Materials, Inc. | Shield assembly for semiconductor wafer supports |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20000023634A (ko) | 광자기기록매체, 그 재생방법 및 재생장치 | |
| JP3786426B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| JPH08273222A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH056588A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP3184272B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2910082B2 (ja) | 光磁気記録再生方法 | |
| JPH0536147A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH06195784A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報記録方法 | |
| JP3184273B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3071246B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3398766B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2796602B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2959646B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP2893089B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH04219642A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP2746313B2 (ja) | 情報記録方法 | |
| JPH0589536A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2883939B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3000385B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2815122B2 (ja) | 情報記録装置 | |
| JP2607476B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH09282726A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH056591A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JPH0512740A (ja) | 光磁気記録方式 |