JPH05347281A - Ashing method and device - Google Patents
Ashing method and deviceInfo
- Publication number
- JPH05347281A JPH05347281A JP34026191A JP34026191A JPH05347281A JP H05347281 A JPH05347281 A JP H05347281A JP 34026191 A JP34026191 A JP 34026191A JP 34026191 A JP34026191 A JP 34026191A JP H05347281 A JPH05347281 A JP H05347281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- substrate
- resist
- wafer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レジストのアッシング
方法及びアッシング装置に関する。本発明は、例えば電
子材料（半導体装置）の製造等のレジストを用いる分野
において汎用することができる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist ashing method and an ashing apparatus. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used in the field of using resists, for example, in the manufacture of electronic materials (semiconductor devices).
【０００２】[0002]
【従来の技術】アッシング技術は、例えば半導体装置製
造の際の配線パターン等のパターン加工形成などのレジ
スト工程において、そのレジスト剥離手段として用いら
れている。2. Description of the Related Art The ashing technique is used as a resist stripping means in a resist process such as a patterning process for forming a wiring pattern or the like in manufacturing a semiconductor device.
【０００３】ところで、集積度がますます高まり、微細
化の進む半導体デバイスの製造では、汚染を防止して信
頼性の高いデバイスを得るためパーティクルの管理が厳
しく行われており、半導体基板ウェハ裏面に着くパーテ
ィクルも、洗浄工程で隣り合うウェハの表面（素子形成
側の面）を汚す原因として減らす努力が行われている。By the way, in the manufacture of semiconductor devices with higher integration and miniaturization, particles are strictly controlled in order to prevent contamination and obtain highly reliable devices. Efforts are also being made to reduce the particles that arrive as a cause of soiling the surface (the surface on the element formation side) of adjacent wafers in the cleaning process.
【０００４】半導体製造装置は、ウェハの大口径化に伴
い枚葉化が進んでいるが、枚葉式装置の多くがウェハ裏
面をサセプターに密着させるタイプであり、裏面のパー
ティクルを増大させるという問題が起きている。The number of single-wafer semiconductor manufacturing apparatuses has been increasing with the increase in diameter of wafers, but most of the single-wafer processing apparatuses are of a type in which the back surface of the wafer is brought into close contact with the susceptor, which causes an increase in particles on the back surface. Is happening.
【０００５】半導体の製造工程で頻繁に使用される装置
の一つに、レジスト剥離用のドライアッシャーがある。
このアッシャーも従来のバレルタイプから、μ波ダウン
ストリームアッシャーなどの枚葉装置に切り換わりつつ
ある。One of the devices frequently used in the semiconductor manufacturing process is a dry asher for stripping the resist.
This asher is also changing from a conventional barrel type to a single-wafer device such as a μ-wave downstream asher.
【０００６】このダウンストリームアッシャーは、例え
ば図４に示す構成のものであり、μ波プラズマＰにより
酸素ラジカルを発生させ、この酸素ラジカルをプラズマ
から離れた所に置かれた被処理基板ウェハ１の面まで輸
送し、アッシングを行う装置であり、プラズマＰが直接
ウェハ１に触れないため、荷電粒子によるダメージが抑
制される。This downstream asher has a structure shown in FIG. 4, for example, and generates oxygen radicals by the μ-wave plasma P, and the oxygen radicals of the substrate wafer 1 to be processed are placed away from the plasma. This is a device for transporting to the surface and performing ashing. Since the plasma P does not directly contact the wafer 1, damage by charged particles is suppressed.
【０００７】しかし、十分なアッシングレートを得るに
はウェハ１の加熱が必要となり、やはりウェハ１の裏面
をヒートブロック２１に密着させ、例えば２５０℃以上
に加熱する方式がとられている。図４中、２２はアッシ
ング処理室、２３は処理室２２を構成するクオーツ、２
４はシャワーヘッドであり、２５は被処理ウェハ１を支
持搬送するリフトピン、２６はこれを駆動するシリンダ
である。２７はガス導入経路を示し、２８はクォーツチ
ューブ、２９はこのカバー管を示し、３０はマグネトロ
ンを示す。However, in order to obtain a sufficient ashing rate, it is necessary to heat the wafer 1, and the back surface of the wafer 1 is also brought into close contact with the heat block 21 and heated to, for example, 250 ° C. or higher. In FIG. 4, 22 is an ashing processing chamber, 23 is a quartz constituting the processing chamber 22,
Reference numeral 4 is a shower head, 25 is a lift pin that supports and conveys the wafer 1 to be processed, and 26 is a cylinder that drives the lift pin. Reference numeral 27 indicates a gas introduction path, 28 indicates a quartz tube, 29 indicates this cover tube, and 30 indicates a magnetron.
【０００８】この構成であると、ウェハ１はヒートブロ
ック２１に接するので、ウェハ裏面にはヒートブロック
２１と接触で付着したパーティクルが大量に付き、次工
程のウェット洗浄で、隣り合うウェハ裏面を汚してしま
う。With this structure, since the wafer 1 is in contact with the heat block 21, a large amount of particles are attached to the back surface of the wafer due to the contact with the heat block 21, and the back surface of the adjacent wafer is contaminated by wet cleaning in the next step. Will end up.
【０００９】これを避けるため、改良型のμ波ダウンス
トリームアッシャー（Ｇａｓｏｎｉｃｓ社）は、図５に
示すようにウェハ１を石英支持具３１により４点で支持
し、ヒートランプ３２により裏面を赤外線３３を照射す
ることで加熱し、十分なアッシングレートを得るように
している。In order to avoid this, an improved μ-wave downstream asher (Gasonics) supports the wafer 1 at four points by a quartz support 31 and a heat lamp 32 on the back side of an infrared ray 33 as shown in FIG. Is heated to irradiate, and a sufficient ashing rate is obtained.
【００１０】しかし、図５のアッシャーにあっても、ウ
ェハ１を支持する支持具３１の支持部が硬い石英である
ため、この部分との接触部にはやはりパーティクルが発
生する。However, even with the asher of FIG. 5, since the support portion of the support 31 for supporting the wafer 1 is made of hard quartz, particles are still generated at the contact portion with this portion.
【００１１】また、ダウンストリーム型の場合、ウェハ
１の裏面に達する荷電粒子はゼロではないため、この荷
電粒子によるダメージを完全に防ぐこともできない。Further, in the case of the downstream type, since the number of charged particles reaching the back surface of the wafer 1 is not zero, it is not possible to completely prevent damage due to the charged particles.
【００１２】一方、ガス系としてＯ3 ガスを用いるＯ3
アッシャーが提案されている。図６にその例を示す。Ｏ
3 アッシャーは、活性なＯ3 ガス（図６に矢印４１でそ
の導入を示す）をウェハ１の裏面に吹き付け、アッシン
グを行うため、荷電粒子によるダメージは全くない。し
かしアッシングレートは単なるＯ3 ガスの吹き付けでは
十分には得られない。このためＵＶランプ４２を設け
て、ウェハ１の表面へのＵＶ光４３を照射によって反応
効率を向上する等の工夫が必須であるが、この場合も、
ヒーター４４等によるウェハ１の加熱が必須であり、ウ
ェハ１は加熱ステージ４５上に置かれる。従って、ウェ
ハ１の裏面にはパーティクルが付着し、次の洗浄工程で
隣り合うウェハ面を汚してしまうことになる。４６はＯ
3 導入石英ノズルである。Meanwhile, O 3 using the O 3 gas as a gas system
Usher is proposed. FIG. 6 shows an example thereof. O
The 3 asher blows an active O 3 gas (introduced by an arrow 41 in FIG. 6) onto the back surface of the wafer 1 to ash, so that there is no damage by charged particles. However, the ashing rate cannot be sufficiently obtained by simply blowing O 3 gas. Therefore, it is essential to provide a UV lamp 42 and improve the reaction efficiency by irradiating the surface of the wafer 1 with UV light 43. In this case, too,
The heating of the wafer 1 by the heater 44 or the like is essential, and the wafer 1 is placed on the heating stage 45. Therefore, particles adhere to the back surface of the wafer 1 and stain adjacent wafer surfaces in the next cleaning step. 46 is O
This is a three- introduction quartz nozzle.
【００１３】また、上記従来例はいずれもウェハ裏面を
何らかの形態で接触保持するため、仮にウェハ裏面のレ
ジスト剥離を行いたい場合があっても、ウェハ裏面全面
のレジスト除去は不可能であった。Further, in all of the above-mentioned conventional examples, since the back surface of the wafer is held in contact with it in some form, even if it is desired to remove the resist from the back surface of the wafer, it is impossible to remove the resist from the entire back surface of the wafer.
【００１４】[0014]
【発明の目的】本発明は、従来技術の上記諸問題点を解
決して、パーティクル付着を防止しつつ、ダメージの入
らないアッシングを行うことができ、また必要な場合に
は裏面のレジスト剥離も可能であるアッシング技術を提
供せんとするものである。It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art, to prevent particle adhesion and to perform ashing without damage, and to remove the resist on the back surface when necessary. It is intended to provide a possible ashing technology.
【００１５】[0015]
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、基体上に形成されたレジストのアッシングを行う
アッシング方法において、ベルヌーイチャック形のノズ
ルよりレジストのアッシングを行う少なくともＯ3 を含
むガスを噴射し、該アッシングガスにより、基体のレジ
スト塗布膜面をチャック側にして吸引保持した非接触状
態で、レジスト剥離を行うことを特徴とするアッシング
方法であって、この構成により上記目的を達成するもの
である。According to the invention of claim 1 of the present application, in an ashing method for ashing a resist formed on a substrate, at least O 3 for ashing the resist from a Bernoulli chuck type nozzle is used. An ashing method comprising: injecting a gas containing the ashing gas, and performing resist stripping in a non-contact state in which the resist coating film surface of the substrate is sucked and held with the chuck side being a chuck side. Is achieved.
【００１６】本出願の請求項２の発明は、基体の裏面を
非接触で加熱することを特徴とする請求項１のアッシン
グ方法であって、この構成により上記目的を達成するも
のである。The invention according to claim 2 of the present application is the ashing method according to claim 1 characterized in that the back surface of the substrate is heated in a non-contact manner, and the object is achieved by this configuration.
【００１７】本出願の請求項３の発明は、ベルヌーイチ
ャック形の石英ノズルにより少なくともＯ3 を含むガス
を噴射し、基体表面に該石英ノズルを通してＵＶ光を照
射し、基体裏面を非接触で加熱することを特徴とする請
求項１のアッシング方法であって、この構成により上記
目的を達成するものである。According to a third aspect of the present invention, a Bernoulli chuck type quartz nozzle injects a gas containing at least O 3 and irradiates the front surface of the substrate with UV light to heat the rear surface of the substrate without contact. The ashing method according to claim 1, wherein the configuration achieves the above object.
【００１８】本出願の請求項４の発明は、基体上に形成
されたレジストのアッシングを行うアッシング装置にお
いて、ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのア
ッシングを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、該
アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面を該チ
ャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト剥
離を行う構成としたアッシング装置であって、この構成
により上記目的を達成するものである。According to a fourth aspect of the present invention, in an ashing device for ashing a resist formed on a substrate, a gas containing at least O 3 for ashing the resist is jetted from a Bernoulli chuck type nozzle, An ashing device configured to perform resist stripping in a non-contact state in which a resist coating film surface of a substrate is suction-held with the ashing gas on the chuck side, and this configuration achieves the above object.
【００１９】[0019]
【作用】本出願の発明によれば、基体をベルヌーイチャ
ック形ノズルのガス噴射の機構を利用して、ガス流によ
って被処理基体であるウェハ等を非接触状態で吸引保持
するので、支持のための接触に起因するパーティクルの
付着は生じない。よってパーティクル付着及びこれが他
の基体（ウェハ）に移ることによるパーティクル汚染も
なく、パーティクルの問題を解決できる。また、基体の
裏面のレジスト剥離が必要な時はこれを容易に除去でき
る。According to the invention of the present application, since the substrate is sucked and held in a non-contact state by the gas flow in a non-contact state by utilizing the gas injection mechanism of the Bernoulli chuck type nozzle, the substrate is supported. Adhesion of particles does not occur due to contact of the particles. Therefore, the particle problem can be solved without particle adhesion and particle contamination due to the particle transfer to another substrate (wafer). Further, when it is necessary to remove the resist on the back surface of the substrate, this can be easily removed.
【００２０】また本発明は、Ｏ3 を用いたアッシングで
あるため荷電粒子によるダメージも入らない。Further, since the present invention is ashing using O 3 , it is free from damage by charged particles.
【００２１】また請求項２の発明のように、基体等のウ
ェハの裏面を赤外線等により非接触で加熱すると、アッ
シング効率を向上させることができる。When the back surface of the wafer such as the substrate is heated by infrared rays or the like in a non-contact manner as in the second aspect of the invention, the ashing efficiency can be improved.
【００２２】更に請求項３の発明のように、石英ノズル
を通してＵＶ光を基体裏面に照射すると、一層効果的で
ある。Further, as in the third aspect of the invention, it is more effective to irradiate the back surface of the substrate with UV light through a quartz nozzle.
【００２３】また、従来は一般に鉄製であったベルヌー
イチャックを、請求項３の発明のように石英製にするこ
とで、パーティクルの問題を更に改良できる。Further, the problem of particles can be further improved by making the Bernoulli chuck, which has been conventionally made of iron, made of quartz as in the third aspect of the invention.
【００２４】[0024]
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことであるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, as a matter of course, the present invention is not limited to the following examples.
【００２５】実施例１ 図１及び図２を参照する。本実施例のレジストアッシン
グ技術は、図１（ｃ）に示すように、基体１である半導
体基板ウェハ上に形成されたレジストのアッシングを行
うに際し、ベルヌーイチャック形のノズル２よりレジス
トのアッシングを行う少なくともＯ3 を含むガス（矢印
３で示す）を噴射し、該アッシングガスにより、基体１
のレジスト塗布膜面をチャック側して吸引保持した非接
触状態で、レジスト剥離を行う。Example 1 Please refer to FIG. 1 and FIG. In the resist ashing technique of this embodiment, as shown in FIG. 1C, when ashing a resist formed on a semiconductor substrate wafer which is a substrate 1, ashing resist is performed from a Bernoulli chuck type nozzle 2. A gas containing at least O 3 (indicated by an arrow 3) is jetted, and the ashing gas is used to make the substrate 1
The resist is peeled off in a non-contact state in which the surface of the resist coating film is chucked and held on the chuck side.
【００２６】本明細書中、非接触状態での吸引保持と
は、図１に例示のように、基体の一方の面のがわから流
体を流し、この流体が、基体の他方の面にまわりこむ際
の両面の流体の圧力差により基体を浮かせて、基体を非
接触で支持することを言う。In the present specification, the suction-holding in a non-contact state means that as shown in FIG. 1, a fluid is made to flow from one side of the substrate, and this fluid wraps around to the other side of the substrate. In this case, the substrate is floated by the pressure difference between the fluids on both sides to support the substrate in a non-contact manner.
【００２７】本実施例は詳しくは、図１（ａ）及び図２
に示すように、吸着面をテフロン樹脂パッド５１でカバ
ーした真空チャック形搬送アーム５により、ステンレス
製のチェンバー１０内に設けたベルヌーイチャック形石
英ノズル２内に被処理基体１であるウェハを搬送し、図
１（ａ）に示すようにノズル２よりＡｒガスを噴射す
る。This embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIG. 3, the vacuum chuck type transfer arm 5 whose suction surface is covered with the Teflon resin pad 51 transfers the wafer as the substrate 1 to be processed into the Bernoulli chuck type quartz nozzle 2 provided in the chamber 10 made of stainless steel. As shown in FIG. 1A, Ar gas is injected from the nozzle 2.
【００２８】この時Ａｒガス流（Ｉ）は、基体１である
ウェハの裏面側にまわりこむガス流(II)に比べ流速が速
くなり、チャック２内に負圧が生じる。これにより基体
１であるウェハはチャック２内に吸引される。At this time, the Ar gas flow (I) has a higher flow velocity than the gas flow (II) circling around the back side of the wafer which is the substrate 1, and a negative pressure is generated in the chuck 2. As a result, the wafer that is the base 1 is attracted into the chuck 2.
【００２９】この後図１（ｂ）に示すように、真空チャ
ックアーム５を基体１から外し、チェンバー１０の外へ
出す。アームが外れた後、基体１はチャック２内へ吸引
されるが、Ａｒガス流（Ｉ）によって押し戻され、非接
触状態でチャック２内に支持される。Thereafter, as shown in FIG. 1 (b), the vacuum chuck arm 5 is removed from the substrate 1 and is taken out of the chamber 10. After the arm is disengaged, the substrate 1 is sucked into the chuck 2, but is pushed back by the Ar gas flow (I) and supported in the chuck 2 in a non-contact state.
【００３０】チェンバー１０を降ろして外気と遮断した
後、ノズル２から噴射するＡｒを次第にＯ3 に切り換
え、基体１であるウェハの裏面を石英窓６を介して赤外
線ランプ４１で加熱する（図２参照）。符号４で赤外線
を示す（図１（ｃ）参照）。After lowering the chamber 10 to shut it off from the outside air, Ar sprayed from the nozzle 2 is gradually switched to O 3, and the back surface of the wafer, which is the substrate 1, is heated by the infrared lamp 41 through the quartz window 6 (FIG. 2). reference). Reference numeral 4 indicates infrared rays (see FIG. 1C).
【００３１】これにより非接触状態で高レートでアッシ
ングが行える。ガス流、基体ウェハ加熱温度条件は、以
下の通りとした。 Ａｒガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（搬送時） Ｏ3 ガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（処理時） ウェハ加熱温度 ２５０℃As a result, ashing can be performed at a high rate in a non-contact state. The gas flow and substrate wafer heating temperature conditions were as follows. Ar gas flow rate 120 liter / min (during transfer) O 3 gas flow rate 120 liter / min (during processing) Wafer heating temperature 250 ° C.
【００３２】なお図２中、１１はガス導入系であるフレ
キシブルガスホール、矢印１２は排気系を示す。１３は
チェンバー昇降用シリンダである。In FIG. 2, 11 is a flexible gas hole which is a gas introduction system, and arrow 12 is an exhaust system. Reference numeral 13 is a chamber lifting cylinder.
【００３３】実施例２ 次に図３を参照して、第３の実施例を説明する。この実
施例は、基体１であるウェハの裏面にＵＶ光を照射し
（矢印７でＵＶ光を模式的に示す）、更にアッシングレ
ートを高めた例である。Second Embodiment Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. This example is an example in which the back surface of the wafer which is the base 1 is irradiated with UV light (the UV light is schematically shown by an arrow 7) to further increase the ashing rate.
【００３４】本実施例では、図３に示すように、チェン
バー１０の天板に石英窓１４を設け、その奥にＵＶラン
プ７１を取り付ける。ＵＶ光７は、この石英窓１４と石
英製のベルヌーイチャック形ノズル２を透過して基体１
であるウェハの表面に照射する。In this embodiment, as shown in FIG. 3, a quartz window 14 is provided on the top plate of the chamber 10, and a UV lamp 71 is attached to the back of the quartz window 14. The UV light 7 passes through the quartz window 14 and the Bernoulli chuck type nozzle 2 made of quartz, and the substrate 1
To the surface of the wafer.
【００３５】本例では、ＵＶランプ７１としては主発光
波長が２５４ｎｍの高照度ＵＶ灯を用い、基体１である
ウェハへの照射が１００ｍＷ／ｃｍ2 以上となるよう配
置する。In this example, a high-intensity UV lamp having a main emission wavelength of 254 nm is used as the UV lamp 71, and the UV lamp 71 is arranged so that the irradiation of the wafer as the base 1 is 100 mW / cm 2 or more.
【００３６】ガス３をなすＯ3 は、そのＵＶ吸収ピーク
が２５５ｎｍにあり、ＵＶランプ７１からのＵＶ光７を
受けて解離効率が向上し、レジストの灰化速度も高ま
る。このＵＶランプ７１の設置で、アッシングは実施例
１に比べ、１５０％近く向上した。O 3 forming the gas 3 has a UV absorption peak at 255 nm, receives the UV light 7 from the UV lamp 71, improves the dissociation efficiency, and increases the ashing rate of the resist. By installing this UV lamp 71, ashing was improved by nearly 150% as compared with the first embodiment.
【００３７】実施条件であるガス流量、ウェハ温度、搬
送方式は、実施例１と同様である。The gas flow rate, wafer temperature, and transfer method, which are the implementation conditions, are the same as those in the first embodiment.
【００３８】なお、本発明は、当然のことながら上記各
実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で、
各種装置構成、材質、ガス流量、温度等は適宜変更でき
ることは言うまでもない。The present invention is not of course limited to the above embodiments, but within the scope of the present invention,
It goes without saying that various device configurations, materials, gas flow rates, temperatures, etc. can be changed as appropriate.
【００３９】[0039]
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、パーティ
クル付着を防止しつつ、ダメージの入らないアッシング
を行うことができ、また必要な場合には裏面のレジスト
剥離も可能であるアッシング技術が提供できる。As described above, according to the present invention, there is provided an ashing technique capable of performing ashing without damage while preventing particles from adhering, and removing resist on the back surface when necessary. Can be provided.
【図１】実施例１の構成及び作用の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a configuration and an action of a first embodiment.
【図２】実施例１の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a first embodiment.
【図３】実施例２の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment.
【図４】従来のダウンフロー型マイクロ波アッシャーを
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional downflow type microwave asher.
【図５】従来の改良型のダウンフロー型マイクロ波アッ
シャーを示す図である。FIG. 5 is a view showing a conventional improved downflow type microwave asher.
【図６】従来のＯ3 アッシャーを示す図である。FIG. 6 is a view showing a conventional O 3 asher.
１ 被処理基体（ウェハ） ２ ベルヌーイチャック形のノズル ３ ガス（Ｏ3 を含むガス） ４ 加熱（赤外光） ７ ＵＶ光1 substrate to be processed (wafer) 2 Bernoulli chuck type nozzle 3 gas (gas containing O 3 ) 4 heating (infrared light) 7 UV light
Claims (4)
を行うアッシング方法において、 ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのアッシン
グを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、 該アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面をチ
ャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト剥
離を行うことを特徴とするアッシング方法。1. An ashing method for ashing a resist formed on a substrate, wherein a gas containing at least O 3 for ashing the resist is jetted from a Bernoulli chuck type nozzle, and the substrate is coated with the resist by the ashing gas. An ashing method, characterized in that the resist is stripped in a non-contact state in which the film surface is held by suction with the chuck side.
とする請求項１のアッシング方法。2. The ashing method according to claim 1, wherein the back surface of the substrate is heated without contact.
少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、基体表面に該石英
ノズルを通してＵＶ光を照射し、基体裏面を非接触で加
熱することを特徴とする請求項１のアッシング方法。3. A Bernoulli chuck type quartz nozzle is used to inject a gas containing at least O 3 and the front surface of the substrate is irradiated with UV light to heat the rear surface of the substrate in a non-contact manner. Method 1 of ashing.
を行うアッシング装置において、 ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのアッシン
グを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、 該アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面を該
チャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト
剥離を行う構成としたアッシング装置。4. An ashing device for ashing a resist formed on a substrate, wherein a gas containing at least O 3 for ashing the resist is jetted from a Bernoulli chuck type nozzle, and the ashing gas is used to apply a resist to the substrate. An ashing device configured to perform resist stripping in a non-contact state in which the film surface is held by suction on the chuck side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34026191A JPH05347281A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Ashing method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34026191A JPH05347281A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Ashing method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347281A true JPH05347281A (en) | 1993-12-27 |
Family
ID=18335250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34026191A Pending JPH05347281A (en) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | Ashing method and device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347281A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384060B1 (en) * | 2000-12-04 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor device and chuck assembly having same |
| JP2012230997A (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | Etching method of substrate |
| JP2016184632A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 豊田合成株式会社 | Semiconductor device manufacturing method and resist removing device |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP34026191A patent/JPH05347281A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384060B1 (en) * | 2000-12-04 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor device and chuck assembly having same |
| JP2012230997A (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | Etching method of substrate |
| JP2016184632A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 豊田合成株式会社 | Semiconductor device manufacturing method and resist removing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101989324B1 (en) | Focus ring and substrate processing apparatus having same | |
| KR101153330B1 (en) | Method of cleaning plasma-treating apparatus, plasma-treating apparatus where the cleaning method is practiced, and memory medium memorizing program executing the cleaning method | |
| US6767698B2 (en) | High speed stripping for damaged photoresist | |
| TW577111B (en) | Mask formation method, semiconductor apparatus, circuit, display module, color filter, and light emitting device | |
| KR20040105567A (en) | Method and apparatus for removing organic layers | |
| TWI286780B (en) | Substrate processing system and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4283366B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2008226991A (en) | Plasma treatment equipment | |
| WO2008097462A1 (en) | Plenum reactor system | |
| US6479410B2 (en) | Processing method for object to be processed including a pre-coating step to seal fluorine | |
| TWI756424B (en) | Method of cleaming plasma processing | |
| JP2002523906A (en) | How to remove organic substances from a substrate | |
| JPH05347281A (en) | Ashing method and device | |
| TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
| JPH0927474A (en) | Ashing method and apparatus | |
| JPS63260034A (en) | Asher | |
| KR100801857B1 (en) | Method for ashing substrates | |
| JPH0497515A (en) | Resist removing apparatus | |
| JPS6370429A (en) | Ashing apparatus | |
| JPH0713215Y2 (en) | Semiconductor resist ashing equipment | |
| JP3852627B2 (en) | UV treatment equipment | |
| KR20070045536A (en) | Semiconductor ashing apparatus | |
| JP2008091653A (en) | Application/development processing method | |
| JP2892049B2 (en) | Resist ashing method | |
| JPH10270424A (en) | Method of forming semiconductor element pattern |