JPH05347281A - アッシング方法及びアッシング装置 - Google Patents
アッシング方法及びアッシング装置Info
- Publication number
- JPH05347281A JPH05347281A JP34026191A JP34026191A JPH05347281A JP H05347281 A JPH05347281 A JP H05347281A JP 34026191 A JP34026191 A JP 34026191A JP 34026191 A JP34026191 A JP 34026191A JP H05347281 A JPH05347281 A JP H05347281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- substrate
- resist
- wafer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクル付着を防止しつつ、ダメージの
入らないアッシングを行うことができ、また必要な場合
には裏面のレジスト剥離もできるアッシング技術の提
供。 【構成】 被処理基体１上に形成されたレジストのアッ
シングを行う際、ベルヌーイチャック形のノズル２より
レジストのアッシングを行う少なくともＯ3 を含むガス
を噴射し、このガスにより、基体１のレジスト塗布膜面
をチャック２側にして吸引保持した非接触状態で、必要
に応じてＵＶ光７照射や、加熱４を併用して、レジスト
剥離を行うアッシング方法及び装置。
入らないアッシングを行うことができ、また必要な場合
には裏面のレジスト剥離もできるアッシング技術の提
供。 【構成】 被処理基体１上に形成されたレジストのアッ
シングを行う際、ベルヌーイチャック形のノズル２より
レジストのアッシングを行う少なくともＯ3 を含むガス
を噴射し、このガスにより、基体１のレジスト塗布膜面
をチャック２側にして吸引保持した非接触状態で、必要
に応じてＵＶ光７照射や、加熱４を併用して、レジスト
剥離を行うアッシング方法及び装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストのアッシング
方法及びアッシング装置に関する。本発明は、例えば電
子材料（半導体装置）の製造等のレジストを用いる分野
において汎用することができる。
方法及びアッシング装置に関する。本発明は、例えば電
子材料（半導体装置）の製造等のレジストを用いる分野
において汎用することができる。
【０００２】
【従来の技術】アッシング技術は、例えば半導体装置製
造の際の配線パターン等のパターン加工形成などのレジ
スト工程において、そのレジスト剥離手段として用いら
れている。
造の際の配線パターン等のパターン加工形成などのレジ
スト工程において、そのレジスト剥離手段として用いら
れている。
【０００３】ところで、集積度がますます高まり、微細
化の進む半導体デバイスの製造では、汚染を防止して信
頼性の高いデバイスを得るためパーティクルの管理が厳
しく行われており、半導体基板ウェハ裏面に着くパーテ
ィクルも、洗浄工程で隣り合うウェハの表面（素子形成
側の面）を汚す原因として減らす努力が行われている。
化の進む半導体デバイスの製造では、汚染を防止して信
頼性の高いデバイスを得るためパーティクルの管理が厳
しく行われており、半導体基板ウェハ裏面に着くパーテ
ィクルも、洗浄工程で隣り合うウェハの表面（素子形成
側の面）を汚す原因として減らす努力が行われている。
【０００４】半導体製造装置は、ウェハの大口径化に伴
い枚葉化が進んでいるが、枚葉式装置の多くがウェハ裏
面をサセプターに密着させるタイプであり、裏面のパー
ティクルを増大させるという問題が起きている。
い枚葉化が進んでいるが、枚葉式装置の多くがウェハ裏
面をサセプターに密着させるタイプであり、裏面のパー
ティクルを増大させるという問題が起きている。
【０００５】半導体の製造工程で頻繁に使用される装置
の一つに、レジスト剥離用のドライアッシャーがある。
このアッシャーも従来のバレルタイプから、μ波ダウン
ストリームアッシャーなどの枚葉装置に切り換わりつつ
ある。
の一つに、レジスト剥離用のドライアッシャーがある。
このアッシャーも従来のバレルタイプから、μ波ダウン
ストリームアッシャーなどの枚葉装置に切り換わりつつ
ある。
【０００６】このダウンストリームアッシャーは、例え
ば図４に示す構成のものであり、μ波プラズマＰにより
酸素ラジカルを発生させ、この酸素ラジカルをプラズマ
から離れた所に置かれた被処理基板ウェハ１の面まで輸
送し、アッシングを行う装置であり、プラズマＰが直接
ウェハ１に触れないため、荷電粒子によるダメージが抑
制される。
ば図４に示す構成のものであり、μ波プラズマＰにより
酸素ラジカルを発生させ、この酸素ラジカルをプラズマ
から離れた所に置かれた被処理基板ウェハ１の面まで輸
送し、アッシングを行う装置であり、プラズマＰが直接
ウェハ１に触れないため、荷電粒子によるダメージが抑
制される。
【０００７】しかし、十分なアッシングレートを得るに
はウェハ１の加熱が必要となり、やはりウェハ１の裏面
をヒートブロック２１に密着させ、例えば２５０℃以上
に加熱する方式がとられている。図４中、２２はアッシ
ング処理室、２３は処理室２２を構成するクオーツ、２
４はシャワーヘッドであり、２５は被処理ウェハ１を支
持搬送するリフトピン、２６はこれを駆動するシリンダ
である。２７はガス導入経路を示し、２８はクォーツチ
ューブ、２９はこのカバー管を示し、３０はマグネトロ
ンを示す。
はウェハ１の加熱が必要となり、やはりウェハ１の裏面
をヒートブロック２１に密着させ、例えば２５０℃以上
に加熱する方式がとられている。図４中、２２はアッシ
ング処理室、２３は処理室２２を構成するクオーツ、２
４はシャワーヘッドであり、２５は被処理ウェハ１を支
持搬送するリフトピン、２６はこれを駆動するシリンダ
である。２７はガス導入経路を示し、２８はクォーツチ
ューブ、２９はこのカバー管を示し、３０はマグネトロ
ンを示す。
【０００８】この構成であると、ウェハ１はヒートブロ
ック２１に接するので、ウェハ裏面にはヒートブロック
２１と接触で付着したパーティクルが大量に付き、次工
程のウェット洗浄で、隣り合うウェハ裏面を汚してしま
う。
ック２１に接するので、ウェハ裏面にはヒートブロック
２１と接触で付着したパーティクルが大量に付き、次工
程のウェット洗浄で、隣り合うウェハ裏面を汚してしま
う。
【０００９】これを避けるため、改良型のμ波ダウンス
トリームアッシャー（Ｇａｓｏｎｉｃｓ社）は、図５に
示すようにウェハ１を石英支持具３１により４点で支持
し、ヒートランプ３２により裏面を赤外線３３を照射す
ることで加熱し、十分なアッシングレートを得るように
している。
トリームアッシャー（Ｇａｓｏｎｉｃｓ社）は、図５に
示すようにウェハ１を石英支持具３１により４点で支持
し、ヒートランプ３２により裏面を赤外線３３を照射す
ることで加熱し、十分なアッシングレートを得るように
している。
【００１０】しかし、図５のアッシャーにあっても、ウ
ェハ１を支持する支持具３１の支持部が硬い石英である
ため、この部分との接触部にはやはりパーティクルが発
生する。
ェハ１を支持する支持具３１の支持部が硬い石英である
ため、この部分との接触部にはやはりパーティクルが発
生する。
【００１１】また、ダウンストリーム型の場合、ウェハ
１の裏面に達する荷電粒子はゼロではないため、この荷
電粒子によるダメージを完全に防ぐこともできない。
１の裏面に達する荷電粒子はゼロではないため、この荷
電粒子によるダメージを完全に防ぐこともできない。
【００１２】一方、ガス系としてＯ3 ガスを用いるＯ3
アッシャーが提案されている。図６にその例を示す。Ｏ
3 アッシャーは、活性なＯ3 ガス（図６に矢印４１でそ
の導入を示す）をウェハ１の裏面に吹き付け、アッシン
グを行うため、荷電粒子によるダメージは全くない。し
かしアッシングレートは単なるＯ3 ガスの吹き付けでは
十分には得られない。このためＵＶランプ４２を設け
て、ウェハ１の表面へのＵＶ光４３を照射によって反応
効率を向上する等の工夫が必須であるが、この場合も、
ヒーター４４等によるウェハ１の加熱が必須であり、ウ
ェハ１は加熱ステージ４５上に置かれる。従って、ウェ
ハ１の裏面にはパーティクルが付着し、次の洗浄工程で
隣り合うウェハ面を汚してしまうことになる。４６はＯ
3 導入石英ノズルである。
アッシャーが提案されている。図６にその例を示す。Ｏ
3 アッシャーは、活性なＯ3 ガス（図６に矢印４１でそ
の導入を示す）をウェハ１の裏面に吹き付け、アッシン
グを行うため、荷電粒子によるダメージは全くない。し
かしアッシングレートは単なるＯ3 ガスの吹き付けでは
十分には得られない。このためＵＶランプ４２を設け
て、ウェハ１の表面へのＵＶ光４３を照射によって反応
効率を向上する等の工夫が必須であるが、この場合も、
ヒーター４４等によるウェハ１の加熱が必須であり、ウ
ェハ１は加熱ステージ４５上に置かれる。従って、ウェ
ハ１の裏面にはパーティクルが付着し、次の洗浄工程で
隣り合うウェハ面を汚してしまうことになる。４６はＯ
3 導入石英ノズルである。
【００１３】また、上記従来例はいずれもウェハ裏面を
何らかの形態で接触保持するため、仮にウェハ裏面のレ
ジスト剥離を行いたい場合があっても、ウェハ裏面全面
のレジスト除去は不可能であった。
何らかの形態で接触保持するため、仮にウェハ裏面のレ
ジスト剥離を行いたい場合があっても、ウェハ裏面全面
のレジスト除去は不可能であった。
【００１４】
【発明の目的】本発明は、従来技術の上記諸問題点を解
決して、パーティクル付着を防止しつつ、ダメージの入
らないアッシングを行うことができ、また必要な場合に
は裏面のレジスト剥離も可能であるアッシング技術を提
供せんとするものである。
決して、パーティクル付着を防止しつつ、ダメージの入
らないアッシングを行うことができ、また必要な場合に
は裏面のレジスト剥離も可能であるアッシング技術を提
供せんとするものである。
【００１５】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、基体上に形成されたレジストのアッシングを行う
アッシング方法において、ベルヌーイチャック形のノズ
ルよりレジストのアッシングを行う少なくともＯ3 を含
むガスを噴射し、該アッシングガスにより、基体のレジ
スト塗布膜面をチャック側にして吸引保持した非接触状
態で、レジスト剥離を行うことを特徴とするアッシング
方法であって、この構成により上記目的を達成するもの
である。
明は、基体上に形成されたレジストのアッシングを行う
アッシング方法において、ベルヌーイチャック形のノズ
ルよりレジストのアッシングを行う少なくともＯ3 を含
むガスを噴射し、該アッシングガスにより、基体のレジ
スト塗布膜面をチャック側にして吸引保持した非接触状
態で、レジスト剥離を行うことを特徴とするアッシング
方法であって、この構成により上記目的を達成するもの
である。
【００１６】本出願の請求項２の発明は、基体の裏面を
非接触で加熱することを特徴とする請求項１のアッシン
グ方法であって、この構成により上記目的を達成するも
のである。
非接触で加熱することを特徴とする請求項１のアッシン
グ方法であって、この構成により上記目的を達成するも
のである。
【００１７】本出願の請求項３の発明は、ベルヌーイチ
ャック形の石英ノズルにより少なくともＯ3 を含むガス
を噴射し、基体表面に該石英ノズルを通してＵＶ光を照
射し、基体裏面を非接触で加熱することを特徴とする請
求項１のアッシング方法であって、この構成により上記
目的を達成するものである。
ャック形の石英ノズルにより少なくともＯ3 を含むガス
を噴射し、基体表面に該石英ノズルを通してＵＶ光を照
射し、基体裏面を非接触で加熱することを特徴とする請
求項１のアッシング方法であって、この構成により上記
目的を達成するものである。
【００１８】本出願の請求項４の発明は、基体上に形成
されたレジストのアッシングを行うアッシング装置にお
いて、ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのア
ッシングを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、該
アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面を該チ
ャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト剥
離を行う構成としたアッシング装置であって、この構成
により上記目的を達成するものである。
されたレジストのアッシングを行うアッシング装置にお
いて、ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのア
ッシングを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、該
アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面を該チ
ャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト剥
離を行う構成としたアッシング装置であって、この構成
により上記目的を達成するものである。
【００１９】
【作用】本出願の発明によれば、基体をベルヌーイチャ
ック形ノズルのガス噴射の機構を利用して、ガス流によ
って被処理基体であるウェハ等を非接触状態で吸引保持
するので、支持のための接触に起因するパーティクルの
付着は生じない。よってパーティクル付着及びこれが他
の基体（ウェハ）に移ることによるパーティクル汚染も
なく、パーティクルの問題を解決できる。また、基体の
裏面のレジスト剥離が必要な時はこれを容易に除去でき
る。
ック形ノズルのガス噴射の機構を利用して、ガス流によ
って被処理基体であるウェハ等を非接触状態で吸引保持
するので、支持のための接触に起因するパーティクルの
付着は生じない。よってパーティクル付着及びこれが他
の基体（ウェハ）に移ることによるパーティクル汚染も
なく、パーティクルの問題を解決できる。また、基体の
裏面のレジスト剥離が必要な時はこれを容易に除去でき
る。
【００２０】また本発明は、Ｏ3 を用いたアッシングで
あるため荷電粒子によるダメージも入らない。
あるため荷電粒子によるダメージも入らない。
【００２１】また請求項２の発明のように、基体等のウ
ェハの裏面を赤外線等により非接触で加熱すると、アッ
シング効率を向上させることができる。
ェハの裏面を赤外線等により非接触で加熱すると、アッ
シング効率を向上させることができる。
【００２２】更に請求項３の発明のように、石英ノズル
を通してＵＶ光を基体裏面に照射すると、一層効果的で
ある。
を通してＵＶ光を基体裏面に照射すると、一層効果的で
ある。
【００２３】また、従来は一般に鉄製であったベルヌー
イチャックを、請求項３の発明のように石英製にするこ
とで、パーティクルの問題を更に改良できる。
イチャックを、請求項３の発明のように石英製にするこ
とで、パーティクルの問題を更に改良できる。
【００２４】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことであるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。
て説明する。但し当然のことであるが、本発明は以下の
実施例により限定されるものではない。
【００２５】実施例１ 図１及び図２を参照する。本実施例のレジストアッシン
グ技術は、図１（ｃ）に示すように、基体１である半導
体基板ウェハ上に形成されたレジストのアッシングを行
うに際し、ベルヌーイチャック形のノズル２よりレジス
トのアッシングを行う少なくともＯ3 を含むガス（矢印
３で示す）を噴射し、該アッシングガスにより、基体１
のレジスト塗布膜面をチャック側して吸引保持した非接
触状態で、レジスト剥離を行う。
グ技術は、図１（ｃ）に示すように、基体１である半導
体基板ウェハ上に形成されたレジストのアッシングを行
うに際し、ベルヌーイチャック形のノズル２よりレジス
トのアッシングを行う少なくともＯ3 を含むガス（矢印
３で示す）を噴射し、該アッシングガスにより、基体１
のレジスト塗布膜面をチャック側して吸引保持した非接
触状態で、レジスト剥離を行う。
【００２６】本明細書中、非接触状態での吸引保持と
は、図１に例示のように、基体の一方の面のがわから流
体を流し、この流体が、基体の他方の面にまわりこむ際
の両面の流体の圧力差により基体を浮かせて、基体を非
接触で支持することを言う。
は、図１に例示のように、基体の一方の面のがわから流
体を流し、この流体が、基体の他方の面にまわりこむ際
の両面の流体の圧力差により基体を浮かせて、基体を非
接触で支持することを言う。
【００２７】本実施例は詳しくは、図１（ａ）及び図２
に示すように、吸着面をテフロン樹脂パッド５１でカバ
ーした真空チャック形搬送アーム５により、ステンレス
製のチェンバー１０内に設けたベルヌーイチャック形石
英ノズル２内に被処理基体１であるウェハを搬送し、図
１（ａ）に示すようにノズル２よりＡｒガスを噴射す
る。
に示すように、吸着面をテフロン樹脂パッド５１でカバ
ーした真空チャック形搬送アーム５により、ステンレス
製のチェンバー１０内に設けたベルヌーイチャック形石
英ノズル２内に被処理基体１であるウェハを搬送し、図
１（ａ）に示すようにノズル２よりＡｒガスを噴射す
る。
【００２８】この時Ａｒガス流（Ｉ）は、基体１である
ウェハの裏面側にまわりこむガス流(II)に比べ流速が速
くなり、チャック２内に負圧が生じる。これにより基体
１であるウェハはチャック２内に吸引される。
ウェハの裏面側にまわりこむガス流(II)に比べ流速が速
くなり、チャック２内に負圧が生じる。これにより基体
１であるウェハはチャック２内に吸引される。
【００２９】この後図１（ｂ）に示すように、真空チャ
ックアーム５を基体１から外し、チェンバー１０の外へ
出す。アームが外れた後、基体１はチャック２内へ吸引
されるが、Ａｒガス流（Ｉ）によって押し戻され、非接
触状態でチャック２内に支持される。
ックアーム５を基体１から外し、チェンバー１０の外へ
出す。アームが外れた後、基体１はチャック２内へ吸引
されるが、Ａｒガス流（Ｉ）によって押し戻され、非接
触状態でチャック２内に支持される。
【００３０】チェンバー１０を降ろして外気と遮断した
後、ノズル２から噴射するＡｒを次第にＯ3 に切り換
え、基体１であるウェハの裏面を石英窓６を介して赤外
線ランプ４１で加熱する（図２参照）。符号４で赤外線
を示す（図１（ｃ）参照）。
後、ノズル２から噴射するＡｒを次第にＯ3 に切り換
え、基体１であるウェハの裏面を石英窓６を介して赤外
線ランプ４１で加熱する（図２参照）。符号４で赤外線
を示す（図１（ｃ）参照）。
【００３１】これにより非接触状態で高レートでアッシ
ングが行える。ガス流、基体ウェハ加熱温度条件は、以
下の通りとした。 Ａｒガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（搬送時） Ｏ3 ガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（処理時） ウェハ加熱温度 ２５０℃
ングが行える。ガス流、基体ウェハ加熱温度条件は、以
下の通りとした。 Ａｒガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（搬送時） Ｏ3 ガス流量 １２０リットル／ｍｉｎ（処理時） ウェハ加熱温度 ２５０℃
【００３２】なお図２中、１１はガス導入系であるフレ
キシブルガスホール、矢印１２は排気系を示す。１３は
チェンバー昇降用シリンダである。
キシブルガスホール、矢印１２は排気系を示す。１３は
チェンバー昇降用シリンダである。
【００３３】実施例２ 次に図３を参照して、第３の実施例を説明する。この実
施例は、基体１であるウェハの裏面にＵＶ光を照射し
（矢印７でＵＶ光を模式的に示す）、更にアッシングレ
ートを高めた例である。
施例は、基体１であるウェハの裏面にＵＶ光を照射し
（矢印７でＵＶ光を模式的に示す）、更にアッシングレ
ートを高めた例である。
【００３４】本実施例では、図３に示すように、チェン
バー１０の天板に石英窓１４を設け、その奥にＵＶラン
プ７１を取り付ける。ＵＶ光７は、この石英窓１４と石
英製のベルヌーイチャック形ノズル２を透過して基体１
であるウェハの表面に照射する。
バー１０の天板に石英窓１４を設け、その奥にＵＶラン
プ７１を取り付ける。ＵＶ光７は、この石英窓１４と石
英製のベルヌーイチャック形ノズル２を透過して基体１
であるウェハの表面に照射する。
【００３５】本例では、ＵＶランプ７１としては主発光
波長が２５４ｎｍの高照度ＵＶ灯を用い、基体１である
ウェハへの照射が１００ｍＷ／ｃｍ2 以上となるよう配
置する。
波長が２５４ｎｍの高照度ＵＶ灯を用い、基体１である
ウェハへの照射が１００ｍＷ／ｃｍ2 以上となるよう配
置する。
【００３６】ガス３をなすＯ3 は、そのＵＶ吸収ピーク
が２５５ｎｍにあり、ＵＶランプ７１からのＵＶ光７を
受けて解離効率が向上し、レジストの灰化速度も高ま
る。このＵＶランプ７１の設置で、アッシングは実施例
１に比べ、１５０％近く向上した。
が２５５ｎｍにあり、ＵＶランプ７１からのＵＶ光７を
受けて解離効率が向上し、レジストの灰化速度も高ま
る。このＵＶランプ７１の設置で、アッシングは実施例
１に比べ、１５０％近く向上した。
【００３７】実施条件であるガス流量、ウェハ温度、搬
送方式は、実施例１と同様である。
送方式は、実施例１と同様である。
【００３８】なお、本発明は、当然のことながら上記各
実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で、
各種装置構成、材質、ガス流量、温度等は適宜変更でき
ることは言うまでもない。
実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で、
各種装置構成、材質、ガス流量、温度等は適宜変更でき
ることは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、パーティ
クル付着を防止しつつ、ダメージの入らないアッシング
を行うことができ、また必要な場合には裏面のレジスト
剥離も可能であるアッシング技術が提供できる。
クル付着を防止しつつ、ダメージの入らないアッシング
を行うことができ、また必要な場合には裏面のレジスト
剥離も可能であるアッシング技術が提供できる。
【図１】実施例１の構成及び作用の説明図である。
【図２】実施例１の構成図である。
【図３】実施例２の構成図である。
【図４】従来のダウンフロー型マイクロ波アッシャーを
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の改良型のダウンフロー型マイクロ波アッ
シャーを示す図である。
シャーを示す図である。
【図６】従来のＯ3 アッシャーを示す図である。
１ 被処理基体（ウェハ） ２ ベルヌーイチャック形のノズル ３ ガス（Ｏ3 を含むガス） ４ 加熱（赤外光） ７ ＵＶ光
Claims (4)
- 【請求項１】基体上に形成されたレジストのアッシング
を行うアッシング方法において、 ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのアッシン
グを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、 該アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面をチ
ャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト剥
離を行うことを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】基体の裏面を非接触で加熱することを特徴
とする請求項１のアッシング方法。 - 【請求項３】ベルヌーイチャック形の石英ノズルにより
少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、基体表面に該石英
ノズルを通してＵＶ光を照射し、基体裏面を非接触で加
熱することを特徴とする請求項１のアッシング方法。 - 【請求項４】基体上に形成されたレジストのアッシング
を行うアッシング装置において、 ベルヌーイチャック形のノズルよりレジストのアッシン
グを行う少なくともＯ3 を含むガスを噴射し、 該アッシングガスにより、基体のレジスト塗布膜面を該
チャック側にして吸引保持した非接触状態で、レジスト
剥離を行う構成としたアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34026191A JPH05347281A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34026191A JPH05347281A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347281A true JPH05347281A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=18335250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34026191A Pending JPH05347281A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アッシング方法及びアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347281A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384060B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 |
| JP2012230997A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | 基板のエッチング方法 |
| JP2016184632A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法およびレジスト剥離装置 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP34026191A patent/JPH05347281A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384060B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체 |
| JP2012230997A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | 基板のエッチング方法 |
| JP2016184632A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法およびレジスト剥離装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101989324B1 (ko) | 포커스 링 및 이 포커스 링을 구비하는 기판 처리 장치 | |
| KR101153330B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법, 그 클리닝 방법을 실행하는 플라즈마 처리 장치 및 그 클리닝 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체 | |
| US6767698B2 (en) | High speed stripping for damaged photoresist | |
| TW577111B (en) | Mask formation method, semiconductor apparatus, circuit, display module, color filter, and light emitting device | |
| GB2136258A (en) | Method and apparatus for the heat-treatment of a plate-like member | |
| KR20040105567A (ko) | 유기층 제거 방법 및 장치 | |
| TWI286780B (en) | Substrate processing system and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2008226991A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000003908A (ja) | 自己洗浄真空処理反応装置 | |
| JP4283366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6479410B2 (en) | Processing method for object to be processed including a pre-coating step to seal fluorine | |
| TWI756424B (zh) | 電漿處理裝置之洗淨方法 | |
| JP2002523906A (ja) | 基板から有機物質を除去する方法 | |
| JPH05347281A (ja) | アッシング方法及びアッシング装置 | |
| TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
| JP2004327537A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置ならびに基板処理システム | |
| JPH0927474A (ja) | アッシング方法およびその装置 | |
| JPS63260034A (ja) | アッシング装置 | |
| KR100801857B1 (ko) | 기판 에싱 방법 | |
| JPH0497515A (ja) | レジスト除去装置 | |
| JPS6370429A (ja) | アツシング装置 | |
| JPH0713215Y2 (ja) | 半導体のレジストアッシング装置 | |
| JP3852627B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
| KR20070045536A (ko) | 반도체 애싱 장치 | |
| JP2008091653A (ja) | 塗布・現像処理方法 |