JPH05347231A - Laser trimming method of capacitor - Google Patents
Laser trimming method of capacitorInfo
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- JPH05347231A JPH05347231A JP15507392A JP15507392A JPH05347231A JP H05347231 A JPH05347231 A JP H05347231A JP 15507392 A JP15507392 A JP 15507392A JP 15507392 A JP15507392 A JP 15507392A JP H05347231 A JPH05347231 A JP H05347231A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に印刷形成され
た厚膜コンデンサに対してレーザトリミングにより容量
調整を行うレーザトリミング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser trimming method for adjusting the capacitance of a thick film capacitor printed on a substrate by laser trimming.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種の回路において、コンデンサは不可
欠な素子である。コンデンサには各種のタイプがある
が、その中でハイブリットＩＣなどにおける厚膜コンデ
ンサは、印刷技術を用いて基板上に形成される。2. Description of the Related Art Capacitors are indispensable elements in various circuits. There are various types of capacitors, and among them, thick film capacitors in hybrid ICs and the like are formed on a substrate by using a printing technique.
【０００３】従来の厚膜コンデンサの製造方法につき図
１０を用いて説明する。A conventional method of manufacturing a thick film capacitor will be described with reference to FIG.
【０００４】まず、Ａｌ2 Ｏ3 などで構成されるセラミ
ック基板８上に、例えば十数μｍの厚みでＡｇ／Ｐｄ
（銅パラジウム）などからなる下部電極層１０が形成さ
れ、その後、所望の容量に合致した誘電率をもつ材料で
誘電体層１２が形成される。なお、誘電体層１２は、通
常薄い層を複数重ねたものからなる。First, on a ceramic substrate 8 made of Al 2 O 3 or the like, Ag / Pd having a thickness of, for example, ten and several μm is used.
A lower electrode layer 10 made of (copper palladium) or the like is formed, and then a dielectric layer 12 is formed of a material having a dielectric constant matching a desired capacitance. The dielectric layer 12 is usually formed by stacking a plurality of thin layers.
【０００５】そして、その誘電体層１２の上面には、下
部電極層１０と同一材料で、例えば十数μｍの厚みで上
部電極層１４が形成される。なお、表面にはコーティン
グ１６が施される。On the upper surface of the dielectric layer 12, an upper electrode layer 14 made of the same material as the lower electrode layer 10 and having a thickness of, for example, ten and several μm is formed. The surface is coated with coating 16.
【０００６】しかし、実際の容量は往々にして設計容量
から外れるため、何等かの容量調整を行わなければなら
ない。However, since the actual capacity is often out of the designed capacity, some kind of capacity adjustment must be performed.
【０００７】そこで、基板の上方から多量のアルミナ微
粒子を高圧・高速で吹きつけ、基板面までコンデンサを
部分的に削り取るサンドブラスト法を用いて、容量調整
を行うこともできる。Therefore, it is also possible to adjust the capacity by using a sandblast method in which a large amount of alumina fine particles are blown from above the substrate at high pressure and high speed to partially scrape the capacitor up to the substrate surface.
【０００８】しかしながら、上記サンドブラスト法で
は、迅速な切削が困難で、また摩擦熱の影響により精度
の良い容量の調整を行うことができないという問題があ
った。一方、“抵抗値”の調整を行う方法として、従来
からレーザを用いたレーザトリミング方法が知られてい
る。そこで、そのレーザトリミング方法を厚膜コンデン
サの容量調整に応用することが考えられている。However, the above-mentioned sandblast method has a problem that it is difficult to cut quickly and the capacity cannot be adjusted accurately due to the influence of frictional heat. On the other hand, a laser trimming method using a laser is conventionally known as a method for adjusting the "resistance value". Therefore, it is considered to apply the laser trimming method to the capacitance adjustment of the thick film capacitor.
【０００９】ちなみに、特開昭６３ー１９６０２６号公
報には、厚膜コンデンサのレーザトリミング方法が記載
されている。この従来例では、誘電体層の上部に形成さ
れる電極が櫛形とされており、その櫛形の各突出片の根
元をレーザ切削することによって、容量調整が行われて
いる。ここで、この従来例では、そのレーザ切削にあた
って、電極層のみの切削が示されている。但し、この従
来例では、レーザ出力や誘電体の材料に関しては記載さ
れていない。By the way, Japanese Patent Laid-Open No. 63-196026 discloses a laser trimming method for thick film capacitors. In this conventional example, the electrode formed on the upper part of the dielectric layer has a comb shape, and the capacitance is adjusted by laser cutting the root of each protruding piece of the comb shape. Here, in this conventional example, in the laser cutting, cutting of only the electrode layer is shown. However, this conventional example does not describe the laser output and the material of the dielectric.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上述のようにコンデン
サの容量調整にレーザトリミングを適用すると次のよう
な課題が生じる。When laser trimming is applied to the capacitance adjustment of the capacitor as described above, the following problems occur.
【００１１】第１に、コンデンサ各層のトータルの厚み
は約６０μｍほどであるが、その厚みをレーザで蒸発除
去するには、極めて大容量のレーザ装置が必要となる。
従来の一般的なレーザトリミング装置におけるＹＡＧレ
ーザの最大出力は１０Ｗ程度であり、コンデンサの全層
を除去するにはパワー不足である。First, although the total thickness of each capacitor layer is about 60 μm, an extremely large-capacity laser device is required to evaporate and remove the thickness with a laser.
The maximum output of the YAG laser in the conventional general laser trimming device is about 10 W, and the power is insufficient to remove all layers of the capacitor.
【００１２】第２に、全層を除去すると、コンデンサに
与える熱的影響が大き過ぎ、残った誘電体の結晶構造に
不必要な悪影響を生じさせることが考えられる。Secondly, if all layers are removed, it is considered that the thermal effect on the capacitor is too large, causing an unnecessary adverse effect on the crystal structure of the remaining dielectric.
【００１３】そこで、上部電極のみを除去することが考
えられるが、レーザ出力あるいは誘電体材料について、
何等考慮なくレーザ照射による上部電極の除去を行う
と、上部電極が残存したり、露出した誘電体にヘアーク
ラックが生じたり、又はｔａｎδの低下を招いたり、さ
らいは耐電圧性の低下を招き、信頼性の高い容量調整が
できないという問題があった。Therefore, it is conceivable to remove only the upper electrode, but regarding the laser output or the dielectric material,
When the upper electrode is removed by laser irradiation without any consideration, the upper electrode remains, hair cracks are generated in the exposed dielectric, or tan δ is reduced, and further, the withstand voltage is reduced. There is a problem that the capacity cannot be adjusted with high reliability.
【００１４】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、適切な誘電体材料の選択及びレ
ーザ出力の設定を行って、コンデンサのレーザトリミン
グを精度良く行うことの出来るコンデンサのレーザトリ
ミング方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to perform proper laser trimming of a capacitor by selecting an appropriate dielectric material and setting a laser output. Another object of the present invention is to provide a laser trimming method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に下部電極層、誘電体層、及び上
部電極層が積層しコンデンサを形成する工程と、レーザ
トリミングを行ってコンデンサの容量調整を行う工程
と、を含むレーザトリミング方法であって、前記誘電体
層の主構成材料を、ホウケイ酸ガラス、又は、それにチ
タン酸鉛若しくはチタン酸ネオジウムの内のいずれか一
方若しくは両方を加えたものとし、０．８〜１．０Ｗの
出力でレーザ照射を行って前記上部電極のみを部分的に
除去しつつ容量調整を実行することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention performs a step of laminating a lower electrode layer, a dielectric layer, and an upper electrode layer on a substrate to form a capacitor, and laser trimming. A step of adjusting the capacitance of the capacitor with a laser trimming method, wherein the main constituent material of the dielectric layer is borosilicate glass, or any one of lead titanate and neodymium titanate, or Both of them are added, and the laser irradiation is performed at an output of 0.8 to 1.0 W to partially remove only the upper electrode to perform the capacitance adjustment.
【００１６】[0016]
【作用】本発明者の実験によれば、誘電体の主構成材料
としては、ａ）ホウケイ酸ガラス、ｂ）ホウケイ酸ガラ
スにチタン酸鉛を添加したもの、ｃ）ホウケイ酸ガラス
にチタン酸ネオジウムを添加したもの、ｄ）ホウケイ酸
ガラスにチタン酸鉛及びチタン酸ネオジウムを添加した
もの、が耐熱性に優れていることが判明されている。な
お、高誘電率を発揮するチタン酸バリウムは、レーザ光
に対して弱く、不適切である。According to experiments conducted by the present inventor, the main constituent materials of the dielectric material are a) borosilicate glass, b) borosilicate glass with lead titanate added, and c) borosilicate glass with neodymium titanate. It has been proved that the one to which d is added and the one to which lead titanate and neodymium titanate are added to d) borosilicate glass are excellent in heat resistance. Note that barium titanate, which exhibits a high dielectric constant, is weak against laser light and is inappropriate.
【００１７】また、上記材料で誘電体層を構成した場
合、本発明者の実験では、通常の厚さからなる上部電極
層の蒸発除去には、レーザ出力がほぼ０．８〜１．０Ｗ
が適切であることが判明している。すなわち、レーザ出
力が０．６Ｗ以下では、上部電極を構成するＡｇなどが
残留し、電気絶縁性に問題が生じる。一方、１．１Ｗ以
上では誘電体層にへアークラックが発生し、また耐電圧
性が低下する傾向にある。Further, in the case where the dielectric layer is made of the above material, in the experiment of the present inventor, the laser output is about 0.8 to 1.0 W for the evaporation removal of the upper electrode layer having a normal thickness.
Has been found to be appropriate. That is, when the laser output is 0.6 W or less, Ag or the like that constitutes the upper electrode remains, causing a problem in electrical insulation. On the other hand, when it is 1.1 W or more, arc rack is generated in the dielectric layer and the withstand voltage tends to decrease.
【００１８】したがって、レーザトリミングには、上記
４つの材料のうちのいずれかを用いて、かつ、レーザ出
力を０．８〜１．０Ｗに設定すればよく、上記の構成は
それを実行するものである。なお、通常の上部電極の材
料とは、ＡｇとＰｄとを主成分としたものをいう。Therefore, for laser trimming, any one of the above four materials may be used, and the laser output may be set to 0.8 to 1.0 W, and the above-mentioned configuration executes it. Is. Note that the usual material for the upper electrode is a material containing Ag and Pd as main components.
【００１９】なお、トリミング後の上部電極には、コー
ティングを施すのが好適である。Incidentally, it is preferable to coat the upper electrode after trimming.
【００２０】また、容量調整に当たっては、ＲＣＲメー
タを用いて直接容量測定を行う方法の他、当該コンデン
サを含む回路の出力信号をみながら行ういわゆるファン
クショントリミング方法が適応できる。In addition to the method of directly measuring the capacitance by using the RCR meter, the so-called function trimming method of observing the output signal of the circuit including the capacitor can be applied to the capacitance adjustment.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２２】図１には、本発明に係るレーザトリミング
方法が適用されるレーザトリミングシステムの全体構成
が示されている。FIG. 1 shows the overall configuration of a laser trimming system to which the laser trimming method according to the present invention is applied.
【００２３】まず、図１を用いてこのシステムについて
説明する。First, this system will be described with reference to FIG.
【００２４】ＸＹテーブル２０には、コンデンサを含む
基板２２が載置されている。実際には、ＸＹテーブル２
０に複数の基板が連結されてなるシート板が載置され
る。A substrate 22 including a capacitor is placed on the XY table 20. Actually, XY table 2
A sheet plate in which a plurality of substrates are connected to 0 is placed.
【００２５】ＬＣＲメータ２４は、コンデンサの容量の
測定を行うものであり、ＧＰＩＢバス２６に接続されて
いる。また、ＧＰＩＢバス２６には、システム全体の制
御を行うコントローラ２８が接続され、このコントロー
ラ２８によって、レーザ装置３０及びビームポジショナ
３２が制御される。The LCR meter 24 is for measuring the capacitance of the capacitor and is connected to the GPIB bus 26. A controller 28 that controls the entire system is connected to the GPIB bus 26. The controller 28 controls the laser device 30 and the beam positioner 32.
【００２６】レーザ装置３０は、本実施例においてＹＡ
Ｇレーザで構成され、そこから発生されたレーザがビー
ムポジショナ３２を介して基板２２へ照射される。ビー
ムポジショナ３２は、レーザ光１００の照射位置を決定
するものである。なお、基板２２とビームポジショナ３
２との間には光学的なレンズからなる集光系３４が介在
配置されている。The laser device 30 is YA in this embodiment.
It is composed of a G laser, and the laser generated from the G laser irradiates the substrate 22 via the beam positioner 32. The beam positioner 32 determines the irradiation position of the laser light 100. The substrate 22 and the beam positioner 3
A light condensing system 34 including an optical lens is interposed between the two.
【００２７】従って、本実施例においては、このような
システムを用いて、コンデンサの容量測定とレーザ照射
による上部電極の部分的な除去とが繰り返し行われ、以
下に説明するように、コンデンザのレーザトリミングが
行われる。Therefore, in this embodiment, by using such a system, the capacitance measurement of the capacitor and the partial removal of the upper electrode by laser irradiation are repeatedly performed, and as described below, the laser of the condenser is used. Trimming is performed.
【００２８】図２には、コンデンサの製造方法がフロー
チャートで示されており、図３を用いながら各工程につ
いて説明する。FIG. 2 is a flow chart showing a method of manufacturing the capacitor, and each step will be described with reference to FIG.
【００２９】図２におけるＳ１０１では、図３に示す基
板８の上面に下部電極層１０が印刷などによって形成さ
れる。その後、Ｓ１０２では、下部電極層１０の上に誘
電体層１２が形成される。そして、Ｓ１０３では、誘電
体層１２の上に上部電極層１４が形成される。In S101 of FIG. 2, the lower electrode layer 10 is formed on the upper surface of the substrate 8 shown in FIG. 3 by printing or the like. Then, in S102, the dielectric layer 12 is formed on the lower electrode layer 10. Then, in S103, the upper electrode layer 14 is formed on the dielectric layer 12.
【００３０】このようにコンデンサが形成された後、Ｓ
１０４で、形成されたコンデンサの容量の調整がレーザ
トリミングにより行われる。これについては後に詳述す
る。そして、上部電極層１４が部分的に除去されたコン
デンサに対して、Ｓ１０５では、コーティング液がコン
デンサに対して上部から滴下され、コンデンサのモール
ディングが行われる。After the capacitor is formed in this way, S
At 104, the capacitance of the formed capacitor is adjusted by laser trimming. This will be described in detail later. Then, with respect to the capacitor from which the upper electrode layer 14 has been partially removed, in S105, the coating liquid is dripped from above the capacitor to mold the capacitor.
【００３１】図４には図２に示した容量調整工程（Ｓ１
０４）の具体的な工程がフローチャートで示されてい
る。FIG. 4 shows the capacity adjusting step (S1) shown in FIG.
The specific steps of 04) are shown in a flow chart.
【００３２】まず、Ｓ２０１では、図１に示したＬＣＲ
メータ２４によって、コンデンサの容量が測定される。
そして、Ｓ２０２では、その測定されたコンデンサの容
量が所定の範囲（例えば、設計値±５ｐＦ）内に入って
いるか否かが判断される。ここで、その範囲内に容量が
入っていればレーザトリミングは行われない。First, in S201, the LCR shown in FIG.
The capacity of the capacitor is measured by the meter 24.
Then, in S202, it is determined whether or not the measured capacitance of the capacitor is within a predetermined range (for example, a design value ± 5 pF). Here, if the capacitance is within the range, laser trimming is not performed.
【００３３】一方、容量の調整が必要な場合にはＳ２０
３で、レーザ光の照射が行われる。具体的には、図５に
示すように、上部電極層１４の一方辺から内部にかけて
断続的にビームレーザ照射が行われ、すなわち、ビーム
のスポット幅で上部電極層１４が直線状に切削される。
図５には、その直線状の切削ラインが１０２で示されて
いる。以上の直線切削が予め設定された所定距離行われ
た後、温度効果を待つため、０．３秒〜０．５秒のタイ
ムラグがおかれた後、Ｓ２０４で容量の測定が再度行わ
れる。On the other hand, if the capacity needs to be adjusted, S20
At 3, laser light irradiation is performed. Specifically, as shown in FIG. 5, beam laser irradiation is intermittently performed from one side of the upper electrode layer 14 to the inside thereof, that is, the upper electrode layer 14 is cut linearly with the beam spot width. ..
In FIG. 5, the linear cutting line is shown by 102. After the above linear cutting is performed for a predetermined distance set in advance, in order to wait for the temperature effect, a time lag of 0.3 seconds to 0.5 seconds is set, and then the capacity is measured again in S204.
【００３４】このＳ２０４で、測定された容量が所定の
範囲内に収まっていない場合には、Ｓ２０５でそれを判
断し、再びＳ２０３から各工程が順次繰り返される。こ
の場合、Ｓ２０３における直線切削は、一つ前の切削ラ
イン１０２のとなりのラインが切削され、最終的に上部
電極層１４が切削ライン１０２を横にずらした形で面状
に切り取られる。If the measured capacity is not within the predetermined range in S204, it is determined in S205, and the steps from S203 are sequentially repeated again. In this case, in the straight-line cutting in S203, the line next to the previous cutting line 102 is cut, and finally the upper electrode layer 14 is cut out in a planar shape with the cutting line 102 laterally displaced.
【００３５】そして、最終的に所望の範囲内に容量が入
った場合、レーザトリミングが終了する。これによっ
て、容量が高精度に調整された信頼性の高いコンデンサ
を得ることができる。Then, when the capacity finally falls within the desired range, the laser trimming is completed. This makes it possible to obtain a highly reliable capacitor whose capacitance is adjusted with high accuracy.
【００３６】図６には、レーザトリミングを行うにあた
っての、好適な材料が示されている。ここで、ホウケイ
酸ガラスは、チタン酸鉛あるいはチタン酸ネオジウムの
溶剤となるものであり、そのホウケイ酸ガラスのみでも
誘電体の材料として用いられる。ただし、比誘電率が低
いため、他のチタン酸鉛あるいはチタン酸ネオジジウム
あるいはその両方を加えることによって、高い比誘電率
を得ることができる。FIG. 6 shows suitable materials for laser trimming. Here, the borosilicate glass serves as a solvent for lead titanate or neodymium titanate, and even the borosilicate glass alone is used as a dielectric material. However, since the relative permittivity is low, a high relative permittivity can be obtained by adding other lead titanate, neodymium titanate, or both.
【００３７】ここに示される４種類の材料は、いずれも
レーザの照射に対して強いものであることが実験により
確かめられており、すなわち、後に説明するように所定
範囲内のレーザ出力では、ヘアークラックや耐絶縁性の
低下などを招かないことが実験により確かめられてい
る。なお、図６には主要構成材料が示されており、数パ
ーセント程度であれば他の材料を混合しても不都合では
なく、例えば酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を混合す
ることができる。It has been confirmed by experiments that all of the four types of materials shown here are strong against laser irradiation, that is, as will be described later, when the laser output is within a predetermined range, the hair It has been confirmed by experiments that cracks and deterioration of insulation resistance do not occur. It should be noted that FIG. 6 shows the main constituent materials, and it is not inconvenient to mix other materials as long as it is about several percent. For example, silicon oxide, aluminum oxide, etc. can be mixed.
【００３８】ちなみに、従来から誘電体として知られて
いるチタン酸バリウムは耐熱性が低いことが実験により
確かめられており、レーザトリミングを前提とした誘電
体の材料としては望ましくない。これは、その結晶構造
がレーザの熱によって大きく崩壊するためであると考え
られる。By the way, it has been confirmed by experiments that barium titanate, which has been conventionally known as a dielectric material, has a low heat resistance, and it is not desirable as a dielectric material for laser trimming. It is considered that this is because its crystal structure is largely collapsed by the heat of the laser.
【００３９】図７には、レーザ出力を変化させた場合の
誘電体層１２の上面の状態が示されている。これは、電
子顕微鏡写真により目視にて確認されたものである。FIG. 7 shows the state of the upper surface of the dielectric layer 12 when the laser output is changed. This is visually confirmed by an electron micrograph.
【００４０】図示されるように、レーザの出力が０．６
Ｗの時には上部電極層が蒸発した残りの残査さが多くコ
ンデンサを構成した場合、放電などが危惧される。レー
ザ出力が０．７Ｗの場合には、ほとんど残査が無くな
り、０．８Ｗ以上ではほぼ完全に上部電極層は蒸発して
除去される。従って、レーザ出力の下限は、０．８Ｗ程
度であることが理解される。なお、この場合の上部電極
層は銀パラジウムで構成される。As shown, the laser output is 0.6
When W, there is a large amount of residue remaining after evaporation of the upper electrode layer, and when a capacitor is constructed, discharge or the like may occur. When the laser output is 0.7 W, almost no residue remains, and when 0.8 W or more, the upper electrode layer is almost completely evaporated and removed. Therefore, it is understood that the lower limit of the laser output is about 0.8W. The upper electrode layer in this case is composed of silver palladium.
【００４１】一方、レーザ出力が１．１Ｗまたは１．２
Ｗ以上になると、誘電体層の上面にヘアークラックが生
じたり、あるいはｔａｎδが低下することが実験により
確認されている。また、レーザ出力が１．１Ｗまたは
１．２Ｗの場合、対電圧性が低下することが実験により
確認されている。従って、レーザトリミングを行うにあ
たってのレーザ出力の上限は１．０Ｗであることが理解
される。以上のことから、レーザトリミングを行う場合
には、レーザ出力は０．８Ｗ〜１．０Ｗの間に設定すれ
ば良いと結論づけられる。On the other hand, the laser output is 1.1 W or 1.2.
It has been confirmed by experiments that, when W or more, hair cracks occur on the upper surface of the dielectric layer or tan δ decreases. Further, it has been confirmed by experiments that the voltage resistance is lowered when the laser output is 1.1 W or 1.2 W. Therefore, it is understood that the upper limit of the laser output for performing laser trimming is 1.0W. From the above, it can be concluded that the laser output should be set between 0.8 W and 1.0 W when performing laser trimming.
【００４２】次に、レーザトリミングにおけるレーザ走
査について詳述する。Next, laser scanning in laser trimming will be described in detail.
【００４３】図８には、図５に示した直線切削の内容が
具体的に拡大して図示されている。トリミングの単位を
なす切削ライン１０２は、１〜ｍ個のパルス照射で形成
される。図示されるように、Ｙスキャン方向において、
各ビームスポット１０４は互いに一部が重なるように設
定されており、ｍとしては例えば１００あるいは２００
が設定される。In FIG. 8, the contents of the straight line cutting shown in FIG. 5 are specifically enlarged and shown. The cutting line 102 that forms a unit of trimming is formed by 1 to m pulse irradiation. As shown, in the Y scan direction,
The beam spots 104 are set so as to partially overlap each other, and m is, for example, 100 or 200.
Is set.
【００４４】上述したように、直線状の切削が行われた
後、容量の測定が行われ、まだ容量を減少させるべき場
合は、前回切削された直線ライン１０２の隣りのライン
が切削される。この場合、ある点について、３回のビー
ム照射が出来るだけ行われないようにＹ方向のスキャン
間隔を設定することが望ましい。As described above, after the linear cutting is performed, the capacity is measured, and when the capacity is still to be reduced, the line adjacent to the previously cut straight line 102 is cut. In this case, it is desirable to set the scan interval in the Y direction at a certain point so that the beam irradiation is not performed three times as much as possible.
【００４５】そして、本実施例において、切削ラインの
本数は最大で１００本と定められている。また、１回の
パルス照射時間は、１２．５μｓ（４ＫＨｚの場合）程
度である。In this embodiment, the maximum number of cutting lines is set to 100. In addition, one pulse irradiation time is approximately 12.5 μs (in the case of 4 KHz).
【００４６】図９には、比較例としてＵ字型に切削を行
った場合が模式的に示されている。図において黒色の領
域２００で示されるように、ある点においてはビーム照
射が３回重なり、この結果、その領域のみ大きな熱影響
を受けることになるので、Ｕ字型の切削は望ましくない
ことが理解される。これに対し、本実施例においては、
図８に示したように、上部電極層１４の切削は、直線切
削１０２を単位として行われているので、図９に示した
問題点を出来る限り解消することができ、またトリミン
グ精度を向上することができる。FIG. 9 schematically shows, as a comparative example, a case where cutting is performed in a U shape. It is understood that a U-shaped cut is not desirable, as at some point the beam exposures overlap three times, as shown by the black area 200 in the figure, which results in a large thermal effect only on that area. To be done. On the other hand, in this embodiment,
As shown in FIG. 8, since the cutting of the upper electrode layer 14 is performed in units of the straight line cutting 102, the problem shown in FIG. 9 can be solved as much as possible, and the trimming accuracy is improved. be able to.
【００４７】上述した実施例においては、コンデンサレ
ーザトリミングを行うに当たって、コンデンサの容量を
直接測定しながら容量調整を行っていたが、いわゆるフ
ァンクショントリミング方式を適用させることもでき
る。すなわち、対象となるコンデンサを含む回路の出力
を測定器につなげ、その出力電圧ないしは電流をモニタ
しつつコンデンサの容量の調整を行うことができる。In the above-described embodiment, when performing the capacitor laser trimming, the capacitance is adjusted while directly measuring the capacitance of the capacitor, but a so-called function trimming method may be applied. That is, the output of the circuit including the target capacitor can be connected to a measuring instrument, and the capacitance of the capacitor can be adjusted while monitoring the output voltage or current.
【００４８】本実施例のレーザトリミングによれば、特
にハイブリットＩＣなどに好適なコンデンサを提供で
き、例えばフィルタ回路や発振回路などの性能を極めて
向上させることができる。According to the laser trimming of this embodiment, it is possible to provide a capacitor particularly suitable for a hybrid IC and the like, and it is possible to greatly improve the performance of, for example, a filter circuit and an oscillation circuit.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るコン
デンサのレーザトリミング方法によれば、適切な誘電体
材料の選択のもとで、適切なレーザ出力の設定を行っ
て、精度の高いコンデンサの容量調整を行うことができ
る。As described above, according to the laser trimming method for a capacitor of the present invention, an accurate laser output can be set under the selection of an appropriate dielectric material to provide a highly accurate capacitor. The capacity can be adjusted.
【図１】本発明に係るレーザトリミングシステムの全体
構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a laser trimming system according to the present invention.
【図２】コンデンサ製造工程を示すフローチャートであ
る。FIG. 2 is a flowchart showing a capacitor manufacturing process.
【図３】コンデンサに対するレーザ照射の状態を示すコ
ンデンサの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of the capacitor showing a state of laser irradiation of the capacitor.
【図４】レーザトリミングの各工程を示すフローチャー
トである。FIG. 4 is a flowchart showing each step of laser trimming.
【図５】コンデンサの上面図である。FIG. 5 is a top view of a capacitor.
【図６】レーザトリミングを行うにあたって好適な誘電
体材料の主要構成材料を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing main constituent materials of a dielectric material suitable for performing laser trimming.
【図７】レーザ出力と上部電極層の残査との関係を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a laser output and a residue of an upper electrode layer.
【図８】レーザ照射の方法を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a method of laser irradiation.
【図９】レーザ照射の比較例を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a comparative example of laser irradiation.
【図１０】厚膜コンデンサの概念を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing the concept of a thick film capacitor.
８ 基板 １０ 下部電極層 １２ 誘電体層 １４ 上部電極層 １６ 上面保護層 8 substrate 10 lower electrode layer 12 dielectric layer 14 upper electrode layer 16 upper surface protection layer
Claims (1)
部電極層を積層してコンデンサを形成する工程と、 レーザトリミングによりコンデンサの容量調整を行う工
程と、 を含むコンデンサ製造方法であって、 前記誘電体層の主構成材料を、ホウケイ酸ガラス、又
は、それにチタン酸鉛若しくはチタン酸ネオジウムのう
ちのいずれか一方若しくは両方を加えたものとし、 ０．８〜１．０Ｗの出力でレーザ照射を行って前記上部
電極のみを部分的に除去しつつ容量調整を実行すること
を特徴とするコンデンサのレーザトリミング方法。1. A method of manufacturing a capacitor, comprising: a step of forming a capacitor by laminating a lower electrode layer, a dielectric layer, and an upper electrode layer on a substrate; and a step of adjusting the capacitance of the capacitor by laser trimming. Then, the main constituent material of the dielectric layer is borosilicate glass, or one or both of lead titanate or neodymium titanate is added to the material, and an output of 0.8 to 1.0 W is obtained. A laser trimming method for a capacitor, which comprises irradiating a laser to partially remove only the upper electrode to perform capacitance adjustment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15507392A JPH05347231A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Laser trimming method of capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15507392A JPH05347231A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Laser trimming method of capacitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347231A true JPH05347231A (en) | 1993-12-27 |
Family
ID=15598066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15507392A Pending JPH05347231A (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Laser trimming method of capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347231A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395764B1 (en) * | 2001-02-16 | 2003-08-27 | 엘지전선 주식회사 | Mounting method of bypass capacitor for TCXO |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15507392A patent/JPH05347231A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395764B1 (en) * | 2001-02-16 | 2003-08-27 | 엘지전선 주식회사 | Mounting method of bypass capacitor for TCXO |
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