JPH05343340A - 縦型炉 - Google Patents
縦型炉Info
- Publication number
- JPH05343340A JPH05343340A JP14563992A JP14563992A JPH05343340A JP H05343340 A JPH05343340 A JP H05343340A JP 14563992 A JP14563992 A JP 14563992A JP 14563992 A JP14563992 A JP 14563992A JP H05343340 A JPH05343340 A JP H05343340A
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- Japan
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- wafer
- reaction tube
- vertical furnace
- shield
- opening
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 縦型の反応管を具備する減圧CVD装置や拡
散炉の構造の改良に関し、ウエーハ取り出し中に反応管
内の反応ガスの温度が低下するのを防止し、パーティク
ルがウエーハの表面に付着してウエーハを汚染するのを
防止することが可能となる縦型炉の提供を目的とする。 【構成】 上部に反応ガスの供給口1aを備え、下部に開
口1bを有し、ヒーター2により加熱されている反応管1
内に、ウエーハキャリア4に収納されているウエーハ6
をローダー3により下方から挿入し、このウエーハ6を
この反応管1内で熱処理する縦型炉において、このウエ
ーハキャリア4の頂上面4aに載置する、赤外線とガスを
透過させない材料からなり、この反応管1の下部の開口
1bの内周に形成されている周縁部1cにより保持すること
が可能な遮蔽物5を具備するように構成する。
散炉の構造の改良に関し、ウエーハ取り出し中に反応管
内の反応ガスの温度が低下するのを防止し、パーティク
ルがウエーハの表面に付着してウエーハを汚染するのを
防止することが可能となる縦型炉の提供を目的とする。 【構成】 上部に反応ガスの供給口1aを備え、下部に開
口1bを有し、ヒーター2により加熱されている反応管1
内に、ウエーハキャリア4に収納されているウエーハ6
をローダー3により下方から挿入し、このウエーハ6を
この反応管1内で熱処理する縦型炉において、このウエ
ーハキャリア4の頂上面4aに載置する、赤外線とガスを
透過させない材料からなり、この反応管1の下部の開口
1bの内周に形成されている周縁部1cにより保持すること
が可能な遮蔽物5を具備するように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型の反応管を具備す
る減圧CVD装置や拡散炉の構造の改良に関するもので
ある。
る減圧CVD装置や拡散炉の構造の改良に関するもので
ある。
【0002】縦型の反応管を具備する減圧CVD装置や
拡散炉においてウエーハを反応管内に挿入・取り出しす
る際に、反応管内の反応ガスの放熱や落下するパーティ
クルによるウエーハの汚染などの種々の障害が発生して
いる。
拡散炉においてウエーハを反応管内に挿入・取り出しす
る際に、反応管内の反応ガスの放熱や落下するパーティ
クルによるウエーハの汚染などの種々の障害が発生して
いる。
【0003】以上のような状況から、ウエーハを反応管
内に挿入・取り出しする際に、反応管内の反応ガスの放
熱や落下するパーティクルによるウエーハの汚染を防止
することが可能となる縦型炉が要望されている。
内に挿入・取り出しする際に、反応管内の反応ガスの放
熱や落下するパーティクルによるウエーハの汚染を防止
することが可能となる縦型炉が要望されている。
【0004】
【従来の技術】従来の縦型炉の概略構造及び縦型炉の反
応管内へのウエーハの挿入・取り出し方法について図5
〜図6により詳細に説明する。
応管内へのウエーハの挿入・取り出し方法について図5
〜図6により詳細に説明する。
【0005】図5及び図6は従来の縦型炉へのウエーハ
の挿入・取り出し方法を示す図である。従来の縦型炉は
図5(a) に示すように、上部に反応ガスの供給口11a を
備え、下部に開口11b を有し、ヒーター12により加熱さ
れている反応管11内に、ウエーハキャリア14に収納され
ているウエーハ6をローダー13により下方から挿入し、
このウエーハ6をこの反応管11内で熱処理する縦型炉で
ある。
の挿入・取り出し方法を示す図である。従来の縦型炉は
図5(a) に示すように、上部に反応ガスの供給口11a を
備え、下部に開口11b を有し、ヒーター12により加熱さ
れている反応管11内に、ウエーハキャリア14に収納され
ているウエーハ6をローダー13により下方から挿入し、
このウエーハ6をこの反応管11内で熱処理する縦型炉で
ある。
【0006】このような縦型炉内での熱処理が完了した
ウエーハ6を反応管11内から取り出す場合には、図5
(b) に矢印で示す方向にローダー13を下降し、ウエーハ
キャリア14を反応管11内から完全に取り出した後、図6
(a) に示すようにシャッタ15により反応管11の開口11b
を閉止している。
ウエーハ6を反応管11内から取り出す場合には、図5
(b) に矢印で示す方向にローダー13を下降し、ウエーハ
キャリア14を反応管11内から完全に取り出した後、図6
(a) に示すようにシャッタ15により反応管11の開口11b
を閉止している。
【0007】熱処理を行おうとするウエーハ6を反応管
11内に挿入する場合には、取り出す場合とは逆にシャッ
タ15を開いてローダー13を上昇させてウエーハキャリア
14を反応管11内に挿入する。
11内に挿入する場合には、取り出す場合とは逆にシャッ
タ15を開いてローダー13を上昇させてウエーハキャリア
14を反応管11内に挿入する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の縦
型炉においては、ローダーを下降させて反応管外に取り
出した後、熱処理完了済のウエーハをウエーハキャリア
から取り出しているが、ウエーハを収納したウエーハキ
ャリアが完全に反応管外に出て、シャッタが反応管の開
口を閉じるまでの間は反応管の開口が開放された状態に
なり、反応管内の反応ガスの温度が低下し、また、反応
管の内壁に付着した生成物が剥離して生じたパーティク
ルが、ウエーハキャリア内に収納されているウエーハの
表面に付着してウエーハを汚染するという問題点があっ
た。
型炉においては、ローダーを下降させて反応管外に取り
出した後、熱処理完了済のウエーハをウエーハキャリア
から取り出しているが、ウエーハを収納したウエーハキ
ャリアが完全に反応管外に出て、シャッタが反応管の開
口を閉じるまでの間は反応管の開口が開放された状態に
なり、反応管内の反応ガスの温度が低下し、また、反応
管の内壁に付着した生成物が剥離して生じたパーティク
ルが、ウエーハキャリア内に収納されているウエーハの
表面に付着してウエーハを汚染するという問題点があっ
た。
【0009】本発明は以上のような状況からウエーハ取
り出し中に反応管内の反応ガスの温度が低下するのを防
止し、パーティクルがウエーハの表面に付着してウエー
ハを汚染するのを防止することが可能となる縦型炉の提
供を目的としたものである。
り出し中に反応管内の反応ガスの温度が低下するのを防
止し、パーティクルがウエーハの表面に付着してウエー
ハを汚染するのを防止することが可能となる縦型炉の提
供を目的としたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の縦型炉は、上部
に反応ガスの供給口を備え、下部に開口を有し、ヒータ
ーにより加熱されている反応管内に、ウエーハキャリア
に収納されているウエーハをローダーにより下方から挿
入し、このウエーハをこの反応管内で熱処理する縦型炉
において、このウエーハキャリアの頂上面に載置する、
赤外線とガスを透過させない材料からなり、この反応管
の下部の開口の内周に形成されている周縁部により保持
することが可能な遮蔽物を具備するか、或いは赤外線と
ガスを透過させない材料からなる遮蔽物をこのウエーハ
キャリアの頂上面に固定して具備するように構成する。
に反応ガスの供給口を備え、下部に開口を有し、ヒータ
ーにより加熱されている反応管内に、ウエーハキャリア
に収納されているウエーハをローダーにより下方から挿
入し、このウエーハをこの反応管内で熱処理する縦型炉
において、このウエーハキャリアの頂上面に載置する、
赤外線とガスを透過させない材料からなり、この反応管
の下部の開口の内周に形成されている周縁部により保持
することが可能な遮蔽物を具備するか、或いは赤外線と
ガスを透過させない材料からなる遮蔽物をこのウエーハ
キャリアの頂上面に固定して具備するように構成する。
【0011】
【作用】即ち本発明においては、赤外線とガスを透過さ
せない材料からなり、反応管の下部の開口の内周に形成
されている周縁部により保持することが可能な遮蔽物を
ウエーハキャリアの頂上面に載置するから、ウエーハの
熱処理中に上部の供給口から導入した反応ガスの反応管
内の流れを整流することができ、ウエーハを反応管内か
ら取り出す場合にこの遮蔽物により反応管の開口面積が
減少するので、反応管内の反応ガスの放出を減少するこ
とができ、また、落下するパーティクルがこの遮蔽物に
より遮蔽されるので、ウエーハへのパーティクルの付着
も防止することが可能となる。
せない材料からなり、反応管の下部の開口の内周に形成
されている周縁部により保持することが可能な遮蔽物を
ウエーハキャリアの頂上面に載置するから、ウエーハの
熱処理中に上部の供給口から導入した反応ガスの反応管
内の流れを整流することができ、ウエーハを反応管内か
ら取り出す場合にこの遮蔽物により反応管の開口面積が
減少するので、反応管内の反応ガスの放出を減少するこ
とができ、また、落下するパーティクルがこの遮蔽物に
より遮蔽されるので、ウエーハへのパーティクルの付着
も防止することが可能となる。
【0012】
【実施例】以下図1〜図4により本発明による一実施例の
縦型炉について詳細に説明する。図1及び図2は本発明
による一実施例の縦型炉へのウエーハの挿入・取り出し
方法を示す図、図3は本発明による縦型炉の遮蔽物の第
1の実施例を示す図、図4は本発明による縦型炉の遮蔽
物の第2の実施例を示す図である。
縦型炉について詳細に説明する。図1及び図2は本発明
による一実施例の縦型炉へのウエーハの挿入・取り出し
方法を示す図、図3は本発明による縦型炉の遮蔽物の第
1の実施例を示す図、図4は本発明による縦型炉の遮蔽
物の第2の実施例を示す図である。
【0013】本発明による一実施例の縦型炉は図1(a)
に示すように、上部に反応ガスの供給口1aを備え、下部
に開口1bを有し、ヒーター2により加熱されている反応
管1内に、ウエーハキャリア4に収納されているウエー
ハ6をローダー3により下方から挿入し、このウエーハ
6をこの反応管1内で熱処理する縦型炉である。
に示すように、上部に反応ガスの供給口1aを備え、下部
に開口1bを有し、ヒーター2により加熱されている反応
管1内に、ウエーハキャリア4に収納されているウエー
ハ6をローダー3により下方から挿入し、このウエーハ
6をこの反応管1内で熱処理する縦型炉である。
【0014】本発明においては赤外線とガスが透過しな
い材料からなり、この反応管1の下部の開口1bの内周に
形成されている周縁部1cにより保持することが可能な遮
蔽物5をこのウエーハキャリア4の頂上面4aに載置して
いる。
い材料からなり、この反応管1の下部の開口1bの内周に
形成されている周縁部1cにより保持することが可能な遮
蔽物5をこのウエーハキャリア4の頂上面4aに載置して
いる。
【0015】図3に示す第1の実施例の遮蔽物は不透明
石英或いは炭化珪素からなり、反応管1内の開口1bの内
周に形成されている周縁部1cにより保持される主円板5c
に、4ケ所で支持棒5bを介して5枚の円板5aを固定した
ものである。
石英或いは炭化珪素からなり、反応管1内の開口1bの内
周に形成されている周縁部1cにより保持される主円板5c
に、4ケ所で支持棒5bを介して5枚の円板5aを固定した
ものである。
【0016】図4に示す第2の実施例の遮蔽物は、反応
管1内の開口1bの内周に形成されている周縁部1cにより
保持される不透明石英或いは炭化珪素からなる主円板15
c に、同じ材料からなるケース15a により石英ウールな
どのガラスウール15b を真空密封したものである。
管1内の開口1bの内周に形成されている周縁部1cにより
保持される不透明石英或いは炭化珪素からなる主円板15
c に、同じ材料からなるケース15a により石英ウールな
どのガラスウール15b を真空密封したものである。
【0017】このような遮蔽物5をウエーハキャリア4
の頂上面4aに載置しているので、ウエーハ6の熱処理中
に上部の供給口1aから導入した反応ガスの反応管1内の
流れを整流することができる。
の頂上面4aに載置しているので、ウエーハ6の熱処理中
に上部の供給口1aから導入した反応ガスの反応管1内の
流れを整流することができる。
【0018】縦型炉内での熱処理が完了したウエーハ6
を反応管1内から取り出す場合には、図1(b) に矢印で
示す方向にローダー3を下降し、ウエーハキャリア4を
反応管1内から取り出し、図2(a) に示すようにウエー
ハキャリア4を完全に取り出す前に遮蔽物5が反応管1
の開口1bの内周に設けた周縁部1cにより保持されて開口
1bを閉止する。
を反応管1内から取り出す場合には、図1(b) に矢印で
示す方向にローダー3を下降し、ウエーハキャリア4を
反応管1内から取り出し、図2(a) に示すようにウエー
ハキャリア4を完全に取り出す前に遮蔽物5が反応管1
の開口1bの内周に設けた周縁部1cにより保持されて開口
1bを閉止する。
【0019】熱処理を行おうとするウエーハ6を反応管
1内に挿入する場合には、取り出す場合とは逆にローダ
ー3を上昇させると、遮蔽物5が頂上面4aに載置される
からそのまま更にローダー3を上昇させてウエーハキャ
リア4を反応管1内に挿入することが可能である。
1内に挿入する場合には、取り出す場合とは逆にローダ
ー3を上昇させると、遮蔽物5が頂上面4aに載置される
からそのまま更にローダー3を上昇させてウエーハキャ
リア4を反応管1内に挿入することが可能である。
【0020】このようにローダー3を下降或いは上昇
し、ウエーハキャリア4を反応管1内から取り出したり
挿入したりする場合には、ウエーハキャリア4の頂上面
4aに遮蔽物5を載置しており、反応管1と主円板5cとの
間隔が反応管1とウエーハキャリア4との間隔よりも狭
いから、反応管1の開口1bから放出される反応ガスの量
を減少することができ、また、遮蔽物5の上方から落下
してくるパーティクルがウエーハキャリア4内のウエー
ハ6の表面に付着するのを防止することが可能となる。
し、ウエーハキャリア4を反応管1内から取り出したり
挿入したりする場合には、ウエーハキャリア4の頂上面
4aに遮蔽物5を載置しており、反応管1と主円板5cとの
間隔が反応管1とウエーハキャリア4との間隔よりも狭
いから、反応管1の開口1bから放出される反応ガスの量
を減少することができ、また、遮蔽物5の上方から落下
してくるパーティクルがウエーハキャリア4内のウエー
ハ6の表面に付着するのを防止することが可能となる。
【0021】本実施例においては遮蔽物5とウエーハキ
ャリア4とは固定されていないが、遮蔽物5とウエーハ
キャリア4とを固定し、反応管1の開口1bに周縁部1cを
設けないで、遮蔽物5の下端が反応管1の開口1b近傍に
下降するまでローダー3を下降させ、この位置でウエー
ハキャリア4へのウエーハ6の出し入れを行えば、遮蔽
物5による本実施例と同様の効果を得ることが可能であ
る。
ャリア4とは固定されていないが、遮蔽物5とウエーハ
キャリア4とを固定し、反応管1の開口1bに周縁部1cを
設けないで、遮蔽物5の下端が反応管1の開口1b近傍に
下降するまでローダー3を下降させ、この位置でウエー
ハキャリア4へのウエーハ6の出し入れを行えば、遮蔽
物5による本実施例と同様の効果を得ることが可能であ
る。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の改良により、熱処理中の反
応管内の反応ガスの流れを整流し、ウエーハの反応管内
への挿入・取り出しの際の反応管内温度の低下を防止
し、パーティクルによるウエーハの汚染を防止すること
が可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼
性向上の効果が期待できる縦型炉の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の改良により、熱処理中の反
応管内の反応ガスの流れを整流し、ウエーハの反応管内
への挿入・取り出しの際の反応管内温度の低下を防止
し、パーティクルによるウエーハの汚染を防止すること
が可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼
性向上の効果が期待できる縦型炉の提供が可能である。
【図1】 本発明による一実施例の縦型炉へのウエーハ
の挿入・取り出し方法を示す図(1) 、
の挿入・取り出し方法を示す図(1) 、
【図2】 本発明による一実施例の縦型炉へのウエーハ
の挿入・取り出し方法を示す図(2) 、
の挿入・取り出し方法を示す図(2) 、
【図3】 本発明による縦型炉の遮蔽物の第1の実施例
を示す図、
を示す図、
【図4】 本発明による縦型炉の遮蔽物の第2の実施例
を示す図、
を示す図、
【図5】 従来の縦型炉へのウエーハの挿入・取り出し
方法を示す図(1)
方法を示す図(1)
【図6】 従来の縦型炉へのウエーハの挿入・取り出し
方法を示す図(2)
方法を示す図(2)
1は反応管、1aは供給口、1bは開口、1cは周縁部、2は
ヒーター、3はローダー、4はウエーハキャリア、4aは
頂上面、5は遮蔽物、6はウエーハ、
ヒーター、3はローダー、4はウエーハキャリア、4aは
頂上面、5は遮蔽物、6はウエーハ、
Claims (2)
- 【請求項1】 上部に反応ガスの供給口(1a)を備え、下
部に開口(1b)を有し、ヒーター(2) により加熱されてい
る反応管(1) 内に、ウエーハキャリア(4) に収納されて
いるウエーハ(6) をローダー(3) により下方から挿入
し、前記ウエーハ(6) を前記反応管(1) 内で熱処理する
縦型炉において、 前記ウエーハキャリア(4) の頂上面(4a)に載置する、赤
外線とガスを透過させない材料からなり、前記反応管
(1) の下部の開口(1b)の内周に形成されている周縁部(1
c)により保持することが可能な遮蔽物(5) を具備するこ
とを特徴とする縦型炉。 - 【請求項2】 上部に反応ガスの供給口(1a)を備え、下
部に開口(1b)を有し、ヒーター(2) により加熱されてい
る反応管(1) 内に、ウエーハキャリア(4) に収納されて
いるウエーハ(6) をローダー(3) により下方から挿入
し、前記ウエーハ(6) を前記反応管(1) 内で熱処理する
縦型炉において、 赤外線とガスを透過させない材料からなる遮蔽物(5) を
前記ウエーハキャリア(4) の頂上面(4a)に固定して具備
することを特徴とする縦型炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14563992A JPH05343340A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14563992A JPH05343340A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 縦型炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05343340A true JPH05343340A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15389668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14563992A Withdrawn JPH05343340A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 縦型炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05343340A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163122A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fukui Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管 |
JP2010045198A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP14563992A patent/JPH05343340A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163122A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fukui Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管 |
JP2010045198A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |