JPH0534124A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
- Publication number
- JPH0534124A JPH0534124A JP21284591A JP21284591A JPH0534124A JP H0534124 A JPH0534124 A JP H0534124A JP 21284591 A JP21284591 A JP 21284591A JP 21284591 A JP21284591 A JP 21284591A JP H0534124 A JPH0534124 A JP H0534124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- substrate
- inspection
- detected
- foreign
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】装置に特有のクセがあっても、この影響を克服
して、検査対象基板上の異物の位置を正確に再現できる
ようにした異物検査装置を提供すること。 【構成】検出された複数の異物について、光走査ミラー
27の振り角信号と検査ステージ12の走査方向における移
動情報をもとにした異物の実際の位置情報に基づいてあ
る関数関係を求め、この関数関係に基づいて異物の検出
位置を補正するようにしている。
して、検査対象基板上の異物の位置を正確に再現できる
ようにした異物検査装置を提供すること。 【構成】検出された複数の異物について、光走査ミラー
27の振り角信号と検査ステージ12の走査方向における移
動情報をもとにした異物の実際の位置情報に基づいてあ
る関数関係を求め、この関数関係に基づいて異物の検出
位置を補正するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてＬＳＩ製造プ
ロセスにおいて、半導体ウエハに回路パターンを焼き付
けるために用いられるレティクルやマスク、あるいは、
回路パターンが形成された製品ウエハ、さらには、液晶
用基板などの検査対象基板の表面に、異物が付着してい
るか否かおよびその大きさや付着場所を特定することが
できる異物検査装置に関する。
ロセスにおいて、半導体ウエハに回路パターンを焼き付
けるために用いられるレティクルやマスク、あるいは、
回路パターンが形成された製品ウエハ、さらには、液晶
用基板などの検査対象基板の表面に、異物が付着してい
るか否かおよびその大きさや付着場所を特定することが
できる異物検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記異物検査装置として、検査対象基板
を載置する検査ステージを、異物検査位置と異物観察位
置との間を直線的に移動できるように構成すると共に、
一定の偏向角を有するレーザ光を光走査ミラーによって
走査しながら検査対象基板の表面に照射し、そのときの
検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出光学系に入
射させ、この検出光学系による反射散乱光の検出結果に
基づいて検査対象基板の表面における異物の有無検出並
びにその大きさの測定を行うと共に、異物観察位置にお
いては、検出された異物を顕微鏡によって観察確認する
ことができるようにしたものがある。
を載置する検査ステージを、異物検査位置と異物観察位
置との間を直線的に移動できるように構成すると共に、
一定の偏向角を有するレーザ光を光走査ミラーによって
走査しながら検査対象基板の表面に照射し、そのときの
検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出光学系に入
射させ、この検出光学系による反射散乱光の検出結果に
基づいて検査対象基板の表面における異物の有無検出並
びにその大きさの測定を行うと共に、異物観察位置にお
いては、検出された異物を顕微鏡によって観察確認する
ことができるようにしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の異物検査装置に
おいては、レーザ発振器によって発せられたレーザ光を
往復走査する光走査ミラーの振り角信号と、実際の振り
角あるいは検査対象基板上における光点の位置との関係
は、光走査ミラーからの振り角信号に基づいて計算を行
って、前記光点位置を求めるようにしていた。
おいては、レーザ発振器によって発せられたレーザ光を
往復走査する光走査ミラーの振り角信号と、実際の振り
角あるいは検査対象基板上における光点の位置との関係
は、光走査ミラーからの振り角信号に基づいて計算を行
って、前記光点位置を求めるようにしていた。
【０００４】しかしながら、光走査ミラーから出力され
る振り角信号との間には、レーザ光を検査対象基板に走
査しながら照射するため入射光学系における光学調整
や、入射光学系を構成する光学素子の精度など、装置に
固有のクセに起因して、前記信号と光点との間に不一致
が生じており、検出位置と実際の位置との間に差が生
じ、検出された異物を顕微鏡によって観察確認するとき
に誤差を生じていた。これを、図５を参照しながら説明
する。
る振り角信号との間には、レーザ光を検査対象基板に走
査しながら照射するため入射光学系における光学調整
や、入射光学系を構成する光学素子の精度など、装置に
固有のクセに起因して、前記信号と光点との間に不一致
が生じており、検出位置と実際の位置との間に差が生
じ、検出された異物を顕微鏡によって観察確認するとき
に誤差を生じていた。これを、図５を参照しながら説明
する。
【０００５】本来、前記クセがなければ、検出位置と実
際位置との関係は、図５において直線Ｉに示すように、
直線的な関係を維持している。しかしながら、実際には
装置に固有のクセがあるので、検出位置と実際位置との
関係は、同図において直線IIに示すような関係になる。
際位置との関係は、図５において直線Ｉに示すように、
直線的な関係を維持している。しかしながら、実際には
装置に固有のクセがあるので、検出位置と実際位置との
関係は、同図において直線IIに示すような関係になる。
【０００６】本発明は、上述の事柄に留意してなされた
もので、その目的とするところは、装置に特有のクセが
あっても、この影響を克服して、検査対象基板上の異物
の位置を正確に再現できるようにした異物検査装置を提
供することにある。
もので、その目的とするところは、装置に特有のクセが
あっても、この影響を克服して、検査対象基板上の異物
の位置を正確に再現できるようにした異物検査装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る異物検査装置は、検出された複数の異
物について、光走査ミラーの振り角信号と前記検査ステ
ージの走査方向における移動情報をもとにした異物の実
際の位置情報に基づいてある関数関係を求め、この関数
関係に基づいて異物の検出位置を補正するようにしてい
る。
め、本発明に係る異物検査装置は、検出された複数の異
物について、光走査ミラーの振り角信号と前記検査ステ
ージの走査方向における移動情報をもとにした異物の実
際の位置情報に基づいてある関数関係を求め、この関数
関係に基づいて異物の検出位置を補正するようにしてい
る。
【０００８】
【作用】検出された複数の異物の検出位置をプロットす
ることにより、光走査ミラーの振り角信号と異物の実際
の位置情報との関数関係が判り、これに基づいて異物の
検出位置を補正することにより、検査対象基板上の異物
の位置を正確に再現できる。
ることにより、光走査ミラーの振り角信号と異物の実際
の位置情報との関数関係が判り、これに基づいて異物の
検出位置を補正することにより、検査対象基板上の異物
の位置を正確に再現できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１０】図１および図２において、１は固定ベース
で、カム２のＹ方向（前後方向）への駆動に伴って、立
設部材３に沿ってＺ方向（上下方向）に昇降される架台
４と、顕微鏡５とが設けられている。すなわち、固定ベ
ース１には、一端側がパルスモータ６に結合されたねじ
軸（図外）がＹ方向に横設されており、このねじ軸と咬
合するナット部材（図外）がカム２に設けられると共
に、架台４の下方にカム２に対するカムフォロア７が枢
着されている。そして、パルスモータ６に近接してロー
タリエンコーダ８が設けられている。
で、カム２のＹ方向（前後方向）への駆動に伴って、立
設部材３に沿ってＺ方向（上下方向）に昇降される架台
４と、顕微鏡５とが設けられている。すなわち、固定ベ
ース１には、一端側がパルスモータ６に結合されたねじ
軸（図外）がＹ方向に横設されており、このねじ軸と咬
合するナット部材（図外）がカム２に設けられると共
に、架台４の下方にカム２に対するカムフォロア７が枢
着されている。そして、パルスモータ６に近接してロー
タリエンコーダ８が設けられている。
【００１１】９は架台４の上面に設けられたガイドレー
ル10に沿ってＸ方向（左右方向）に駆動されるスライド
ベースで、このスライドベース９の上面に設けられたガ
イドレール11に沿ってＹ方向に駆動される検査ステージ
12が載置されている。この検査ステージ12は、スライド
ベース９の移動に伴って異物検査位置と異物観察位置と
にわたって移動できるようにしてある。
ル10に沿ってＸ方向（左右方向）に駆動されるスライド
ベースで、このスライドベース９の上面に設けられたガ
イドレール11に沿ってＹ方向に駆動される検査ステージ
12が載置されている。この検査ステージ12は、スライド
ベース９の移動に伴って異物検査位置と異物観察位置と
にわたって移動できるようにしてある。
【００１２】すなわち、図３および図４にも示すよう
に、架台４には、一端側がパルスモータ13に結合された
ねじ軸14がＸ方向に横設されており、このねじ軸14と咬
合するナット部材15がスライドベース９に設けられてい
る。また、一端側がパルスモータ16に結合され、Ｙ方向
に延設されたねじ軸17と咬合するナット部材18が検査ス
テージ12の下面に設けられている。そして、パルスモー
タ13, 16のそれぞれ近傍には、ロータリエンコーダ19,
20が設けられている。
に、架台４には、一端側がパルスモータ13に結合された
ねじ軸14がＸ方向に横設されており、このねじ軸14と咬
合するナット部材15がスライドベース９に設けられてい
る。また、一端側がパルスモータ16に結合され、Ｙ方向
に延設されたねじ軸17と咬合するナット部材18が検査ス
テージ12の下面に設けられている。そして、パルスモー
タ13, 16のそれぞれ近傍には、ロータリエンコーダ19,
20が設けられている。
【００１３】そして、検査ステージ12の上面には、例え
ば半導体ウエハーに回路パターンを焼付けるために用い
られるレティクルなどの検査対象基板21を所定位置で固
定するために、固定部材22と可動部材23とが設けられて
いる。
ば半導体ウエハーに回路パターンを焼付けるために用い
られるレティクルなどの検査対象基板21を所定位置で固
定するために、固定部材22と可動部材23とが設けられて
いる。
【００１４】24は一定の偏向角を有するレーザ光ＬをＸ
方向斜め上方から前記検査対象基板23に対して走査しな
がら照射するための入射光学系で、レーザ光Ｌを発する
例えばＨｅ−Ｎｅレーザ発振器25と、ビームエキスパン
ダ26と、レーザ光ＬをＹ方向に走査させる光走査ミラー
27と、光走査ミラー27からのレーザ光Ｌを集光させて検
査対象基板21の表面に照射させる集光レンズ28と、ミラ
ー29とからなる。また、30はレーザ光Ｌが検査対象基板
21に照射されたときに生ずる反射散乱光Ｒを検出するた
めの２つの検出光学系で、各検出光学系30は、詳細には
図示してないが、集光レンズと、スリットと、特定の直
線偏光成分をカットする検光子と、光検出器をその順に
備えてなり、Ｙ方向斜め上方に適宜の間隔をおいて設け
られている。
方向斜め上方から前記検査対象基板23に対して走査しな
がら照射するための入射光学系で、レーザ光Ｌを発する
例えばＨｅ−Ｎｅレーザ発振器25と、ビームエキスパン
ダ26と、レーザ光ＬをＹ方向に走査させる光走査ミラー
27と、光走査ミラー27からのレーザ光Ｌを集光させて検
査対象基板21の表面に照射させる集光レンズ28と、ミラ
ー29とからなる。また、30はレーザ光Ｌが検査対象基板
21に照射されたときに生ずる反射散乱光Ｒを検出するた
めの２つの検出光学系で、各検出光学系30は、詳細には
図示してないが、集光レンズと、スリットと、特定の直
線偏光成分をカットする検光子と、光検出器をその順に
備えてなり、Ｙ方向斜め上方に適宜の間隔をおいて設け
られている。
【００１５】従って、上記構成の異物検査装置によれ
ば、図１に示すように、検査ステージ12上に載置された
検査対象基板21が異物検査位置にあるときは、一定の偏
向角を有するレーザ光Ｌを光走査ミラー27によって走査
しながら検査対象基板21の表面に照射し、そのときの検
査対象基板21の表面からの反射散乱光Ｒを検出光学系30
に入射させ、この検出光学系30による反射散乱光Ｒの検
出結果に基づいて検査対象基板21の表面における異物の
有無検出並びにその大きさの測定を行うことができる。
そして、検査対象基板21が異物観察位置にあるときは、
検出された異物を顕微鏡５によって拡大して観察確認す
ることができる。
ば、図１に示すように、検査ステージ12上に載置された
検査対象基板21が異物検査位置にあるときは、一定の偏
向角を有するレーザ光Ｌを光走査ミラー27によって走査
しながら検査対象基板21の表面に照射し、そのときの検
査対象基板21の表面からの反射散乱光Ｒを検出光学系30
に入射させ、この検出光学系30による反射散乱光Ｒの検
出結果に基づいて検査対象基板21の表面における異物の
有無検出並びにその大きさの測定を行うことができる。
そして、検査対象基板21が異物観察位置にあるときは、
検出された異物を顕微鏡５によって拡大して観察確認す
ることができる。
【００１６】ところで、検出された異物を拡大観察する
には、検査対象基板21を載置した状態で検査ステージ12
を、顕微鏡５が設けられている異物観察位置に移動しな
ければならないが、検出された複数の異物について、検
査ステージ12の走査方向、すなわち、図３および図４に
おいて両矢印Ｘで示す方向における移動量をもとにし
て、検出された複数の異物の実際の位置情報と光走査ミ
ラー27の振り角信号とを、図５において、×印のように
プロットし、これらの間に成立するある関数関係（スプ
ライン関数とも言う）を求める。
には、検査対象基板21を載置した状態で検査ステージ12
を、顕微鏡５が設けられている異物観察位置に移動しな
ければならないが、検出された複数の異物について、検
査ステージ12の走査方向、すなわち、図３および図４に
おいて両矢印Ｘで示す方向における移動量をもとにし
て、検出された複数の異物の実際の位置情報と光走査ミ
ラー27の振り角信号とを、図５において、×印のように
プロットし、これらの間に成立するある関数関係（スプ
ライン関数とも言う）を求める。
【００１７】この関数関係は、装置に特有のクセによっ
て定まるものであるから、検出された異物を拡大して観
察確認する際、この関数関係を用いて、検出された異物
の検出位置を補正することにより、検査対象基板21上の
異物の位置を正確に再現できる。なお、前記プロットす
る異物の位置は、検査対象基板23上の広い範囲より選ぶ
のが好ましく、このようにした場合、誤差をより小さく
することができる。
て定まるものであるから、検出された異物を拡大して観
察確認する際、この関数関係を用いて、検出された異物
の検出位置を補正することにより、検査対象基板21上の
異物の位置を正確に再現できる。なお、前記プロットす
る異物の位置は、検査対象基板23上の広い範囲より選ぶ
のが好ましく、このようにした場合、誤差をより小さく
することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光走査ミラーから出力される振り角信号と実際の振り角
あるいは信号に基づいて計算される検出異物位置と実際
の異物位置との間に、レーザ光を検査対象基板に走査し
ながら照射するための入射光学系における光学調整や、
入射光学系を構成する光学素子の精度など、装置に固有
のクセに起因して、前記信号と光点との間に不一致が生
じていても、検出された異物の検出位置を補正すること
ができ、検査対象基板上の異物の位置を正確に再現でき
る。
光走査ミラーから出力される振り角信号と実際の振り角
あるいは信号に基づいて計算される検出異物位置と実際
の異物位置との間に、レーザ光を検査対象基板に走査し
ながら照射するための入射光学系における光学調整や、
入射光学系を構成する光学素子の精度など、装置に固有
のクセに起因して、前記信号と光点との間に不一致が生
じていても、検出された異物の検出位置を補正すること
ができ、検査対象基板上の異物の位置を正確に再現でき
る。
【図１】本発明に係る異物検査装置の要部を示す斜視図
である。
である。
【図２】前記異物検査装置における駆動系統を示す斜視
図である。
図である。
【図３】前記異物検査装置におけるＸ方向における駆動
系統の要部を示す正面図である。
系統の要部を示す正面図である。
【図４】前記異物検査装置におけるＸ方向における駆動
系統の要部を示す平面図である。
系統の要部を示す平面図である。
【図５】動作説明図である。
12…検査ステージ、21…検査対象基板、27…光走査ミラ
ー、30…検出光学系、Ｌ…レーザ光、Ｒ…反射散乱光。
ー、30…検出光学系、Ｌ…レーザ光、Ｒ…反射散乱光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7013−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 検査対象基板を載置する検査ステージ
を、異物検査位置と異物観察位置との間を直線的に移動
できるように構成すると共に、異物検査位置において
は、検査対象基板の表面に対して一定の偏向角を有する
レーザ光を光走査ミラーによって走査しながら照射し、
そのときの検査対象基板の表面からの反射散乱光を検出
光学系に入射させ、この検出光学系による反射散乱光の
検出結果に基づいて検査対象基板の表面における異物を
検査すると共に、異物観察位置においては、検出された
異物を顕微鏡によって観察確認するようにした異物検査
装置において、検出された複数の異物について、光走査
ミラーの振り角信号と前記検査ステージの走査方向にお
ける移動情報をもとにした異物の実際の位置情報に基づ
いてある関数関係を求め、この関数関係に基づいて異物
の検出位置を補正するようにしたことを特徴とする異物
検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284591A JP3027241B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 異物検査装置 |
| US07/922,059 US5337140A (en) | 1991-07-30 | 1992-07-29 | Optical detecting system wtih self-correction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284591A JP3027241B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534124A true JPH0534124A (ja) | 1993-02-09 |
| JP3027241B2 JP3027241B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16629288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21284591A Expired - Fee Related JP3027241B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 異物検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5337140A (ja) |
| JP (1) | JP3027241B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641021A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Applied Materials, Inc. | Particle analysis of notched wafers |
| EP0641020A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Applied Materials, Inc. | Multiple-scan method for wafer particle analysis |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497060A (en) * | 1993-06-21 | 1996-03-05 | Juergens, Iii; Albert M. | Positioning stage |
| JP3258821B2 (ja) * | 1994-06-02 | 2002-02-18 | 三菱電機株式会社 | 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| GB2292603A (en) * | 1994-08-24 | 1996-02-28 | Texas Instruments Ltd | Testing systems for counting contaminant particles |
| JP3671241B2 (ja) * | 1994-12-13 | 2005-07-13 | エクソンモービル リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー | 非線形多変量赤外解析法 |
| JP3514555B2 (ja) * | 1995-07-06 | 2004-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 異物評価装置および異物評価方法 |
| FI954512A0 (fi) * | 1995-09-22 | 1995-09-22 | Labsystems Oy | Plattbaerare |
| FR2751070B1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-10-16 | Cilas | Dispositif pour determiner la forme de la surface d'onde reflechie par une piece sensiblement plane |
| FR2751069B1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-10-16 | Cilas | Dispositif pour determiner la forme de la surface d'onde transmise par une piece transparente a faces sensiblement paralleles |
| US6071748A (en) * | 1997-07-16 | 2000-06-06 | Ljl Biosystems, Inc. | Light detection device |
| US6592820B1 (en) * | 1998-11-05 | 2003-07-15 | Bio-Spectrum Technologies, Inc. | System and method for biochemical assay |
| US6148857A (en) * | 1999-02-23 | 2000-11-21 | Valley West, Inc. | Combination fluid supply and aspiration valve assembly for use in medical procedures |
| KR100494146B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파티클검사장치의 다용도 홀더 및 그를 이용한 검사방법 |
| KR100531416B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2005-11-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Ｓｌｓ 장비 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법 |
| WO2007076491A2 (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | The Regents Of The University Of California | Single nanoparticle tracking spectroscopic microscope |
| US11557048B2 (en) | 2015-11-16 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
| US10565701B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Color imaging for CMP monitoring |
| US11100628B2 (en) | 2019-02-07 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Thickness measurement of substrate using color metrology |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4468120A (en) * | 1981-02-04 | 1984-08-28 | Nippon Kogaku K.K. | Foreign substance inspecting apparatus |
| JPS59186324A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
| US4902131A (en) * | 1985-03-28 | 1990-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface inspection method and apparatus therefor |
| US4829175A (en) * | 1985-12-05 | 1989-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light beam scanning apparatus, method of correcting unevenness in scanning lines in light beam scanning apparatus, method of detecting deflection of rotational axis of light beam deflector and rotational axis deflection detecting device |
| US4889998A (en) * | 1987-01-29 | 1989-12-26 | Nikon Corporation | Apparatus with four light detectors for checking surface of mask with pellicle |
| US4898471A (en) * | 1987-06-18 | 1990-02-06 | Tencor Instruments | Particle detection on patterned wafers and the like |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP21284591A patent/JP3027241B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-29 US US07/922,059 patent/US5337140A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641021A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Applied Materials, Inc. | Particle analysis of notched wafers |
| EP0641020A2 (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-01 | Applied Materials, Inc. | Multiple-scan method for wafer particle analysis |
| EP0641020A3 (en) * | 1993-08-31 | 1995-07-26 | Applied Materials Inc | Multiple scanning method for particle analysis on semiconducting wafers. |
| EP0641021A3 (en) * | 1993-08-31 | 1995-07-26 | Applied Materials Inc | Analysis of notched platelet particles. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3027241B2 (ja) | 2000-03-27 |
| US5337140A (en) | 1994-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0534124A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2523227Y2 (ja) | 異物検査装置 | |
| US4769523A (en) | Laser processing apparatus | |
| US20050254698A1 (en) | Alignment correction prior to image sampling in inspection systems | |
| JP2890578B2 (ja) | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 | |
| JP2530587B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| JPS59119204A (ja) | マ−ク位置検出方法 | |
| US4357540A (en) | Semiconductor device array mask inspection method and apparatus | |
| US6744512B2 (en) | Position measuring apparatus and exposure apparatus | |
| EP0065411B1 (en) | On-machine reticle inspection device | |
| US4365163A (en) | Pattern inspection tool - method and apparatus | |
| JPH09223650A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0534128A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0581357B2 (ja) | ||
| JP3223483B2 (ja) | 欠陥検査方法とその装置 | |
| JPH07190735A (ja) | 光学式測定装置およびその測定方法 | |
| JPH0430575B2 (ja) | ||
| JPH10106937A (ja) | 位置検出方法及びその装置並びに投影露光装置 | |
| JP2006010544A (ja) | 異物検査装置および異物検査方法 | |
| JP2001201461A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0982264A (ja) | パターン検査装置および走査型電子顕微鏡 | |
| JPS63298105A (ja) | スリット光源装置 | |
| JPH0782390B2 (ja) | ステージ位置決め方法 | |
| JPS59203908A (ja) | 光学的計測装置 | |
| JP2000162521A (ja) | 光路切換装置及び光路切換方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |