JPH05335533A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH05335533A JPH05335533A JP4158964A JP15896492A JPH05335533A JP H05335533 A JPH05335533 A JP H05335533A JP 4158964 A JP4158964 A JP 4158964A JP 15896492 A JP15896492 A JP 15896492A JP H05335533 A JPH05335533 A JP H05335533A
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- Japan
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- microlens
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クリアモールド実装等の場合においても、レ
ンズ効果が消失せず、耐光性，耐褪色性に優れたマイク
ロレンズを容易に形成することが可能な固体撮像装置の
製造方法を提供する。 【構成】 ＣＭＤデバイスに表面保護膜８と平坦化層９
を形成したのち、SiＯ2よりなる透明膜10を形成する。
次にＲＩＥ法により、ＣＭＤのゲート電極に対応する部
分に平坦な分割透明膜10ａを形成したのち、該分割透明
膜10ａより高屈折率のSi3 Ｎ4 からなる高屈折率膜12を
全面に形成する。次いでＲＩＥ法により分割透明膜10ａ
の両側面に曲面状サイドウォール13を形成し、平坦分割
透明膜10ａと曲面状サイドウォール13とでマイクロレン
ズを構成する。
ンズ効果が消失せず、耐光性，耐褪色性に優れたマイク
ロレンズを容易に形成することが可能な固体撮像装置の
製造方法を提供する。 【構成】 ＣＭＤデバイスに表面保護膜８と平坦化層９
を形成したのち、SiＯ2よりなる透明膜10を形成する。
次にＲＩＥ法により、ＣＭＤのゲート電極に対応する部
分に平坦な分割透明膜10ａを形成したのち、該分割透明
膜10ａより高屈折率のSi3 Ｎ4 からなる高屈折率膜12を
全面に形成する。次いでＲＩＥ法により分割透明膜10ａ
の両側面に曲面状サイドウォール13を形成し、平坦分割
透明膜10ａと曲面状サイドウォール13とでマイクロレン
ズを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造
方法に関し、特に感度を向上させるためマイクロレンズ
を備えた固体撮像装置の製造方法に関する。
方法に関し、特に感度を向上させるためマイクロレンズ
を備えた固体撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＣＣＤやＣＭＤ（Charge Modul
ation Device）等を用いた固体撮像装置においては、半
導体主面に光電変換部及び信号読み出し部を備えている
ので、実際に光電変換に寄与する領域は、20〜40％程度
の開口率に制限されている。この欠点を解決するための
手段として、集光のためのマイクロレンズを画素毎に設
け、入射光を光電変換部に集光する方法が特公昭６０−
５９７５２号公報などに提案されている。
ation Device）等を用いた固体撮像装置においては、半
導体主面に光電変換部及び信号読み出し部を備えている
ので、実際に光電変換に寄与する領域は、20〜40％程度
の開口率に制限されている。この欠点を解決するための
手段として、集光のためのマイクロレンズを画素毎に設
け、入射光を光電変換部に集光する方法が特公昭６０−
５９７５２号公報などに提案されている。
【０００３】図９は、上記公報記載のマイクロレンズ付
の固体撮像装置の画素部の構造を示す断面図であり、図
において、101 はシリコン基板、102 はチャネルストッ
プ、103 は拡散層、104 はフォトダイオード、105 は絶
縁膜、106 はポリシリコンゲート、107 は例えばホトレ
ジスト等の有機材料よりなるマイクロレンズ集束体であ
り、この構成により、Ｄで示す範囲の入射光がフォトダ
イオード104 に照射されるようになっている。
の固体撮像装置の画素部の構造を示す断面図であり、図
において、101 はシリコン基板、102 はチャネルストッ
プ、103 は拡散層、104 はフォトダイオード、105 は絶
縁膜、106 はポリシリコンゲート、107 は例えばホトレ
ジスト等の有機材料よりなるマイクロレンズ集束体であ
り、この構成により、Ｄで示す範囲の入射光がフォトダ
イオード104 に照射されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで固体撮像装置
の用途によっては、図10に示すように、図９に示したマ
イクロレンズ付の固体撮像装置上に、カバーガラス109
及びカバーガラス接着層108 を形成することが要求され
る場合がある。更にはまた、クリアモールド実装の場合
にも、マイクロレンズ上に接してクリアモールド材が形
成されることとなる。このような構成とした場合には、
通常の有機材料で形成されたマイクロレンズの屈折率は
約1.６であり、一方カバーガラス接着層あるいはクリア
モールド材の屈折率も、ほぼマイクロレンズの屈折率値
に近いため、マイクロレンズ効果が大幅に低下する。ま
た有機材料で形成されたマイクロレンズは耐光性が劣り
褪色しやすいという問題点がある。
の用途によっては、図10に示すように、図９に示したマ
イクロレンズ付の固体撮像装置上に、カバーガラス109
及びカバーガラス接着層108 を形成することが要求され
る場合がある。更にはまた、クリアモールド実装の場合
にも、マイクロレンズ上に接してクリアモールド材が形
成されることとなる。このような構成とした場合には、
通常の有機材料で形成されたマイクロレンズの屈折率は
約1.６であり、一方カバーガラス接着層あるいはクリア
モールド材の屈折率も、ほぼマイクロレンズの屈折率値
に近いため、マイクロレンズ効果が大幅に低下する。ま
た有機材料で形成されたマイクロレンズは耐光性が劣り
褪色しやすいという問題点がある。
【０００５】この点を改善するため、特開昭５８−２２
０１０６号公報には、クリアモールド等の実装に適する
マイクロレンズの構造が開示されている。図11は、その
公報開示中の一実施例であり、111 は半導体基板、112
は該半導体基板111 中に形成されたフォトダイオード、
113 は酸化膜、114 は凹形状を有するガラス, 樹脂等よ
りなる薄膜、115 は薄膜114 の凹部に充填された、透光
性を有し薄膜114 よりも高屈折率を有する材料である。
この図11のような構成とすることにより、入射光16は、
充填材料115 及び薄膜114 のマイクロレンズ効果により
効果的にフォトダイオード112 に集光されることとな
る。しかしながら、この公報には薄膜114は樹脂よりな
り、一方、薄膜114 の凹部の充填材料115 は透光性材料
としか記載されておらず、具体的な材料は開示されてい
ない。
０１０６号公報には、クリアモールド等の実装に適する
マイクロレンズの構造が開示されている。図11は、その
公報開示中の一実施例であり、111 は半導体基板、112
は該半導体基板111 中に形成されたフォトダイオード、
113 は酸化膜、114 は凹形状を有するガラス, 樹脂等よ
りなる薄膜、115 は薄膜114 の凹部に充填された、透光
性を有し薄膜114 よりも高屈折率を有する材料である。
この図11のような構成とすることにより、入射光16は、
充填材料115 及び薄膜114 のマイクロレンズ効果により
効果的にフォトダイオード112 に集光されることとな
る。しかしながら、この公報には薄膜114は樹脂よりな
り、一方、薄膜114 の凹部の充填材料115 は透光性材料
としか記載されておらず、具体的な材料は開示されてい
ない。
【０００６】また特開昭６２−２３１６１号公報には、
図11に示したものと同様に、クリアモールド実装に適し
たマイクロレンズの製法が開示されており、図12を用い
て、その構成を説明する。図12において、121 はシリコ
ン中に形成されたフォトダイオード部、122 はシリコン
酸化膜からなる凹形状を有する薄膜、123 は窒化シリコ
ンよりなるレンズである。窒化シリコンからなるレンズ
123 の形成方法は、まずＣＶＤ法等により厚く窒化シリ
コンを堆積し、その後エッチバック法により、その表面
を平坦化するという工程がとられており、そのプロセス
工程が煩雑である欠点を有していた。
図11に示したものと同様に、クリアモールド実装に適し
たマイクロレンズの製法が開示されており、図12を用い
て、その構成を説明する。図12において、121 はシリコ
ン中に形成されたフォトダイオード部、122 はシリコン
酸化膜からなる凹形状を有する薄膜、123 は窒化シリコ
ンよりなるレンズである。窒化シリコンからなるレンズ
123 の形成方法は、まずＣＶＤ法等により厚く窒化シリ
コンを堆積し、その後エッチバック法により、その表面
を平坦化するという工程がとられており、そのプロセス
工程が煩雑である欠点を有していた。
【０００７】本発明は、従来のマイクロレンズを備えた
固体撮像装置における上記問題点を解消するためになさ
れたもので、クリアモールド実装等の場合においても、
レンズ効果が消失せず、耐光性，耐褪色性に優れたマイ
クロレンズを容易に形成することが可能な固体撮像装置
の製造方法を提供することを目的とする。
固体撮像装置における上記問題点を解消するためになさ
れたもので、クリアモールド実装等の場合においても、
レンズ効果が消失せず、耐光性，耐褪色性に優れたマイ
クロレンズを容易に形成することが可能な固体撮像装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、半導体基板の表面領域にマトリ
クス状に配設された複数の光電変換素子と、前記半導体
基板上の前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を
集束するマイクロレンズをそれぞれ備えた固体撮像装置
の製造方法において、前記各光電変換素子の受光部に対
応する部分に平坦な透明膜を形成したのち、該平坦透明
膜の側面に、２前後の高屈折率をもつ透明材料からなる
曲面状サイドウォールを形成して、マイクロレンズを構
成するものである。
決するため、本発明は、半導体基板の表面領域にマトリ
クス状に配設された複数の光電変換素子と、前記半導体
基板上の前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を
集束するマイクロレンズをそれぞれ備えた固体撮像装置
の製造方法において、前記各光電変換素子の受光部に対
応する部分に平坦な透明膜を形成したのち、該平坦透明
膜の側面に、２前後の高屈折率をもつ透明材料からなる
曲面状サイドウォールを形成して、マイクロレンズを構
成するものである。
【０００９】このように平坦透明膜とその側面に形成す
る曲面状サイドウォールとでマイクロレンズを構成する
ようにしたので、無機材料のみでマイクロレンズを形成
することができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を
有するマイクロレンズが得られる。またサイドウォール
は、ＭＯＳデバイスの短チャネル効果を防止するのに有
効なＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）形成工程で一般的
に用いられるサイドウォール形成法で形成できるので、
マイクロレンズを容易に製造することができる。また製
造された固体撮像装置は、クリアモールド実装等により
表面に空気とは異なる有機材料等が隣接形成された場合
でも、レンズ効果消失による感度低下を回避することが
できる。
る曲面状サイドウォールとでマイクロレンズを構成する
ようにしたので、無機材料のみでマイクロレンズを形成
することができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を
有するマイクロレンズが得られる。またサイドウォール
は、ＭＯＳデバイスの短チャネル効果を防止するのに有
効なＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）形成工程で一般的
に用いられるサイドウォール形成法で形成できるので、
マイクロレンズを容易に製造することができる。また製
造された固体撮像装置は、クリアモールド実装等により
表面に空気とは異なる有機材料等が隣接形成された場合
でも、レンズ効果消失による感度低下を回避することが
できる。
【００１０】
【実施例】次に本発明に係る固体撮像装置の製造方法の
第１実施例を、図１〜図５に示す製造工程図を用いて説
明する。この実施例は、光電変換素子としてＣＭＤを用
いた固体撮像装置に本発明を適用したもので、図１は、
二酸化シリコンあるいは可視光に透明な有機樹脂材料よ
りなる表面平坦化層９が形成された段階でのＣＭＤのデ
バイス断面図を示している。図１において、１はＮ- エ
ピタキシャル層、２はＮ+ ソース拡散層、３はＮ+ ドレ
イン拡散層、４は二酸化シリコン（SiＯ2 ）からなるゲ
ート酸化膜、５は受光部となるゲート電極、６はアルミ
ニウム等の金属よりなるソース配線部、７は同じく金属
よりなるドレイン配線部、８は表面保護膜であり、ＣＭ
Ｄの１画素部分を矢印で示している。そして前記表面平
坦化層９の屈折率は、1.45〜1.60となっている。
第１実施例を、図１〜図５に示す製造工程図を用いて説
明する。この実施例は、光電変換素子としてＣＭＤを用
いた固体撮像装置に本発明を適用したもので、図１は、
二酸化シリコンあるいは可視光に透明な有機樹脂材料よ
りなる表面平坦化層９が形成された段階でのＣＭＤのデ
バイス断面図を示している。図１において、１はＮ- エ
ピタキシャル層、２はＮ+ ソース拡散層、３はＮ+ ドレ
イン拡散層、４は二酸化シリコン（SiＯ2 ）からなるゲ
ート酸化膜、５は受光部となるゲート電極、６はアルミ
ニウム等の金属よりなるソース配線部、７は同じく金属
よりなるドレイン配線部、８は表面保護膜であり、ＣＭ
Ｄの１画素部分を矢印で示している。そして前記表面平
坦化層９の屈折率は、1.45〜1.60となっている。
【００１１】次に図２に示すように、平坦化層９の上部
に、透明な有機樹脂材料あるいはSiＯ2 等よりなる透明
膜10を形成し、続いてゲート電極５に対応する透明膜10
の表面上に、ホトリソグラフィー法によりレジスト11を
形成する。そしてレジスト11を形成後、リアクティブイ
オンエッチング法（ＲＩＥ法）により、不要な部分の透
明膜10をレジスト11をマスクとして除去する。その後レ
ジスト11を除去することにより、図３に示すように、ゲ
ート電極５に対応した平坦な分割透明膜10ａが形成され
る。
に、透明な有機樹脂材料あるいはSiＯ2 等よりなる透明
膜10を形成し、続いてゲート電極５に対応する透明膜10
の表面上に、ホトリソグラフィー法によりレジスト11を
形成する。そしてレジスト11を形成後、リアクティブイ
オンエッチング法（ＲＩＥ法）により、不要な部分の透
明膜10をレジスト11をマスクとして除去する。その後レ
ジスト11を除去することにより、図３に示すように、ゲ
ート電極５に対応した平坦な分割透明膜10ａが形成され
る。
【００１２】図３において、各分割透明膜10ａの間隔
は、ドレイン上における間隔ｔ1 及びソース上における
間隔ｔ2 と２種類あるが、両間隔ｔ1 とｔ2 はほぼ等し
いことが望ましい。またＣＭＤの画素サイズにもよる
が、この間隔ｔ1 （＝ｔ2 ）は約１〜２μｍの寸法とな
っている。また分割透明膜10ａの厚さｔ3 は、約ｔ1 ／
２の寸法となるように形成する。
は、ドレイン上における間隔ｔ1 及びソース上における
間隔ｔ2 と２種類あるが、両間隔ｔ1 とｔ2 はほぼ等し
いことが望ましい。またＣＭＤの画素サイズにもよる
が、この間隔ｔ1 （＝ｔ2 ）は約１〜２μｍの寸法とな
っている。また分割透明膜10ａの厚さｔ3 は、約ｔ1 ／
２の寸法となるように形成する。
【００１３】次いで図４に示すように、分割透明膜10ａ
の形成材料より高い屈折率を有する材料からなる高屈折
率膜12を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を
用いて形成する。高屈折率膜12の材料は、例えば屈折率
が2.０である窒化シリコン（Si3 Ｎ4 ）等が代表として
挙げられる。また高屈折率膜12の膜厚ｔ4 は、ｔ4 ≒ｔ
3 とする。
の形成材料より高い屈折率を有する材料からなる高屈折
率膜12を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を
用いて形成する。高屈折率膜12の材料は、例えば屈折率
が2.０である窒化シリコン（Si3 Ｎ4 ）等が代表として
挙げられる。また高屈折率膜12の膜厚ｔ4 は、ｔ4 ≒ｔ
3 とする。
【００１４】次に、ＲＩＥ法により、異方性エッチング
を行い、図５に示すように、分割透明膜10ａの両側面に
曲面状のサイドウォール13を形成する。このサイドウォ
ール13は屈折率の高いSi3 Ｎ4 膜等からなる高屈折率膜
12よりなる。このサイドウォール13によりマイクロレン
ズの曲面部を形成し、サイドウォール13と平坦な分割透
明膜10ａとでマイクロレンズを構成している。
を行い、図５に示すように、分割透明膜10ａの両側面に
曲面状のサイドウォール13を形成する。このサイドウォ
ール13は屈折率の高いSi3 Ｎ4 膜等からなる高屈折率膜
12よりなる。このサイドウォール13によりマイクロレン
ズの曲面部を形成し、サイドウォール13と平坦な分割透
明膜10ａとでマイクロレンズを構成している。
【００１５】次に、このようにして製造された固体撮像
装置の集光動作について説明する。図６に示すように、
光がＣＭＤ上に入射すると、分割透明膜10ａの上部への
入射光14ａは、屈折を受けずにゲート電極５に入射す
る。一方、サイドウォール13への入射光14ｂは、高屈折
率を有するサイドウォール13により屈折され、効率的に
ゲート電極５の上部に集光される。なお、平坦な分割透
明膜10ａとサイドウォール13とで構成されるマイクロレ
ンズの焦点調節は、従来のマイクロレンズ形成方法と同
じく、平坦化層９の厚さで調整される。
装置の集光動作について説明する。図６に示すように、
光がＣＭＤ上に入射すると、分割透明膜10ａの上部への
入射光14ａは、屈折を受けずにゲート電極５に入射す
る。一方、サイドウォール13への入射光14ｂは、高屈折
率を有するサイドウォール13により屈折され、効率的に
ゲート電極５の上部に集光される。なお、平坦な分割透
明膜10ａとサイドウォール13とで構成されるマイクロレ
ンズの焦点調節は、従来のマイクロレンズ形成方法と同
じく、平坦化層９の厚さで調整される。
【００１６】本発明により形成されるマイクロレンズ
は、光の屈折を行うサイドウォール13を形成する材料
が、平坦化層９、あるいはプラスチックモールドを行う
場合の材料、あるいは保護膜用絶縁膜材料に比べ、高屈
折率を有するため、図７に示すように、マイクロレンズ
を構成する分割透明膜10ａ及びサイドウォール13上に、
第２平坦化層14及びカラーフィルタ群15を形成するよう
にした、埋め込みレンズ構成とすることが可能となる。
は、光の屈折を行うサイドウォール13を形成する材料
が、平坦化層９、あるいはプラスチックモールドを行う
場合の材料、あるいは保護膜用絶縁膜材料に比べ、高屈
折率を有するため、図７に示すように、マイクロレンズ
を構成する分割透明膜10ａ及びサイドウォール13上に、
第２平坦化層14及びカラーフィルタ群15を形成するよう
にした、埋め込みレンズ構成とすることが可能となる。
【００１７】上記第１実施例においては、マイクロレン
ズを構成する各サイドウォール13間には、微小なギャッ
プが存在する場合も生じる。ギャップが生じると開口率
の低下を招く。第２実施例では、サイドウォール13間の
ギャップを消失させ、ギャップ存在による開口率の低下
を防ぐようにした構成の製造方法を提案する。
ズを構成する各サイドウォール13間には、微小なギャッ
プが存在する場合も生じる。ギャップが生じると開口率
の低下を招く。第２実施例では、サイドウォール13間の
ギャップを消失させ、ギャップ存在による開口率の低下
を防ぐようにした構成の製造方法を提案する。
【００１８】第２実施例においては、第１実施例の図５
に示す製造工程終了後に、図８に示すように、表面に薄
膜16をＣＶＤ法等により形成する。ここで薄膜16の形成
材料は、サイドウォール13の形成材料と同じ高屈折率を
有する材料よりなり、また薄膜16の厚さは、サイドウォ
ール13間のギャップ長ｔ5 の半分を少し超える程度の厚
さとする。この薄膜16の形成によりサイドウォール13間
のギャップは消失し、高開口率のマイクロレンズ群が形
成可能となる。
に示す製造工程終了後に、図８に示すように、表面に薄
膜16をＣＶＤ法等により形成する。ここで薄膜16の形成
材料は、サイドウォール13の形成材料と同じ高屈折率を
有する材料よりなり、また薄膜16の厚さは、サイドウォ
ール13間のギャップ長ｔ5 の半分を少し超える程度の厚
さとする。この薄膜16の形成によりサイドウォール13間
のギャップは消失し、高開口率のマイクロレンズ群が形
成可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、平坦透明膜とその側面に形成する曲面
状サイドウォールとでマイクロレンズを構成するように
したので、無機材料のみでマイクロレンズを形成するこ
とができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を有する
マイクロレンズをサイドウォール形成法で容易に製造す
ることができる。また製造された固体撮像装置は、クリ
アモールド実装等により表面に空気とは異なる有機材料
等が隣接形成された場合でも、レンズ効果消失による感
度低下を回避することが可能となる。したがってマイク
ロレンズを埋め込み構造化できるので、レンズ部から半
導体表面までの距離が小さくなる微細受光部寸法を有す
る高解像度固体撮像素子用のマイクロレンズの製造方法
にも好適となる。
本発明によれば、平坦透明膜とその側面に形成する曲面
状サイドウォールとでマイクロレンズを構成するように
したので、無機材料のみでマイクロレンズを形成するこ
とができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を有する
マイクロレンズをサイドウォール形成法で容易に製造す
ることができる。また製造された固体撮像装置は、クリ
アモールド実装等により表面に空気とは異なる有機材料
等が隣接形成された場合でも、レンズ効果消失による感
度低下を回避することが可能となる。したがってマイク
ロレンズを埋め込み構造化できるので、レンズ部から半
導体表面までの距離が小さくなる微細受光部寸法を有す
る高解像度固体撮像素子用のマイクロレンズの製造方法
にも好適となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実
施例を説明するための製造工程を示す断面図である。
施例を説明するための製造工程を示す断面図である。
【図２】図１に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図３】図２に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図３に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図５】図４に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図６】第１実施例により製造された固体撮像装置の集
光動作を説明するための説明図である。
光動作を説明するための説明図である。
【図７】第１実施例の応用例を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図８】第２実施例を説明するための断面図である。
【図９】従来のマイクロレンズを備えた固体撮像装置の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
【図10】カバーガラスを備えた従来の固体撮像装置の構
成例を示す断面図である。
成例を示す断面図である。
【図11】クリアモールド実装に適するマイクロレンズを
備えた従来の固体撮像装置の構成例を示す断面図であ
る。
備えた従来の固体撮像装置の構成例を示す断面図であ
る。
【図12】クリアモールド実装に適するマイクロレンズを
備えた従来の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図で
ある。
備えた従来の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図で
ある。
１ Ｎ- エピタキシャル層 ２ Ｎ+ ソース拡散層 ３ Ｎ+ ドレイン拡散層 ４ ゲート酸化膜 ５ ゲート電極 ６ ソース配線部 ７ ドレイン配線部 ８ 表面保護膜 ９ 表面平坦化層 10 透明膜 10ａ 分割透明膜 11 レジスト11 12 高屈折率膜 13 サイドウォール 14 第２平坦化層 15 カラーフィルター群 16 薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面領域にマトリクス状に
配設された複数の光電変換素子と、前記半導体基板上の
前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を集束する
マイクロレンズをそれぞれ備えた固体撮像装置の製造方
法において、前記各光電変換素子の受光部に対応する部
分に平坦な透明膜を形成したのち、該平坦透明膜の側面
に、２前後の高屈折率をもつ透明材料からなる曲面状サ
イドウォールを形成して、マイクロレンズを構成するこ
とを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記曲面状サイドウォールを形成する透
明材料を、窒化シリコンとしたことを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158964A JPH05335533A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158964A JPH05335533A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335533A true JPH05335533A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15683217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4158964A Withdrawn JPH05335533A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335533A (ja) |
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