JPH05335533A - Method of manufacturing solid-state imaging device - Google Patents
Method of manufacturing solid-state imaging deviceInfo
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- JPH05335533A JPH05335533A JP4158964A JP15896492A JPH05335533A JP H05335533 A JPH05335533 A JP H05335533A JP 4158964 A JP4158964 A JP 4158964A JP 15896492 A JP15896492 A JP 15896492A JP H05335533 A JPH05335533 A JP H05335533A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造
方法に関し、特に感度を向上させるためマイクロレンズ
を備えた固体撮像装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state image pickup device, and more particularly to a method for manufacturing a solid-state image pickup device having a microlens for improving sensitivity.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＣＣＤやＣＭＤ（Charge Modul
ation Device）等を用いた固体撮像装置においては、半
導体主面に光電変換部及び信号読み出し部を備えている
ので、実際に光電変換に寄与する領域は、20〜40％程度
の開口率に制限されている。この欠点を解決するための
手段として、集光のためのマイクロレンズを画素毎に設
け、入射光を光電変換部に集光する方法が特公昭６０−
５９７５２号公報などに提案されている。2. Description of the Related Art Generally, CCD and CMD (Charge Modul)
A solid-state imaging device using a photonic conversion device) has a photoelectric conversion unit and a signal readout unit on the semiconductor main surface, so the area that actually contributes to photoelectric conversion is limited to an aperture ratio of about 20 to 40%. Has been done. As a means for solving this drawback, a method in which a microlens for condensing light is provided for each pixel and the incident light is condensed on a photoelectric conversion part is disclosed in Japanese Patent Publication No. Sho 60-.
It is proposed in Japanese Patent No. 59752.
【０００３】図９は、上記公報記載のマイクロレンズ付
の固体撮像装置の画素部の構造を示す断面図であり、図
において、101 はシリコン基板、102 はチャネルストッ
プ、103 は拡散層、104 はフォトダイオード、105 は絶
縁膜、106 はポリシリコンゲート、107 は例えばホトレ
ジスト等の有機材料よりなるマイクロレンズ集束体であ
り、この構成により、Ｄで示す範囲の入射光がフォトダ
イオード104 に照射されるようになっている。FIG. 9 is a sectional view showing the structure of a pixel portion of the solid-state image pickup device with a microlens described in the above publication. In the figure, 101 is a silicon substrate, 102 is a channel stop, 103 is a diffusion layer, and 104 is A photodiode, 105 is an insulating film, 106 is a polysilicon gate, 107 is a microlens converging body made of an organic material such as photoresist, etc. With this configuration, incident light in the range D is irradiated onto the photodiode 104. It is like this.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで固体撮像装置
の用途によっては、図10に示すように、図９に示したマ
イクロレンズ付の固体撮像装置上に、カバーガラス109
及びカバーガラス接着層108 を形成することが要求され
る場合がある。更にはまた、クリアモールド実装の場合
にも、マイクロレンズ上に接してクリアモールド材が形
成されることとなる。このような構成とした場合には、
通常の有機材料で形成されたマイクロレンズの屈折率は
約1.６であり、一方カバーガラス接着層あるいはクリア
モールド材の屈折率も、ほぼマイクロレンズの屈折率値
に近いため、マイクロレンズ効果が大幅に低下する。ま
た有機材料で形成されたマイクロレンズは耐光性が劣り
褪色しやすいという問題点がある。By the way, depending on the application of the solid-state imaging device, as shown in FIG. 10, a cover glass 109 may be provided on the solid-state imaging device with the microlens shown in FIG.
In some cases, it may be required to form the cover glass adhesive layer 108. Furthermore, in the case of clear mold mounting, the clear mold material is formed in contact with the microlens. With such a configuration,
The microlens made of ordinary organic material has a refractive index of about 1.6. On the other hand, the refractive index of the cover glass adhesive layer or the clear mold material is also close to that of the microlens, so the microlens effect is Drastically reduced. In addition, the microlenses formed of an organic material have a problem that they are inferior in light resistance and easily discolor.
【０００５】この点を改善するため、特開昭５８−２２
０１０６号公報には、クリアモールド等の実装に適する
マイクロレンズの構造が開示されている。図11は、その
公報開示中の一実施例であり、111 は半導体基板、112
は該半導体基板111 中に形成されたフォトダイオード、
113 は酸化膜、114 は凹形状を有するガラス, 樹脂等よ
りなる薄膜、115 は薄膜114 の凹部に充填された、透光
性を有し薄膜114 よりも高屈折率を有する材料である。
この図11のような構成とすることにより、入射光16は、
充填材料115 及び薄膜114 のマイクロレンズ効果により
効果的にフォトダイオード112 に集光されることとな
る。しかしながら、この公報には薄膜114は樹脂よりな
り、一方、薄膜114 の凹部の充填材料115 は透光性材料
としか記載されておらず、具体的な材料は開示されてい
ない。In order to improve this point, JP-A-58-22
Japanese Patent Publication No. 0106 discloses a structure of a microlens suitable for mounting a clear mold or the like. FIG. 11 shows an embodiment disclosed in that publication, in which 111 is a semiconductor substrate and 112 is a semiconductor substrate.
Is a photodiode formed in the semiconductor substrate 111,
Reference numeral 113 is an oxide film, 114 is a thin film made of glass, resin or the like having a concave shape, and 115 is a material having a light-transmitting property and having a higher refractive index than the thin film 114, filled in the concave portion of the thin film 114.
With the configuration shown in FIG. 11, the incident light 16 is
Due to the microlens effect of the filling material 115 and the thin film 114, the light is effectively focused on the photodiode 112. However, in this publication, the thin film 114 is made of resin, while the filling material 115 for the recess of the thin film 114 is only a translucent material, and no specific material is disclosed.
【０００６】また特開昭６２−２３１６１号公報には、
図11に示したものと同様に、クリアモールド実装に適し
たマイクロレンズの製法が開示されており、図12を用い
て、その構成を説明する。図12において、121 はシリコ
ン中に形成されたフォトダイオード部、122 はシリコン
酸化膜からなる凹形状を有する薄膜、123 は窒化シリコ
ンよりなるレンズである。窒化シリコンからなるレンズ
123 の形成方法は、まずＣＶＤ法等により厚く窒化シリ
コンを堆積し、その後エッチバック法により、その表面
を平坦化するという工程がとられており、そのプロセス
工程が煩雑である欠点を有していた。Further, Japanese Patent Laid-Open No. 62-23161 discloses that
Similar to the one shown in FIG. 11, a method for manufacturing a microlens suitable for clear mold mounting is disclosed, and its configuration will be described with reference to FIG. In FIG. 12, 121 is a photodiode portion formed in silicon, 122 is a thin film having a concave shape made of a silicon oxide film, and 123 is a lens made of silicon nitride. Lens made of silicon nitride
The method of forming 123 involves the steps of first depositing thick silicon nitride by a CVD method or the like and then flattening the surface by an etch back method, which has a drawback that the process steps are complicated. It was
【０００７】本発明は、従来のマイクロレンズを備えた
固体撮像装置における上記問題点を解消するためになさ
れたもので、クリアモールド実装等の場合においても、
レンズ効果が消失せず、耐光性，耐褪色性に優れたマイ
クロレンズを容易に形成することが可能な固体撮像装置
の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems in a solid-state image pickup device having a conventional microlens, and even in the case of clear mold mounting or the like,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solid-state imaging device, which is capable of easily forming a microlens excellent in light resistance and fading resistance without losing a lens effect.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、半導体基板の表面領域にマトリ
クス状に配設された複数の光電変換素子と、前記半導体
基板上の前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を
集束するマイクロレンズをそれぞれ備えた固体撮像装置
の製造方法において、前記各光電変換素子の受光部に対
応する部分に平坦な透明膜を形成したのち、該平坦透明
膜の側面に、２前後の高屈折率をもつ透明材料からなる
曲面状サイドウォールを形成して、マイクロレンズを構
成するものである。In order to solve the above problems, the present invention provides a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix on the surface region of a semiconductor substrate, and each of the photoelectric conversion elements on the semiconductor substrate. In a method for manufacturing a solid-state imaging device, each of which includes a microlens for focusing incident light on a portion corresponding to a photoelectric conversion element, after forming a flat transparent film on a portion corresponding to the light receiving portion of each photoelectric conversion element, On the side surface of the flat transparent film, a curved side wall made of a transparent material having a high refractive index of about 2 is formed to form a microlens.
【０００９】このように平坦透明膜とその側面に形成す
る曲面状サイドウォールとでマイクロレンズを構成する
ようにしたので、無機材料のみでマイクロレンズを形成
することができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を
有するマイクロレンズが得られる。またサイドウォール
は、ＭＯＳデバイスの短チャネル効果を防止するのに有
効なＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）形成工程で一般的
に用いられるサイドウォール形成法で形成できるので、
マイクロレンズを容易に製造することができる。また製
造された固体撮像装置は、クリアモールド実装等により
表面に空気とは異なる有機材料等が隣接形成された場合
でも、レンズ効果消失による感度低下を回避することが
できる。Since the microlens is constituted by the flat transparent film and the curved side wall formed on the side surface as described above, the microlens can be formed only by the inorganic material, and the light resistance and the fading resistance can be improved. A microlens having excellent high reliability can be obtained. Further, since the side wall can be formed by the side wall forming method generally used in the LDD (Lightly Doped Drain) forming step effective for preventing the short channel effect of the MOS device,
The microlens can be easily manufactured. Further, in the manufactured solid-state imaging device, even when an organic material different from air is formed adjacently on the surface due to clear mold mounting or the like, it is possible to avoid a decrease in sensitivity due to the disappearance of the lens effect.
【００１０】[0010]
【実施例】次に本発明に係る固体撮像装置の製造方法の
第１実施例を、図１〜図５に示す製造工程図を用いて説
明する。この実施例は、光電変換素子としてＣＭＤを用
いた固体撮像装置に本発明を適用したもので、図１は、
二酸化シリコンあるいは可視光に透明な有機樹脂材料よ
りなる表面平坦化層９が形成された段階でのＣＭＤのデ
バイス断面図を示している。図１において、１はＮ- エ
ピタキシャル層、２はＮ+ ソース拡散層、３はＮ+ ドレ
イン拡散層、４は二酸化シリコン（SiＯ2 ）からなるゲ
ート酸化膜、５は受光部となるゲート電極、６はアルミ
ニウム等の金属よりなるソース配線部、７は同じく金属
よりなるドレイン配線部、８は表面保護膜であり、ＣＭ
Ｄの１画素部分を矢印で示している。そして前記表面平
坦化層９の屈折率は、1.45〜1.60となっている。EXAMPLE A first example of a method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention will be described with reference to the manufacturing process diagrams shown in FIGS. In this embodiment, the present invention is applied to a solid-state image pickup device using a CMD as a photoelectric conversion element.
FIG. 6 is a device cross-sectional view of the CMD at the stage when the surface flattening layer 9 made of silicon dioxide or an organic resin material transparent to visible light is formed. In FIG. 1, 1 is an N - epitaxial layer, 2 is an N + source diffusion layer, 3 is an N + drain diffusion layer, 4 is a gate oxide film made of silicon dioxide (SiO 2 ), 5 is a gate electrode serving as a light receiving portion, 6 is a source wiring portion made of a metal such as aluminum, 7 is a drain wiring portion made of the same metal, 8 is a surface protective film, and CM
One pixel portion of D is indicated by an arrow. The surface flattening layer 9 has a refractive index of 1.45 to 1.60.
【００１１】次に図２に示すように、平坦化層９の上部
に、透明な有機樹脂材料あるいはSiＯ2 等よりなる透明
膜10を形成し、続いてゲート電極５に対応する透明膜10
の表面上に、ホトリソグラフィー法によりレジスト11を
形成する。そしてレジスト11を形成後、リアクティブイ
オンエッチング法（ＲＩＥ法）により、不要な部分の透
明膜10をレジスト11をマスクとして除去する。その後レ
ジスト11を除去することにより、図３に示すように、ゲ
ート電極５に対応した平坦な分割透明膜10ａが形成され
る。Next, as shown in FIG. 2, a transparent film 10 made of a transparent organic resin material or SiO 2 is formed on the flattening layer 9, and then the transparent film 10 corresponding to the gate electrode 5 is formed.
A resist 11 is formed on the surface of the substrate by photolithography. After the resist 11 is formed, the transparent film 10 in unnecessary portions is removed by the reactive ion etching method (RIE method) using the resist 11 as a mask. Then, by removing the resist 11, a flat transparent division film 10a corresponding to the gate electrode 5 is formed as shown in FIG.
【００１２】図３において、各分割透明膜10ａの間隔
は、ドレイン上における間隔ｔ1 及びソース上における
間隔ｔ2 と２種類あるが、両間隔ｔ1 とｔ2 はほぼ等し
いことが望ましい。またＣＭＤの画素サイズにもよる
が、この間隔ｔ1 （＝ｔ2 ）は約１〜２μｍの寸法とな
っている。また分割透明膜10ａの厚さｔ3 は、約ｔ1 ／
２の寸法となるように形成する。In FIG. 3, there are two kinds of intervals between the divided transparent films 10a, namely, an interval t 1 on the drain and an interval t 2 on the source, but it is desirable that the intervals t 1 and t 2 are substantially equal. The distance t 1 (= t 2 ) is about 1 to 2 μm, depending on the pixel size of the CMD. The thickness t 3 of the divided transparent film 10a is about t 1 /
It is formed to have a size of 2.
【００１３】次いで図４に示すように、分割透明膜10ａ
の形成材料より高い屈折率を有する材料からなる高屈折
率膜12を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を
用いて形成する。高屈折率膜12の材料は、例えば屈折率
が2.０である窒化シリコン（Si3 Ｎ4 ）等が代表として
挙げられる。また高屈折率膜12の膜厚ｔ4 は、ｔ4 ≒ｔ
3 とする。Next, as shown in FIG. 4, the divided transparent film 10a.
The high refractive index film 12 made of a material having a refractive index higher than that of the forming material is formed by the CVD (Chemical Vapor Deposition) method. A typical material of the high refractive index film 12 is, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ) having a refractive index of 2.0. The film thickness t 4 of the high refractive index film 12 is t 4 ≈t
Set to 3 .
【００１４】次に、ＲＩＥ法により、異方性エッチング
を行い、図５に示すように、分割透明膜10ａの両側面に
曲面状のサイドウォール13を形成する。このサイドウォ
ール13は屈折率の高いSi3 Ｎ4 膜等からなる高屈折率膜
12よりなる。このサイドウォール13によりマイクロレン
ズの曲面部を形成し、サイドウォール13と平坦な分割透
明膜10ａとでマイクロレンズを構成している。Next, anisotropic etching is performed by the RIE method to form curved side walls 13 on both side surfaces of the divided transparent film 10a as shown in FIG. The sidewall 13 is a high refractive index film made of Si 3 N 4 film or the like having a high refractive index.
Consists of 12. The sidewall 13 forms a curved surface portion of the microlens, and the sidewall 13 and the flat divided transparent film 10a constitute the microlens.
【００１５】次に、このようにして製造された固体撮像
装置の集光動作について説明する。図６に示すように、
光がＣＭＤ上に入射すると、分割透明膜10ａの上部への
入射光14ａは、屈折を受けずにゲート電極５に入射す
る。一方、サイドウォール13への入射光14ｂは、高屈折
率を有するサイドウォール13により屈折され、効率的に
ゲート電極５の上部に集光される。なお、平坦な分割透
明膜10ａとサイドウォール13とで構成されるマイクロレ
ンズの焦点調節は、従来のマイクロレンズ形成方法と同
じく、平坦化層９の厚さで調整される。Next, the condensing operation of the solid-state image pickup device manufactured as described above will be described. As shown in FIG.
When light is incident on the CMD, the incident light 14a incident on the upper part of the transparent division film 10a is incident on the gate electrode 5 without being refracted. On the other hand, the incident light 14b on the side wall 13 is refracted by the side wall 13 having a high refractive index and is efficiently condensed on the upper portion of the gate electrode 5. The focus adjustment of the microlens composed of the flat divided transparent film 10a and the side wall 13 is adjusted by the thickness of the flattening layer 9 as in the conventional microlens forming method.
【００１６】本発明により形成されるマイクロレンズ
は、光の屈折を行うサイドウォール13を形成する材料
が、平坦化層９、あるいはプラスチックモールドを行う
場合の材料、あるいは保護膜用絶縁膜材料に比べ、高屈
折率を有するため、図７に示すように、マイクロレンズ
を構成する分割透明膜10ａ及びサイドウォール13上に、
第２平坦化層14及びカラーフィルタ群15を形成するよう
にした、埋め込みレンズ構成とすることが可能となる。In the microlens formed by the present invention, the material for forming the side wall 13 for refracting light is higher than that for the flattening layer 9 or plastic molding, or the insulating film material for the protective film. Since it has a high refractive index, as shown in FIG. 7, on the divided transparent film 10a and the side wall 13 which form the microlens,
It becomes possible to have an embedded lens structure in which the second flattening layer 14 and the color filter group 15 are formed.
【００１７】上記第１実施例においては、マイクロレン
ズを構成する各サイドウォール13間には、微小なギャッ
プが存在する場合も生じる。ギャップが生じると開口率
の低下を招く。第２実施例では、サイドウォール13間の
ギャップを消失させ、ギャップ存在による開口率の低下
を防ぐようにした構成の製造方法を提案する。In the first embodiment described above, a minute gap may exist between the sidewalls 13 forming the microlens. When a gap is generated, the aperture ratio is reduced. The second embodiment proposes a manufacturing method of a structure in which the gap between the sidewalls 13 is eliminated to prevent the reduction of the aperture ratio due to the existence of the gap.
【００１８】第２実施例においては、第１実施例の図５
に示す製造工程終了後に、図８に示すように、表面に薄
膜16をＣＶＤ法等により形成する。ここで薄膜16の形成
材料は、サイドウォール13の形成材料と同じ高屈折率を
有する材料よりなり、また薄膜16の厚さは、サイドウォ
ール13間のギャップ長ｔ5 の半分を少し超える程度の厚
さとする。この薄膜16の形成によりサイドウォール13間
のギャップは消失し、高開口率のマイクロレンズ群が形
成可能となる。In the second embodiment, FIG. 5 of the first embodiment is used.
After the manufacturing process shown in FIG. 8 is completed, as shown in FIG. 8, a thin film 16 is formed on the surface by the CVD method or the like. Here, the forming material of the thin film 16 is made of a material having the same high refractive index as the forming material of the sidewall 13, and the thickness of the thin film 16 is slightly larger than a half of the gap length t 5 between the sidewalls 13. Thickness. By forming the thin film 16, the gap between the sidewalls 13 disappears, and it becomes possible to form a microlens group having a high aperture ratio.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、平坦透明膜とその側面に形成する曲面
状サイドウォールとでマイクロレンズを構成するように
したので、無機材料のみでマイクロレンズを形成するこ
とができ、耐光性，耐褪色性に優れた高信頼性を有する
マイクロレンズをサイドウォール形成法で容易に製造す
ることができる。また製造された固体撮像装置は、クリ
アモールド実装等により表面に空気とは異なる有機材料
等が隣接形成された場合でも、レンズ効果消失による感
度低下を回避することが可能となる。したがってマイク
ロレンズを埋め込み構造化できるので、レンズ部から半
導体表面までの距離が小さくなる微細受光部寸法を有す
る高解像度固体撮像素子用のマイクロレンズの製造方法
にも好適となる。As described above on the basis of the embodiments,
According to the present invention, since the microlens is configured by the flat transparent film and the curved side wall formed on the side surface thereof, the microlens can be formed only by the inorganic material, and the light resistance and the fading resistance can be improved. It is possible to easily manufacture a highly reliable microlens by a sidewall forming method. Further, in the manufactured solid-state imaging device, even when an organic material different from air or the like is formed adjacently on the surface due to clear mold mounting or the like, it is possible to avoid a decrease in sensitivity due to the disappearance of the lens effect. Therefore, since the microlens can be embedded and structured, it is also suitable for a method of manufacturing a microlens for a high-resolution solid-state imaging device having a size of a fine light receiving portion in which the distance from the lens portion to the semiconductor surface becomes small.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の第１実
施例を説明するための製造工程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing process for explaining a first embodiment of a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention.
【図２】図１に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process that follows the manufacturing process shown in FIG.
【図３】図２に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process that follows the manufacturing process shown in FIG.
【図４】図３に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process that follows the manufacturing process shown in FIG.
【図５】図４に示した製造工程に続く製造工程を示す断
面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process that follows the manufacturing process shown in FIG.
【図６】第１実施例により製造された固体撮像装置の集
光動作を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a light collecting operation of the solid-state imaging device manufactured according to the first embodiment.
【図７】第１実施例の応用例を説明するための断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining an application example of the first embodiment.
【図８】第２実施例を説明するための断面図である。FIG. 8 is a sectional view for explaining a second embodiment.
【図９】従来のマイクロレンズを備えた固体撮像装置の
構成例を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration example of a solid-state imaging device including a conventional microlens.
【図10】カバーガラスを備えた従来の固体撮像装置の構
成例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a configuration example of a conventional solid-state imaging device including a cover glass.
【図11】クリアモールド実装に適するマイクロレンズを
備えた従来の固体撮像装置の構成例を示す断面図であ
る。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration example of a conventional solid-state imaging device including a microlens suitable for clear mold mounting.
【図12】クリアモールド実装に適するマイクロレンズを
備えた従来の固体撮像装置の他の構成例を示す断面図で
ある。FIG. 12 is a cross-sectional view showing another configuration example of a conventional solid-state imaging device including a microlens suitable for clear mold mounting.
１ Ｎ- エピタキシャル層 ２ Ｎ+ ソース拡散層 ３ Ｎ+ ドレイン拡散層 ４ ゲート酸化膜 ５ ゲート電極 ６ ソース配線部 ７ ドレイン配線部 ８ 表面保護膜 ９ 表面平坦化層 10 透明膜 10ａ 分割透明膜 11 レジスト11 12 高屈折率膜 13 サイドウォール 14 第２平坦化層 15 カラーフィルター群 16 薄膜1 N - Epitaxial layer 2 N + Source diffusion layer 3 N + Drain diffusion layer 4 Gate oxide film 5 Gate electrode 6 Source wiring part 7 Drain wiring part 8 Surface protective film 9 Surface flattening layer 10 Transparent film 10a Divided transparent film 11 Resist 11 12 High Refractive Index Film 13 Sidewall 14 Second Flattening Layer 15 Color Filter Group 16 Thin Film
Claims (2)
配設された複数の光電変換素子と、前記半導体基板上の
前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を集束する
マイクロレンズをそれぞれ備えた固体撮像装置の製造方
法において、前記各光電変換素子の受光部に対応する部
分に平坦な透明膜を形成したのち、該平坦透明膜の側面
に、２前後の高屈折率をもつ透明材料からなる曲面状サ
イドウォールを形成して、マイクロレンズを構成するこ
とを特徴とする固体撮像装置の製造方法。1. A plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix in a surface region of a semiconductor substrate, and microlenses for focusing incident light on portions corresponding to the photoelectric conversion elements on the semiconductor substrate, respectively. In the method for manufacturing a solid-state image pickup device, a flat transparent film is formed on a portion corresponding to the light receiving portion of each photoelectric conversion element, and a side surface of the flat transparent film is made of a transparent material having a high refractive index of about 2. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising forming a curved side wall to form a microlens.
明材料を、窒化シリコンとしたことを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置の製造方法。2. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 1, wherein the transparent material forming the curved sidewall is silicon nitride.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158964A JPH05335533A (en) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | Method of manufacturing solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4158964A JPH05335533A (en) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | Method of manufacturing solid-state imaging device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335533A true JPH05335533A (en) | 1993-12-17 |
Family
ID=15683217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4158964A Withdrawn JPH05335533A (en) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | Method of manufacturing solid-state imaging device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335533A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410672B1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | The method of fabricating microlense in CMOS image sensor |
| KR100410594B1 (en) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | The method of fabricating for CMOS Image sensor |
| US7019373B2 (en) | 2003-05-28 | 2006-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| WO2006046421A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device, solid-state image pickup device manufacturing method and camera |
| KR100638452B1 (en) * | 2000-12-01 | 2006-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor comprising microlens having convex surface at edge and method for forming the same |
| KR100638451B1 (en) * | 2000-12-08 | 2006-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor having microlens made of oxide layer and method for forming the same |
| JP2007049175A (en) * | 2004-07-15 | 2007-02-22 | Dongbuanam Semiconductor Inc | Cmos image sensor and its manufacturing method |
| KR100727267B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-06-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | A image device having microlens and method of manufacturing the same |
| CN111129055A (en) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Inner lens and manufacturing method thereof |
| CN114122290A (en) * | 2021-11-15 | 2022-03-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | OLED display panel and OLED display device |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP4158964A patent/JPH05335533A/en not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100638452B1 (en) * | 2000-12-01 | 2006-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor comprising microlens having convex surface at edge and method for forming the same |
| KR100638451B1 (en) * | 2000-12-08 | 2006-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Image sensor having microlens made of oxide layer and method for forming the same |
| KR100410672B1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | The method of fabricating microlense in CMOS image sensor |
| KR100410594B1 (en) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | The method of fabricating for CMOS Image sensor |
| US7709918B2 (en) | 2003-05-28 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7019373B2 (en) | 2003-05-28 | 2006-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US8866249B2 (en) | 2003-05-28 | 2014-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US8581358B2 (en) | 2003-05-28 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method |
| US8299557B2 (en) | 2003-05-28 | 2012-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method |
| US7420236B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7253018B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-08-07 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US7598554B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-10-06 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| JP4674302B2 (en) * | 2004-07-15 | 2011-04-20 | 東部エレクトロニクス株式会社 | CMOS image sensor and manufacturing method thereof |
| JP2007049175A (en) * | 2004-07-15 | 2007-02-22 | Dongbuanam Semiconductor Inc | Cmos image sensor and its manufacturing method |
| WO2006046421A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device, solid-state image pickup device manufacturing method and camera |
| KR100727267B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-06-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | A image device having microlens and method of manufacturing the same |
| CN111129055A (en) * | 2019-12-25 | 2020-05-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Inner lens and manufacturing method thereof |
| CN114122290A (en) * | 2021-11-15 | 2022-03-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | OLED display panel and OLED display device |
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