JPH05335293A - 半導体素子の製造方法およびその装置 - Google Patents
半導体素子の製造方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH05335293A JPH05335293A JP14228192A JP14228192A JPH05335293A JP H05335293 A JPH05335293 A JP H05335293A JP 14228192 A JP14228192 A JP 14228192A JP 14228192 A JP14228192 A JP 14228192A JP H05335293 A JPH05335293 A JP H05335293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor device
- asher
- water vapor
- chlorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング工程において半導体基板上に付
着、残留した塩素または塩素イオンを効果的に除去し、
工程のスループットを向上させることができる半導体素
子の製造方法およびその装置を提供すること。 【構成】 アルミニウム配線形成工程において、アッシ
ャーによるレジスト除去後、半導体装置基板を水蒸気雰
囲気中を搬送して洗浄処理槽へ導くことを特徴とする半
導体装置の製造方法およびレジスト除去のためのアッシ
ャー装置から洗浄槽へ搬送するための搬送装置内に水蒸
気を送込むための水蒸気発生器４および搬送中の半導体
素子基板を加熱するための加熱装置１２を具備すること
を特徴とする半導体素子の製造装置。
着、残留した塩素または塩素イオンを効果的に除去し、
工程のスループットを向上させることができる半導体素
子の製造方法およびその装置を提供すること。 【構成】 アルミニウム配線形成工程において、アッシ
ャーによるレジスト除去後、半導体装置基板を水蒸気雰
囲気中を搬送して洗浄処理槽へ導くことを特徴とする半
導体装置の製造方法およびレジスト除去のためのアッシ
ャー装置から洗浄槽へ搬送するための搬送装置内に水蒸
気を送込むための水蒸気発生器４および搬送中の半導体
素子基板を加熱するための加熱装置１２を具備すること
を特徴とする半導体素子の製造装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造方法
およびその装置に関する。特にアルミニウム膜の配線形
成後の半導体素子の製造方法およびその装置に関する。
およびその装置に関する。特にアルミニウム膜の配線形
成後の半導体素子の製造方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、アルミ
ニウム配線の形成には、一般的に、異方性エッチングで
ある反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと称する）
や等方性エッチングであるケミカルドライエッチング
（以下、ＣＤＥと称する）が用いられている。このＲＩ
ＥまたはＣＤＥ工程において、その反応種として塩素
（Ｃｌ）が用いられている。エッチング後、パターニン
グのためのレジストを酸素（Ｏ2 ）またはオゾン
（Ｏ3 ）アッシャーにより除去するのであるが、ＲＩＥ
の際に用いた塩素が半導体装置の基板上に形成された配
線パターンに付着、残留しており、アッシャー工程だけ
では付着した塩素または塩素イオンを十分に除去するこ
とができない。
ニウム配線の形成には、一般的に、異方性エッチングで
ある反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと称する）
や等方性エッチングであるケミカルドライエッチング
（以下、ＣＤＥと称する）が用いられている。このＲＩ
ＥまたはＣＤＥ工程において、その反応種として塩素
（Ｃｌ）が用いられている。エッチング後、パターニン
グのためのレジストを酸素（Ｏ2 ）またはオゾン
（Ｏ3 ）アッシャーにより除去するのであるが、ＲＩＥ
の際に用いた塩素が半導体装置の基板上に形成された配
線パターンに付着、残留しており、アッシャー工程だけ
では付着した塩素または塩素イオンを十分に除去するこ
とができない。
【０００３】この基板上に付着した塩素または塩素イオ
ンは、空気中の水分等により、塩酸となり、アルミニウ
ム配線を腐食する。残留塩素が多いほど腐食頻度が高
く、いかに残留塩素を取除くかが腐食を防止し、信頼性
の高い半導体装置を製造する上で重要である。
ンは、空気中の水分等により、塩酸となり、アルミニウ
ム配線を腐食する。残留塩素が多いほど腐食頻度が高
く、いかに残留塩素を取除くかが腐食を防止し、信頼性
の高い半導体装置を製造する上で重要である。
【０００４】この残留塩素対策として、従来は、ＩＲＥ
およびアッシャーによるレジスト除去後、空気中の水分
に触れないようにウェーハを真空中を搬送し、水洗また
は酸による洗浄を連続的に行うことによりウェーハに付
着した塩素の除去を行っている。しかしながら、この様
な水洗または酸による洗浄は、アッシャー工程に続いて
連続的に行うため枚葉処理となっている。水洗または酸
による洗浄処理にかかる時間は通常１枚当り３００秒ほ
どであり、これが枚葉処理のため多くの時間が必要とな
って、工程全体のスループットを低下させる原因となっ
ている。
およびアッシャーによるレジスト除去後、空気中の水分
に触れないようにウェーハを真空中を搬送し、水洗また
は酸による洗浄を連続的に行うことによりウェーハに付
着した塩素の除去を行っている。しかしながら、この様
な水洗または酸による洗浄は、アッシャー工程に続いて
連続的に行うため枚葉処理となっている。水洗または酸
による洗浄処理にかかる時間は通常１枚当り３００秒ほ
どであり、これが枚葉処理のため多くの時間が必要とな
って、工程全体のスループットを低下させる原因となっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、アルミニウム配線形成時、エッチング工程において
半導体基板上に付着、残留した塩素または塩素イオンを
効果的に除去し、工程のスループットを向上させること
ができる半導体素子の製造方法およびその装置を提供す
ることにある。
は、アルミニウム配線形成時、エッチング工程において
半導体基板上に付着、残留した塩素または塩素イオンを
効果的に除去し、工程のスループットを向上させること
ができる半導体素子の製造方法およびその装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記諸目的は、アルミニ
ウム配線形成工程において、アッシャーによるレジスト
除去後、半導体装置基板を水蒸気雰囲気中を搬送して洗
浄処理槽へ導くことを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
ウム配線形成工程において、アッシャーによるレジスト
除去後、半導体装置基板を水蒸気雰囲気中を搬送して洗
浄処理槽へ導くことを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
【０００７】また、上記諸目的は、レジスト除去のため
のアッシャー装置から洗浄槽へ搬送するための搬送装置
内に水蒸気を送込むための水蒸気発生器および搬送中の
半導体素子基板を加熱するための加熱装置を具備するこ
とを特徴とする半導体素子の製造装置により達成され
る。
のアッシャー装置から洗浄槽へ搬送するための搬送装置
内に水蒸気を送込むための水蒸気発生器および搬送中の
半導体素子基板を加熱するための加熱装置を具備するこ
とを特徴とする半導体素子の製造装置により達成され
る。
【０００８】
【作用】本発明は、アルミニウム配線形成時、エッチン
グ工程において半導体基板上に付着、残留した塩素また
は塩素イオンを、アッシャー後の洗浄槽までを水蒸気雰
囲気中を搬送することにより、付着した塩素または塩素
イオンをＨＣｌとして、この状態で洗浄することにより
水洗または酸による洗浄時間を数十秒程度に短縮して
も、効果的に塩素を除去することができ、残留塩素によ
るアフターコロージョンが発生せず、工程のスループッ
トを向上させることができるものである。
グ工程において半導体基板上に付着、残留した塩素また
は塩素イオンを、アッシャー後の洗浄槽までを水蒸気雰
囲気中を搬送することにより、付着した塩素または塩素
イオンをＨＣｌとして、この状態で洗浄することにより
水洗または酸による洗浄時間を数十秒程度に短縮して
も、効果的に塩素を除去することができ、残留塩素によ
るアフターコロージョンが発生せず、工程のスループッ
トを向上させることができるものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。図１は、本発明による一実施例の製造装置を説明す
るための図面である。
る。図１は、本発明による一実施例の製造装置を説明す
るための図面である。
【００１０】本実施例の構成は、アルミニウム配線を形
成するためにレジスト塗布、ホトリソグラフィー工程に
よりレジストをパターニングされた半導体素子基板のア
ルミニウムをエッチングするためにＣｌ2 含有プラズマ
７を発生させるための高周波電源１７および真空ポンプ
１０等が装備されたエッチング装置１と、エッチング終
了後、レジストを除去するためにＯ2 含有プラズマ８を
発生させるための高周波電源１８および真空ポンプ１１
等が装備されたアッシャー装置２と、水洗または酸によ
る洗浄を行うために半導体素子基板をチャックして回転
させるためのモータが装備された洗浄槽６および本発明
によるアッシャー装置と洗浄槽の間を搬送中に水蒸気雰
囲気９にするための水蒸気発生器４および半導体素子基
板を加熱するためのヒーター１２が装備された水蒸気雰
囲気槽３と、該水蒸気によりＨＣｌとして残留塩素を効
果的に除去するために減圧室５を減圧するための真空ポ
ンプ１３よりなる。なお、１９は排気管、２１は水蒸気
発生器用ヒーターである。
成するためにレジスト塗布、ホトリソグラフィー工程に
よりレジストをパターニングされた半導体素子基板のア
ルミニウムをエッチングするためにＣｌ2 含有プラズマ
７を発生させるための高周波電源１７および真空ポンプ
１０等が装備されたエッチング装置１と、エッチング終
了後、レジストを除去するためにＯ2 含有プラズマ８を
発生させるための高周波電源１８および真空ポンプ１１
等が装備されたアッシャー装置２と、水洗または酸によ
る洗浄を行うために半導体素子基板をチャックして回転
させるためのモータが装備された洗浄槽６および本発明
によるアッシャー装置と洗浄槽の間を搬送中に水蒸気雰
囲気９にするための水蒸気発生器４および半導体素子基
板を加熱するためのヒーター１２が装備された水蒸気雰
囲気槽３と、該水蒸気によりＨＣｌとして残留塩素を効
果的に除去するために減圧室５を減圧するための真空ポ
ンプ１３よりなる。なお、１９は排気管、２１は水蒸気
発生器用ヒーターである。
【００１１】上述のように構成した製造装置を用いて半
導体素子を製造するには、まず、通常の半導体素子工程
を経て、半導体基板上にアルミニウム膜が形成され、そ
の上にアルミニウム配線を形成するためにレジスト塗
布、ホトリソグラフィー工程によりレジストをパターニ
ングされた半導体素子基板をエッチング装置１に搬送し
て、区画扉２１，２２を閉め、真空ポンプ１０によりエ
ッチング装置内部を減圧し、高周波電源１７により高周
波をかけることによりＣｌ2 含有プラズマ７を発生させ
て、所望のパターンにアルミニウム膜をエッチングす
る。このときの処理時間はアルミニウム膜の膜厚にもよ
るが、１２０秒程度である。
導体素子を製造するには、まず、通常の半導体素子工程
を経て、半導体基板上にアルミニウム膜が形成され、そ
の上にアルミニウム配線を形成するためにレジスト塗
布、ホトリソグラフィー工程によりレジストをパターニ
ングされた半導体素子基板をエッチング装置１に搬送し
て、区画扉２１，２２を閉め、真空ポンプ１０によりエ
ッチング装置内部を減圧し、高周波電源１７により高周
波をかけることによりＣｌ2 含有プラズマ７を発生させ
て、所望のパターンにアルミニウム膜をエッチングす
る。このときの処理時間はアルミニウム膜の膜厚にもよ
るが、１２０秒程度である。
【００１２】次に、アッシャー装置２にエッチング処理
を終了した半導体素子基板を搬送して、区画扉２３，２
４を閉め、真空ポンプ１１によりアッシャー装置内部を
減圧し、高周波電源１８により高周波をかけることによ
りＯ2 含有プラズマ８を発生させて、レジストを除去す
るこのときの処理時間は、１２０秒程度である。
を終了した半導体素子基板を搬送して、区画扉２３，２
４を閉め、真空ポンプ１１によりアッシャー装置内部を
減圧し、高周波電源１８により高周波をかけることによ
りＯ2 含有プラズマ８を発生させて、レジストを除去す
るこのときの処理時間は、１２０秒程度である。
【００１３】次に、アッシャー装置２と洗浄槽６の間の
搬送路中に設けられた水蒸気雰囲気槽３内を通過させ
る。半導体素子基板が水蒸気雰囲気中にある時間は１０
〜２０秒程度である。この時間が１０秒未満の場合には
効果的な残留塩素の除去ができないため好ましくなく、
一方２０秒を越えて水蒸気雰囲気中にあっても、これ以
上の残留塩素除去はできず時間が長くなることによりス
ルーップットが低下して好ましくない。この時、基板の
温度をヒーター１２により１００〜２００℃程度にする
とより効果的に残留塩素を除去することができ、また、
この様に基板温度をあげることにより水蒸気が基板に接
触することにより液化して基板上に付着することが防げ
る。なお、水蒸気は水蒸気発生器４に設けられたヒータ
ー２０によって超純水（Ｈ2 Ｏ）を加熱することによっ
て供給する。
搬送路中に設けられた水蒸気雰囲気槽３内を通過させ
る。半導体素子基板が水蒸気雰囲気中にある時間は１０
〜２０秒程度である。この時間が１０秒未満の場合には
効果的な残留塩素の除去ができないため好ましくなく、
一方２０秒を越えて水蒸気雰囲気中にあっても、これ以
上の残留塩素除去はできず時間が長くなることによりス
ルーップットが低下して好ましくない。この時、基板の
温度をヒーター１２により１００〜２００℃程度にする
とより効果的に残留塩素を除去することができ、また、
この様に基板温度をあげることにより水蒸気が基板に接
触することにより液化して基板上に付着することが防げ
る。なお、水蒸気は水蒸気発生器４に設けられたヒータ
ー２０によって超純水（Ｈ2 Ｏ）を加熱することによっ
て供給する。
【００１４】次に、半導体基板を減圧室５に搬送し、区
画扉２５，２６を閉めて減圧室内部を減圧ポンプ１３に
より減圧して水蒸気により湿り気を帯びた基板を乾燥す
る。このときの処理時間は１０〜１１０秒程度である。
画扉２５，２６を閉めて減圧室内部を減圧ポンプ１３に
より減圧して水蒸気により湿り気を帯びた基板を乾燥す
る。このときの処理時間は１０〜１１０秒程度である。
【００１５】次に半導体基板を洗浄槽６に搬送し、ステ
ージ１５に設置して、モーター１４により回転させなが
ら、水または酸により洗浄する洗浄時間は１２０秒程度
であり、洗浄が完了したら基板を乾燥させてアルミニウ
ム配線形成工程を終了する。
ージ１５に設置して、モーター１４により回転させなが
ら、水または酸により洗浄する洗浄時間は１２０秒程度
であり、洗浄が完了したら基板を乾燥させてアルミニウ
ム配線形成工程を終了する。
【００１６】上述の実施例では、搬送にはベルト搬送を
用いているが、これに限定されずロボット搬送等でもよ
い。
用いているが、これに限定されずロボット搬送等でもよ
い。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、本発明の半導体素子の製
造方法およびその装置により、アッシャーによるレジス
ト除去後、搬送中の半導体素子基板を水蒸気雰囲気中を
通すことにより、その後の洗浄処理をこれまでの半分以
下の時間で済むようになり、工程の時間短縮を行うこと
ができるため、半導体素子製造工程スルーップットを向
上させることができる。
造方法およびその装置により、アッシャーによるレジス
ト除去後、搬送中の半導体素子基板を水蒸気雰囲気中を
通すことにより、その後の洗浄処理をこれまでの半分以
下の時間で済むようになり、工程の時間短縮を行うこと
ができるため、半導体素子製造工程スルーップットを向
上させることができる。
【図１】 本発明の実施例を説明するための図面であ
る。
る。
１…エッチング装置、２…アッシャー装置、３…水蒸気
雰囲気槽、４…水蒸気発生器、５…減圧室、６…洗浄
槽、１２…半導体素子基板加熱用ヒーター。
雰囲気槽、４…水蒸気発生器、５…減圧室、６…洗浄
槽、１２…半導体素子基板加熱用ヒーター。
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム配線形成工程において、ア
ッシャーによるレジスト除去後、半導体装置基板を水蒸
気雰囲気中を搬送して洗浄処理槽へ導くことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 レジスト除去のためのアッシャー装置か
ら洗浄槽へ搬送するための搬送装置内に水蒸気を送込む
ための水蒸気発生器および搬送中の半導体素子基板を加
熱するための加熱装置を具備することを特徴とする半導
体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14228192A JPH05335293A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 半導体素子の製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14228192A JPH05335293A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 半導体素子の製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335293A true JPH05335293A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15311720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14228192A Withdrawn JPH05335293A (ja) | 1992-06-03 | 1992-06-03 | 半導体素子の製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335293A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998037575A1 (fr) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Seiko Epson Corporation | Procede et appareil de traitement de surface |
| KR100237020B1 (ko) * | 1996-10-25 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
| US6667244B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-12-23 | Gerald M. Cox | Method for etching sidewall polymer and other residues from the surface of semiconductor devices |
| WO2012117943A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板処理用ハロゲン除去装置、被処理基板処理装置、および被処理基板処理方法 |
-
1992
- 1992-06-03 JP JP14228192A patent/JPH05335293A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100237020B1 (ko) * | 1996-10-25 | 2000-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
| WO1998037575A1 (fr) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Seiko Epson Corporation | Procede et appareil de traitement de surface |
| US6667244B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-12-23 | Gerald M. Cox | Method for etching sidewall polymer and other residues from the surface of semiconductor devices |
| WO2012117943A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板処理用ハロゲン除去装置、被処理基板処理装置、および被処理基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| TWI667697B (zh) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| TWI497577B (zh) | A substrate processing method and a substrate processing apparatus | |
| US20090065032A1 (en) | Apparatus and method for removing photoresist from a substrate | |
| JP2008294453A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH1050679A (ja) | 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法 | |
| KR20110081765A (ko) | 기판의 클리닝 방법 및 기판의 클리닝 장치 | |
| KR102584837B1 (ko) | 에칭 방법 및 기판 처리 시스템 | |
| TWI398920B (zh) | Surface treatment of substrates | |
| JP3575240B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05335293A (ja) | 半導体素子の製造方法およびその装置 | |
| JP2021027124A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びクリーニング装置 | |
| JPH11323576A (ja) | ウエットエッチング方法 | |
| JP2004063201A (ja) | 基板の処理装置 | |
| JP2004214388A (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2971130B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0239523A (ja) | 半導体基板への成膜方法 | |
| JP2544129B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0766168A (ja) | 半導体製造方法および半導体製造装置 | |
| TW420841B (en) | Method and system for removing the water mark from the surface of a semiconductor substrate | |
| JPS58213429A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP3544326B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH028379A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04268728A (ja) | エッチング方法および装置 | |
| JPH0927473A (ja) | レジスト除去方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |