JPH05325165A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH05325165A JPH05325165A JP12774992A JP12774992A JPH05325165A JP H05325165 A JPH05325165 A JP H05325165A JP 12774992 A JP12774992 A JP 12774992A JP 12774992 A JP12774992 A JP 12774992A JP H05325165 A JPH05325165 A JP H05325165A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 CoPtBO系金属磁性薄膜を磁性層とする
磁気記録媒体において、高密度記録を可能としつつ、高
再生出力を得ることが可能な磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性支持体1上に磁性層としてCoPtB
O系金属磁性薄膜3が形成され、このCoPtBO系金
属磁性薄膜3上に保護膜4及び潤滑剤層5等が順次積層
形成される。上記CoPtBO系金属磁性薄膜3は、F
eSi膜等の軟磁性膜よりなる下地膜2上に形成され
る。特に、この下地膜2として、FeSi膜を使用した
場合、膜中のSiの組成比は0.94〜6.4原子%と
されることが好ましく、その膜厚は1〜100nmであ
ることが好ましい。
磁気記録媒体において、高密度記録を可能としつつ、高
再生出力を得ることが可能な磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性支持体1上に磁性層としてCoPtB
O系金属磁性薄膜3が形成され、このCoPtBO系金
属磁性薄膜3上に保護膜4及び潤滑剤層5等が順次積層
形成される。上記CoPtBO系金属磁性薄膜3は、F
eSi膜等の軟磁性膜よりなる下地膜2上に形成され
る。特に、この下地膜2として、FeSi膜を使用した
場合、膜中のSiの組成比は0.94〜6.4原子%と
されることが好ましく、その膜厚は1〜100nmであ
ることが好ましい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CoPtBO系金属磁
性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体に関するものであ
る。
性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】情報記録の分野においては、高記録密度
化、高記録容量化への要求に応えるべく、垂直磁気記録
方式に関する研究が各方面で進められている。上記垂直
磁気記録方式は、記録波長が短波長となったときに静磁
気的な安定化が達成されること、急峻な磁化転移領域が
形成されるために再生ヘッドの誘導起電力を大きくでき
ること等の利点を有しており、本質的に高密度記録に適
した方式と言える。
化、高記録容量化への要求に応えるべく、垂直磁気記録
方式に関する研究が各方面で進められている。上記垂直
磁気記録方式は、記録波長が短波長となったときに静磁
気的な安定化が達成されること、急峻な磁化転移領域が
形成されるために再生ヘッドの誘導起電力を大きくでき
ること等の利点を有しており、本質的に高密度記録に適
した方式と言える。
【0003】この垂直磁気記録方式に用いられる磁気記
録媒体としては、膜面に対して垂直方向に磁気異方性を
有することが必要とされ、これまでCo−Cr系,Co
−Mo系,Co−V系,Co−Ru系等の合金磁性薄膜
を磁性層とした垂直磁気記録媒体が知られている。
録媒体としては、膜面に対して垂直方向に磁気異方性を
有することが必要とされ、これまでCo−Cr系,Co
−Mo系,Co−V系,Co−Ru系等の合金磁性薄膜
を磁性層とした垂直磁気記録媒体が知られている。
【0004】しかしながら、最も優れた磁気特性を有す
るCo−Cr系垂直磁気記録媒体においても、飽和磁化
は0.4〜0.6T(4〜6kG)程度で、異方性磁界
は318〜478kA/m(4〜6kOe)の範囲に過
ぎない。また、このCo−Cr系垂直磁気記録媒体の垂
直保磁力は、スパッタリングによる成膜時の基板温度を
150℃とした場合で約120kA/m(1.5kO
e)となるが、基板温度を室温程度とした場合には高々
24kA/m(300Oe)程度である。このために、
このCo−Cr系垂直磁気記録媒体では、成膜時の加熱
温度に耐え得るような基板材料を使用することが必至と
されので、安価なポリエチレンテレフタレート(PE
T)基板を使用することができないという欠点を抱えて
いる。
るCo−Cr系垂直磁気記録媒体においても、飽和磁化
は0.4〜0.6T(4〜6kG)程度で、異方性磁界
は318〜478kA/m(4〜6kOe)の範囲に過
ぎない。また、このCo−Cr系垂直磁気記録媒体の垂
直保磁力は、スパッタリングによる成膜時の基板温度を
150℃とした場合で約120kA/m(1.5kO
e)となるが、基板温度を室温程度とした場合には高々
24kA/m(300Oe)程度である。このために、
このCo−Cr系垂直磁気記録媒体では、成膜時の加熱
温度に耐え得るような基板材料を使用することが必至と
されので、安価なポリエチレンテレフタレート(PE
T)基板を使用することができないという欠点を抱えて
いる。
【0005】このように、従来の垂直磁気記録媒体で
は、垂直抗磁力、飽和磁化、垂直異方性等に材料そのも
のとしての限界がある。
は、垂直抗磁力、飽和磁化、垂直異方性等に材料そのも
のとしての限界がある。
【0006】そこで、本願出願人は、特開平3−583
16号公報において、新しい垂直磁気記録媒体として、
CoPtBO系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒
体を提案している。このCoPtBO系金属磁性薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体は、大きな垂直抗磁力、飽和
磁化、垂直異方性を有し、優れた磁気特性を有すること
から、一層の高記録密度化を期待することができる。
16号公報において、新しい垂直磁気記録媒体として、
CoPtBO系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒
体を提案している。このCoPtBO系金属磁性薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体は、大きな垂直抗磁力、飽和
磁化、垂直異方性を有し、優れた磁気特性を有すること
から、一層の高記録密度化を期待することができる。
【0007】また、このCoPtBO系金属磁性薄膜の
単層膜を磁性層とする磁気記録媒体に対してリングヘッ
ドにより記録再生を行う際に、リングヘッドのギャップ
長を適宜選定することにより、高再生出力化が図られ
る。
単層膜を磁性層とする磁気記録媒体に対してリングヘッ
ドにより記録再生を行う際に、リングヘッドのギャップ
長を適宜選定することにより、高再生出力化が図られ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
垂直磁気記録媒体において、より高再生出力化を図りつ
つ、高密度記録を可能とするためには、何らかの試みが
必要とされる。従来、例えばCo−Cr系垂直磁気記録
媒体においては、上記Co−Cr系金属磁性薄膜の下地
層としてFe−Ni,Fe−Si,Fe−Co等の軟磁
性膜を形成する方法が提案されている。この方法によれ
ば、特に低密度領域において高い再生出力を得ることが
できる。
垂直磁気記録媒体において、より高再生出力化を図りつ
つ、高密度記録を可能とするためには、何らかの試みが
必要とされる。従来、例えばCo−Cr系垂直磁気記録
媒体においては、上記Co−Cr系金属磁性薄膜の下地
層としてFe−Ni,Fe−Si,Fe−Co等の軟磁
性膜を形成する方法が提案されている。この方法によれ
ば、特に低密度領域において高い再生出力を得ることが
できる。
【0009】この他、特開平2−73511号公報にそ
の記載が見られるように、Co−Pt系、或いはCo−
Pt−O系の垂直磁気記録媒体において、希土類元素や
Ge,Pt,Ta等の添加元素のスパッタ膜を磁性層の
下地層として設けることにより、上記Co−Pt系、或
いはCo−Pt−O系の金属磁性薄膜の配向性が良好に
制御され、媒体の垂直保磁力や面内保磁力、垂直磁気異
方性等の磁気特性の向上が図られることも知られてい
る。
の記載が見られるように、Co−Pt系、或いはCo−
Pt−O系の垂直磁気記録媒体において、希土類元素や
Ge,Pt,Ta等の添加元素のスパッタ膜を磁性層の
下地層として設けることにより、上記Co−Pt系、或
いはCo−Pt−O系の金属磁性薄膜の配向性が良好に
制御され、媒体の垂直保磁力や面内保磁力、垂直磁気異
方性等の磁気特性の向上が図られることも知られてい
る。
【0010】しかしながら、CoPtBO系金属磁性薄
膜を磁性層とした磁気記録媒体において、高密度記録、
高再生出力化を達成するための技術に関しては、未だ開
発段階であり、十分な検討がなされていない。そこで本
発明は、かかる実情に鑑みて提案されたものであって、
CoPtBO系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒
体において、高密度記録を可能としつつ、高再生出力を
得ることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
膜を磁性層とした磁気記録媒体において、高密度記録、
高再生出力化を達成するための技術に関しては、未だ開
発段階であり、十分な検討がなされていない。そこで本
発明は、かかる実情に鑑みて提案されたものであって、
CoPtBO系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒
体において、高密度記録を可能としつつ、高再生出力を
得ることが可能な磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、CoPtB
O系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体において
は、FeSi膜等の軟磁性膜を上記CoPtBO系金属
磁性薄膜の下地層として形成することにより、全波長域
で良好な再生出力特性が得られることを見出した。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、CoPtB
O系金属磁性薄膜を磁性層とする磁気記録媒体において
は、FeSi膜等の軟磁性膜を上記CoPtBO系金属
磁性薄膜の下地層として形成することにより、全波長域
で良好な再生出力特性が得られることを見出した。
【0012】本発明は、かかる知見に基づいて完成され
たものである。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、非
磁性支持体上にCoPtBO系金属磁性薄膜が磁性層と
して形成されてなる磁気記録媒体において、上記CoP
tBO系金属磁性薄膜が軟磁性膜よりなる下地膜上に形
成されることを特徴とするものである。
たものである。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、非
磁性支持体上にCoPtBO系金属磁性薄膜が磁性層と
して形成されてなる磁気記録媒体において、上記CoP
tBO系金属磁性薄膜が軟磁性膜よりなる下地膜上に形
成されることを特徴とするものである。
【0013】本発明において用いる磁気記録媒体は、磁
性層としてCoPtBO系金属磁性薄膜が成膜されてな
る磁気記録媒体である。ここで、CoPtBO系金属磁
性薄膜は、下記の組成式によって示される磁性材料から
なるものである。 (Coa Ptb Bc )100-x Ox ただし、式中a,b,c,xは組成を原子%で表すもの
であり、a+b+c=100、0≦b≦50、0.1≦
c≦30、0<x≦15である。
性層としてCoPtBO系金属磁性薄膜が成膜されてな
る磁気記録媒体である。ここで、CoPtBO系金属磁
性薄膜は、下記の組成式によって示される磁性材料から
なるものである。 (Coa Ptb Bc )100-x Ox ただし、式中a,b,c,xは組成を原子%で表すもの
であり、a+b+c=100、0≦b≦50、0.1≦
c≦30、0<x≦15である。
【0014】なお、このCoPtBO系金属磁性薄膜に
おいては、垂直保磁力や面内保磁力、垂直磁気異方性等
の磁気特性の向上を図る目的から、添加元素として、例
えばTi,Zr,V,Cr,Nb,Mo,Ta,W等の
うちの1種以上が添加されても良い。
おいては、垂直保磁力や面内保磁力、垂直磁気異方性等
の磁気特性の向上を図る目的から、添加元素として、例
えばTi,Zr,V,Cr,Nb,Mo,Ta,W等の
うちの1種以上が添加されても良い。
【0015】本発明では、上記CoPtBO系金属磁性
薄膜の下地層として、軟磁性膜が設けられる。これによ
り、記録密度特性を損なうことなく、全波長域での再生
出力を著しく向上させることができる。この軟磁性膜と
しては、例えばFeSi膜、パーマロイ等が挙げられる
が、特に高い飽和磁束密度を有するFeSi膜が好適で
ある。
薄膜の下地層として、軟磁性膜が設けられる。これによ
り、記録密度特性を損なうことなく、全波長域での再生
出力を著しく向上させることができる。この軟磁性膜と
しては、例えばFeSi膜、パーマロイ等が挙げられる
が、特に高い飽和磁束密度を有するFeSi膜が好適で
ある。
【0016】このFeSi膜においては、膜中のSiの
組成比が0.94〜6.4原子%の範囲とされることが
好ましい。膜中のSiの組成比が上記範囲から外れる
と、FeSi膜の保磁力が急激に増大し、下地層として
の効果が低下する。また、このFeSi膜の膜厚は、1
〜100nmであることが好ましい。FeSi膜の膜厚
が1nmよりも薄いと、十分に再生出力を向上させるこ
とができない上、膜厚の均一性を確保することが困難と
なる。逆に、FeSi膜の膜厚が100nmよりも厚く
なると、記録密度特性が劣化する。
組成比が0.94〜6.4原子%の範囲とされることが
好ましい。膜中のSiの組成比が上記範囲から外れる
と、FeSi膜の保磁力が急激に増大し、下地層として
の効果が低下する。また、このFeSi膜の膜厚は、1
〜100nmであることが好ましい。FeSi膜の膜厚
が1nmよりも薄いと、十分に再生出力を向上させるこ
とができない上、膜厚の均一性を確保することが困難と
なる。逆に、FeSi膜の膜厚が100nmよりも厚く
なると、記録密度特性が劣化する。
【0017】
【作用】CoPtBO系金属磁性薄膜の下地層として、
高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜を設けることによ
り、上記CoPtBO系金属磁性薄膜の裏面に発生する
磁荷が短絡される。この結果、再生出力が全記録密度の
範囲に亘って著しく増大する。
高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜を設けることによ
り、上記CoPtBO系金属磁性薄膜の裏面に発生する
磁荷が短絡される。この結果、再生出力が全記録密度の
範囲に亘って著しく増大する。
【0018】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて実験結果に基づいて詳細に説明する。実施例1 先ず、高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス
基板上に下地層としてFeSi膜を成膜した後、このF
eSi膜上に磁性層としてCoPtBO金属磁性薄膜を
膜厚が200nmとなるように成膜した。なお、スパッ
タ条件は下記の通りである。
いて実験結果に基づいて詳細に説明する。実施例1 先ず、高周波マグネトロンスパッタ装置を用い、ガラス
基板上に下地層としてFeSi膜を成膜した後、このF
eSi膜上に磁性層としてCoPtBO金属磁性薄膜を
膜厚が200nmとなるように成膜した。なお、スパッ
タ条件は下記の通りである。
【0019】<スパッタ条件> バックグラウンド真空度 : 5.3×10-4Pa 基板エッチング : 高周波300W,5分
間 基板温度 : 室温 全圧 : 10mTorr スパッタ投入電力 : 300W アルゴンガス流量 : 60cc/分 スパッタ時間 : 約10分
間 基板温度 : 室温 全圧 : 10mTorr スパッタ投入電力 : 300W アルゴンガス流量 : 60cc/分 スパッタ時間 : 約10分
【0020】スパッタに際して、磁性層の成膜時に使用
したターゲットの組成は、Co71Pt22B7 (数値は原
子%)であり、直径4インチ、厚さ3mm寸法のものを
用いた。
したターゲットの組成は、Co71Pt22B7 (数値は原
子%)であり、直径4インチ、厚さ3mm寸法のものを
用いた。
【0021】図1に、このようにして得られた磁気記録
媒体の構成を示す。図1に示すように、この磁気記録媒
体においては、ガラス基板1上にFeSi膜よりなる下
地層2が形成され、この下地層2上にCoPtBO金属
磁性薄膜3が磁性層として積層形成されてなる。
媒体の構成を示す。図1に示すように、この磁気記録媒
体においては、ガラス基板1上にFeSi膜よりなる下
地層2が形成され、この下地層2上にCoPtBO金属
磁性薄膜3が磁性層として積層形成されてなる。
【0022】このCoPtBO金属磁性薄膜3上には、
スパッタリング等により保護膜4が形成される。この保
護膜4としては、カーボン膜等が使用され、その膜厚
は、10nmとされる。更に、この保護膜4を覆って潤
滑剤等による潤滑剤層5が塗布形成されてなる。実施例2 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
15nmのFeSi膜及びCoPtBO金属磁性薄膜
(膜厚200nm)を成膜して磁気記録媒体を作製し
た。この時、上記下地層2を構成してなるFeSi膜中
におけるSiの組成比は、4原子%とした。また、上記
CoPtBO金属磁性薄膜の垂直保磁力は、約160k
A/mであった。
スパッタリング等により保護膜4が形成される。この保
護膜4としては、カーボン膜等が使用され、その膜厚
は、10nmとされる。更に、この保護膜4を覆って潤
滑剤等による潤滑剤層5が塗布形成されてなる。実施例2 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
15nmのFeSi膜及びCoPtBO金属磁性薄膜
(膜厚200nm)を成膜して磁気記録媒体を作製し
た。この時、上記下地層2を構成してなるFeSi膜中
におけるSiの組成比は、4原子%とした。また、上記
CoPtBO金属磁性薄膜の垂直保磁力は、約160k
A/mであった。
【0023】次に、得られた磁気記録媒体を用い、電磁
変換特性を測定した。なお、測定に際しては、図6に示
すような再生装置を使用した。この再生装置において
は、略半円形のヘッド支持体8に互いに平行となるよう
に取り付けられた一対の板バネ9,10によって矩形状
のヘッド載置板11が支持され、このヘッド載置板11
の先端に固定されたリングヘッド(ギャップ長0.35
μm)7のヘッド摺接面が上記磁気記録媒体6の表面に
垂直に接触するような構成とされている。なお、このリ
ングヘッド7の諸元は下記の通りである。また、磁気記
録媒体に対する相対速度は、3m/秒とした。
変換特性を測定した。なお、測定に際しては、図6に示
すような再生装置を使用した。この再生装置において
は、略半円形のヘッド支持体8に互いに平行となるよう
に取り付けられた一対の板バネ9,10によって矩形状
のヘッド載置板11が支持され、このヘッド載置板11
の先端に固定されたリングヘッド(ギャップ長0.35
μm)7のヘッド摺接面が上記磁気記録媒体6の表面に
垂直に接触するような構成とされている。なお、このリ
ングヘッド7の諸元は下記の通りである。また、磁気記
録媒体に対する相対速度は、3m/秒とした。
【0024】<リングヘッド> 種類 : メタル・イン・ギャップ型(MIG
型)磁気ヘッド 磁性膜 : Fe−Ga−Si−Ru(飽和磁束
密度1.2T) トラック幅 : 25μm ギッャプ長 : 0.35μm 巻線数 : 20ターン
型)磁気ヘッド 磁性膜 : Fe−Ga−Si−Ru(飽和磁束
密度1.2T) トラック幅 : 25μm ギッャプ長 : 0.35μm 巻線数 : 20ターン
【0025】図2に、上記FeSi膜を下地層として有
する磁気記録媒体(A)と、比較例としてFeSi膜か
らなる下地層を設けず、上記ガラス基板上に直接上記C
oPtBO金属磁性薄膜を形成した磁気記録媒体(B)
の記録密度特性をそれぞれ示す。なお、図中、線Aが磁
気記録媒体(A)に、線Bが磁気記録媒体(B)にそれ
ぞれ対応している。
する磁気記録媒体(A)と、比較例としてFeSi膜か
らなる下地層を設けず、上記ガラス基板上に直接上記C
oPtBO金属磁性薄膜を形成した磁気記録媒体(B)
の記録密度特性をそれぞれ示す。なお、図中、線Aが磁
気記録媒体(A)に、線Bが磁気記録媒体(B)にそれ
ぞれ対応している。
【0026】図2に示すように、下地層としてFeSi
膜を形成した磁気記録媒体(A)では、下地層を設けな
かった磁気記録媒体(B)に比べて、全記録密度領域に
亘り再生出力が増大した。
膜を形成した磁気記録媒体(A)では、下地層を設けな
かった磁気記録媒体(B)に比べて、全記録密度領域に
亘り再生出力が増大した。
【0027】そこで、上記FeSi膜の膜厚が再生出力
特性に及ぼす影響を以下のようにして調べた。実施例3 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、Fe
Si膜及びCoPtBO金属磁性薄膜を成膜して磁気記
録媒体を作製した。この時、上記下地層2を構成してな
るFeSi膜の膜厚を広範囲で変化させた。なお、上記
CoPtBO金属磁性薄膜の磁気特性は、上記実施例1
のものと同じである。
特性に及ぼす影響を以下のようにして調べた。実施例3 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、Fe
Si膜及びCoPtBO金属磁性薄膜を成膜して磁気記
録媒体を作製した。この時、上記下地層2を構成してな
るFeSi膜の膜厚を広範囲で変化させた。なお、上記
CoPtBO金属磁性薄膜の磁気特性は、上記実施例1
のものと同じである。
【0028】図3に、上記FeSi膜の膜厚と記録密度
特性の関係を示す。なお、測定値は、上記FeSi膜を
設けなかった場合の低密度域における再生出力で規格化
した値で表した。図3より、上記FeSi膜の膜厚が厚
くなるに従って、再生出力が増大し、10nm以上の範
囲では、約2.0dBの高い再生出力が得られることが
判った。
特性の関係を示す。なお、測定値は、上記FeSi膜を
設けなかった場合の低密度域における再生出力で規格化
した値で表した。図3より、上記FeSi膜の膜厚が厚
くなるに従って、再生出力が増大し、10nm以上の範
囲では、約2.0dBの高い再生出力が得られることが
判った。
【0029】また、下地層としてFeSi膜を使用する
ことの効果を検討した。実施例4 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
が15nmとなるようにFeSi膜を成膜した後、続い
て上記実施例1の同一の特性を有するCoPtBO金属
磁性薄膜を成膜して磁気記録媒体を作製した。
ことの効果を検討した。実施例4 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
が15nmとなるようにFeSi膜を成膜した後、続い
て上記実施例1の同一の特性を有するCoPtBO金属
磁性薄膜を成膜して磁気記録媒体を作製した。
【0030】図4に、本実施例における磁気記録媒体
(A)と、比較として上記FeSi膜の代わりにPt膜
を下地層として設けた磁気記録媒体(B)、Au膜を下
地層として設けた磁気記録媒体(C)の記録密度特性を
示す。なお、Pt膜、Au膜の膜厚は、何れも100n
mとした。図4に示すように、従来より磁性層の結晶配
向性を向上させる目的で用いられているPt膜やAu膜
の非磁性膜を下地層として形成した場合に比べて、Fe
Si膜を下地層とした場合では、全波長領域で再生出力
の向上が見られた。
(A)と、比較として上記FeSi膜の代わりにPt膜
を下地層として設けた磁気記録媒体(B)、Au膜を下
地層として設けた磁気記録媒体(C)の記録密度特性を
示す。なお、Pt膜、Au膜の膜厚は、何れも100n
mとした。図4に示すように、従来より磁性層の結晶配
向性を向上させる目的で用いられているPt膜やAu膜
の非磁性膜を下地層として形成した場合に比べて、Fe
Si膜を下地層とした場合では、全波長領域で再生出力
の向上が見られた。
【0031】これは、軟磁性を有するFeSi膜を上記
CoPtBO金属磁性薄膜の裏面に配することにより、
該CoPtBO金属磁性薄膜の結晶配向性を劣化させる
ことなく、その裏面の磁荷を短絡させることができるた
めと考えられる。
CoPtBO金属磁性薄膜の裏面に配することにより、
該CoPtBO金属磁性薄膜の結晶配向性を劣化させる
ことなく、その裏面の磁荷を短絡させることができるた
めと考えられる。
【0032】更に、このような所謂裏打ち効果(CoP
tBO金属磁性薄膜の裏面の磁荷を短絡させることによ
って再生出力を向上させる効果)を良好に発現させるた
めの上記FeSi膜の組成について検討した。実施例5 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
が100nmとなるようにFeSi膜を成膜した後、続
いて上記実施例1の同一の特性を有するCoPtBO金
属磁性薄膜を成膜して磁気記録媒体を作製した。この
時、上記FeSi膜中におけるSiの割合を変化させ
た。
tBO金属磁性薄膜の裏面の磁荷を短絡させることによ
って再生出力を向上させる効果)を良好に発現させるた
めの上記FeSi膜の組成について検討した。実施例5 上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行い、膜厚
が100nmとなるようにFeSi膜を成膜した後、続
いて上記実施例1の同一の特性を有するCoPtBO金
属磁性薄膜を成膜して磁気記録媒体を作製した。この
時、上記FeSi膜中におけるSiの割合を変化させ
た。
【0033】そして、得られた各磁気記録媒体につい
て、下地層とされるFeSi膜の保磁力を測定し、この
結果を図5に示した。図5に示すように、FeSi膜の
保磁力は、膜中で占めるSiの割合に依存して変化し、
Siの組成比が0.94〜6.4原子%である範囲内に
おいて保磁力が小さく抑えられ、良好な軟磁性を示し
た。従って、FeSi膜中のSiの組成比を0.94〜
6.4原子%の範囲に設定することにより、その良好な
軟磁性により、優れた裏打ち効果を期待することができ
ることが判った。
て、下地層とされるFeSi膜の保磁力を測定し、この
結果を図5に示した。図5に示すように、FeSi膜の
保磁力は、膜中で占めるSiの割合に依存して変化し、
Siの組成比が0.94〜6.4原子%である範囲内に
おいて保磁力が小さく抑えられ、良好な軟磁性を示し
た。従って、FeSi膜中のSiの組成比を0.94〜
6.4原子%の範囲に設定することにより、その良好な
軟磁性により、優れた裏打ち効果を期待することができ
ることが判った。
【0034】なお、本実施例においては、基板としてガ
ラス基板を使用したが、この他にもポリイミド樹脂基
板、結晶化ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート基
板等が何れも使用可能である。
ラス基板を使用したが、この他にもポリイミド樹脂基
板、結晶化ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート基
板等が何れも使用可能である。
【0035】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体では、CoPtBO系金属磁性薄膜の
下地層として軟磁性膜を形成しているので、該CoPt
BO系金属磁性薄膜の結晶配向性を劣化させるとなく、
全記録波長域において再生出力を著しく向上させること
ができる。
明の磁気記録媒体では、CoPtBO系金属磁性薄膜の
下地層として軟磁性膜を形成しているので、該CoPt
BO系金属磁性薄膜の結晶配向性を劣化させるとなく、
全記録波長域において再生出力を著しく向上させること
ができる。
【0036】また、本発明の磁気記録媒体では、上記下
地層を設けることによる孤立再生波形のダイパルス比の
変化は殆ど見られず、記録密度特性を損なうことなく、
上述のような高再生出力特性を実現することができる。
地層を設けることによる孤立再生波形のダイパルス比の
変化は殆ど見られず、記録密度特性を損なうことなく、
上述のような高再生出力特性を実現することができる。
【0037】更に、本発明は、磁性層を構成してなるC
oPtBO系金属磁性薄膜及びFeSi膜等の下地層が
何れも室温でのスパッタリング等によって成膜可能であ
ることから、ポリエチレンテレフタレート基板等の比較
的安価な基板材料を使用することができ、実用上非常に
有利である。
oPtBO系金属磁性薄膜及びFeSi膜等の下地層が
何れも室温でのスパッタリング等によって成膜可能であ
ることから、ポリエチレンテレフタレート基板等の比較
的安価な基板材料を使用することができ、実用上非常に
有利である。
【図1】本発明にかかる磁気記録媒体の一例の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】CoPtBO金属磁性薄膜の下地層としてFe
Si膜を形成した磁気記録媒体と下地層を設けなかった
磁気記録媒体における記録密度特性を示す特性図であ
る。
Si膜を形成した磁気記録媒体と下地層を設けなかった
磁気記録媒体における記録密度特性を示す特性図であ
る。
【図3】下地層とされるFeSi膜の膜厚と規格化され
た再生出力の関係を示す特性図である。
た再生出力の関係を示す特性図である。
【図4】下地層として、FeSi膜を用いた磁気記録媒
体,Pt膜を用いた磁気記録媒体及びAu膜を用いた磁
気記録媒体における記録密度特性を示す特性図である。
体,Pt膜を用いた磁気記録媒体及びAu膜を用いた磁
気記録媒体における記録密度特性を示す特性図である。
【図5】下地層とされるFeSi膜中のSiの組成比と
該FeSi膜の保磁力の関係を示す特性図である。
該FeSi膜の保磁力の関係を示す特性図である。
【図6】本発明を適用した磁気記録媒体の電磁変換特性
を測定する際に使用した再生装置の構成を説明するため
の斜視図である。
を測定する際に使用した再生装置の構成を説明するため
の斜視図である。
1・・・ガラス基板 2・・・下地層 3・・・CoPtBO金属磁性薄膜
Claims (4)
- 【請求項1】 非磁性支持体上にCoPtBO系金属磁
性薄膜が磁性層として形成されてなる磁気記録媒体にお
いて、 上記CoPtBO系金属磁性薄膜が軟磁性膜よりなる下
地膜上に形成されることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 上記軟磁性膜がFeSi膜よりなること
を特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 上記FeSi膜中のSiの組成比が0.
94〜6.4原子%であることを特徴とする請求項2記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項4】 上記FeSi膜の膜厚が1〜100nm
であることを特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12774992A JPH05325165A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12774992A JPH05325165A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05325165A true JPH05325165A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14967740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12774992A Withdrawn JPH05325165A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05325165A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541131B1 (en) | 2000-05-25 | 2003-04-01 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with enhanced coercivity |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12774992A patent/JPH05325165A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541131B1 (en) | 2000-05-25 | 2003-04-01 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording media with enhanced coercivity |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |