JPH0531602Y2 - - Google Patents
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- JPH0531602Y2 JPH0531602Y2 JP1983049323U JP4932383U JPH0531602Y2 JP H0531602 Y2 JPH0531602 Y2 JP H0531602Y2 JP 1983049323 U JP1983049323 U JP 1983049323U JP 4932383 U JP4932383 U JP 4932383U JP H0531602 Y2 JPH0531602 Y2 JP H0531602Y2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 28
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は、光フアイバを用いたフアイバセンサ
装置に関する。
装置に関する。
〈従来の技術〉
IC、トランス等の電子部品には機種、制作ロ
ツトなどを明らかにするための標印(通常、白
色)が電子部品のフレーム(通常、黒色又は白
色)に文字又は数字によつて付されている。そし
て、製造工程において、電子部品に標印したの
ち、その標印が確実に行われているか、否かを検
知するため、受光部と受光部とを有するフアイバ
センサ装置によつて標印のあるなしを判断してい
た。
ツトなどを明らかにするための標印(通常、白
色)が電子部品のフレーム(通常、黒色又は白
色)に文字又は数字によつて付されている。そし
て、製造工程において、電子部品に標印したの
ち、その標印が確実に行われているか、否かを検
知するため、受光部と受光部とを有するフアイバ
センサ装置によつて標印のあるなしを判断してい
た。
〈考案が解決しようとする課題〉
このフアイバセンサ装置でのひとつの検知方法
としては、標印部分を検知したときの受光部出力
を予め実験によつて設定しておき、受光部出力が
設定値に達したときには、標印ありとする方法が
ある。しかし、この検知方法では、外部の明暗や
標印する下地の色の変化に対応してその都度設定
値を変更する必要があつた。
としては、標印部分を検知したときの受光部出力
を予め実験によつて設定しておき、受光部出力が
設定値に達したときには、標印ありとする方法が
ある。しかし、この検知方法では、外部の明暗や
標印する下地の色の変化に対応してその都度設定
値を変更する必要があつた。
そこで、本考案の考案者は当初、2つのフアイ
バセンサ装置によつて標印部分と、標印以外の被
検査物の表面との反射率を別々に測定し、この差
を電圧差で検出することによつて標印の有無を検
知する実験を行つた。
バセンサ装置によつて標印部分と、標印以外の被
検査物の表面との反射率を別々に測定し、この差
を電圧差で検出することによつて標印の有無を検
知する実験を行つた。
しかしながら、フアイバセンサ装置が別々であ
る関係上、被検査物が電子部品のように小さいも
のであると、取付スペースが大きく必要となり、
測定・検知が不能となるばかりでなく、光の相互
干渉を生じるという問題が残つた。
る関係上、被検査物が電子部品のように小さいも
のであると、取付スペースが大きく必要となり、
測定・検知が不能となるばかりでなく、光の相互
干渉を生じるという問題が残つた。
しかし、単にフアイバセンサ装置を一まとめに
しただけでは、標印部分と、標印以外の被検査物
との表面を検知するフアイバセンサ装置同士で前
述したのと同様の光の相互干渉が顕著になり、や
はり検知不能を起こすということが判明した。
しただけでは、標印部分と、標印以外の被検査物
との表面を検知するフアイバセンサ装置同士で前
述したのと同様の光の相互干渉が顕著になり、や
はり検知不能を起こすということが判明した。
本考案は上記事情に鑑みて創案されたもので、
電子部品のような小さいサイズの被検査物であつ
ても、光の相互干渉を生ずることなく、確実に標
印の有無を検知することができるフアイバセンサ
装置を提供することを目的としている。
電子部品のような小さいサイズの被検査物であつ
ても、光の相互干渉を生ずることなく、確実に標
印の有無を検知することができるフアイバセンサ
装置を提供することを目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
この考案に係るフアイバセンサ装置は、それぞ
れ発光部と発光部とを後端側に有し、先端側を被
検査物に近接して配置する一対のフアイバセンサ
と、少なくとも前記先端側で一対のフアイバセン
サの間に介在される遮光板と、各フアイバセンサ
の各発光部を交互に発光させるべく、発振器と一
方の発光部との間に設けられ、各発光部に入力さ
れる信号の位相を互いに180°異ならせる反転回路
と、各受光部から得られる出力をサンプルホール
ドするサンプルホールド回路と、前記遮光板を挟
む一対のフアイバセンサの受光部からの信号レベ
ルの差を電気的に出力する各サンプルホールド回
路に接続した差動増幅器とを有している。
れ発光部と発光部とを後端側に有し、先端側を被
検査物に近接して配置する一対のフアイバセンサ
と、少なくとも前記先端側で一対のフアイバセン
サの間に介在される遮光板と、各フアイバセンサ
の各発光部を交互に発光させるべく、発振器と一
方の発光部との間に設けられ、各発光部に入力さ
れる信号の位相を互いに180°異ならせる反転回路
と、各受光部から得られる出力をサンプルホール
ドするサンプルホールド回路と、前記遮光板を挟
む一対のフアイバセンサの受光部からの信号レベ
ルの差を電気的に出力する各サンプルホールド回
路に接続した差動増幅器とを有している。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本考案に係る一実施例を
説明する。
説明する。
第1図はこの考案に係るフアイバセンサ装置の
検知部の概略図である。
検知部の概略図である。
本実施例に係るフアイバセンサ装置は、第1の
フアイバセンサ10と、第2のフアイバセンサ2
0とを有している。
フアイバセンサ10と、第2のフアイバセンサ2
0とを有している。
第1のフアイバセンサ10は、第1発光部30
と、第1受光部50と、光フアイバ12,13と
を有している。第1発光部30と第1受光部50
とは光フアイバ12,13の同一端部にそれぞれ
設置されている。すなわち、第1発光部30は光
フアイバ12の一端側に、第1受光部50は光フ
アイバ13の一端側にそれぞれ設置されているの
である。なお、以下では光フアイバ12,13の
先端部、すなわち第1発光部30及び第1受光部
50が設けられた側とは反対の側を第1検知部1
1とする。
と、第1受光部50と、光フアイバ12,13と
を有している。第1発光部30と第1受光部50
とは光フアイバ12,13の同一端部にそれぞれ
設置されている。すなわち、第1発光部30は光
フアイバ12の一端側に、第1受光部50は光フ
アイバ13の一端側にそれぞれ設置されているの
である。なお、以下では光フアイバ12,13の
先端部、すなわち第1発光部30及び第1受光部
50が設けられた側とは反対の側を第1検知部1
1とする。
第2のフアイバセンサ20は、第1のフアイバ
センサ10と同様に、第2発光部40と、第2受
光部60と、光フアイバ22,23とを有してい
る。第2発光部40と第2受光部60とは光フア
イバ22,23の同一端部にそれぞれ設置されて
いる。すなわち、第2発光部40は光フアイバ2
2の一端側に、第2受光部60は光フアイバ23
の一端側にそれぞれ設置されているのである。な
お、以下では光フアイバ22,23の先端部、す
なわち第2発光部40及び第2受光部60が設け
られた側とは反対の側を第2検知部21とする。
センサ10と同様に、第2発光部40と、第2受
光部60と、光フアイバ22,23とを有してい
る。第2発光部40と第2受光部60とは光フア
イバ22,23の同一端部にそれぞれ設置されて
いる。すなわち、第2発光部40は光フアイバ2
2の一端側に、第2受光部60は光フアイバ23
の一端側にそれぞれ設置されているのである。な
お、以下では光フアイバ22,23の先端部、す
なわち第2発光部40及び第2受光部60が設け
られた側とは反対の側を第2検知部21とする。
両フアイバセンサ10,20を構成する光フア
イバ12,13,22,23の先端側、すなわち
第1検知部11と第2検知部21とは検知部2と
して一纏めにされている。さらに、検知部2で
は、第1検知部11と第2検知部21との間で互
いの光が干渉し合わないようにするため、第1検
知部11と第2検知部21との間、すなわち光フ
アイバ12,13と、光フアイバ22,23との
間に遮光板1を介設している。
イバ12,13,22,23の先端側、すなわち
第1検知部11と第2検知部21とは検知部2と
して一纏めにされている。さらに、検知部2で
は、第1検知部11と第2検知部21との間で互
いの光が干渉し合わないようにするため、第1検
知部11と第2検知部21との間、すなわち光フ
アイバ12,13と、光フアイバ22,23との
間に遮光板1を介設している。
このような構成にしているので、第1発光部2
30からの光は光フアイバ12を介して第1検知
部11に到り、被検査物(図示省略)の表面で反
射されて光フアイバ13に入射され、光フアイバ
13を介して第1受光部50に入射される。
30からの光は光フアイバ12を介して第1検知
部11に到り、被検査物(図示省略)の表面で反
射されて光フアイバ13に入射され、光フアイバ
13を介して第1受光部50に入射される。
同様に、第2発光部40からの光は光フアイバ
22を介して第2検知部21に到り、被検査物の
表面で反射され、光フアイバ23を介して第2受
光部60に入射される。
22を介して第2検知部21に到り、被検査物の
表面で反射され、光フアイバ23を介して第2受
光部60に入射される。
第2図は本実施例に係るフアイバセンサ装置の
電気的構成を示すブロツク図である。
電気的構成を示すブロツク図である。
第1発光部30、第2発光部40は、LEDの
如く第1発光素子31、第2発光素子41と、両
発光素子31,41のスイツチングを行うトラン
ジスタ32,42等により構成される。
如く第1発光素子31、第2発光素子41と、両
発光素子31,41のスイツチングを行うトラン
ジスタ32,42等により構成される。
また、第1受光部50、第2受光部60は、ホ
トトランジスタの如き第1受光素子51、第2受
光素子61によりそれぞれ構成される。
トトランジスタの如き第1受光素子51、第2受
光素子61によりそれぞれ構成される。
第1受光部50の第1受光素子51には、ゲー
ト回路を備えた第1のサンプルホールド回路70
が接続されている。また、第2受光部60の第2
受光素子61には、第1のサンプルホールド回路
70と同様の第2のサンプルホールド回路80が
接続されている。両サンプルホールド回路70、
80は後述する発振器90からの出力によつてそ
の動作が制御されるように構成される。
ト回路を備えた第1のサンプルホールド回路70
が接続されている。また、第2受光部60の第2
受光素子61には、第1のサンプルホールド回路
70と同様の第2のサンプルホールド回路80が
接続されている。両サンプルホールド回路70、
80は後述する発振器90からの出力によつてそ
の動作が制御されるように構成される。
発振器90の出力はそのまま第1発光部30、
第1のサンプルホールド回路70に入力されると
ともに、反転回路100を介して180°位相がずれ
た信号が第2発光部40、第2のサンプルホール
ド回路80に入力されるように構成されている。
第1のサンプルホールド回路70に入力されると
ともに、反転回路100を介して180°位相がずれ
た信号が第2発光部40、第2のサンプルホール
ド回路80に入力されるように構成されている。
差動増幅器110には、第1及び第2のサンプ
ルホールド回路70,80の出力が入力される。
また、この差動増幅器110の出力が入力される
レベル比較器120には、基準値を設定する設定
回路130も接続されている。
ルホールド回路70,80の出力が入力される。
また、この差動増幅器110の出力が入力される
レベル比較器120には、基準値を設定する設定
回路130も接続されている。
なお、第2図において141は標印部、142
は非標印部である。
は非標印部である。
次に、上述したように構成されたフアイバセン
サ装置の動作を第3図に示すタイムチヤートを参
照しつつ説明する。
サ装置の動作を第3図に示すタイムチヤートを参
照しつつ説明する。
今、標印部141を第1検知部11が、非標印
部142を第2検知部21が検知するものとす
る。
部142を第2検知部21が検知するものとす
る。
発振器90から、第3図1に示す如きパルス信
号a0が出力されると、第1発光部30、第1のサ
ンプルホールド回路70にそのままパルス信号a0
が入力される。これと同時に、第2発光部40と
第2のサンプルホールド回路80とには、反転回
路100で位相が180°反転された第3図5に示す
如く反転信号0入力される。
号a0が出力されると、第1発光部30、第1のサ
ンプルホールド回路70にそのままパルス信号a0
が入力される。これと同時に、第2発光部40と
第2のサンプルホールド回路80とには、反転回
路100で位相が180°反転された第3図5に示す
如く反転信号0入力される。
パルス信号a0及び反転信号0のハイレベルに対
応してトランジスタ32,42が導通するから、
第1発光素子31、第2発光素子41は、それぞ
れ第3図2,6に示す光信号a1,a2を発する。そ
して、両光信号a1,a2は、それぞれ光フアイバ1
2,22を介して第1検知部11、第2検知部2
1に達し、標印部141、非標印部142に照射
される。各光信号a1,a2は、各部の反射率に応じ
て反射光a′1,a′2となり、当該反射光a′1,a′2は、
第1検知部11、第2検知部21を介して光フア
イバ13,23に入射される。
応してトランジスタ32,42が導通するから、
第1発光素子31、第2発光素子41は、それぞ
れ第3図2,6に示す光信号a1,a2を発する。そ
して、両光信号a1,a2は、それぞれ光フアイバ1
2,22を介して第1検知部11、第2検知部2
1に達し、標印部141、非標印部142に照射
される。各光信号a1,a2は、各部の反射率に応じ
て反射光a′1,a′2となり、当該反射光a′1,a′2は、
第1検知部11、第2検知部21を介して光フア
イバ13,23に入射される。
前記反射光a′1,a′2がそれぞれ第1受光部50、
第2受光部60に入射されると、第1発光素子5
1は第3図3に示す信号b1を第1のサンプルホー
ルド回路70に、第2発光素子61は第3部7に
示す信号b2を第2のサンプルホールド回路80に
それぞれ出力する。この信号b1,b2は、前記反射
率に対応する電圧レベルを有する。
第2受光部60に入射されると、第1発光素子5
1は第3図3に示す信号b1を第1のサンプルホー
ルド回路70に、第2発光素子61は第3部7に
示す信号b2を第2のサンプルホールド回路80に
それぞれ出力する。この信号b1,b2は、前記反射
率に対応する電圧レベルを有する。
第1のサンプルホールド回路70、第2のサン
プルホールド回路80には、発振器90からのパ
ルス信号a0、反転信号0がそれぞれ入力されてい
るから、両サンプルホールド回路70,80は、
前記両信号0,a0のタイミングに応じてサンプリ
ング及びホールデイングを行い、第3図4,8に
おいて示す信号C1,C2を出力する。なお、第3
図4,8において、Sはサンプリングを、Hはホ
ールデイングをそれぞれ示している。
プルホールド回路80には、発振器90からのパ
ルス信号a0、反転信号0がそれぞれ入力されてい
るから、両サンプルホールド回路70,80は、
前記両信号0,a0のタイミングに応じてサンプリ
ング及びホールデイングを行い、第3図4,8に
おいて示す信号C1,C2を出力する。なお、第3
図4,8において、Sはサンプリングを、Hはホ
ールデイングをそれぞれ示している。
前記信号C1,C2は、差動増幅器110にそれ
ぞれ入力され、第3図9に示す如く比較出力dが
差動増幅器110から出力されて、レベル比較器
120に入力される。一方、レベル比較器120
には、予め設定回路130からの基準値e(第3
図9参照)が入力されており、このレベル比較器
120において、前記比較出力dが基準値eによ
つて検定される。そして、比較出力dが基準値e
よりも電圧レベルが高いときは、ハイレベルの検
定出力fがレベル比較器120から出力され、所
定の標印が確認されることになる。
ぞれ入力され、第3図9に示す如く比較出力dが
差動増幅器110から出力されて、レベル比較器
120に入力される。一方、レベル比較器120
には、予め設定回路130からの基準値e(第3
図9参照)が入力されており、このレベル比較器
120において、前記比較出力dが基準値eによ
つて検定される。そして、比較出力dが基準値e
よりも電圧レベルが高いときは、ハイレベルの検
定出力fがレベル比較器120から出力され、所
定の標印が確認されることになる。
〈考案の効果〉
以上、説明したように本考案に係るフアイバセ
ンサ装置は、それぞれ発光部と受光部とを後端側
に有し、先端側を被検査物に近接して配置する一
対のフアイバセンサと、少なくとも前記先端側で
一対のフアイバセンサの間に介在される遮光板
と、各フアイバセンサの各発光部を交互に発光さ
せるべく、発振器と一方の発光部との間に設けら
れ、各発光部に入力される信号の位相を互いに
180°異ならせる反転回路と、各受光部から得られ
る出力をサンプルホールドするサンプルホールド
回路と、前記遮光板を挟む一対のフアイバセンサ
の受光部からの信号レベルの差を電気的に出力す
る各サンプルホールド回路に接続した差動増幅器
とを有している。
ンサ装置は、それぞれ発光部と受光部とを後端側
に有し、先端側を被検査物に近接して配置する一
対のフアイバセンサと、少なくとも前記先端側で
一対のフアイバセンサの間に介在される遮光板
と、各フアイバセンサの各発光部を交互に発光さ
せるべく、発振器と一方の発光部との間に設けら
れ、各発光部に入力される信号の位相を互いに
180°異ならせる反転回路と、各受光部から得られ
る出力をサンプルホールドするサンプルホールド
回路と、前記遮光板を挟む一対のフアイバセンサ
の受光部からの信号レベルの差を電気的に出力す
る各サンプルホールド回路に接続した差動増幅器
とを有している。
従つて、一対のフアイバセンサの間での光の干
渉が生じることなく、広い範囲の部分を検知でき
る。
渉が生じることなく、広い範囲の部分を検知でき
る。
また、発光部の発光に基づく受光部の信号をサ
ンプルホールド回路を介して差動増幅器に加える
ようにしているので、標印部と非標印部との反射
率の差を電圧レベルの差として把握することがで
きる。従つて、被検査物の表面状態の相違や標印
そのものの濃淡に応じて設定値をその都度変更す
る必要がないから、操作性に優れたものになると
ともに、検出の精度を大幅に改善することができ
る。
ンプルホールド回路を介して差動増幅器に加える
ようにしているので、標印部と非標印部との反射
率の差を電圧レベルの差として把握することがで
きる。従つて、被検査物の表面状態の相違や標印
そのものの濃淡に応じて設定値をその都度変更す
る必要がないから、操作性に優れたものになると
ともに、検出の精度を大幅に改善することができ
る。
第1図はこの考案に係るフアイバセンサ装置の
検知部の概略図、第2図はこの考案に係るフアイ
バセンサ装置の電気的構成を示すブロツク図、第
3図はこの考案に係るフアイバセンサ装置の動作
説明のためのタイムチヤートである。 1……遮光板、2……検知部、10……第1の
フアイバセンサ、11……第1検知部、20……
第2のフアイバセンサ、21……第2検知部、3
0……第1発光部、40……第2発光部、50…
…第1受光部、60……第2受光部、70……第
1のサンプルホールド回路、80……第2のサン
プルホールド回路、110……差動増幅器。
検知部の概略図、第2図はこの考案に係るフアイ
バセンサ装置の電気的構成を示すブロツク図、第
3図はこの考案に係るフアイバセンサ装置の動作
説明のためのタイムチヤートである。 1……遮光板、2……検知部、10……第1の
フアイバセンサ、11……第1検知部、20……
第2のフアイバセンサ、21……第2検知部、3
0……第1発光部、40……第2発光部、50…
…第1受光部、60……第2受光部、70……第
1のサンプルホールド回路、80……第2のサン
プルホールド回路、110……差動増幅器。
Claims (1)
- それぞれ発光部と受光部とを後端側に有し、先
端側を被検査物に近接して配置する一対のフアイ
バセンサと、少なくとも前記先端側で一対のフア
イバセンサの間に介在される遮光板と、各フアイ
バセンサの各発光部を交互に発光させるべく、発
振器と一方の発光部との間に設けられ、各発光部
に入力される信号の位相を互いに180°異ならせる
反転回路と、各受光部から得られる出力をサンプ
ルホールドするサンプルホールド回路と、前記遮
光板を挟む一対のフアイバセンサの受光部からの
信号レベルの差を電気的に出力する各サンプルホ
ールド回路に接続した差動増幅器とを設けてなる
ことを特徴とするフアイバセンサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4932383U JPS59156202U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバセンサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4932383U JPS59156202U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバセンサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59156202U JPS59156202U (ja) | 1984-10-20 |
JPH0531602Y2 true JPH0531602Y2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=30179832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4932383U Granted JPS59156202U (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | フアイバセンサ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59156202U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002107843A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Noritsu Koki Co Ltd | 導光装置、画像読取装置及び画像露光装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50480A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-07 |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP4932383U patent/JPS59156202U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50480A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-07 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59156202U (ja) | 1984-10-20 |
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