JPH05315362A - Manufacture of semiconductor device and liquid crystal display device - Google Patents
Manufacture of semiconductor device and liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法及び液晶
表示装置に関し、より詳細には、耐熱性の低い基板上に
薄膜トランジスタを形成する半導体装置の製造方法及び
該薄膜トランジスタを液晶ディスプレイ用表示部に用い
た液晶表示装置に関する。例えば、ＭＯＳ（Metal Oxid
e Semiconductor）トランジスタ、Ｃ（Complementary）
ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＬＣＤ
（Liquid Crystal Device）用駆動素子に適用されるも
のである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device in which a thin film transistor is formed on a substrate having low heat resistance and the thin film transistor as a display portion for a liquid crystal display. The liquid crystal display device used. For example, MOS (Metal Oxid
e Semiconductor) transistor, C (Complementary)
MOS transistor, bipolar transistor, LCD
It is applied to a driving element for (Liquid Crystal Device).
【０００２】[0002]
【従来技術】従来、耐熱性の低い基板上に高性能の薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ；Thin FilmTransistor）を形成
する方法において、基板上に半導体薄膜を形成し、該半
導体薄膜をパルス光エネルギーの最表面加工性を利用し
た照射アニール(anneal；熱処理)により、これを結晶粒
径が増大した多結晶半導体層、すなわち半導体結晶層に
し、その層にＴＦＴを形成する方法がある。しかし、パ
ルス光エネルギーによるアニールは、短時間のうちに半
導体薄膜が、溶融、固化するので、ランダムな結晶核の
発生と、パルス光エネルギーの面内不均一性による被ア
ニール部内の温度分布の不均一性から、アニール後の結
晶粒径が一様でないという問題があった。2. Description of the Related Art Conventionally, in a method for forming a high-performance thin film transistor (TFT) on a substrate having low heat resistance, a semiconductor thin film is formed on the substrate, and the semiconductor thin film is processed by pulsed light energy as the outermost surface. There is a method in which a polycrystalline semiconductor layer having an increased crystal grain size, that is, a semiconductor crystal layer is formed by irradiation annealing using GaN, and a TFT is formed in the layer. However, since the semiconductor thin film is melted and solidified within a short time by annealing with pulsed light energy, random crystal nuclei are generated and the temperature distribution in the annealed part is not uniform due to in-plane nonuniformity of pulsed light energy. Due to the uniformity, there is a problem that the crystal grain size after annealing is not uniform.
【０００３】半導体基板上に素子を形成する半導体装置
においては、酸化、拡散、イオン注入及び写真触刻等に
より、シリコン基板上に平面的（２次元的）に素子を配
列することが通常行なわれている。しかし、二層以上の
多層に素子を形成することが要求され、そのために、素
子を微細化して半導体装置を高集積化及び高速化する、
いわゆる積層半導体装置（３次元ＩＣ）が提案されてい
る。この３次元ＩＣを実現するために、例えば、シリコ
ン基板上をＳｉＯ2、ＳｉＮ等の絶縁膜で覆い、その上
に多結晶シリコン薄膜を被着し、これを連続ビームのレ
ーザ光若しくは電子線により照射アニールすることによ
り単結晶シリコン層とし、該層中に素子を形成すること
により、積層半導体装置を製造するものがある。しかし
ながら、従来のビームアニール法では、結晶粒径を２０
〜３０［μｍ］にするのが限界で、しかも再結晶化した
シリコン結晶層中には多数の転位、多晶及び積層等の欠
陥が含まれ、シリコン結晶層の結晶性は極めて悪いもの
であった。この点を解決するために、例えば、特開昭６
０−５４４２６号公報に「半導体薄膜結晶層の製造方
法」が提案されている。この公報のものは、アニールす
べき半導体薄膜上に高融点金属膜を形成することによ
り、ビームアニール時の照射損傷をおさえるとともにア
ニールの均一化を図るものである。In a semiconductor device in which elements are formed on a semiconductor substrate, elements are usually arranged in a plane (two-dimensional) on a silicon substrate by oxidation, diffusion, ion implantation, photolithography or the like. ing. However, it is required to form the element in two or more layers, and for that reason, the element is miniaturized to highly integrate and speed up the semiconductor device,
So-called stacked semiconductor devices (three-dimensional ICs) have been proposed. In order to realize this three-dimensional IC, for example, a silicon substrate is covered with an insulating film such as SiO 2 or SiN, and a polycrystalline silicon thin film is deposited on the insulating film, which is then irradiated with a continuous beam of laser light or electron beam. There is a method of manufacturing a laminated semiconductor device by forming a single crystal silicon layer by irradiation annealing and forming an element in the layer. However, in the conventional beam annealing method, the crystal grain size is 20
The limit is about 30 [μm], and the recrystallized silicon crystal layer contains many dislocations, defects such as polycrystals and stacking, and the crystallinity of the silicon crystal layer is extremely poor. It was In order to solve this point, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
A method of manufacturing a semiconductor thin film crystal layer is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 0-54426. According to this publication, a refractory metal film is formed on a semiconductor thin film to be annealed to suppress irradiation damage during beam annealing and to make annealing uniform.
【０００４】[0004]
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、アニールを行なうためのレーザの透過率と、熱
伝導率が高い薄膜を半導体薄膜上に形成することによ
り、アニール時の被アニール部内の温度分布が均一にな
り、アニール後の結晶粒径を一様にすることが可能とな
るような半導体装置の製造方法及び液晶表示装置を提供
することを目的としてなされたものである。[Object] The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and a thin film having a high laser transmittance and a high thermal conductivity for annealing is formed on a semiconductor thin film to thereby obtain a target material for annealing. The present invention has been made for the purpose of providing a method for manufacturing a semiconductor device and a liquid crystal display device in which the temperature distribution in the annealed portion becomes uniform and the crystal grain size after annealing can be made uniform.
【０００５】[0005]
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
を形成する半導体装置の製造方法において、前記プラス
チックフィルム上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜
をパルスレーザ照射により半導体薄膜の結晶化を行なう
際に、予め前記半導体薄膜上には、熱伝導率（Ｋ）と結
晶化のためのレーザの透過率（Ｔ）が、Ｋ≧０.０３
（ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）、Ｔ≧８０％の範囲にある薄膜
を形成しておくこと、更には、（２）前記半導体薄膜上
の薄膜にはセラミック絶縁材料を用いること、更には、
（３）前記（２）において、前記セラミック絶縁材料を
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に用いること、更に
は、（４）前記（２）において、前記セラミック絶縁材
料はレーザアブレーション法により形成し、該レーザに
はエキシマレーザを用い、該レーザ条件としてレーザエ
ネルギーが１０ｍＪ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2、ショット数
１〜１００でターゲットに照射すること、更には、
（５）前記（１）において、前記プラスチックフィルム
上の半導体薄膜と、該半導体薄膜上の薄膜を同一系内に
おいて光エネルギーにより形成すること、更には、
（６）前記（１）において、前記薄膜トランジスタを液
晶ディスプレイ用表示部の駆動に用いていることを特徴
としたものである。以下、本発明の実施例に基づいて説
明する。In order to achieve the above object, the present invention provides (1)
Thin film transistor (TFT) on plastic film
In the method for manufacturing a semiconductor device, the semiconductor thin film is formed on the plastic film, and when the semiconductor thin film is crystallized by pulse laser irradiation, the semiconductor thin film has a thermal conductivity in advance. (K) and the transmittance (T) of the laser for crystallization are K ≧ 0.03
(Cal / cm · s · ° C.), a thin film in the range of T ≧ 80% is formed, and (2) a ceramic insulating material is used for the thin film on the semiconductor thin film, and further,
(3) In (2), the ceramic insulating material is used for a gate insulating film of a thin film transistor, and (4) In (2), the ceramic insulating material is formed by a laser ablation method, Is an excimer laser, the laser energy is 10 mJ / cm 2 to 1 J / cm 2 , and the target is irradiated with a shot number of 1 to 100 as the laser condition.
(5) In (1) above, the semiconductor thin film on the plastic film and the thin film on the semiconductor thin film are formed by light energy in the same system, and further,
(6) In the above (1), the thin film transistor is used for driving a display unit for a liquid crystal display. Hereinafter, description will be given based on examples of the present invention.
【０００６】本発明は、耐熱性の低い基板上に高性能の
ＴＦＴを形成する方法において、アニールを行なうため
のレーザの透過率と、熱伝導率が高い薄膜を半導体薄膜
上に形成することにより、アニール時の被アニール部内
の温度分布が均一になり、アニール後の結晶粒径を一様
にすることを可能にする方法であるが、半導体薄膜上の
薄膜をセラミック絶縁材料とすることで、これをゲート
絶縁膜として使用でき、また半導体薄膜とゲート絶縁膜
との界面を清浄にすることができ、ＴＦＴ素子の特性を
安定にすることができる。表１にセラミック絶縁材料の
材料特性を示す。The present invention is a method of forming a high-performance TFT on a substrate having low heat resistance by forming a thin film having a high laser transmittance and a high thermal conductivity for annealing on a semiconductor thin film. , It is a method that makes the temperature distribution in the annealed part uniform during annealing and makes it possible to make the crystal grain size uniform after annealing, but by using a thin film on the semiconductor thin film as a ceramic insulating material, This can be used as a gate insulating film, the interface between the semiconductor thin film and the gate insulating film can be cleaned, and the characteristics of the TFT element can be stabilized. Table 1 shows the material characteristics of the ceramic insulating material.
【０００７】[0007]
【表１】 [Table 1]
【０００８】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明による半導
体装置の製造方法の一実施例を説明するための工程図
で、図中、１は雰囲気ガス、２はレーザ、３は非晶質シ
リコン、４はプラスチック基板、５はサファイア、６は
結晶化シリコン、７はゲート電極、８ａはソース電極、
８ｂはドレイン電極、９は層間絶縁膜である。また、図
２は、本発明による半導体装置の製造装置の構成図で、
図中、２１はガスボンベ、２２はレーザ、２３ａはＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition）アニール用光学系、
２３ｂはアブレーション用光学系、２４は石英窓、２５
はしきり窓、２６はＣＶＤアニール窓、２７はターゲッ
ト、２８はアブレーション室、２９は排気系である。FIGS. 1A to 1D are process drawings for explaining an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in which 1 is an atmosphere gas, 2 is a laser, and 3 is a non-gas. Crystalline silicon, 4 plastic substrate, 5 sapphire, 6 crystallized silicon, 7 gate electrode, 8a source electrode,
8b is a drain electrode, and 9 is an interlayer insulating film. FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.
In the figure, 21 is a gas cylinder, 22 is a laser, and 23a is a CV.
Optical system for D (Chemical Vapor Deposition) annealing,
23b is an ablation optical system, 24 is a quartz window, and 25 is a quartz window.
A cut-off window, 26 is a CVD annealing window, 27 is a target, 28 is an ablation chamber, and 29 is an exhaust system.
【０００９】以下、図１及び図２に基づいて説明する。 （１）図１（ａ）の工程：ＣＶＤ室２１内に５０ｍｍ角
のプラスチックフィルム４をセットし、基板温度を室温
にする。次に処理室２１内をジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）雰囲
気１にし、光学系２３ａでレーザ径を３０ｍｍ角にした
ＡｒＦレーザ２でプラスチックフィルム４の表面近傍を
照射して非晶質シリコン３を堆積させた。堆積条件は、
Ｓｉ2Ｈ6流量１０sccm、ガス圧０.５torr、レーザパワ
ー２００mＪ/ｃｍ2である。A description will be given below with reference to FIGS. 1 and 2. (1) Step of FIG. 1A: A 50 mm square plastic film 4 is set in the CVD chamber 21, and the substrate temperature is set to room temperature. Next, the inside of the processing chamber 21 is set to a disilane (Si 2 H 6 ) atmosphere 1, and the vicinity of the surface of the plastic film 4 is irradiated with an ArF laser 2 having a laser diameter of 30 mm square by the optical system 23 a to deposit amorphous silicon 3. Let The deposition conditions are
Si 2 H 6 flow rate is 10 sccm, gas pressure is 0.5 torr, and laser power is 200 mJ / cm 2 .
【００１０】（２）図１（ｂ）の工程：次にプラスチッ
クフィルム４をアブレーション室２８に移動させ、光学
系２３ｂでＡｒＦレーザ２のレーザ径を調節し、ターゲ
ット２７に照射して光化学的アブレーションによりサフ
ァイア（α−Ａｌ2Ｏ3）５をプラスチックフィルム４上
に堆積させる。アブレーション条件は、レーザパワー３
００mＪ/ｃｍ2、ショット数２０ショットである。(2) Step of FIG. 1B: Next, the plastic film 4 is moved to the ablation chamber 28, the laser diameter of the ArF laser 2 is adjusted by the optical system 23b, and the target 27 is irradiated with the photochemical ablation. Then, sapphire (α-Al 2 O 3 ) 5 is deposited on the plastic film 4. Ablation condition is laser power 3
The number of shots is 20 shots at 00 mJ / cm 2 .
【００１１】（３）図１（ｃ）の工程：次に再度プラス
チックフィルム４を処理室２１に移動させ、基板温度を
室温にしたまま、光学系２３ａでレーザ径を２０ｍｍ角
にしたＡｒＦレーザ２でサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）５
上に照射する。するとレーザエネルギーは、サファイア
（α−Ａｌ2Ｏ3）５にあまり吸収されず、非晶質シリコ
ン３に吸収される。その過程で非晶質シリコン３は、結
晶化して結晶化シリコン６となる。 （４）図１（ｄ）の工程：その後、ＭＯＳトランジスタ
を形成した。すなわち、結晶化シリコン６上のサファイ
ア（α−Ａｌ2Ｏ3）５をパターニングし、これをゲート
絶縁膜とし、ゲート電極１１を形成した後、所定のプロ
セスを経てＭＯＳトランジスタを形成した。(3) Step of FIG. 1 (c): Next, the plastic film 4 is again moved to the processing chamber 21, and the ArF laser 2 having a laser diameter of 20 mm square by the optical system 23a while keeping the substrate temperature at room temperature. And sapphire (α-Al 2 O 3 ) 5
Irradiate on top. Then, the laser energy is not so much absorbed by sapphire (α-Al 2 O 3 ) 5 but absorbed by the amorphous silicon 3. In the process, the amorphous silicon 3 is crystallized to become crystallized silicon 6. (4) Step of FIG. 1D: After that, a MOS transistor was formed. That is, sapphire (α-Al 2 O 3 ) 5 on crystallized silicon 6 was patterned, and this was used as a gate insulating film to form a gate electrode 11, and then a MOS transistor was formed through a predetermined process.
【００１２】エキシマレーザのような紫外線は、上記の
ような半導体薄膜の吸収係数が大きく、そのレーザ光の
ほとんどが上記半導体薄膜とセラミック絶縁材料との界
面近傍で吸収され、局所的に温度が上昇して半導体薄膜
を結晶することが可能となる。このように半導体薄膜表
層での局所的な加熱なので、下地基板であるプラスチッ
クフィルムへの熱的ダメージは抑制できる。また、半導
体薄膜上の薄膜セラミック絶縁材料とすることによりＴ
ＦＴのゲート絶縁膜として利用可能できるので、プロセ
スが簡単化され、なおかつ半導体薄膜とセラミック絶縁
材料との界面特性もアニール時に改善していることが期
待される。すなわち、半導体薄膜の結晶粒径の均一化
と、界面特性の改善からＴＦＴ特性の向上が期待でき
る。このＴＦＴ素子をＬＣＤの駆動素子に用いれば、Ｌ
ＣＤ画像の応答速度が早くなり、ＬＣＤとしての品質が
向上する。Ultraviolet rays such as excimer laser have a large absorption coefficient in the semiconductor thin film as described above, and most of the laser light is absorbed in the vicinity of the interface between the semiconductor thin film and the ceramic insulating material, and the temperature rises locally. Then, the semiconductor thin film can be crystallized. As described above, since the surface of the semiconductor thin film is locally heated, it is possible to suppress thermal damage to the plastic film which is the base substrate. Further, by using a thin film ceramic insulating material on a semiconductor thin film, T
Since it can be used as a gate insulating film of FT, it is expected that the process is simplified and the interface characteristics between the semiconductor thin film and the ceramic insulating material are also improved during annealing. That is, improvement in TFT characteristics can be expected due to uniform crystal grain size of the semiconductor thin film and improvement in interface characteristics. If this TFT element is used as a driving element of LCD, L
The response speed of the CD image is increased, and the quality of the LCD is improved.
【００１３】[0013]
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１に対する効果：プラスチックフィルム上
に高性能のＴＦＴを形成する方法において、アニールを
行なうためのレーザの透過率と、熱伝導率が高い薄膜を
半導体薄膜上に形成することにより、アニール時の被ア
ニール部内の温度分布が均一になり、アニール後の結晶
粒径を一様にすることが可能となる。 （２）請求項２に対する効果：半導体薄膜上の薄膜に、
セラミック絶縁材料を用いれば、局所的に高温になった
としても、それに耐えうることができ、なおかつ材料特
性を損なうことはない。 （３）請求項３に対する効果：セラミック絶縁材料を薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜に用いれば、連続プロセ
スなので、半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面を清浄に
かつ、アニール工程により界面特性も向上するので、Ｔ
ＦＴ素子の特性を安定にすることができる。 （４）請求項４に対する効果：セラミック絶縁材料は、
レーザアブレーション法により形成すれば、良好な膜質
の絶縁材料を得ることができる。また、レーザには、エ
キシマレーザを用い、その条件としてレーザエネルギー
１０ｍＪ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2、ショット数１〜１００
でターゲットに照射するので、この条件範囲で最適な膜
質を得ることができる。 （５）請求項５に対する効果：プラスチックフィルム上
の半導体薄膜と、該半導体薄膜上の薄膜を同一系内にお
いて光エネルギーにより形成するので、レーザにより低
温化プロセスによってプラスチックフィルムへの熱ダメ
ージを抑制することが可能となる。 （６）請求項６に対する効果：薄膜トランジスタを液晶
ディスプレイ用表示部の駆動に用いているので、プラス
チックフィルムＬＣＤの品質を向上させることができ
る。[Effect] As is apparent from the above description, the present invention has the following effects. (1) Effect on claim 1: In a method of forming a high-performance TFT on a plastic film, by forming a thin film having a high laser transmittance and a high thermal conductivity for annealing on a semiconductor thin film, The temperature distribution in the annealed portion during annealing becomes uniform, and the crystal grain size after annealing can be made uniform. (2) Effect on claim 2: In a thin film on a semiconductor thin film,
If the ceramic insulating material is used, even if the temperature becomes locally high, the ceramic insulating material can withstand it and the material characteristics are not impaired. (3) Effect on claim 3: If a ceramic insulating material is used for the gate insulating film of a thin film transistor, since it is a continuous process, the interface between the semiconductor thin film and the gate insulating film is cleaned and the interface characteristics are improved by the annealing process. T
The characteristics of the FT element can be stabilized. (4) Effect on claim 4: The ceramic insulating material is
If formed by the laser ablation method, an insulating material having a good film quality can be obtained. An excimer laser is used as the laser, and the conditions are laser energy of 10 mJ / cm 2 to 1 J / cm 2 and the number of shots of 1 to 100.
Since the target is irradiated with, the optimum film quality can be obtained in this condition range. (5) Effect on claim 5: Since the semiconductor thin film on the plastic film and the thin film on the semiconductor thin film are formed by light energy in the same system, heat damage to the plastic film is suppressed by a laser temperature reduction process. It becomes possible. (6) Effect on Claim 6: Since the thin film transistor is used for driving the display portion for the liquid crystal display, the quality of the plastic film LCD can be improved.
【図１】 本発明による半導体装置の製造方法の一実施
例を説明するための構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram for explaining an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
【図２】 本発明による半導体装置の製造装置の構成図
である。FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.
１…雰囲気ガス、２…レーザ、３…非晶質シリコン、４
…プラスチック基板、５…サファイア、６…結晶化シリ
コン、７…ゲート電極、８ａ…ソース電極、８ｂ…ドレ
イン電極、９…層間絶縁膜。1 ... Atmosphere gas, 2 ... Laser, 3 ... Amorphous silicon, 4
... plastic substrate, 5 ... sapphire, 6 ... crystallized silicon, 7 ... gate electrode, 8a ... source electrode, 8b ... drain electrode, 9 ... interlayer insulating film.
Claims (6)
スタを形成する半導体装置の製造方法において、前記プ
ラスチックフィルム上に半導体薄膜を形成し、該半導体
薄膜をパルスレーザ照射により半導体薄膜の結晶化を行
なう際に、予め前記半導体薄膜上には、熱伝導率（Ｋ）
と結晶化のためのレーザの透過率（Ｔ）とが、Ｋ≧０.
０３（ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）、Ｔ≧８０％の範囲にある
薄膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造
方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device in which a thin film transistor is formed on a plastic film, wherein a semiconductor thin film is formed on the plastic film, and the semiconductor thin film is crystallized by pulse laser irradiation in advance. The thermal conductivity (K) is on the semiconductor thin film.
And the transmittance (T) of the laser for crystallization are K ≧ 0.
03 (cal / cm · s · ° C.), a method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that a thin film in the range of T ≧ 80% is formed.
絶縁材料を用いることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a ceramic insulating material is used for the thin film on the semiconductor thin film.
スタのゲート絶縁膜に用いることを特徴とする請求項２
記載の半導体装置の製造方法。3. The ceramic insulating material is used as a gate insulating film of a thin film transistor.
A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
ーション法により形成し、該レーザにはエキシマレーザ
を用い、該レーザ条件としてレーザエネルギーが１０ｍ
Ｊ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2、ショット数１〜１００でター
ゲットに照射することを特徴とする請求項２記載の半導
体装置の製造方法。4. The ceramic insulating material is formed by a laser ablation method, an excimer laser is used as the laser, and laser energy is 10 m as a laser condition.
J / cm 2 ~1J / cm 2 , The method according to claim 2, wherein the irradiating the target with a shot number from 1 to 100.
膜と、該半導体薄膜上の薄膜を同一系内において光エネ
ルギーにより形成することを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor thin film on the plastic film and the thin film on the semiconductor thin film are formed by light energy in the same system.
ディスプレイ用表示部の駆動に用いることを特徴とする
液晶表示装置。6. A liquid crystal display device using the thin film transistor according to claim 1 for driving a display unit for a liquid crystal display.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14625392A JPH05315362A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Manufacture of semiconductor device and liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14625392A JPH05315362A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Manufacture of semiconductor device and liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315362A true JPH05315362A (en) | 1993-11-26 |
Family
ID=15403564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14625392A Pending JPH05315362A (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Manufacture of semiconductor device and liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315362A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003178979A (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007059706A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Takayasu Mochizuki | Method for manufacturing semiconductor crystal film and device using it |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP14625392A patent/JPH05315362A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003178979A (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007059706A (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Takayasu Mochizuki | Method for manufacturing semiconductor crystal film and device using it |
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