JPH053077A - エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子の製造方法Info
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- JPH053077A JPH053077A JP3154933A JP15493391A JPH053077A JP H053077 A JPH053077 A JP H053077A JP 3154933 A JP3154933 A JP 3154933A JP 15493391 A JP15493391 A JP 15493391A JP H053077 A JPH053077 A JP H053077A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロストークの発生の少ないＥＬ素子を簡素
な工程で製造する。 【構成】 透明基板上における互いに対向するカソード
電極と透明なアノード電極との電極対の複数と電極対間
に配置されたＥＬ層とを有し、ＥＬ層の電極対によって
挾まれる複数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方
法であって、アノード電極、ＥＬ層及び金属層を形成
後、集光レーザビームの焦点をアノード電極のＥＬ層側
境界面から金属層の外側境界面までに位置させつつ集光
レーザビームを走査して、少なくともＥＬ層及び金属層
の一部を切削してアノード電極と交差する複数の帯状Ｅ
Ｌ層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソ
ード電極形成工程とを含む。
な工程で製造する。 【構成】 透明基板上における互いに対向するカソード
電極と透明なアノード電極との電極対の複数と電極対間
に配置されたＥＬ層とを有し、ＥＬ層の電極対によって
挾まれる複数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方
法であって、アノード電極、ＥＬ層及び金属層を形成
後、集光レーザビームの焦点をアノード電極のＥＬ層側
境界面から金属層の外側境界面までに位置させつつ集光
レーザビームを走査して、少なくともＥＬ層及び金属層
の一部を切削してアノード電極と交差する複数の帯状Ｅ
Ｌ層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソ
ード電極形成工程とを含む。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、電界の印加によって発光するエ
レクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）を備
えたエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
いう）の製造方法に関する。
レクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）を備
えたエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
いう）の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】かかるＥＬ素子は構造で分類すると、電極
とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形
と、電極とＥＬ層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類
されている。また、ＥＬ素子を発光するＥＬ層構造で分
類すると、分散形と、薄膜形とに分けられる。さらにま
た、ＥＬ素子を発光するＥＬ層材質で分類すると、無機
物からなる無機ＥＬ層を有する無機ＥＬ素子と有機物か
らなる有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子とに分けられ
る。
とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形
と、電極とＥＬ層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類
されている。また、ＥＬ素子を発光するＥＬ層構造で分
類すると、分散形と、薄膜形とに分けられる。さらにま
た、ＥＬ素子を発光するＥＬ層材質で分類すると、無機
物からなる無機ＥＬ層を有する無機ＥＬ素子と有機物か
らなる有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子とに分けられ
る。
【０００３】例えば、有機ＥＬ素子には図３及び図４に
示すように、Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図４は図３の
Ｉ−Ｉ線の断面図を示す。該有機ＥＬ素子は、ガラス透
明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２（アノー
ド）、正孔輸送層３、有機ＥＬ層４、透明電極２に交差
する複数の背面電極５（カソード）を順に積層、形成し
たものである。有機有機ＥＬ素子には、図示する正孔輸
送層３及び有機ＥＬ層４からなる２層構造のものや、図
示しないが有機ＥＬ層４及びカソード５間に有機電子輸
送層がさらに配された３層構造のものが知られている。
また、カソード５の上には、通常これを保護し短絡を防
ぐ保護層が被覆されている。
示すように、Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図４は図３の
Ｉ−Ｉ線の断面図を示す。該有機ＥＬ素子は、ガラス透
明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２（アノー
ド）、正孔輸送層３、有機ＥＬ層４、透明電極２に交差
する複数の背面電極５（カソード）を順に積層、形成し
たものである。有機有機ＥＬ素子には、図示する正孔輸
送層３及び有機ＥＬ層４からなる２層構造のものや、図
示しないが有機ＥＬ層４及びカソード５間に有機電子輸
送層がさらに配された３層構造のものが知られている。
また、カソード５の上には、通常これを保護し短絡を防
ぐ保護層が被覆されている。
【０００４】このマトリクス方式の有機ＥＬ素子を作成
する場合、図５に示すように、ＩＴＯ層を一様に担持し
たガラス基板上に複数の平行アノードを整列し配すべ
く、ストライプ状（帯状）のパターンマスクをＩＴＯ層
上に配置してエッチングにより形成する（Ｓ1）。この
アノード上に正孔輸送層、ＥＬ層の有機層を順次積層す
る（Ｓ2）。その後、複数の平行カソードをアノードの
ストライプの伸長方向に対して垂直方向に延在するスト
ライプ状に整列させるために有機層上にパターンマスク
を被せ（Ｓ3）、カソード用の金属を蒸着して（Ｓ4）、
パターンマスクを剥離して（Ｓ5）、ストライプ状のカ
ソードを作成する。
する場合、図５に示すように、ＩＴＯ層を一様に担持し
たガラス基板上に複数の平行アノードを整列し配すべ
く、ストライプ状（帯状）のパターンマスクをＩＴＯ層
上に配置してエッチングにより形成する（Ｓ1）。この
アノード上に正孔輸送層、ＥＬ層の有機層を順次積層す
る（Ｓ2）。その後、複数の平行カソードをアノードの
ストライプの伸長方向に対して垂直方向に延在するスト
ライプ状に整列させるために有機層上にパターンマスク
を被せ（Ｓ3）、カソード用の金属を蒸着して（Ｓ4）、
パターンマスクを剥離して（Ｓ5）、ストライプ状のカ
ソードを作成する。
【０００５】しかしながら、上記した従来の方法では、
正孔輸送層、ＥＬ層の有機層上にカソードのパターンマ
スクを載置する時、一度真空槽をリークしなければなら
ない手間がある上、パターンマスクの位置合せが困難
で、パターンマスクの位置ずれによる不良や、パターン
マスクの密着不良によるカソード間の短絡等のパターン
不良が発生するという問題点があった。
正孔輸送層、ＥＬ層の有機層上にカソードのパターンマ
スクを載置する時、一度真空槽をリークしなければなら
ない手間がある上、パターンマスクの位置合せが困難
で、パターンマスクの位置ずれによる不良や、パターン
マスクの密着不良によるカソード間の短絡等のパターン
不良が発生するという問題点があった。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記問題点に鑑みなされ、本発
明の目的はクロストークの発生の少ないＥＬ素子を簡素
な工程で製造する製造方法を提供することにある。
明の目的はクロストークの発生の少ないＥＬ素子を簡素
な工程で製造する製造方法を提供することにある。
【０００７】
【発明の構成】第１の本発明のＥＬ素子製造方法は、基
板上における互いに対向する複数のカソード電極及びア
ノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層
とを有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挾まれる複
数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であっ
て、基板上に第１電極材料層からなる複数の帯状アノー
ド電極を互いに平行に形成するアノード電極形成工程
と、前記アノード電極上にＥＬ層を成膜するＥＬ層形成
工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材料層を成膜する第２
電極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記
アノード電極の前記ＥＬ層側境界面から前記第２電極材
料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビーム
を走査して、少なくとも前記ＥＬ層及び前記２電極材料
層の一部を切削して前記アノード電極と交差する複数の
帯状ＥＬ層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成す
るカソード電極形成工程とを含むことを特徴とする。
板上における互いに対向する複数のカソード電極及びア
ノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層
とを有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挾まれる複
数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であっ
て、基板上に第１電極材料層からなる複数の帯状アノー
ド電極を互いに平行に形成するアノード電極形成工程
と、前記アノード電極上にＥＬ層を成膜するＥＬ層形成
工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材料層を成膜する第２
電極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記
アノード電極の前記ＥＬ層側境界面から前記第２電極材
料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビーム
を走査して、少なくとも前記ＥＬ層及び前記２電極材料
層の一部を切削して前記アノード電極と交差する複数の
帯状ＥＬ層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成す
るカソード電極形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】第２の本発明のＥＬ素子製造方法は、基板
上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノ
ード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層と
を有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挾まれる複数
の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に第１電極材料層を成膜する第１電極材料層形成
工程と、前記第１電極材料層上にＥＬ層を成膜するＥＬ
層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記基板の前
記第１電極材料層側境界面から前記ＥＬ層の外側境界面
までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少な
くとも前記ＥＬ層及び前記１電極材料層の一部を切削し
てアノード電極を互いに平行に形成するアノード電極形
成工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材料層を成膜する第
２電極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前
記アノード電極の前記ＥＬ層側境界面から前記第２電極
材料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビー
ムを走査して、少なくとも前記ＥＬ層及び前記２電極材
料層の一部を切削して前記アノード電極と交差する複数
の帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソード電
極形成工程とを含むことを特徴とする。
上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノ
ード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層と
を有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挾まれる複数
の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に第１電極材料層を成膜する第１電極材料層形成
工程と、前記第１電極材料層上にＥＬ層を成膜するＥＬ
層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記基板の前
記第１電極材料層側境界面から前記ＥＬ層の外側境界面
までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少な
くとも前記ＥＬ層及び前記１電極材料層の一部を切削し
てアノード電極を互いに平行に形成するアノード電極形
成工程と、前記ＥＬ層上に第２電極材料層を成膜する第
２電極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前
記アノード電極の前記ＥＬ層側境界面から前記第２電極
材料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビー
ムを走査して、少なくとも前記ＥＬ層及び前記２電極材
料層の一部を切削して前記アノード電極と交差する複数
の帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソード電
極形成工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【発明の作用】本発明によれば、パターン不良の少ない
ＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
ＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面を参照しつ
つ説明する。実施例のＥＬ素子製造によって正孔輸送層
を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造する。まず、図
１（ａ）に示すように、ガラス基板１の主面上にＩＴＯ
からなる複数の帯状の透明アノード２を各々が平行とな
るようにスパッタリング法及びリソグラフィ法などによ
って積層する。次に、図１（ｂ）に示すように、複数の
透明電極２上に正孔輸送層３及びＥＬ層４を蒸着法など
によって均一に一様に積層し順に形成する。次に、図１
（ｃ）に示すように、ＥＬ層４上に蒸着法などによって
カソード用金属層５を均一に一様に形成する。最後に、
図１（ｄ）に示すように、キセノンレーザビームカッタ
を用い、正孔輸送層３、ＥＬ層４及び金属層５を、アノ
ード２のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面まで
に集光レーザビーム６の焦点を一致させつつ走査によっ
てカッティングし、これらを複数の平行溝にて分割する
パターニングを行ないカソード５を各々が平行となるよ
うに形成する。このようにして、有機ＥＬ素子が得られ
る。
つ説明する。実施例のＥＬ素子製造によって正孔輸送層
を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造する。まず、図
１（ａ）に示すように、ガラス基板１の主面上にＩＴＯ
からなる複数の帯状の透明アノード２を各々が平行とな
るようにスパッタリング法及びリソグラフィ法などによ
って積層する。次に、図１（ｂ）に示すように、複数の
透明電極２上に正孔輸送層３及びＥＬ層４を蒸着法など
によって均一に一様に積層し順に形成する。次に、図１
（ｃ）に示すように、ＥＬ層４上に蒸着法などによって
カソード用金属層５を均一に一様に形成する。最後に、
図１（ｄ）に示すように、キセノンレーザビームカッタ
を用い、正孔輸送層３、ＥＬ層４及び金属層５を、アノ
ード２のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面まで
に集光レーザビーム６の焦点を一致させつつ走査によっ
てカッティングし、これらを複数の平行溝にて分割する
パターニングを行ないカソード５を各々が平行となるよ
うに形成する。このようにして、有機ＥＬ素子が得られ
る。
【００１１】本実施例では、図１に示すように、有機層
３，４さらにはカソード用金属層５の形成までは従来の
製造工程で積層してもよい。カソード用金属層５の形成
までおこなった素子部材を真空槽から取り出し、集束レ
ーザビーム光を用いて、正孔輸送層、ＥＬ層及び金属層
をカッティングし、パターニングを行なう。図に示すよ
うに、カソード用の金属層５の積層後、集光レーザビー
ム６の焦点をアノード２のＥＬ層側境界面から金属層５
の外側境界面までに位置するように制御して、集光レー
ザビーム６を平行に走査して、これによって少なくとも
ＥＬ層及び金属層の一部を切削してアノードと交差する
複数の帯状ＥＬ層及び帯状カソードを互いに平行に形成
する。かかる集光レーザビームを発生させて切削する装
置としては、キセノンレーザビームカッタが好ましい。
このように、カソード用金属層５からカソードをマスク
を用いることなく形成する。
３，４さらにはカソード用金属層５の形成までは従来の
製造工程で積層してもよい。カソード用金属層５の形成
までおこなった素子部材を真空槽から取り出し、集束レ
ーザビーム光を用いて、正孔輸送層、ＥＬ層及び金属層
をカッティングし、パターニングを行なう。図に示すよ
うに、カソード用の金属層５の積層後、集光レーザビー
ム６の焦点をアノード２のＥＬ層側境界面から金属層５
の外側境界面までに位置するように制御して、集光レー
ザビーム６を平行に走査して、これによって少なくとも
ＥＬ層及び金属層の一部を切削してアノードと交差する
複数の帯状ＥＬ層及び帯状カソードを互いに平行に形成
する。かかる集光レーザビームを発生させて切削する装
置としては、キセノンレーザビームカッタが好ましい。
このように、カソード用金属層５からカソードをマスク
を用いることなく形成する。
【００１２】本実施例によれば、従来の作成方法による
欠点を解決できると共に、カソードのラインが非常に微
細でかつピクセルサイズが小さくなる。他の実施例とし
て正孔輸送層を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造す
る。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面一面にＩＴＯからなるアノード用ＩＴＯ層２を均一に
一様になるようにスパッタリング法及びリソグラフィ法
などによって積層する。さらに、このＩＴＯ２層上に正
孔輸送層３、ＥＬ層４を蒸着法などによって均一に一様
に順次形成する。このようにＩＴＯ層、正孔輸送層及び
ＥＬ層を一様に担持した基板を真空槽から取り出し、図
２（ｂ）に示すように、これらの層２，３，４を、キセ
ノンレーザビームカッタを用い集光レーザビーム６によ
ってストライプ状にカッティングし、これらを複数の平
行溝にて分割する。次に、図２（ｃ）に示すように、分
割されたＥＬ層４上に蒸着法などによってカソード用金
属層５を均一に一様に形成する。最後に、再びキセノン
レーザビームカッタを用い、この正孔輸送層３、ＥＬ層
４及び金属層５を、ストライプ状のアノード２に直角方
向に沿ってカッティングし、これらを複数の平行溝にて
分割する。このとき集光レーザビーム６は、アノード２
のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面までに焦点
が位置するように走査する。このようにしても、有機Ｅ
Ｌ素子が得られる。
欠点を解決できると共に、カソードのラインが非常に微
細でかつピクセルサイズが小さくなる。他の実施例とし
て正孔輸送層を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造す
る。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面一面にＩＴＯからなるアノード用ＩＴＯ層２を均一に
一様になるようにスパッタリング法及びリソグラフィ法
などによって積層する。さらに、このＩＴＯ２層上に正
孔輸送層３、ＥＬ層４を蒸着法などによって均一に一様
に順次形成する。このようにＩＴＯ層、正孔輸送層及び
ＥＬ層を一様に担持した基板を真空槽から取り出し、図
２（ｂ）に示すように、これらの層２，３，４を、キセ
ノンレーザビームカッタを用い集光レーザビーム６によ
ってストライプ状にカッティングし、これらを複数の平
行溝にて分割する。次に、図２（ｃ）に示すように、分
割されたＥＬ層４上に蒸着法などによってカソード用金
属層５を均一に一様に形成する。最後に、再びキセノン
レーザビームカッタを用い、この正孔輸送層３、ＥＬ層
４及び金属層５を、ストライプ状のアノード２に直角方
向に沿ってカッティングし、これらを複数の平行溝にて
分割する。このとき集光レーザビーム６は、アノード２
のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面までに焦点
が位置するように走査する。このようにしても、有機Ｅ
Ｌ素子が得られる。
【００１３】本実施例によれば、従来の製造方法の欠点
であったカソードのパターン不良などの欠陥が解決でき
るとともに、アノード２をストライプ状に形成するため
エッチング等の作業が省略でき、ドットサイズの極めて
小さい高密度なＥＬ素子を容易に作成できる。また、正
孔輸送層及びＥＬ層をＩＴＯ層と同時に切断するため、
これら有機層を介しての漏洩電流が少なくなり、クロス
トークの少ないマトリクス方式の有機ＥＬ素子を提供で
きる。
であったカソードのパターン不良などの欠陥が解決でき
るとともに、アノード２をストライプ状に形成するため
エッチング等の作業が省略でき、ドットサイズの極めて
小さい高密度なＥＬ素子を容易に作成できる。また、正
孔輸送層及びＥＬ層をＩＴＯ層と同時に切断するため、
これら有機層を介しての漏洩電流が少なくなり、クロス
トークの少ないマトリクス方式の有機ＥＬ素子を提供で
きる。
【００１４】上記実施例では二層構造の有機ＥＬ素子に
ついて説明したが、上記工程において、ＥＬ層を形成
後、電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を加え
て、その後カソード電極を形成して、正孔輸送層、ＥＬ
層及び電子輸送層を有する三層構造の有機ＥＬ素子を得
ることが出来る。上記実施例では有機ＥＬ素子について
説明したが、上記工程において、ＥＬ層を無機化合物か
ら形成し、アノードとＥＬ層との間に第１絶縁層を成膜
するような第１絶縁層形成工程を加え、ＥＬ層とカソー
ドとの間に第２絶縁層を成膜するような第２絶縁層形成
工程を加えれば無機ＥＬ素子を得ることが出来る。ま
た、この場合、電極とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層
を有する交流形としても、電極とＥＬ層との間に絶縁層
を有さない直流形のＥＬ素子にしても適用できる。
ついて説明したが、上記工程において、ＥＬ層を形成
後、電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を加え
て、その後カソード電極を形成して、正孔輸送層、ＥＬ
層及び電子輸送層を有する三層構造の有機ＥＬ素子を得
ることが出来る。上記実施例では有機ＥＬ素子について
説明したが、上記工程において、ＥＬ層を無機化合物か
ら形成し、アノードとＥＬ層との間に第１絶縁層を成膜
するような第１絶縁層形成工程を加え、ＥＬ層とカソー
ドとの間に第２絶縁層を成膜するような第２絶縁層形成
工程を加えれば無機ＥＬ素子を得ることが出来る。ま
た、この場合、電極とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層
を有する交流形としても、電極とＥＬ層との間に絶縁層
を有さない直流形のＥＬ素子にしても適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、カソード
及び／又はアノード用の電極材料層の積層後、集光レー
ザビームの焦点をアノードのＥＬ層側境界面から金属層
の外側境界面までに位置するように制御して、集光レー
ザビームを平行に走査して、これによって少なくともＥ
Ｌ層及び電極材料層の一部を切削してアノード電極と交
差する複数の帯状ＥＬ層及び帯状カソード電極を互いに
平行に形成するので、パターン不良が少ない微細なドッ
トを有する高密度のＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
該ＥＬ素子へ電力を印加し発光させる時においても発光
領域のみが発光し、発光領域の周囲のクロストークや発
光の「にじみ」が減少し、精細な画像が得られる。
及び／又はアノード用の電極材料層の積層後、集光レー
ザビームの焦点をアノードのＥＬ層側境界面から金属層
の外側境界面までに位置するように制御して、集光レー
ザビームを平行に走査して、これによって少なくともＥ
Ｌ層及び電極材料層の一部を切削してアノード電極と交
差する複数の帯状ＥＬ層及び帯状カソード電極を互いに
平行に形成するので、パターン不良が少ない微細なドッ
トを有する高密度のＥＬ素子を簡素な工程で得られる。
該ＥＬ素子へ電力を印加し発光させる時においても発光
領域のみが発光し、発光領域の周囲のクロストークや発
光の「にじみ」が減少し、精細な画像が得られる。
【図１】本発明による実施例のＥＬ素子製造方法におけ
る素子部材を示す拡大部分斜視図である。
る素子部材を示す拡大部分斜視図である。
【図２】本発明による他の実施例のＥＬ素子製造方法に
おける素子部材を示す拡大部分斜視図である。
おける素子部材を示す拡大部分斜視図である。
【図３】有機ＥＬ素子の部分切欠拡大斜視図である。
【図４】図４の有機ＥＬ素子の部分拡大断面図である。
【図５】従来のＥＬ素子製造方法を示すフローチャート
である。
である。
１……透明基板
２……透明アノード電極
３……正孔輸送層
４……有機ＥＬ層
５……カソード電極
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上における互いに対向する複数のカ
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挾ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、基板上に第１電極材料層
からなる複数の帯状アノード電極を互いに平行に形成す
るアノード電極形成工程と、前記アノード電極上にエレ
クトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッ
センス層形成工程と、前記エレクトロルミネッセンス層
上に第２電極材料層を成膜する第２電極材料層形成工程
と、集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記
エレクトロルミネッセンス層側境界面から前記第２電極
材料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビー
ムを走査して、少なくとも前記エレクトロルミネッセン
ス層及び前記２電極材料層の一部を切削して前記アノー
ド電極と交差する複数の帯状エレクトロルミネッセンス
層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソー
ド電極形成工程とを含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 前記エレクトロルミネッセンス層は有機
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物か
らなる正孔輸送層を成膜する正孔輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記エレクトロルミネッセンス層形成工
程と前記第２電極材料層形成工程との間に有機化合物か
らなる電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記エレクトロルミネッセンス層は無機
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層を
成膜する第１絶縁層形成工程を有し、前記エレクトロル
ミネッセンス層形成工程と前記第２電極材料層形成工程
との間に第２絶縁層を成膜する第２絶縁層形成工程を有
することを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 基板上における互いに対向する複数のカ
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挾ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、基板上に第１電極材料層
を成膜する第１電極材料層形成工程と、前記第１電極材
料層上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレク
トロルミネッセンス層形成工程と、集光レーザビームの
焦点を前記基板の前記第１電極材料層側境界面から前記
エレクトロルミネッセンス層の外側境界面までに位置さ
せつつ集光レーザビームを走査して、少なくとも前記エ
レクトロルミネッセンス層及び前記１電極材料層の一部
を切削してアノード電極を互いに平行に形成するアノー
ド電極形成工程と、前記エレクトロルミネッセンス層上
に第２電極材料層を成膜する第２電極材料層形成工程
と、集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記
エレクトロルミネッセンス層側境界面から前記第２電極
材料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビー
ムを走査して、少なくとも前記エレクトロルミネッセン
ス層及び前記２電極材料層の一部を切削して前記アノー
ド電極と交差する複数の帯状カソード電極を互いに平行
に形成するカソード電極形成工程とを含むことを特徴と
する製造方法。 - 【請求項６】 前記エレクトロルミネッセンス層は有機
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物
からなる正孔輸送層を成膜する正孔輸送層形成工程を有
することを特徴とする請求項５記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記アノード電極形成工程と第２電極材
料層形成工程との間に有機化合物からなる電子輸送層を
成膜する電子輸送層形成工程を有することを特徴とする
請求項６記載の製造方法。 - 【請求項８】 前記エレクトロルミネッセンス層は無機
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層
を成膜する第１絶縁層形成工程を有し、前記アノード電
極形成工程と第２電極材料層形成工程との間に第２絶縁
層を成膜する第２絶縁層形成工程を有することを特徴と
する請求項５記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154933A JP2837559B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3154933A JP2837559B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053077A true JPH053077A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2837559B2 JP2837559B2 (ja) | 1998-12-16 |
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ID=15595117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154933A Expired - Fee Related JP2837559B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2837559B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
- 1991-06-26 JP JP3154933A patent/JP2837559B2/ja not_active Expired - Fee Related
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