JPH0529659A - 側面発光型ledランプとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロック
の上面から側面にわたって並列に形成された二つの金属
膜と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面に二つ
の金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた
側面発光型LEDランプである。 【効果】 小型で高密度に表面実装が可能な側面発光型
LEDランプが提供される。
の上面から側面にわたって並列に形成された二つの金属
膜と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面に二つ
の金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた
側面発光型LEDランプである。 【効果】 小型で高密度に表面実装が可能な側面発光型
LEDランプが提供される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、主に基板に実装して
使用され側面からの発光が可能なLEDランプに関す
る。
使用され側面からの発光が可能なLEDランプに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の側面発光型LEDランプ
においては、図19に示すようにLEDランプLのリー
ドフレームFを直角に曲げたものや、図20に示すよう
に図19に示すLEDランプLに更に樹脂成形物Sを付
加したものが知られている。
においては、図19に示すようにLEDランプLのリー
ドフレームFを直角に曲げたものや、図20に示すよう
に図19に示すLEDランプLに更に樹脂成形物Sを付
加したものが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなLEDランプはリードフレームを基板の孔に
挿入するタイプであり、表面実装リフロー半田付け用と
しては使用できない。また、図20に示すもので表面実
装を可能とした形態のものも知られているが、LEDラ
ンプLを樹脂成形物Sで覆うような構造となっているた
め全体の寸法が大きく高密度実装ができないという問題
点がある。
このようなLEDランプはリードフレームを基板の孔に
挿入するタイプであり、表面実装リフロー半田付け用と
しては使用できない。また、図20に示すもので表面実
装を可能とした形態のものも知られているが、LEDラ
ンプLを樹脂成形物Sで覆うような構造となっているた
め全体の寸法が大きく高密度実装ができないという問題
点がある。
【0004】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたもので、基板に対してリフロー半田付けによる表面
実装が可能で、しかも、高密度実装を行うことができる
側面発光型LEDランプを提供するものである。
れたもので、基板に対してリフロー半田付けによる表面
実装が可能で、しかも、高密度実装を行うことができる
側面発光型LEDランプを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロックの上
面から側面にわたって並列に形成された二つの金属膜
と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面の二つの
金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた側
面発光型LEDランプを提供するものである。
ろは、ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロックの上
面から側面にわたって並列に形成された二つの金属膜
と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面の二つの
金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備えた側
面発光型LEDランプを提供するものである。
【0006】また、この発明の側面発光型LEDランプ
は、絶縁基板に貫通孔を穿設する工程と、基板表面から
貫通孔内壁にわたって並列に二つの金属膜を形成する工
程と、基板表面に発光ダイオードチップを搭載して二つ
の金属膜間に発光ダイオードチップを接続する工程と、
貫通孔を通り二つの金属膜を横切る平面で絶縁基板を切
断する工程からなる方法によって製造することができ
る。
は、絶縁基板に貫通孔を穿設する工程と、基板表面から
貫通孔内壁にわたって並列に二つの金属膜を形成する工
程と、基板表面に発光ダイオードチップを搭載して二つ
の金属膜間に発光ダイオードチップを接続する工程と、
貫通孔を通り二つの金属膜を横切る平面で絶縁基板を切
断する工程からなる方法によって製造することができ
る。
【0007】
【作用】ブロック側面の二つの金属膜を、実装用の基板
の電極面にそれぞれ半田付けすれば表面実装することが
でき、しかも、ブロック上面に搭載された発光ダイオー
ドチップは実装用基板に対して側面発光することにな
る。
の電極面にそれぞれ半田付けすれば表面実装することが
でき、しかも、ブロック上面に搭載された発光ダイオー
ドチップは実装用基板に対して側面発光することにな
る。
【0008】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。これによってこの発明が限定されるもので
はない。
を詳述する。これによってこの発明が限定されるもので
はない。
【0009】まず、この発明の側面発光型LEDランプ
の製造方法について説明する。まず、図1に示すよう
に、金属メッキが可能な樹脂基板1に貫通孔(スルーホ
ール)2および凹面部3を形成する。なお、図2は図1
のA−A矢視断面図、図3は図1のB−B矢視断面図で
ある。
の製造方法について説明する。まず、図1に示すよう
に、金属メッキが可能な樹脂基板1に貫通孔(スルーホ
ール)2および凹面部3を形成する。なお、図2は図1
のA−A矢視断面図、図3は図1のB−B矢視断面図で
ある。
【0010】次に、図4の斜線部に示すように、基板1
の表面から貫通孔(スルーホール)2の内壁にわたる金
属膜パターン4を並列に形成する。なお、図5は図4の
X−X矢視断面図、図6は図4のY−Y矢視断面図であ
る。
の表面から貫通孔(スルーホール)2の内壁にわたる金
属膜パターン4を並列に形成する。なお、図5は図4の
X−X矢視断面図、図6は図4のY−Y矢視断面図であ
る。
【0011】次に、図7に示すように、基板1の凹面部
3の中央部の金属膜パターン4に発光ダイオードチップ
5を接合して、発光ダイオードチップ5の一方の電極を
金属膜パターン4に接続するとともに発光ダイオードチ
ップ5の他方の電極をAu線6を用いて隣接する金属膜
パターン4に接続する。
3の中央部の金属膜パターン4に発光ダイオードチップ
5を接合して、発光ダイオードチップ5の一方の電極を
金属膜パターン4に接続するとともに発光ダイオードチ
ップ5の他方の電極をAu線6を用いて隣接する金属膜
パターン4に接続する。
【0012】次に、発光ダイオードチップ5を備えた凹
面部3を透明な樹脂によって封止する。
面部3を透明な樹脂によって封止する。
【0013】次に、図8に示すように、基板1をライン
7、8、及び9に沿って切断する。この切断工程によっ
て、図9に示す側面発光型LEDランプ10が完成す
る。なお、図10は図9に示す側面発光型LEDランプ
10の側面図、図11は同じく底面図であり、11は前
述の工程において凹面部3を封止した透明樹脂であり、
LEDランプのレンズとして作用するものである。
7、8、及び9に沿って切断する。この切断工程によっ
て、図9に示す側面発光型LEDランプ10が完成す
る。なお、図10は図9に示す側面発光型LEDランプ
10の側面図、図11は同じく底面図であり、11は前
述の工程において凹面部3を封止した透明樹脂であり、
LEDランプのレンズとして作用するものである。
【0014】図12はこのようにして製造された側面発
光型LEDランプ10を実装用基板14の上に実装した
状況を示す斜視図であり、実装用基板14の上に設けら
れた電極12及び13のそれぞれに対して貫通孔2の内
壁面に形成された金属膜4が対向するので、その対向部
を互いに半田付けすることによって、側面発光型LED
ランプが確実に表面実装される。
光型LEDランプ10を実装用基板14の上に実装した
状況を示す斜視図であり、実装用基板14の上に設けら
れた電極12及び13のそれぞれに対して貫通孔2の内
壁面に形成された金属膜4が対向するので、その対向部
を互いに半田付けすることによって、側面発光型LED
ランプが確実に表面実装される。
【0015】図13〜図15は、この実施例によって得
られる側面発光型LEDランプの変形例を示す正面図、
側面図及び底面図であり、凹面部3を封止する樹脂11
が凸レンズのような形状に形成されている。
られる側面発光型LEDランプの変形例を示す正面図、
側面図及び底面図であり、凹面部3を封止する樹脂11
が凸レンズのような形状に形成されている。
【0016】更に図16〜図18はこの実施例によって
得られる側面発光型LEDランプの他の変形例の正面
図、側面図、及び底面図であり、凹面部3を封止する樹
脂11の形状がいわゆるインナーレンズタイプに形成さ
れたものである。
得られる側面発光型LEDランプの他の変形例の正面
図、側面図、及び底面図であり、凹面部3を封止する樹
脂11の形状がいわゆるインナーレンズタイプに形成さ
れたものである。
【0017】このように、凹面部3を封止する樹脂11
の形状を種々に変化させることにより配光特性の多様化
を図ることができる。
の形状を種々に変化させることにより配光特性の多様化
を図ることができる。
【0018】なお、上記実施例においては、それぞれ単
独型の側面発光型LEDランプの製造方法について説明
したが、図8に示す基板1の切断工程において、ライン
7の切断作業を部分的に省略することにより、横方向に
連なった多連型の側面発光型LEDランプが得られる。
独型の側面発光型LEDランプの製造方法について説明
したが、図8に示す基板1の切断工程において、ライン
7の切断作業を部分的に省略することにより、横方向に
連なった多連型の側面発光型LEDランプが得られる。
【0019】
【発明の効果】この発明によれば、小型で高密度に表面
実装が可能な側面発光型LEDランプが提供される。
実装が可能な側面発光型LEDランプが提供される。
【図1】この発明の製造方法に摘用される絶縁基板の正
面図である。
面図である。
【図2】図1のA−A矢視断面図である。
【図3】図1のB−B矢視断面図である。
【図4】この発明の製造方法における金属膜形成位置を
説明する上面図である。
説明する上面図である。
【図5】図4のX−X矢視断面図である。
【図6】図4のY−Y矢視断面図である。
【図7】この発明の製造方法における発光ダイオードチ
ップの搭載位置を説明する上面図である。
ップの搭載位置を説明する上面図である。
【図8】この発明の製造方法における基板切断方法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図9】この発明の製造方法によって製造された側面発
光型LEDランプの正面図である。
光型LEDランプの正面図である。
【図10】図9の側面図である。
【図11】図9の底面図である。
【図12】この発明による側面発光型LEDランプを表
面実装した状況を示す斜視図である。
面実装した状況を示す斜視図である。
【図13】この発明によって得られる側面発光型LED
ランプの変形例の正面図である。
ランプの変形例の正面図である。
【図14】図13の側面図である。
【図15】図13の底面図である。
【図16】この発明によって得られる側面発光型LED
ランプの他の変形例の正面図である。
ランプの他の変形例の正面図である。
【図17】図16の側面図である。
【図18】図16の底面図である。
【図19】従来例を示す斜視図である。
【図20】他の従来例を示す斜視図である。
1 絶縁基板
2 貫通孔
3 凹面部
4 金属膜パターン
5 発光ダイオードチップ
6 Au線
10 側面発光型LEDランプ
11 透明樹脂
Claims (2)
- 【請求項1】 ほぼ直方体状の絶縁体ブロックと、ブロ
ックの上面から側面にわたって並列に形成された二つの
金属膜と、ブロックの上面に搭載されブロックの上面の
二つの金属膜間に接続される発光ダイオードチップを備
えた側面発光型LEDランプ。 - 【請求項2】 絶縁基板に貫通孔を穿設する工程と、基
板表面から貫通孔内壁にわたって並列に二つの金属膜を
形成する工程と、基板表面に発光ダイオードチップを搭
載させて二つの金属膜間に発光ダイオードチップを接続
する工程と、貫通孔を通り二つの金属膜を横切る平面で
絶縁基板を切断する工程を備えてなる側面発光型LED
ランプの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3182659A JPH0529659A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 側面発光型ledランプとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3182659A JPH0529659A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 側面発光型ledランプとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529659A true JPH0529659A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16122192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3182659A Pending JPH0529659A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 側面発光型ledランプとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0529659A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2008147605A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-06-26 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置及びその製造方法並びに実装基板 |
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WO2010034277A1 (de) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Led-modul und herstellungsverfahren |
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JPH0258356B2 (ja) * | 1986-03-10 | 1990-12-07 | Kogyo Gijutsu Incho |
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1991
- 1991-07-23 JP JP3182659A patent/JPH0529659A/ja active Pending
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