JPH0529411A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents
半導体装置の測定装置Info
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- JPH0529411A JPH0529411A JP17807891A JP17807891A JPH0529411A JP H0529411 A JPH0529411 A JP H0529411A JP 17807891 A JP17807891 A JP 17807891A JP 17807891 A JP17807891 A JP 17807891A JP H0529411 A JPH0529411 A JP H0529411A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- metal heat
- heat sink
- printed circuit
- package
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気特性をばらつき少なく測定する構造を有
した半導体装置の測定装置を提供する。 【構成】 トランジスタパッケージ装着部位が貫通した
プリント基板と、上記プリント基板の下部に密着しかつ
上記プリント基板貫通部位に少なくとも一つの真空引き
用穴が形成された金属放熱板と、上記トランジスタパッ
ケージのリード部を上記プリント基板に押さえつけるた
めの絶縁棒とを備えたもの、あるいは、上記金属放熱板
の替わりに、上記プリント基板貫通部位でコイルバネを
用いて上下に動く可動金属放熱板とを備えたものであ
る。 【効果】 出力電力の大小、トランジスタパッケージの
リード部のそりや曲がりにかかわらず、ばらつきの少な
い測定ができる。
した半導体装置の測定装置を提供する。 【構成】 トランジスタパッケージ装着部位が貫通した
プリント基板と、上記プリント基板の下部に密着しかつ
上記プリント基板貫通部位に少なくとも一つの真空引き
用穴が形成された金属放熱板と、上記トランジスタパッ
ケージのリード部を上記プリント基板に押さえつけるた
めの絶縁棒とを備えたもの、あるいは、上記金属放熱板
の替わりに、上記プリント基板貫通部位でコイルバネを
用いて上下に動く可動金属放熱板とを備えたものであ
る。 【効果】 出力電力の大小、トランジスタパッケージの
リード部のそりや曲がりにかかわらず、ばらつきの少な
い測定ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の測定装置、
特にパワートランジスタの電気特性測定装置に関するも
のである。
特にパワートランジスタの電気特性測定装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】数ワット程度の小型パワートランジスタ
の需要は近年急速に増加している。特に砒化ガリウムを
用いかつゲート電極にショットキー電極を用いた電界効
果型トランジスタ(GaAsMESFET)は高効率、
高利得の利点を生かし、高周波用小型パワートランジス
タとして幅広く用いられている。これらのトランジスタ
は、一般に、底面に金属のヒートシンクを有するセラミ
ックパッケージに実装され、セラミックの蓋を用いて気
密封止されるが、上記セラミック等の材料費がかさみ高
価になる。費用低減対策として、上記セラミック蓋を樹
脂にする方法が開発されたが、熱によるパッケージの歪
みや割れを防止するために通常柔らかい樹脂が用いられ
ている。この場合、パッケージ表面が柔らかいために、
トランジスタの電気特性等を測定するときにパッケージ
本体を測定装置(治具)に直接押さえつけることができ
ず、パッケージのリード部のみを押さえつけていた。
の需要は近年急速に増加している。特に砒化ガリウムを
用いかつゲート電極にショットキー電極を用いた電界効
果型トランジスタ(GaAsMESFET)は高効率、
高利得の利点を生かし、高周波用小型パワートランジス
タとして幅広く用いられている。これらのトランジスタ
は、一般に、底面に金属のヒートシンクを有するセラミ
ックパッケージに実装され、セラミックの蓋を用いて気
密封止されるが、上記セラミック等の材料費がかさみ高
価になる。費用低減対策として、上記セラミック蓋を樹
脂にする方法が開発されたが、熱によるパッケージの歪
みや割れを防止するために通常柔らかい樹脂が用いられ
ている。この場合、パッケージ表面が柔らかいために、
トランジスタの電気特性等を測定するときにパッケージ
本体を測定装置(治具)に直接押さえつけることができ
ず、パッケージのリード部のみを押さえつけていた。
【0003】以下図面を参照しながら、上記した従来の
測定装置の一例について説明する。図5および図6は、
それぞれトランジスタパッケージのリード部のみを押さ
える構造を有する従来の測定装置の断面図とその全体図
を示すものである。図5において、1は金属放熱板、2
はプリント基板、3、4、5、6はトランジスタパッケ
ージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク部、セラミ
ック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁棒で、上記
リード部6を上記プリント基板2に押さえつける。図6
において、20は伝送線路で、上記プリント基板2上に
形成され、上記トランジスタパッケージのリード部6と
接触し、電気を通すものである。71はヘッド部で、上
記絶縁棒7が固着されており、72は保持部で、上記ヘ
ッド部を回転軸73を介して支える部分である。図6の
ように、トランジスタパッケージは測定装置中央に矢印
Aのように置かれ、絶縁棒7が矢印Bのように上から押
しつける。
測定装置の一例について説明する。図5および図6は、
それぞれトランジスタパッケージのリード部のみを押さ
える構造を有する従来の測定装置の断面図とその全体図
を示すものである。図5において、1は金属放熱板、2
はプリント基板、3、4、5、6はトランジスタパッケ
ージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク部、セラミ
ック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁棒で、上記
リード部6を上記プリント基板2に押さえつける。図6
において、20は伝送線路で、上記プリント基板2上に
形成され、上記トランジスタパッケージのリード部6と
接触し、電気を通すものである。71はヘッド部で、上
記絶縁棒7が固着されており、72は保持部で、上記ヘ
ッド部を回転軸73を介して支える部分である。図6の
ように、トランジスタパッケージは測定装置中央に矢印
Aのように置かれ、絶縁棒7が矢印Bのように上から押
しつける。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、トランジスタパッケージ本体が金属放熱
板1に直接押さえつけられていないので、ヒートシンク
3の熱が上記金属放熱板1に十分に伝わらず、特に高出
力、大電力の測定時において測定誤差を生じるという問
題点を有していた。また、リード部6の微細なそりや曲
がりにたいして、ヒートシンク3と金属放熱板1の圧着
力が変化し、同一サンプルの測定においてもばらつきが
生じ、特性検査の大きな障害となっていた。
うな構成では、トランジスタパッケージ本体が金属放熱
板1に直接押さえつけられていないので、ヒートシンク
3の熱が上記金属放熱板1に十分に伝わらず、特に高出
力、大電力の測定時において測定誤差を生じるという問
題点を有していた。また、リード部6の微細なそりや曲
がりにたいして、ヒートシンク3と金属放熱板1の圧着
力が変化し、同一サンプルの測定においてもばらつきが
生じ、特性検査の大きな障害となっていた。
【0005】本発明は上記問題点に鑑み、安定した圧着
力でヒートシンクと金属放熱板を接続し、出力電力の大
小やリード部のそりにかかわらず、ばらつきの少ない測
定ができる構造を有した測定装置を提供するものであ
る。
力でヒートシンクと金属放熱板を接続し、出力電力の大
小やリード部のそりにかかわらず、ばらつきの少ない測
定ができる構造を有した測定装置を提供するものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の測定装置は、トランジスタパッケージ装着
部位が貫通したプリント基板と、上記プリント基板の下
部に密着しかつ上記プリント基板貫通部位に少なくとも
一つの真空引き用穴が形成された金属放熱板と、上記ト
ランジスタパッケージのリード部を上記プリント基板に
押さえつけるための絶縁棒とを備えたもの、あるいは、
上記金属放熱板の替わりに、上記プリント基板の下部に
密着した金属放熱板と、上記プリント基板貫通部位で上
下に動く可動金属放熱板と、上記金属放熱板と上記可動
金属放熱板とを接続しかつ上記可動金属放熱板を上方に
押し上げるコイルバネとを備えたものである。
めに本発明の測定装置は、トランジスタパッケージ装着
部位が貫通したプリント基板と、上記プリント基板の下
部に密着しかつ上記プリント基板貫通部位に少なくとも
一つの真空引き用穴が形成された金属放熱板と、上記ト
ランジスタパッケージのリード部を上記プリント基板に
押さえつけるための絶縁棒とを備えたもの、あるいは、
上記金属放熱板の替わりに、上記プリント基板の下部に
密着した金属放熱板と、上記プリント基板貫通部位で上
下に動く可動金属放熱板と、上記金属放熱板と上記可動
金属放熱板とを接続しかつ上記可動金属放熱板を上方に
押し上げるコイルバネとを備えたものである。
【0007】
【作用】本発明は上記した構成によって、真空引きある
いはコイルバネの安定した圧着力でヒートシンクと金属
放熱板とを接続するので、出力電力の大小にかかわら
ず、ばらつきの少ない測定ができる。また、リード部を
押える絶縁棒とは独立した力でパッケージを固着するの
で、リード部のそりや曲がりの影響が低減される。さら
に、通常のセラミック蓋パッケージに本構成を用いた場
合でも、パッケージ表面に力が加わらないので、気密封
止の破壊や表面マーキングの損傷を生じたりすることは
ない。
いはコイルバネの安定した圧着力でヒートシンクと金属
放熱板とを接続するので、出力電力の大小にかかわら
ず、ばらつきの少ない測定ができる。また、リード部を
押える絶縁棒とは独立した力でパッケージを固着するの
で、リード部のそりや曲がりの影響が低減される。さら
に、通常のセラミック蓋パッケージに本構成を用いた場
合でも、パッケージ表面に力が加わらないので、気密封
止の破壊や表面マーキングの損傷を生じたりすることは
ない。
【0008】
【実施例】以下本発明の実施例の測定装置について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【0009】図1は本発明の第一の実施例による測定装
置の構造を示すものである。同図において、11は金属
放熱板、2はプリント基板、3、4、5、6はトランジ
スタパッケージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク
部、セラミック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁
棒で、上記リード部6を上記プリント基板2に押さえつ
ける。12は真空引き用穴で、上記金属放熱板11の上
記プリント基板2貫通部位に形成され、真空に引かれて
いる。
置の構造を示すものである。同図において、11は金属
放熱板、2はプリント基板、3、4、5、6はトランジ
スタパッケージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク
部、セラミック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁
棒で、上記リード部6を上記プリント基板2に押さえつ
ける。12は真空引き用穴で、上記金属放熱板11の上
記プリント基板2貫通部位に形成され、真空に引かれて
いる。
【0010】図2は本発明の第二の実施例による測定装
置の構造を示すものである。同図において、21は金属
放熱板、2はプリント基板、3、4、5、6はトランジ
スタパッケージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク
部、セラミック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁
棒で、上記リード部6を上記プリント基板2に押さえつ
ける。22は可動金属放熱板で、上記プリント基板2貫
通部位で上下に動く。23はコイルバネで、上記金属放
熱板21と上記可動金属放熱板22とを接続し、かつ上
記ヒートシンク部3を押し上げる力を発する。この時、
上記可動金属放熱板22は、放熱特性を良好にするため
に、上記ヒートシンク部3の体積に対して充分大きなも
のを必要とする。また上記コイルバネ23は、適接な強
さで水平に上下しなければならない。これはあまりコイ
ルバネ23が強いと上記リード部6が曲がってしまうた
めである。さらにこの場合は上記コイルバネ23は、上
記可動金属放熱板22が引出し電極を兼ねているので、
良好な導電性を有するものを必要とする。
置の構造を示すものである。同図において、21は金属
放熱板、2はプリント基板、3、4、5、6はトランジ
スタパッケージの主要構成部品でそれぞれヒートシンク
部、セラミック部、樹脂部、リード部を示す。7は絶縁
棒で、上記リード部6を上記プリント基板2に押さえつ
ける。22は可動金属放熱板で、上記プリント基板2貫
通部位で上下に動く。23はコイルバネで、上記金属放
熱板21と上記可動金属放熱板22とを接続し、かつ上
記ヒートシンク部3を押し上げる力を発する。この時、
上記可動金属放熱板22は、放熱特性を良好にするため
に、上記ヒートシンク部3の体積に対して充分大きなも
のを必要とする。また上記コイルバネ23は、適接な強
さで水平に上下しなければならない。これはあまりコイ
ルバネ23が強いと上記リード部6が曲がってしまうた
めである。さらにこの場合は上記コイルバネ23は、上
記可動金属放熱板22が引出し電極を兼ねているので、
良好な導電性を有するものを必要とする。
【0011】以上のように本発明による第一および第二
の実施例によれば、まず図1のように、トランジスタパ
ッケージのヒートシンク部3を真空引き用穴12を用い
て真空に引くので、圧着力は十分かつ一定となり、上記
ヒートシンク部3から上記金属放熱板11に十分な熱が
逃げるため、出力電力の大小にかかわらず、ばらつきの
少ない測定ができる。また、リード部を押える絶縁棒7
とは独立した力でパッケージを固着するので、リード部
6のそりや曲がりの影響が低減される。図2において
も、コイルバネ23の強さを調整することにより、図1
の場合とほぼ同様の効果が得られる。さらに、通常のセ
ラミック蓋パッケージにこれらの本構成を用いた場合で
も、パッケージ表面に力が加わらないので、気密封止の
破壊や表面マーキングの損傷を生じたりすることはな
い。
の実施例によれば、まず図1のように、トランジスタパ
ッケージのヒートシンク部3を真空引き用穴12を用い
て真空に引くので、圧着力は十分かつ一定となり、上記
ヒートシンク部3から上記金属放熱板11に十分な熱が
逃げるため、出力電力の大小にかかわらず、ばらつきの
少ない測定ができる。また、リード部を押える絶縁棒7
とは独立した力でパッケージを固着するので、リード部
6のそりや曲がりの影響が低減される。図2において
も、コイルバネ23の強さを調整することにより、図1
の場合とほぼ同様の効果が得られる。さらに、通常のセ
ラミック蓋パッケージにこれらの本構成を用いた場合で
も、パッケージ表面に力が加わらないので、気密封止の
破壊や表面マーキングの損傷を生じたりすることはな
い。
【0012】なお、ここで、真空引き用穴12あるいは
コイルバネ23はパッケージの形あるいは可動金属放熱
板の形に応じて一個から複数個用いることができる。
コイルバネ23はパッケージの形あるいは可動金属放熱
板の形に応じて一個から複数個用いることができる。
【0013】図3は、1個のサンプルの測定回数に対す
る出力電力のばらつきを、本発明による第一および第二
の実施例と従来例とで実測比較したものであり、横軸が
測定回数、縦軸が出力電力である。測定ごとに一度測定
装置からはずし、また装着するという操作がおこなわれ
ている。同図から明らかなように、同一サンプルにもか
かわらず従来の測定装置を用いた場合は、出力電力が大
きくばらつきかつその値も低いが、本発明による測定装
置を用いた場合は、ほぼ一定で信頼しうる値を得ること
ができた。
る出力電力のばらつきを、本発明による第一および第二
の実施例と従来例とで実測比較したものであり、横軸が
測定回数、縦軸が出力電力である。測定ごとに一度測定
装置からはずし、また装着するという操作がおこなわれ
ている。同図から明らかなように、同一サンプルにもか
かわらず従来の測定装置を用いた場合は、出力電力が大
きくばらつきかつその値も低いが、本発明による測定装
置を用いた場合は、ほぼ一定で信頼しうる値を得ること
ができた。
【0014】図4は、同100個のサンプルの出力電力
測定結果の分布を、本発明による第一および第二の実施
例と従来例とで実測比較したものであり、横軸が出力電
力、縦軸がその出力が得られたサンプルの個数である。
測定は各装置ごとに同一条件下で一回ずつ行われた。図
3の結果と同様に、複数個のサンプル測定においても測
定誤差や分散の小さい良好な結果が得られた。
測定結果の分布を、本発明による第一および第二の実施
例と従来例とで実測比較したものであり、横軸が出力電
力、縦軸がその出力が得られたサンプルの個数である。
測定は各装置ごとに同一条件下で一回ずつ行われた。図
3の結果と同様に、複数個のサンプル測定においても測
定誤差や分散の小さい良好な結果が得られた。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明による測定装置は、
トランジスタパッケージ装着部位が貫通したプリント基
板と、上記プリント基板の下部に密着しかつ上記プリン
ト基板貫通部位に少なくとも一つの真空引き用穴が形成
された金属放熱板と、上記トランジスタパッケージのリ
ード部を上記プリント基板に押さえつけるための絶縁棒
とを備えたことにより、あるいは、上記金属放熱板の替
わりに、上記プリント基板の下部に密着した金属放熱板
と、上記プリント基板貫通部位で上下に動く可動金属放
熱板と、上記金属放熱板と上記可動金属放熱板とを接続
しかつ上記可動金属放熱板を上方に押し上げるコイルバ
ネとを備えたことにより、真空引きあるいはコイルバネ
の安定した圧着力でヒートシンクと金属放熱板とを接続
するので、出力電力の大小にかかわらず、ばらつきの少
ない測定ができる。また、リード部を押える絶縁棒とは
独立した力でパッケージを固着するので、リード部のそ
りや曲がりの影響が低減される。さらに、通常のセラミ
ック蓋パッケージに本構成を用いた場合でも、パッケー
ジ表面に力が加わらないので、気密封止の破壊や表面マ
ーキングの損傷を生じたりすることはない。
トランジスタパッケージ装着部位が貫通したプリント基
板と、上記プリント基板の下部に密着しかつ上記プリン
ト基板貫通部位に少なくとも一つの真空引き用穴が形成
された金属放熱板と、上記トランジスタパッケージのリ
ード部を上記プリント基板に押さえつけるための絶縁棒
とを備えたことにより、あるいは、上記金属放熱板の替
わりに、上記プリント基板の下部に密着した金属放熱板
と、上記プリント基板貫通部位で上下に動く可動金属放
熱板と、上記金属放熱板と上記可動金属放熱板とを接続
しかつ上記可動金属放熱板を上方に押し上げるコイルバ
ネとを備えたことにより、真空引きあるいはコイルバネ
の安定した圧着力でヒートシンクと金属放熱板とを接続
するので、出力電力の大小にかかわらず、ばらつきの少
ない測定ができる。また、リード部を押える絶縁棒とは
独立した力でパッケージを固着するので、リード部のそ
りや曲がりの影響が低減される。さらに、通常のセラミ
ック蓋パッケージに本構成を用いた場合でも、パッケー
ジ表面に力が加わらないので、気密封止の破壊や表面マ
ーキングの損傷を生じたりすることはない。
【図1】本発明の第一の実施例における測定装置の断面
図
図
【図2】本発明の第二の実施例における測定装置の断面
図
図
【図3】本発明の実施例と従来例とを用いた場合の、同
一サンプルの測定回数に対する出力電力測定結果図
一サンプルの測定回数に対する出力電力測定結果図
【図4】本発明の実施例と従来例とを用いた場合の、同
100個のサンプルの出力電力分布図
100個のサンプルの出力電力分布図
【図5】従来の測定装置の断面図
【図6】従来の測定装置の全体図
1 金属放熱板
2 プリント基板
3 ヒートシンク部
4 セラミック部
5 樹脂部
6 リード部
7 絶縁棒
11 金属放熱板
12 真空引き用穴
20 伝送線路
21 金属放熱板
22 可動金属放熱板
23 コイルバネ
71 ヘッド部
72 保持部
73 回転軸
Claims (2)
- 【請求項1】トランジスタパッケージ装着部位が貫通し
たプリント基板と、上記プリント基板の下部に密着しか
つ上記プリント基板貫通部位に少なくとも一つの真空引
き用穴が形成された金属放熱板と、上記トランジスタパ
ッケージのリード部を上記プリント基板に押さえつける
ための絶縁棒とを備えたことを特徴とする半導体装置の
測定装置。 - 【請求項2】トランジスタパッケージ装着部位が貫通し
たプリント基板と、上記プリント基板の下部に密着した
金属放熱板と、上記プリント基板貫通部位で上下に動く
可動金属放熱板と、上記金属放熱板と上記可動金属放熱
板とを接続しかつ上記可動金属放熱板を上方に押し上げ
るコイルバネと、上記トランジスタパッケージのリード
部を上記プリント基板に押さえつけるための絶縁棒とを
備えたことを特徴とする半導体装置の測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17807891A JPH0529411A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体装置の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17807891A JPH0529411A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体装置の測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529411A true JPH0529411A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16042242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17807891A Pending JPH0529411A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 半導体装置の測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0529411A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6437360B1 (en) * | 1998-03-25 | 2002-08-20 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Vacuum field transistor |
JP2012173003A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Ueno Seiki Kk | 電子部品測定装置 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17807891A patent/JPH0529411A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6437360B1 (en) * | 1998-03-25 | 2002-08-20 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Vacuum field transistor |
JP2012173003A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Ueno Seiki Kk | 電子部品測定装置 |
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