JPH0528796A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0528796A
JPH0528796A JP3175688A JP17568891A JPH0528796A JP H0528796 A JPH0528796 A JP H0528796A JP 3175688 A JP3175688 A JP 3175688A JP 17568891 A JP17568891 A JP 17568891A JP H0528796 A JPH0528796 A JP H0528796A
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JP
Japan
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semiconductor device
external device
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information storage
identification information
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Application number
JP3175688A
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English (en)
Inventor
Naoki Sawamura
直樹 澤村
Mitsugi Doi
貢 土井
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 この発明に係る半導体装置は、製造工程中
に外部装置によって電気的に識別される半導体装置であ
って、識別のための情報を記憶する識別情報記憶部6
と、識別情報記憶部6に記憶されている情報を電気信号
に変換し外部装置に出力するためのセンスアンプ部4と
を備えたことを特徴としている。 【効果】 外観上の記号を備える必要がなく電気的に識
別が可能な半導体装置が得られる効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電気的に識別可能な
半導体装置の回路構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の半導体装置の一つであるメ
モリICを示すブロック図である。図2において、1、
2は外部装置(図示しない)から入力されるアドレス信
号等によってメモリセル部(後述する)の特定箇所が選
択される際に、アドレス信号をデコードするXデコーダ
部、Yデコーダ部、3は外部装置から入力されるデータ
を記憶するメモリセル部、4はメモリセル部3に記憶さ
れているデータを電気信号に変換し外部に出力するセン
スアンプ部、5は以上の構成要素1〜4を含むメモリI
Cである。
【0003】次に、図2に示した従来の半導体装置の動
作について説明する。まず、外部装置からアドレス信号
を含む種々の電気信号が入力される。アドレス信号はX
デコーダ1、Yデコーダ2によってデコードされて、メ
モリセル部3の特定箇所が選択される。選択された箇所
に記憶されているデータはセンスアンプ部4によって電
気信号に変換され、外部装置に出力される。
【0004】このようなメモリIC5の製造する工程に
おいて特性変化の追跡調査等を行うために、個々のメモ
リICを特定する必要があるときには、その識別を外観
上の記号を付すことによって行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、個々の半導体装置を識
別するために外観上の記号を備える必要があるという問
題点があった。この発明は上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、外観上の記号を備える必要が
なく電気的に識別が可能な半導体装置を得ることを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、製造工程中に外部装置によって電気的に識別され
る半導体装置であって、識別のための情報を記憶する識
別情報記憶部と、識別情報記憶部に記憶されている情報
を電気信号に変換し外部装置に出力するためのセンスア
ンプ部とを備えたことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】この発明においては、識別情報記憶部に半導体
装置毎に異なる識別情報を記憶させることにより、個々
の半導体装置を識別する。
【0008】
【実施例】
実施例1.図1はこの発明の実施例1を示すブロック図
であり、1〜4は前述と同様のものである。5′は半導
体装置の一つであるメモリIC、6は外部装置(図示し
ない)が個々の半導体装置を識別するときに用いられる
識別情報記憶部であり、メモリセル部3とは別に設けら
れている。
【0009】次に、図1に示したこの発明の実施例1の
動作について説明する。識別情報記憶部6は、半導体装
置毎に固有の情報を記憶している。この情報はセンスア
ンプ部4によって電気信号に変換され、外部装置に出力
される。外部装置はこの情報を電気的に読み取ることに
より個々の半導体装置を識別する。
【0010】実施例2.なお、実施例1では、半導体装
置は特にメモリIC5′であるとしたが、他の半導体装
置であってもよい。
【0011】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、製造工
程中に外部装置によって電気的に識別される半導体装置
であって、識別のための情報を記憶する識別情報記憶部
と、識別情報記憶部に記憶されている情報を電気信号に
変換し外部装置に出力するためのセンスアンプ部とを備
えたので、外観上の記号を備える必要がなく電気的に識
別が可能な半導体装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示すブロック図である。
【図2】従来の半導体装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
4 センスアンプ部 5′ メモリIC 6 識別情報記憶部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 製造工程中に外部装置によって電気的に
    識別される半導体装置であって、 前記識別のための情報を記憶する識別情報記憶部と、前
    記識別情報記憶部に記憶されている情報を電気信号に変
    換し前記外部装置に出力するためのセンスアンプ部とを
    備えたことを特徴とする半導体装置。
JP3175688A 1991-07-17 1991-07-17 半導体装置 Pending JPH0528796A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5581097A (en) * 1993-10-13 1996-12-03 Kawasaki Steel Corporation Method of fabricating semiconductor device using shared contact hole masks and semiconductor device using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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