JPH05283169A - 有機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】基板、陽極、正孔注入輸送層、有機電子輸送発
光層、陰極の順、あるいは、基板、陽極、正孔注入輸送
層、有機発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構成され
る有機薄膜ＥＬ素子において、陰極がＭｇを主成分とす
る金属を用いたイオンプレーティング膜で形成される。 【効果】本発明による、低仕事関数で密着性が高く、均
一で平滑なアモルファス様のＭｇ陰極を用いれば、発光
面全域で均一な高輝度ＥＬ発光を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気的な発光、すなわ
ちエレクトロルミネセンス（以下単にＥＬという）を用
いたＥＬ素子に関するものであり、更に詳しくは陽極、
正孔注入輸送層、有機電子輸送発光層、陰極、もしくは
陽極、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層、
陰極の順で構成される有機薄膜ＥＬ素子に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来のＥＬ素子は、電極間に高抵抗な絶
縁層を設けた交流駆動型のものが主流で、それらは分散
型ＥＬ素子と薄膜型ＥＬ素子に分類される。分散型ＥＬ
素子の構造は、樹脂バインダー中に分散させた高誘電率
のチタン酸バリウム等の粉末を背面電極となるアルミ箔
上に数１０μｍの厚さにコーティングして絶縁層とし、
その上に樹脂バインダー中に分散した硫化亜鉛系の発光
体層を設け、更にその上に透明電極を積層したものであ
る。この型の素子は、安価で大面積、厚さ１ｍｍ以下の
面発光体を得られ、液晶表示装置用のバックライト等の
用途があるが、少なくとも輝度が低下しやすい。

【０００３】薄膜ＥＬ素子は、ガラス板に酸化インジウ
ム錫（以下ＩＴＯ）等を被覆した透明電極基板上に、絶
縁層としてスパッタリング法等により酸化イットリウム
等の誘電体薄膜層を数百ｎｍ形成し、その上にＺｎＳ
系、ＺｎＳｅ系、ＳｒＳ系、ＣａＳ系等の蛍光体薄膜を
電子ビーム蒸着、スパッタリング法等で数百ｎｍ程度積
層し、更に誘電体薄膜層、アルミ等の背面電極の順に積
層された構造になっている。電極間の膜厚は１〜２μｍ
以下である。薄膜型ＥＬ素子は長寿命で高精細な表示が
可能でポータブル型コンピュータ用ディスプレー等の用
途に適しているが高価である。

【０００４】どちらの型のＥＬ素子の場合も十分な輝度
を得るためには１００Ｖ以上の交流高電圧を要する。例
えば、電池でＥＬ素子を発光させる際には昇圧トランス
を要するためＥＬ素子が１ｍｍ以下の薄型であっても組
み込まれた機器全体の厚さを薄くするのは困難であっ
た。

【０００５】そこで近年、昇圧トランス等の不要な低電
圧直流駆動のＥＬ素子を目指した研究が行われており、
その一つとして有機薄膜ＥＬ素子の研究が行われてい
る。特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９
４３９３号公報、特開昭６３−２６４６９２号公報、特
開昭６３−２９５６９５号公報、ジャパニーズ．ジャー
ナル．オブ．アプライド．フィジックス第２５巻第９号
７７３頁（１９８６年）、アプライド．フィジックス．
レター第５１巻第１２号９１３頁（１９８７年）、ジャ
ーナル．オブ．アプライド．フィジックス第６５巻第９
号３６１０頁（１９８９年）等によれば、従来、この種
の有機薄膜ＥＬ素子は以下のように作られている。

【０００６】まず、ガラス等の透明絶縁基板上に蒸着ま
たはスパッタリング法等で形成した金やＩＴＯの透明導
電性皮膜の陽極上に、まず正孔注入輸送層として銅フタ
ロシアニン、ポリ３−メチルチオフェン、もしくは（化
１）で示される、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン（融点１８１．４℃〜
１８２．４℃）、または（化２）で示される、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）
−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（融点１
５９℃〜１６３℃）等のテトラフェニルジアミン誘導体
の層を蒸着や電解重合法等で１μｍ程度以下の厚さに単
層または積層して形成する。

【０００７】

【化１】

【０００８】

【化２】

【０００９】次に正孔注入輸送層上に、テトラフェニル
ブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２
−フタロペリノン誘導体、トリス（８−キノリノ−ル）
アルミニウム等の有機蛍光体を蒸着、または樹脂バイン
ダ−中に分散させてコ−ティングすることにより電子輸
送発光層を１．０μｍ程度以下の厚さで形成する。最後
に、その上に陰極としてＭｇ，Ｉｎ，Ａｌの単体金属、
またはＭｇとＡｇの合金（原子比１０：１）等を蒸着す
る。

【００１０】以上のように作られた素子は、透明電極側
を陽極として２０〜３０Ｖ以下の直流低電圧を印加する
ことにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合
により発光する。

【００１１】また、アプライド．フィジックス．レタ−
第５７巻第６号５３１頁（１９９０年）等によると、安
達らは、ＩＴＯの陽極上に、正孔注入輸送層としてＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、有
機発光層として１−［４−Ｎ，Ｎ−ビス（Ｐ−メトキシ
フェニル）アミノスチリル］ナフタレン、電子注入輸送
層として２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−ル（以下単
にＢＰＢＤという）、陰極としてＭｇＡｇ合金を順に積
層して得た有機薄膜ＥＬ素子を作り、同様に２０〜３０
Ｖ以下の直流低電圧で１０００ｃｄ／ｍ ² 以上のＥＬ発
光を得ている。

【００１２】しかし、この種の有機薄膜ＥＬ素子におい
ては、１０Ｖ程度以下の低電圧で１０００ｃｄ／ｍ² 以
上の高輝度を得るためには、陰極から有機電子輸送発光
層へ効率的に電子を注入する必要がある。そのために
は、有機電子輸送発光層に用いている有機蛍光体の最低
空被占軌道（以下単にＬＵＭＯという）のエネルギ−レ
ベル以上の高いフェルミレベルを有する低仕事関数の陰
極を用いる必要がある。

【００１３】従来、最も高輝度が得られる代表的な有機
電子輸送発光材料として知られているトリス（８−キノ
リノール）アルミニウムのＬＵＭＯのエネルギーレベル
は、大気下で光電子放出法で測定した仕事関数の値から
光学的エネルギーギャップ（２．７５ｅＶ）を引いて求
めると約３．１ｅＶである。また、電子注入輸送材料と
して使われているＢＰＢＤの場合は２．７ｅＶである。
仕事関数が３．１ｅＶ以下で、高いフェルミレベルを持
つ低仕事関数の金属としては、Ｌｉ（仕事関数２．４ｅ
Ｖ）、Ｎａ（同２．３ｅＶ）、Ｋ（同２．３ｅＶ）等の
アルカリ金属、Ｍｇ（同３．２ｅＶ），Ｃａ（同２．９
ｅＶ）、Ｓｒ（同２．７ｅＶ）、Ｂａ（同２．５ｅＶ）
等のアルカリ土類金属等があるが、Ｍｇを除いて、空気
中では極めて酸化し易く不安定であるため、単体金属と
しては陰極として用いることができなかった。

【００１４】Ｍｇは低仕事関数ながら比較的高い安定性
をもつため、封止層を設けることで、単体金属として陰
極に用いることが可能である。しかし、有機薄膜への密
着性が悪く、均一な薄膜形成能を持たないため、発光面
全域で均一な発光を再現性良く得ることが困難であっ
た。

【００１５】Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらは、ＭｇＡｇ合金（原
子比１０：１、仕事関数 ３．８ｅＶ）を陰極として用
い、１０Ｖ程度の直流印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ² 以
上の輝度の有機薄膜ＥＬ素子を実現した。しかし、Ａｇ
と合金化することでＭｇの有機薄膜への密着性の悪さや
薄膜形成の均一性の悪さは改善されたものの、Ａｇ（仕
事関数４．６ｅＶ）を混ぜることで、ＭｇＡｇ合金の仕
事関数はトリス（８−キノリノール）アルミニウムのＬ
ＵＭＯのエネルギーレベルより低くなるため電子が注入
されにくくなる欠点があった。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するために、従来使用されたＭｇＡｇ合金よりも
低仕事関数で、比較的安定で均一性の高い陰極材料を用
い、発光面全域で均一な高輝度有機薄膜ＥＬ素子を提供
することを目的としてなされたものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、少
なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機電子輸送発光層、
陰極、もしくは少なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機
発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構成される有機薄
膜ＥＬ素子において、前記陰極がＭｇを主成分とする金
属を用いたイオンプレーティング膜で形成されてなるこ
とを特徴とするものである。

【００１８】以下、本発明における有機薄膜ＥＬ素子
を、図１に示すように、基板１上に陽極２、正孔注入輸
送層３、有機電子輸送発光層４、陰極７の順に構成する
場合について説明するが、同様の構成を基板１上に陰極
７から順に構成することもできる。

【００１９】また、図２に示すように、有機電子輸送発
光層４を有機発光層５と電子注入輸送層６とに機能分離
し、基板１上に陽極２、正孔注入輸送層３、有機発光層
５、電子注入輸送層６、陰極７の順に構成することもで
きる。

【００２０】陽極２は、ガラス等の透明絶縁性の基板１
上にＩＴＯや酸化亜鉛アルミニウムのような透明導電性
物質を真空蒸着やスパッタリング法等で被覆した表面抵
抗１０〜５０Ω／平方、可視光線透過率８０％以上の透
明電極、または金やプラチナを薄く蒸着した半透明電極
が望ましい。

【００２１】しかし、別の場合には、陽極２は不透明
で、電子輸送発光層へ正孔注入し易い仕事関数の大きい
金、プラチナ、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリウ
ムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が４．
８ｅＶ以上の半導体基板、またはそれらの金属や半導体
を絶縁体基板１上に被覆した陽極２を用い、陰極を透明
電極または半透明電極とすることもできる。陰極７も不
透明である場合、発光層４の少なくとも一端が透明であ
る必要がある。

【００２２】次に透明な陽極２上に正孔注入輸送層３を
形成するが、正孔注入輸送材料の好ましい条件は、酸化
に対して安定で正孔移動度が大、イオン化エネルギ−が
陽極材料と発光層材料の中間にあり、成膜性が良く、少
なくとも発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透
明である必要がある。銅フタロシアニン、無金属フタロ
シアニン等のフタロシアニン類またはテトラフェニルジ
アミン誘導体等を単層または積層して使用する。

【００２３】テトラフェニルジアミン誘導体の代表的な
材料としては、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（パラ−トリル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テト
ラ（パラ−トリル）−４，４’−ジアミノビフェニル等
があげられるが、上記例に特に限定されるものではな
い。

【００２４】これらの化合物を用いた正孔注入輸送層３
の成膜は、透明電極の陽極２上に主に蒸着により形成さ
れるが、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメチル
フェニルシラン等の樹脂中に、分散させてスピンコート
等の方法でコーティングすることによって形成すること
も可能である。

【００２５】正孔注入輸送層３の膜厚は、単層または積
層により形成する場合においても１μｍ以下であり、好
ましくは０．０３〜０．１μｍである。テトラフェニル
ジアミン誘導体のように加熱により溶融する正孔注入輸
送材料を用いた場合には、正孔注入輸送材料の蒸着中ま
たは蒸着後に、真空中または不活性ガス雰囲気下で、蒸
着膜の欠陥を除くため、融点程度以下の温度で基板加熱
処理を行なってもよい。

【００２６】また、銅フタロシアニンのように結晶性で
蒸着膜表面が凹凸になり易い正孔注入輸送材料を用いた
場合には、蒸着中に基板冷却を行ない非晶質な蒸着膜を
得ることもできる。

【００２７】次に正孔注入輸送層３上に、有機電子輸送
発光層４を形成するが、有機電子輸送発光層４に用いる
蛍光体には、可視領域に蛍光を有し適当な方法で成膜で
きる任意の蛍光体が使用可能である。例えば、アントラ
セン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、テ
トラフェニルブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエ
チニル）アントラセン、トリス（８−キノリノール）ア
ルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛、トリス
（５−フルオロ−８−キノリノール）アルミニウム錯
体、ビス［８−（パラ−トシル）アミノキノリン］亜鉛
及びカドミウム錯体等があげられる。

【００２８】有機電子輸送発光層４中の蛍光体は、発光
波長変換、発光効率向上のために２種類以上の蛍光体を
混合するか、多種類の蛍光体の発光層を２層以上積層し
てもよく、そのうちの一方は赤外域または紫外域に蛍光
を示すものであってもよい。有機電子輸送発光層４の成
膜方法は、真空蒸着法、累積膜法、または適当な樹脂バ
インダー中に分散させてスピンコートなどの方法でコー
ティングすることにより行なわれる。

【００２９】有機電子輸送発光層４の膜厚は、単層また
は積層により形成する場合においても１μｍ以下であ
り、好ましくは０．０３〜０．１μｍである。次に、図
２に示すように有機電子輸送発光層４を有機発光層５と
電子注入輸送層６とに機能分離して配する場合、電子注
入輸送材料の好ましい条件は、電子移動度が大きく、Ｌ
ＵＭＯのエネルギーレベルが有機発光材料のＬＵＭＯの
エネルギ−レベルと陰極材料のフェルミレベルの中間に
あり、成膜性が良いことである。更に陽極２が不透明
で、透明もしくは半透明の陰極７から光を取り出す構成
の素子においては、少なくとも有機発光層材料の蛍光波
長領域において実質的に透明である必要がある。例とし
ては、ＢＰＢＤ、３，４，９，１０−ペリレンテトラカ
ルボキシル−ビス−ベンズイミダゾールなどがあげられ
るが、上記例に特に限定されるものではない。

【００３０】電子注入輸送層６の成膜方法は、真空蒸着
法、累積膜法、または適当な樹脂バインダー中に分散さ
せてスピンコートなどの方法でコーティングすることに
より行なわれる。電子注入輸送層６の膜厚は、１μｍ以
下であり、好ましくは０．０１〜０．１μｍである。

【００３１】また、有機電子輸送発光層４または有機発
光層５及び電子注入輸送層６を真空蒸着法により形成す
る際、蒸着中または蒸着後直ちに、水素、アンモニア等
の非電子吸引性または電子供与性のガスを真空チェンバ
ーに導入し、有機分子に吸着させ、有機分子が空気中の
酸素を吸着して膜の電気抵抗が増大することを防ぐこと
もできる。

【００３２】次に、本発明による陰極７を有機電子輸送
発光層４または電子注入輸送層６上に形成する。本発明
による陰極の主成分は、Ｍｇであるが、主成分以外に
も、例えばＡｇ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｂａ等の不純物、添加物が含まれていてもよ
いが、特に上記例に限定されるものではない。

【００３３】陰極７の形成方法を図３のイオンプレーテ
ィング装置の説明図に従い説明する。チェンバー１１内
を一旦１０^-6Ｔｏｒｒオーダー以下の真空まで排気した
後、ガス導入弁１２を通してＡｒ，Ｎｅ等の不活性ガス
を導入し、１０^-4〜１０^-3Ｔｏｒｒの圧力で安定させ
る。ＲＦ電源１３から整合回路１４を介してコイル電極
１５に高周波電力を投入することにより、プラズマを発
生させる。水晶振動子式膜厚計でモニターしながら、抵
抗加熱蒸着源１６から基板１７へ蒸着を行ない、０．１
〜０．３μｍ程度の膜厚でイオンプレーティング膜を形
成するが、電子ビーム蒸着源やマイクロ波電源を用いれ
ば、１０^-5Ｔｏｒｒ台でもプラズマの生成は可能であ
る。また、基板バイアス電源１８から基板１７へ負の電
圧を印加することで、Ｍｇイオン等の正の荷電粒子の打
ち込みを促進することができるが、積極的にバイアスを
印加しなくても、基板１７近傍に生じるシースバイアス
による打ち込み効果が期待できる。

【００３４】また、有機層材料がプラズマにより分解さ
れるのを防ぐため、基板１７近傍での電子温度は１０ｅ
Ｖ程度以下、シースバイアス電圧は１０Ｖ程度以下とな
るように、投入パワーを制御することが重要であるが、
イオンプレーティング法においては、コイル電極１５と
基板１７の幾何学的配置により制御することも、比較的
容易である。

【００３５】最後に素子の有機層、電極の酸化を防ぐた
めに、素子上に封止層８を形成する。封止層８は、陰極
７の形成後直ちにＳｉＯ₂ ，ＳｉＯ，ＧｅＯ，ＭｏＯ₃
等の酸化物、ＭｇＦ₂ ，ＬｉＦ，ＢａＦ₂ ，ＡｉＦ₃ ，
ＦｅＦ₃ 等のフッ化物等の無機物を蒸着、スパッタリン
グ法等により形成し、更に水分の浸入を防ぐために低吸
湿性の紫外線硬化接着剤、エポキシ系接着剤等を用い
て、ガラス板等を接着密封する。

【００３６】以上のように構成した有機薄膜ＥＬ素子
は、陽極２を正として直流電圧を印加することにより発
光するが、交流電圧を印加した場合にも陽極２が正に電
圧印加されている間は発光する。

【００３７】

【作用】真空蒸着において、Ｍｇは昇華性の金属である
ため蒸着源の投入パワーが少ないと比較的大きなクラス
ターとして蒸着される。またＭｇ粒子はたいていの基板
上で移動し易く、不均一で非平滑な多結晶薄膜となり易
いため、発光面全域で均一な発光を再現性良く得ること
が困難であった。

【００３８】そこで、本発明ではＭｇのイオンプレーテ
ィング薄膜を陰極に用いることにより、発光面全域で均
一な発光を実現した。プラズマ中の電子衝撃によりＭｇ
クラスタ−は分解され、基板上では結晶成長が抑制され
る。またバイアス電界によりＭｇイオンが加速されるた
め、打ち込み効果により密着性が高く均一で平滑なアモ
ルファス様のＭｇ薄膜陰極が得られる。更にＭｇ単体で
用いることができるためＭｇＡｇ合金よりも低仕事関数
の陰極となる。

【００３９】

【実施例】

＜実施例１＞以下、本発明のＥＬ素子の実施例を図１に
従って説明する。まず、透明絶縁性の基板１として厚さ
１．１ｍｍのガラス板を用い、この上に０．１２μｍの
ＩＴＯを被覆して陽極２とした。この透明導電性ガラス
基板をアルコ−ルで洗浄後、約４００℃で１０分間加熱
し脱脂を行なった。次に正孔注入輸送層３として、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンを
０．０５μｍ蒸着した。

【００４０】次に有機電子輸送発光層４としてトリス
（８−キノリノール）アルミニウムを０．０５μｍ蒸着
し、その上面に陰極７としてＭｇのイオンプレーティン
グ膜を０．２μｍ成膜した。プラズマ条件は雰囲気圧力
５×１０^-4Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー０．３ＷのＡｒプラズ
マであった。陰極７の仕事関数は光電子放出法により測
定したところ約３．２ｅＶであった。最後に封止層８と
してＧｅＯを２μｍ蒸着した。

【００４１】この素子は、２．４Ｖ以上の直流電圧印加
により黄緑色に発光し、最高輝度は１６Ｖにおいて６９
４８ｃｄ／ｍ² 、電流密度は２４１ｍＡ／ｃｍ² であ
り、発光面全域で均一な高輝度発光を得られた。

【００４２】＜実施例２＞実施例１と同様に透明導電性
ガラス基板上に正孔注入輸送層３、有機電子輸送発光層
４を順に蒸着した上に陰極７としてＭｇのイオンプレー
ティング膜を０．２μｍ成膜した。プラズマ条件は雰囲
気圧力５×１０^-4Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１ＷのＡｒプラ
ズマであった。陰極７の仕事関数は光電子放出法により
測定したところ約３．２ｅＶであった。最後に封止層８
としてＧｅＯを２μｍ蒸着した。

【００４３】この素子は２．４Ｖ以上の直流電圧印加に
より黄緑色に発光し、最高輝度は１６Ｖにおいて６０８
０ｃｄ／ｍ² 、電流密度は２２３ｍＡ／ｃｍ² であり、
発光面全域で均一な高輝度発光を得られた。

【００４４】＜比較例１＞実施例１と同様に、透明導電
性ガラス基板上に正孔注入輸送層３、有機電子輸送発光
層４を順に蒸着した上に陰極７としてＭｇＡｇ合金を共
蒸着により形成した。陰極５の仕事関数は光電子放出法
により測定したところ約３．８ｅＶであった。最後に封
止層８としてＭｇＦ₂ を０．３３μｍ蒸着した。

【００４５】この素子は３Ｖ以上の直流電圧印加により
黄緑色に発光し、最高輝度は１７Ｖにおいて５９９０ｃ
ｄ／ｍ² 、電流密度は２６８ｍＡ／ｃｍ² であり、発光
面全域で均一な高輝度発光を得られた。

【００４６】＜比較例２＞比較例１と同様に透明導電性
ガラス基板上に正孔注入輸送層３、有機電子輸送発光層
４を順に蒸着した上に陰極７としてＭｇを０．２μｍ蒸
着した。陰極５の仕事関数は光電子放出法により測定し
たところ約３．２ｅＶであった。最後に封止層８として
ＧｅＯを２μｍ蒸着した。

【００４７】この素子は２．４Ｖ以上の直流電圧印加に
より黄緑色に発光し、最高輝度は１６Ｖにおいて２５２
０ｃｄ／ｍ² 、電流密度は２５２ｍＡ／ｃｍ² であった
が、発光面に輝度むらが生じ、発光面全域で均一な発光
は得られなかった。

【００４８】

【発明の効果】以上述べたように、有機薄膜ＥＬ素子の
陰極としてＭｇを主成分とする金属を用いたイオンプレ
ーティング膜を用いることにより、従来使用されたＭｇ
Ａｇ合金よりも低仕事関数で、密着性が高く、均一で平
滑なアモルファス様のＭｇ薄膜陰極が得られるため、発
光面全域で均一な高輝度有機薄膜ＥＬ素子を再現性よく
得ることに効果がある。

【００４９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す説
明図である。

【図２】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の他の実施例を示す
説明図である。

【図３】本発明の有機薄膜ＥＬ素子におけるイオンプレ
ーティング薄膜陰極を成膜する装置の説明図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 陽極 ３ 正孔注入輸送層 ４ 有機電子輸送発光層 ５ 有機発光層 ６ 電子注入輸送層 ７ 陰極 ８ 封止層 １１ チェンバー １２ ガス導入弁 １３ ＲＦ電源 １４ 整合回路 １５ コイル電極 １６ 抵抗加熱蒸着源 １７ 基板 １８ 基板バイアス電源

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機電
   子輸送発光層、陰極、もしくは少なくとも陽極、正孔注
   入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層、陰極の順で構
   成される有機薄膜ＥＬ素子において、前記陰極がＭｇを
   主成分とする金属を用いたイオンプレーティング膜で形
   成されてなることを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。