JPH05281500A - 強誘電体薄膜 - Google Patents
強誘電体薄膜Info
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- JPH05281500A JPH05281500A JP11218792A JP11218792A JPH05281500A JP H05281500 A JPH05281500 A JP H05281500A JP 11218792 A JP11218792 A JP 11218792A JP 11218792 A JP11218792 A JP 11218792A JP H05281500 A JPH05281500 A JP H05281500A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】単結晶と類似の圧電性、焦電性、電気光学効
果、フォトリフラクティブ効果等の諸特性を有する多結
晶薄膜を提供すること。 【構成】 基板上に形成され、平均グレインサイズが１
００Å以上の多結晶の配向膜からなることを特徴とする
強誘電体薄膜。
果、フォトリフラクティブ効果等の諸特性を有する多結
晶薄膜を提供すること。 【構成】 基板上に形成され、平均グレインサイズが１
００Å以上の多結晶の配向膜からなることを特徴とする
強誘電体薄膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波路、シャッター、
スイッチ、メモリ、ディスプレー、空間変調素子、ＳＨ
Ｇ素子等に用いる強誘電体薄膜に関する。
スイッチ、メモリ、ディスプレー、空間変調素子、ＳＨ
Ｇ素子等に用いる強誘電体薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体材料は、古くから圧電性、焦電
性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸特
性を有することから注目されている。これらの諸特性を
得るには試料全体の巨視的対称性が対称中心を持たない
ことが条件である。強誘電体材料の場合、試料が微結晶
の集合体すなわち等方的であっても、電界を印加して分
極することにより試料全体の対称性がなくなり、単結晶
と類似の効果が得られる。しかしながら、高い効率でこ
れらの諸特性を得るには試料は単結晶であることが好ま
しい。特に光学的な応用を考えると、バルクの焼結体で
は光の散乱や吸収の原因となるグレインバウンダリーや
空孔（クラック、ポア）が存在するため、一部の応用を
除いて単結晶が多く用いられている。
性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸特
性を有することから注目されている。これらの諸特性を
得るには試料全体の巨視的対称性が対称中心を持たない
ことが条件である。強誘電体材料の場合、試料が微結晶
の集合体すなわち等方的であっても、電界を印加して分
極することにより試料全体の対称性がなくなり、単結晶
と類似の効果が得られる。しかしながら、高い効率でこ
れらの諸特性を得るには試料は単結晶であることが好ま
しい。特に光学的な応用を考えると、バルクの焼結体で
は光の散乱や吸収の原因となるグレインバウンダリーや
空孔（クラック、ポア）が存在するため、一部の応用を
除いて単結晶が多く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、単結晶は材
料によっては作製が困難であり、また従来入手可能なも
のも大変高価なものであるという問題点があった。
料によっては作製が困難であり、また従来入手可能なも
のも大変高価なものであるという問題点があった。
【０００４】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的は光が結晶中を通過する際、前記結晶中に
存在する析出物や空孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双
晶境界による光の散乱が問題にならず、かつ圧電性、焦
電性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸
特性が高い効率で得られる多結晶の強誘電性薄膜を提供
することである。
で、その目的は光が結晶中を通過する際、前記結晶中に
存在する析出物や空孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双
晶境界による光の散乱が問題にならず、かつ圧電性、焦
電性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸
特性が高い効率で得られる多結晶の強誘電性薄膜を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
目的を達成するために、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法を用いて、空
孔が少なく、配向性をもち、かつ結晶のグレインサイズ
（結晶子がいくつか集まって形成している粒界の大き
さ）が光の波長に対して十分小さい多結晶強誘電体薄膜
を基板上に製造する。
目的を達成するために、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法を用いて、空
孔が少なく、配向性をもち、かつ結晶のグレインサイズ
（結晶子がいくつか集まって形成している粒界の大き
さ）が光の波長に対して十分小さい多結晶強誘電体薄膜
を基板上に製造する。
【０００６】すなわち、本発明は基板上に形成した強誘
電体薄膜において、前記強誘電体薄膜が１００Å以上の
平均グレインサイズをもつ多結晶の配向膜からなること
を特徴とする。
電体薄膜において、前記強誘電体薄膜が１００Å以上の
平均グレインサイズをもつ多結晶の配向膜からなること
を特徴とする。
【０００７】また、請求項２に係る発明は前記強誘電体
薄膜が屈折率異方性を有する多結晶配向膜からなること
を特徴とする。
薄膜が屈折率異方性を有する多結晶配向膜からなること
を特徴とする。
【０００８】また、請求項３に係る発明は前記基板が前
記強誘電体薄膜の屈折率より大きな屈折率を有する材料
からなることを特徴とする。
記強誘電体薄膜の屈折率より大きな屈折率を有する材料
からなることを特徴とする。
【０００９】また、請求項４に係る発明は前記強誘電体
薄膜が金属酸化物薄膜からなることを特徴とする。
薄膜が金属酸化物薄膜からなることを特徴とする。
【００１０】また、請求項５に係る発明は前記強誘電体
薄膜がＣ面配向ＬｉＮｂＯ3 からなり前記基板がＣ面サ
ファイヤからなることを特徴とする。
薄膜がＣ面配向ＬｉＮｂＯ3 からなり前記基板がＣ面サ
ファイヤからなることを特徴とする。
【００１１】また、請求項６に係る発明は前記強誘電体
薄膜が、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により製造した多結晶配向膜
からなることを特徴とする。
薄膜が、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により製造した多結晶配向膜
からなることを特徴とする。
【００１２】本発明の第一の特徴は、基板上に形成され
た多結晶強誘電体薄膜が配向性を有し、かつ結晶のグレ
インサイズが１００Å以上であることである。結晶中に
入射した光は結晶内を通過する際にさまざまな要因、例
えば析出物や空孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双晶境
界などにより吸収、散乱される。光学軸のそろった高配
向性の強誘電体薄膜を作製してもこれらの要因が大きけ
れば光学材料として使用できない。Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法に
より、空孔が少なく、かつグレインサイズが光の波長に
対して十分小さいために結晶粒界、粒界層、分域壁、双
晶境界の存在が問題とならず、単結晶に近い光学異方性
を有する薄膜を作製した。
た多結晶強誘電体薄膜が配向性を有し、かつ結晶のグレ
インサイズが１００Å以上であることである。結晶中に
入射した光は結晶内を通過する際にさまざまな要因、例
えば析出物や空孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双晶境
界などにより吸収、散乱される。光学軸のそろった高配
向性の強誘電体薄膜を作製してもこれらの要因が大きけ
れば光学材料として使用できない。Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法に
より、空孔が少なく、かつグレインサイズが光の波長に
対して十分小さいために結晶粒界、粒界層、分域壁、双
晶境界の存在が問題とならず、単結晶に近い光学異方性
を有する薄膜を作製した。
【００１３】一方、グレインサイズが小さすぎる（１０
０Å未満）材料は、Ｘ線回折で高い結晶性や配向性を示
しても強誘電性は十分に発現できず、素子としては使え
ない。光の散乱や吸収が問題とならず、かつ強誘電性が
発現するに十分なグレインサイズの範囲を見出した。本
発明の目的には結晶のグレインサイズは２０００Å以下
が好ましい。本発明で扱うグレインとは結晶子がいくつ
か集まって形成している粒界である。
０Å未満）材料は、Ｘ線回折で高い結晶性や配向性を示
しても強誘電性は十分に発現できず、素子としては使え
ない。光の散乱や吸収が問題とならず、かつ強誘電性が
発現するに十分なグレインサイズの範囲を見出した。本
発明の目的には結晶のグレインサイズは２０００Å以下
が好ましい。本発明で扱うグレインとは結晶子がいくつ
か集まって形成している粒界である。
【００１４】本発明で用いられる光学材料は一般に特定
されないが、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により作製可能な金属酸
化物薄膜であれば好ましい。金属酸化物薄膜としては、
例えば、ＬｉＮｂＯ3 ，ＫＮｂＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，Ｌ
ｉＴａＯ3 などが挙げられる。
されないが、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により作製可能な金属酸
化物薄膜であれば好ましい。金属酸化物薄膜としては、
例えば、ＬｉＮｂＯ3 ，ＫＮｂＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，Ｌ
ｉＴａＯ3 などが挙げられる。
【００１５】薄膜の結晶性、配向性は基板の結晶性に大
きく影響されるため、配向膜を得るには適当な組み合わ
せの基板を選ぶと良い。例えばＣ軸配向ＬｉＮｂＯ3 は
Ｃ面サファイヤ基板上で、（０１２）面配向ＬｉＮｂＯ
3 はＲ面サファイヤ基板上で、（１１０）面配向ＬｉＮ
ｂＯ3 はＡ面サファイヤ基板上でそれぞれ良好な膜が得
られる。
きく影響されるため、配向膜を得るには適当な組み合わ
せの基板を選ぶと良い。例えばＣ軸配向ＬｉＮｂＯ3 は
Ｃ面サファイヤ基板上で、（０１２）面配向ＬｉＮｂＯ
3 はＲ面サファイヤ基板上で、（１１０）面配向ＬｉＮ
ｂＯ3 はＡ面サファイヤ基板上でそれぞれ良好な膜が得
られる。
【００１６】上記したＳｏｌ−Ｇｅｌ法とは、一般に
は、金属アルコキシド等の金属有機化合物を溶液系で加
水分解、重縮合させて金属−酸素−金属結合を成長さ
せ、最終的に焼結することにより完成させる無機酸化物
の作製方法である。Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法の特徴は低基板温
度で均一な膜が得られることである。さらに溶液から製
膜するため基板との密着性に優れている。特に本発明で
は反応を制御することにより空孔が少なく、単結晶に極
く近い光学異方性を有する薄膜を作製することができ
る。
は、金属アルコキシド等の金属有機化合物を溶液系で加
水分解、重縮合させて金属−酸素−金属結合を成長さ
せ、最終的に焼結することにより完成させる無機酸化物
の作製方法である。Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法の特徴は低基板温
度で均一な膜が得られることである。さらに溶液から製
膜するため基板との密着性に優れている。特に本発明で
は反応を制御することにより空孔が少なく、単結晶に極
く近い光学異方性を有する薄膜を作製することができ
る。
【００１７】具体的には基板上に金属有機化合物を含む
溶液を塗布し、乾燥したあと焼結を行う。用いられる金
属有機化合物としては、無機酸化物を構成する金属のメ
トキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド等の
アルコキシドやアセテート化合物等があげられる。硝酸
塩、しゅう酸塩、過塩素酸塩、等の無機塩でも良い。
溶液を塗布し、乾燥したあと焼結を行う。用いられる金
属有機化合物としては、無機酸化物を構成する金属のメ
トキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド等の
アルコキシドやアセテート化合物等があげられる。硝酸
塩、しゅう酸塩、過塩素酸塩、等の無機塩でも良い。
【００１８】これら化合物から無機酸化物を作製するに
は加水分解および重縮合反応を進める必要があるため、
塗布溶液中には水の添加が必要となる。添加量は系によ
り異なるが多すぎると反応が速く進むため得られる膜質
が不均一となり易く、また反応速度の制御が難しい。水
の添加量が少なすぎても反応のコントロールが難しく、
適量がある。
は加水分解および重縮合反応を進める必要があるため、
塗布溶液中には水の添加が必要となる。添加量は系によ
り異なるが多すぎると反応が速く進むため得られる膜質
が不均一となり易く、また反応速度の制御が難しい。水
の添加量が少なすぎても反応のコントロールが難しく、
適量がある。
【００１９】さらに、加水分解の加速触媒や金属原子に
配位するキレート剤を添加して反応速度及び反応形態の
制御ができる。加速触媒としては一般の酸および塩基が
用いられる。触媒の種類により膜質が大きく影響され
る。また、キレート剤としては、アセチルアセトン、エ
チルアセトアセテート、ジエチルマロネート等があげら
れる。
配位するキレート剤を添加して反応速度及び反応形態の
制御ができる。加速触媒としては一般の酸および塩基が
用いられる。触媒の種類により膜質が大きく影響され
る。また、キレート剤としては、アセチルアセトン、エ
チルアセトアセテート、ジエチルマロネート等があげら
れる。
【００２０】溶媒としては、上記材料が沈澱しないも
の、すなわち相溶性に優れたものが望ましい。溶液濃度
は塗布方法にもよるが、スピンコート法の場合、溶液粘
度が数ｃＰ〜数十ｃＰとなるように調整すると良い。コ
ーティングした膜は焼結することにより有機物の脱離及
び結晶化が促進される。
の、すなわち相溶性に優れたものが望ましい。溶液濃度
は塗布方法にもよるが、スピンコート法の場合、溶液粘
度が数ｃＰ〜数十ｃＰとなるように調整すると良い。コ
ーティングした膜は焼結することにより有機物の脱離及
び結晶化が促進される。
【００２１】焼結温度は材料により異なるが、通常の金
属酸化物粉末の焼成にかかる温度より低温で作製でき
る。デバイス構成によっては高温で反応または組成変
化、構成変化するものが多いため、本方法を用いること
により使用可能性がひろがる。
属酸化物粉末の焼成にかかる温度より低温で作製でき
る。デバイス構成によっては高温で反応または組成変
化、構成変化するものが多いため、本方法を用いること
により使用可能性がひろがる。
【００２２】
【作用】強誘電体薄膜として多結晶薄膜を用いることが
可能となり、その結果どのような材料であっても薄膜を
製造することができる。また、前記多結晶薄膜の平均グ
レインサイズが光の波長に対して十分小さいので、結晶
中に入射した光が吸収、散乱されることのない強誘電体
薄膜とすることができる。強誘電体薄膜が屈折率異方性
を有していることにより光学的に単結晶に近い性質をも
つ薄膜を製造することができる。基板の材料として、屈
折率が強誘電体薄膜の屈折率より大きなものを用いると
道波路として光を伝搬することができる。強誘電体薄膜
材料として金属酸化物（ＬｉＮｂＯ3 ，ＫＮｂＯ3 ，Ｂ
ａＴｉＯ3 ，ＬｉＴｉＯ3 など）を用いる場合、薄膜は
Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法を用いて製造することができる。基板
をＣ面サファイヤにすることにより、良好な結晶性、配
向性を持つＣ軸配向ＬｉＮｂＯ3 の強誘電体薄膜を製造
することができる。
可能となり、その結果どのような材料であっても薄膜を
製造することができる。また、前記多結晶薄膜の平均グ
レインサイズが光の波長に対して十分小さいので、結晶
中に入射した光が吸収、散乱されることのない強誘電体
薄膜とすることができる。強誘電体薄膜が屈折率異方性
を有していることにより光学的に単結晶に近い性質をも
つ薄膜を製造することができる。基板の材料として、屈
折率が強誘電体薄膜の屈折率より大きなものを用いると
道波路として光を伝搬することができる。強誘電体薄膜
材料として金属酸化物（ＬｉＮｂＯ3 ，ＫＮｂＯ3 ，Ｂ
ａＴｉＯ3 ，ＬｉＴｉＯ3 など）を用いる場合、薄膜は
Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法を用いて製造することができる。基板
をＣ面サファイヤにすることにより、良好な結晶性、配
向性を持つＣ軸配向ＬｉＮｂＯ3 の強誘電体薄膜を製造
することができる。
【００２３】
【実施例】次に実施例を挙げてさらに詳細に本発明を説
明する。 実施例１ Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により以下の手順で塗布液を調製し
た。２−メトキシエタノール中で還流してアルコール交
換反応により作製したＬｉＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 とＮｂ
（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）5 をＬｉ／Ｎｂ＝１／１となる
ように２−メトキシエタノール中に溶解した。ここに水
０．０５ｍｏｌ／ｌとＮＨ4 ＯＨ０．１ｍｏｌ／ｌを添
加し、６０℃で反応させたものを塗布液とした。次に、
上記手順で調製した塗布液をＣ面サファイヤ単結晶基板
上にスピンコート法を用いて塗布し、前記塗布後の基板
を酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して４００℃で３
０分アニールした。ここまでの工程を４回繰り返して膜
厚を約２０００Åに調製した。その後さらに６５０℃ま
で同様に昇温して１時間焼結した。得られたＬＮ膜は高
い結晶性を有し（図１）、またＣ軸に配向していた。ま
たロッキングカーブ法により測定したＬＮ（００６）回
折ピークの半値巾は２．７０°である。さらに膜の表面
性をＳＥＭで観測したところ、平均のグレインサイズは
５２０Åであった。また、前記ＬＮ膜の屈折率は、常光
に対する屈折率をｎo 、異常光に対する屈折率ｎe とす
るとｎo ＝１．８７８、ｎe ＝１．９５６、複屈折０．
０７８が得られた。
明する。 実施例１ Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により以下の手順で塗布液を調製し
た。２−メトキシエタノール中で還流してアルコール交
換反応により作製したＬｉＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 とＮｂ
（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）5 をＬｉ／Ｎｂ＝１／１となる
ように２−メトキシエタノール中に溶解した。ここに水
０．０５ｍｏｌ／ｌとＮＨ4 ＯＨ０．１ｍｏｌ／ｌを添
加し、６０℃で反応させたものを塗布液とした。次に、
上記手順で調製した塗布液をＣ面サファイヤ単結晶基板
上にスピンコート法を用いて塗布し、前記塗布後の基板
を酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して４００℃で３
０分アニールした。ここまでの工程を４回繰り返して膜
厚を約２０００Åに調製した。その後さらに６５０℃ま
で同様に昇温して１時間焼結した。得られたＬＮ膜は高
い結晶性を有し（図１）、またＣ軸に配向していた。ま
たロッキングカーブ法により測定したＬＮ（００６）回
折ピークの半値巾は２．７０°である。さらに膜の表面
性をＳＥＭで観測したところ、平均のグレインサイズは
５２０Åであった。また、前記ＬＮ膜の屈折率は、常光
に対する屈折率をｎo 、異常光に対する屈折率ｎe とす
るとｎo ＝１．８７８、ｎe ＝１．９５６、複屈折０．
０７８が得られた。
【００２４】実施例２ Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法により以下の手順で塗布液を調製し
た。２−メトキシエタノール中で還流してアルコール交
換反応により作製したＬｉＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 とＮｂ
（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）5 をＬｉ／Ｎｂ＝１／１となる
ように２−メトキシエタノール中に溶解した。ここに水
０．０５ｍｏｌ／ｌとＮＨ4 ＯＨ０．１ｍｏｌ／ｌを添
加し、１５０℃で反応させたものを塗布液とした。次
に、上記手順で調製した塗布液をＣ面サファイヤ単結晶
基板上にスピンコート法を用いて塗布し、前記塗布後の
基板を酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して４００℃
で３０分アニールした。ここまでの工程を４回繰り返し
て膜厚を約２０００Åに調製した。その後さらに６００
℃まで同様に昇温して１時間焼結した。得られたＬＮ膜
は実施例１と同様高い結晶性を有し（図１）、またＣ軸
に配向していた。また、ロッキングカーブ法により測定
したＬＮ（００６）回折ピークの半値巾は２．９１°で
あった。さらに膜の表面性をＳＥＭで観測したところ、
平均のグレインサイズは４７０Åであった。また、前記
ＬＮ膜の屈折率は、ｎo＝１．８８４、ｎe ＝１．９４
１、複屈折０．０５７が得られた。
た。２−メトキシエタノール中で還流してアルコール交
換反応により作製したＬｉＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 とＮｂ
（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）5 をＬｉ／Ｎｂ＝１／１となる
ように２−メトキシエタノール中に溶解した。ここに水
０．０５ｍｏｌ／ｌとＮＨ4 ＯＨ０．１ｍｏｌ／ｌを添
加し、１５０℃で反応させたものを塗布液とした。次
に、上記手順で調製した塗布液をＣ面サファイヤ単結晶
基板上にスピンコート法を用いて塗布し、前記塗布後の
基板を酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して４００℃
で３０分アニールした。ここまでの工程を４回繰り返し
て膜厚を約２０００Åに調製した。その後さらに６００
℃まで同様に昇温して１時間焼結した。得られたＬＮ膜
は実施例１と同様高い結晶性を有し（図１）、またＣ軸
に配向していた。また、ロッキングカーブ法により測定
したＬＮ（００６）回折ピークの半値巾は２．９１°で
あった。さらに膜の表面性をＳＥＭで観測したところ、
平均のグレインサイズは４７０Åであった。また、前記
ＬＮ膜の屈折率は、ｎo＝１．８８４、ｎe ＝１．９４
１、複屈折０．０５７が得られた。
【００２５】比較例１ 実施例２と同様にして塗布液を作製した。Ｃ面サファイ
ヤ単結晶基板上に塗布液を用いてスピンコート法により
製膜し、これを酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して
４００℃で３０分アニールした。ここまでの工程を４回
繰り返して膜厚を約２０００Åに調製した。この後さら
に５００℃まで同様に昇温して１時間焼結した。得られ
たＬＮ膜は高い結晶性を有し、Ｃ軸に配向していた。ロ
ッキングカーブ法により測定したＬＮ（００６）回折ピ
ークの半値巾は３．１３°であった。膜の表面性をＳＥ
Ｍで観察したところグレインは１００Å未満であった。
また、ＬＮ膜の屈折率は、ｎo ＝１．９５４、ｎe ＝
１．９９２、複屈折０．０３８と低いものであった。
ヤ単結晶基板上に塗布液を用いてスピンコート法により
製膜し、これを酸素雰囲気下１０℃／ｍｉｎで昇温して
４００℃で３０分アニールした。ここまでの工程を４回
繰り返して膜厚を約２０００Åに調製した。この後さら
に５００℃まで同様に昇温して１時間焼結した。得られ
たＬＮ膜は高い結晶性を有し、Ｃ軸に配向していた。ロ
ッキングカーブ法により測定したＬＮ（００６）回折ピ
ークの半値巾は３．１３°であった。膜の表面性をＳＥ
Ｍで観察したところグレインは１００Å未満であった。
また、ＬＮ膜の屈折率は、ｎo ＝１．９５４、ｎe ＝
１．９９２、複屈折０．０３８と低いものであった。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る多結晶強誘電性薄膜におい
ては、光が薄膜内を通過する際前記薄膜中の析出物や空
孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双晶境界による光の散
乱が問題にならず、しかも単結晶と類似の圧電性、焦電
性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸特
性を有する。
ては、光が薄膜内を通過する際前記薄膜中の析出物や空
孔、結晶粒界、粒界層、分域壁、双晶境界による光の散
乱が問題にならず、しかも単結晶と類似の圧電性、焦電
性、電気光学効果、フォトリフラクティブ効果等の諸特
性を有する。
【図１】実施例で得られたＬＮ膜のＸ線回折パターンを
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成した強誘電体薄膜におい
て、前記強誘電体薄膜が１００Å以上の平均グレインサ
イズをもつ多結晶配向膜からなることを特徴とする強誘
電体薄膜。 - 【請求項２】 前記強誘電体薄膜が屈折率異方性を有す
る多結晶配向膜からなることを特徴とする請求項１記載
の強誘電体薄膜。 - 【請求項３】 前記基板が前記強誘電体薄膜の屈折率よ
り大きな屈折率を有する材料からなることを特徴とする
請求項１または２記載の強誘電体薄膜。 - 【請求項４】 前記強誘電体薄膜が金属酸化物薄膜から
なることを特徴とする請求項１または２記載の強誘電体
薄膜。 - 【請求項５】 前記強誘電体薄膜がＣ面配向ＬｉＮｂＯ
3 からなり、前記基板がＣ面サファイヤからなることを
特徴とする請求項４記載の強誘電体薄膜。 - 【請求項６】 前記強誘電体薄膜が、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法
により製造した多結晶配向膜からなることを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載の強誘電体薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218792A JPH05281500A (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 強誘電体薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218792A JPH05281500A (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 強誘電体薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281500A true JPH05281500A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14580441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11218792A Pending JPH05281500A (ja) | 1992-04-04 | 1992-04-04 | 強誘電体薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281500A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599757B1 (en) | 1998-10-14 | 2003-07-29 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
-
1992
- 1992-04-04 JP JP11218792A patent/JPH05281500A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599757B1 (en) | 1998-10-14 | 2003-07-29 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6730524B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6767086B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6767085B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head, and ink jet printer |
| US6880920B2 (en) | 1998-10-14 | 2005-04-19 | Seiko Epson Corporation | Electromechanical transducer with an adhesive layer and an anti-diffusion layer |
| US6955927B2 (en) | 1998-10-14 | 2005-10-18 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing ferroelectric thin film device, ink jet recording head and ink jet printer |
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