JPH05275750A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05275750A JPH05275750A JP4067258A JP6725892A JPH05275750A JP H05275750 A JPH05275750 A JP H05275750A JP 4067258 A JP4067258 A JP 4067258A JP 6725892 A JP6725892 A JP 6725892A JP H05275750 A JPH05275750 A JP H05275750A
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- semiconductor device
- semiconductor element
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 逆方向に取付けても正常な動作を行なう光半
導体装置を提供する。 【構成】 絶縁基台の表面の中央近傍と裏面の中央近傍
に連なる第１導電層を設ける。絶縁基台の少なくとも裏
面の相対する端部近傍に形成されかつ互いに接続された
第２及び第３導電層を設ける。第１導電層の表面の中央
近傍に固着されかつ第２又は第３導電層に配線された光
半導体素子を設ける。
導体装置を提供する。 【構成】 絶縁基台の表面の中央近傍と裏面の中央近傍
に連なる第１導電層を設ける。絶縁基台の少なくとも裏
面の相対する端部近傍に形成されかつ互いに接続された
第２及び第３導電層を設ける。第１導電層の表面の中央
近傍に固着されかつ第２又は第３導電層に配線された光
半導体素子を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小型のチップ化された光
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年チップ化された小型の略箱型形状を
した光半導体装置が提案されている。これは例えば特開
昭６０−２６２４７６号公報の如く、図８の断面図にて
示される。第１、第２配線層４１と４２は絶縁基台４３
の表面に位置し、側面を通り裏面に延びて形成されてい
る。反射枠４４が絶縁基台４３上に積層されている。そ
して発光ダイオード４５が第１配線層４１上に固着さ
れ、第２配線層４２に配線されている。
した光半導体装置が提案されている。これは例えば特開
昭６０−２６２４７６号公報の如く、図８の断面図にて
示される。第１、第２配線層４１と４２は絶縁基台４３
の表面に位置し、側面を通り裏面に延びて形成されてい
る。反射枠４４が絶縁基台４３上に積層されている。そ
して発光ダイオード４５が第１配線層４１上に固着さ
れ、第２配線層４２に配線されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしてこの様な光半
導体装置は例えば、第１、第２配線層４１と４２の裏面
部がそれぞれ回路基板４６の陽極、陰極パターン４７と
４８上に位置する様に固着されて順電圧が印加されてい
る。それ故、光半導体装置を間違がって逆方向に取付け
た場合、すなわち第１、第２配線層４１と４２を陰極、
陽極パターン４８と４７上に固着した場合、動作不能
（発光しない）となる。故に本発明はかかる欠点を解消
し、逆方向に取付けても正常な動作を行なう光半導体装
置を提供するものである。
導体装置は例えば、第１、第２配線層４１と４２の裏面
部がそれぞれ回路基板４６の陽極、陰極パターン４７と
４８上に位置する様に固着されて順電圧が印加されてい
る。それ故、光半導体装置を間違がって逆方向に取付け
た場合、すなわち第１、第２配線層４１と４２を陰極、
陽極パターン４８と４７上に固着した場合、動作不能
（発光しない）となる。故に本発明はかかる欠点を解消
し、逆方向に取付けても正常な動作を行なう光半導体装
置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、絶縁基台の表面の中央近傍と裏面の中央
近傍に連なって形成された第１導電層を設ける。そして
絶縁基台の少なくとも裏面の相対する端部近傍に形成さ
れかつ互いに接続された第２及び第３導電層を設ける。
さらに第１導電層の表面の中央近傍に固着されかつ第２
又は第３導電層に配線された光半導体素子を設ける。
決するために、絶縁基台の表面の中央近傍と裏面の中央
近傍に連なって形成された第１導電層を設ける。そして
絶縁基台の少なくとも裏面の相対する端部近傍に形成さ
れかつ互いに接続された第２及び第３導電層を設ける。
さらに第１導電層の表面の中央近傍に固着されかつ第２
又は第３導電層に配線された光半導体素子を設ける。
【０００５】
【作用】上述の如く本発明は第１導電層を絶縁基台の裏
面の中央近傍に形成するので、この光半導体装置を正方
向に又は逆方向に取付けた時、第１導電層に同一極性の
電圧が印加される。そして第２及び第３導電層を接続し
て絶縁基台の裏面の端部近傍に相対して形成する。故に
正方向に又は逆方向に取付けた時、第２又は第３導電層
に同一極性の電圧が印加される。
面の中央近傍に形成するので、この光半導体装置を正方
向に又は逆方向に取付けた時、第１導電層に同一極性の
電圧が印加される。そして第２及び第３導電層を接続し
て絶縁基台の裏面の端部近傍に相対して形成する。故に
正方向に又は逆方向に取付けた時、第２又は第３導電層
に同一極性の電圧が印加される。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の第１実施例を図１、図２、図
３に従って説明する。図１は本実施例に係る光半導体装
置の斜視図、図２は図１のＡＡ断面図、図３は本光半導
体装置の分解斜視図である。これらの図に於て、絶縁基
台１は例えばそれぞれセラミックから成る第１、第２、
第３基台２、３、４を積層して焼成する事により得られ
たものである。
３に従って説明する。図１は本実施例に係る光半導体装
置の斜視図、図２は図１のＡＡ断面図、図３は本光半導
体装置の分解斜視図である。これらの図に於て、絶縁基
台１は例えばそれぞれセラミックから成る第１、第２、
第３基台２、３、４を積層して焼成する事により得られ
たものである。
【０００７】第１基台２の表面と裏面の中央近傍と裏面
の相対する端部近傍に於て、ニッケルと金から成る表面
層５と裏面層６、７、８がメッキ等により形成されてい
る。第１基台２の４つの側面に於てスルーホール部が形
成され、その表面にニッケルと金から成る側面層９、１
０、１１、１２が形成されている。第２基台３の略中央
に透孔１３が形成され、表面にニッケルと金から成る表
面層１４が形成され、側面層１５、１６と接続されてい
る。側面層１７、１８が側面層１５、１６と略直交する
位置に於てかつ表面層１４と接続しない様に形成されて
いる。第３基台４は略額縁状に形成され、その側面にニ
ッケルと金から成る側面層１９、２０、２１、２２が形
成されている。
の相対する端部近傍に於て、ニッケルと金から成る表面
層５と裏面層６、７、８がメッキ等により形成されてい
る。第１基台２の４つの側面に於てスルーホール部が形
成され、その表面にニッケルと金から成る側面層９、１
０、１１、１２が形成されている。第２基台３の略中央
に透孔１３が形成され、表面にニッケルと金から成る表
面層１４が形成され、側面層１５、１６と接続されてい
る。側面層１７、１８が側面層１５、１６と略直交する
位置に於てかつ表面層１４と接続しない様に形成されて
いる。第３基台４は略額縁状に形成され、その側面にニ
ッケルと金から成る側面層１９、２０、２１、２２が形
成されている。
【０００８】上述の様に、第１導電層２３は第１基台２
の表面の中央近傍の表面層５と側面層１０、１２と裏面
の中央近傍の裏面層６を接続されたものである。第２導
電層２４は第２基台３の表面層１４、側面層１５と第１
基台２の側面層９、裏面層７を接続したものである。第
３導電層２５は第２基台３の側面層１６と第１基台２の
側面層１１、裏面層８を接続したものである。この様
に、第２、第３導電層２４、２５は絶縁基台１の表面層
１４に接続しかつ絶縁基台１の裏面の相対する端部近傍
に形成されたものである。
の表面の中央近傍の表面層５と側面層１０、１２と裏面
の中央近傍の裏面層６を接続されたものである。第２導
電層２４は第２基台３の表面層１４、側面層１５と第１
基台２の側面層９、裏面層７を接続したものである。第
３導電層２５は第２基台３の側面層１６と第１基台２の
側面層１１、裏面層８を接続したものである。この様
に、第２、第３導電層２４、２５は絶縁基台１の表面層
１４に接続しかつ絶縁基台１の裏面の相対する端部近傍
に形成されたものである。
【０００９】光半導体素子２６は第１導電層２３の表面
すなわち表面層５の中央近傍に塗布された導電性接着剤
２７上に載置固着されている。光半導体素子２６は例え
ば１辺が２００〜４００μｍ、高さが２５０〜３００μ
ｍの略さいころ状をなしたＧａＰ、ＧｓＡｓＰ等からな
る発光素子である。または光半導体素子２６は例えば１
辺が５００〜７００μｍ、高さが２５０〜３００μｍの
略直方体状をなし、Ｐ型基板に燐を拡散して形成された
ＰＩＮフォトダイオードからなる受光素子である。その
他に光半導体素子２６として、フォトトランジスター等
も適用できる。
すなわち表面層５の中央近傍に塗布された導電性接着剤
２７上に載置固着されている。光半導体素子２６は例え
ば１辺が２００〜４００μｍ、高さが２５０〜３００μ
ｍの略さいころ状をなしたＧａＰ、ＧｓＡｓＰ等からな
る発光素子である。または光半導体素子２６は例えば１
辺が５００〜７００μｍ、高さが２５０〜３００μｍの
略直方体状をなし、Ｐ型基板に燐を拡散して形成された
ＰＩＮフォトダイオードからなる受光素子である。その
他に光半導体素子２６として、フォトトランジスター等
も適用できる。
【００１０】金属細線２８は金等から成り、光半導体素
子２６の表面と第２導電層２４の表面、すなわち表面層
１４との間に配線されている。透光性樹脂２９はエポキ
シ樹脂等から成り、光半導体素子２６と金属細線２８を
覆ってかつ絶縁基台１の表面の凹部を埋める様に形成さ
れている。これらの部品により光半導体装置３０が構成
されている。
子２６の表面と第２導電層２４の表面、すなわち表面層
１４との間に配線されている。透光性樹脂２９はエポキ
シ樹脂等から成り、光半導体素子２６と金属細線２８を
覆ってかつ絶縁基台１の表面の凹部を埋める様に形成さ
れている。これらの部品により光半導体装置３０が構成
されている。
【００１１】次にこの光半導体装置３０を回路基板３１
に取付けた場合を説明する。陽極パターン３２は光半導
体装置３０の第２、第３導電層２４、２５のピッチと略
一致する様に、回路基板３１上に平面略コ字状に形成さ
れている。陰極パターン３３は陽極パターン３２の略中
央に形成されている。正方向に取付けた場合、第１導電
層２３は陰極パターン３３に固着され、第２、第３導電
層２４、２５が陽極パターン３２のそれぞれ第１、第２
載置部３４、３５上に固着されている。従って光半導体
素子２６のＮ型基板を下にして載置していれば、発光又
は受光の動作をする。
に取付けた場合を説明する。陽極パターン３２は光半導
体装置３０の第２、第３導電層２４、２５のピッチと略
一致する様に、回路基板３１上に平面略コ字状に形成さ
れている。陰極パターン３３は陽極パターン３２の略中
央に形成されている。正方向に取付けた場合、第１導電
層２３は陰極パターン３３に固着され、第２、第３導電
層２４、２５が陽極パターン３２のそれぞれ第１、第２
載置部３４、３５上に固着されている。従って光半導体
素子２６のＮ型基板を下にして載置していれば、発光又
は受光の動作をする。
【００１２】そしてこの光半導体装置３０を逆方向に取
付けた場合、第１導電層２３は同じく陰極パターン３３
と接続する。第２、第３導電層２４、２５が陽極パター
ン３２のそれぞれ第２、第１載置部３５、３４上に固着
されている。従って光半導体素子２６に順電圧が印加さ
れ発光又は受光をする。更に本実施例に係る光半導体装
置の等価回路図を図４（ａ）、（ｂ）に従って説明す
る。図４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ光半導体素子２６の
Ｎ型基板、Ｐ型基板を下にして載置した場合の回路図で
ある。これらの図に於て、第１導電層２３と共に接続す
る側面層１０、１２は光半導体素子２６の裏面と接続し
ている。第２導電層２４と接続する側面層９は第３導電
層２５と接続する側面層１１と共に光半導体素子２６の
表面と接続している。
付けた場合、第１導電層２３は同じく陰極パターン３３
と接続する。第２、第３導電層２４、２５が陽極パター
ン３２のそれぞれ第２、第１載置部３５、３４上に固着
されている。従って光半導体素子２６に順電圧が印加さ
れ発光又は受光をする。更に本実施例に係る光半導体装
置の等価回路図を図４（ａ）、（ｂ）に従って説明す
る。図４（ａ）、（ｂ）はそれぞれ光半導体素子２６の
Ｎ型基板、Ｐ型基板を下にして載置した場合の回路図で
ある。これらの図に於て、第１導電層２３と共に接続す
る側面層１０、１２は光半導体素子２６の裏面と接続し
ている。第２導電層２４と接続する側面層９は第３導電
層２５と接続する側面層１１と共に光半導体素子２６の
表面と接続している。
【００１３】次に上述の実施例より簡単に製作できる第
２実施例を図５の分解斜視図に従って説明する。第１実
施例と比較して本実施例の光半導体装置３６の第１、第
２、第３基台２Ａ、３Ａ、４Ａはそれぞれ側面層１２、
１８、２２が形成されていない。第１導電層２３Ａは１
つの側面層１０しか有していないが、正方向又は逆方向
に取付けた場合、陰極パターン３３に固着される。故に
正方向に又は逆方向に取付けた場合、光半導体素子には
正常な方向の電圧が印加するので正常に動作する。
２実施例を図５の分解斜視図に従って説明する。第１実
施例と比較して本実施例の光半導体装置３６の第１、第
２、第３基台２Ａ、３Ａ、４Ａはそれぞれ側面層１２、
１８、２２が形成されていない。第１導電層２３Ａは１
つの側面層１０しか有していないが、正方向又は逆方向
に取付けた場合、陰極パターン３３に固着される。故に
正方向に又は逆方向に取付けた場合、光半導体素子には
正常な方向の電圧が印加するので正常に動作する。
【００１４】次に、上述の第２実施例より更に簡単に製
作できる第３実施例を図６の分解斜視図に従って説明す
る。第２実施例と比較して、本実施例の光半導体装置３
７の第１、第２、第３基台２Ｂ、３Ｂ、４Ｂはそれぞれ
側面層１０、１７、２０が形成されていない。第１基台
２の表面に形成された表面層５Ｂと裏面の中央近傍に形
成された裏面層６Ｂとの間に、貫通孔が形成されその貫
通孔の表面をメッキ等で導通されたスルーホール部３８
が形成されている。この光半導体装置３７を正方向に又
は逆方向に取付けた場合、光半導体素子は正常な方向の
電圧が印加される。
作できる第３実施例を図６の分解斜視図に従って説明す
る。第２実施例と比較して、本実施例の光半導体装置３
７の第１、第２、第３基台２Ｂ、３Ｂ、４Ｂはそれぞれ
側面層１０、１７、２０が形成されていない。第１基台
２の表面に形成された表面層５Ｂと裏面の中央近傍に形
成された裏面層６Ｂとの間に、貫通孔が形成されその貫
通孔の表面をメッキ等で導通されたスルーホール部３８
が形成されている。この光半導体装置３７を正方向に又
は逆方向に取付けた場合、光半導体素子は正常な方向の
電圧が印加される。
【００１５】更に、複数の光半導体素子を用いた第４実
施例を図７の分解斜視図に従って説明する。第２導電層
２４Ａは各層７、９、１５Ｃ、１５Ｅ、１４Ｄ、１９を
接続し、第３導電層２５Ａは各層８Ｃ、１１Ｃ、１６
Ｄ、１６Ｆ、１４Ｄ、２１Ｃを接続し、第２導電層２４
Ｂは各層７Ｃ、９Ｃ、１５Ｄ、１４Ｃ、１５Ｆ、１９Ｃ
を接続し、第３導電層２５Ｂは各層８、１１、１６Ｃ、
２１を接続したものである。光半導体素子２６、２６Ｃ
の表面電極はそれぞれ第２導電層２４Ａと第３導電層２
５Ｂに配線されている。
施例を図７の分解斜視図に従って説明する。第２導電層
２４Ａは各層７、９、１５Ｃ、１５Ｅ、１４Ｄ、１９を
接続し、第３導電層２５Ａは各層８Ｃ、１１Ｃ、１６
Ｄ、１６Ｆ、１４Ｄ、２１Ｃを接続し、第２導電層２４
Ｂは各層７Ｃ、９Ｃ、１５Ｄ、１４Ｃ、１５Ｆ、１９Ｃ
を接続し、第３導電層２５Ｂは各層８、１１、１６Ｃ、
２１を接続したものである。光半導体素子２６、２６Ｃ
の表面電極はそれぞれ第２導電層２４Ａと第３導電層２
５Ｂに配線されている。
【００１６】上述の様に、第２導電層２４Ａと第３導電
層２５Ａは絶縁基台１Ｃの裏面の中心を略点対称的に相
対しかつ端部近傍に形成されかつ互いに接続しており、
１方の光半導体素子２６の表面電極と配線されている。
同様に第２導電層２４Ｂと第３導電層２５Ａは絶縁基台
１Ｃの裏面に相対して端部近傍に形成され、他方の光半
導体素子２６Ｃと配線されている。
層２５Ａは絶縁基台１Ｃの裏面の中心を略点対称的に相
対しかつ端部近傍に形成されかつ互いに接続しており、
１方の光半導体素子２６の表面電極と配線されている。
同様に第２導電層２４Ｂと第３導電層２５Ａは絶縁基台
１Ｃの裏面に相対して端部近傍に形成され、他方の光半
導体素子２６Ｃと配線されている。
【００１７】従って正方向に取付けた場合、第２、第３
導電層２４Ａ、２５Ａはそれぞれ回路基板上の第１、第
２陽極パターンに接続され１方の光半導体素子２６に正
常な方向の電圧が印加される。同様に他方の光半導体素
子２６Ｃにも電圧がかかる。次に逆方向に取付けた場
合、第２、第３導電層２４Ａ、２５Ａはそれぞれ第２、
第１の陽極パターンに接続され、光半導体素子２６に正
常方向の電圧がかかる。光半導体素子２６Ｃも同様であ
る。
導電層２４Ａ、２５Ａはそれぞれ回路基板上の第１、第
２陽極パターンに接続され１方の光半導体素子２６に正
常な方向の電圧が印加される。同様に他方の光半導体素
子２６Ｃにも電圧がかかる。次に逆方向に取付けた場
合、第２、第３導電層２４Ａ、２５Ａはそれぞれ第２、
第１の陽極パターンに接続され、光半導体素子２６に正
常方向の電圧がかかる。光半導体素子２６Ｃも同様であ
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上述の如く、第１導電層を絶縁
基台の裏面の中央近傍に形成するのでこの光半導体装置
を逆方向に取付けた場合も第１導電層には正方向に取付
けた時と同一極性の電圧が印加される。そして第２及び
第３導電層を接続して絶縁基台の裏面の端部近傍に相対
して形成する。故に逆方向に取付けた場合も、第２又は
第３導電層には正方向に取付けた時と同一極性の電圧が
印加される。従ってこの第１導電層に固着され第２又は
第３導電層に配線される光半導体素子には、正方向又は
逆方向の取付の場合、一定方向の電圧が印加される。
基台の裏面の中央近傍に形成するのでこの光半導体装置
を逆方向に取付けた場合も第１導電層には正方向に取付
けた時と同一極性の電圧が印加される。そして第２及び
第３導電層を接続して絶縁基台の裏面の端部近傍に相対
して形成する。故に逆方向に取付けた場合も、第２又は
第３導電層には正方向に取付けた時と同一極性の電圧が
印加される。従ってこの第１導電層に固着され第２又は
第３導電層に配線される光半導体素子には、正方向又は
逆方向の取付の場合、一定方向の電圧が印加される。
【００１９】従って正方向に又は逆方向に取付けた場
合、発光又は受光の動作をするので、逆方向に取付ける
事による動作不能を解消できる。また自動機で取付する
場合、光半導体装置の方向性を認識する必要がなく作業
性も良くなる。
合、発光又は受光の動作をするので、逆方向に取付ける
事による動作不能を解消できる。また自動機で取付する
場合、光半導体装置の方向性を認識する必要がなく作業
性も良くなる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光半導体装置の斜視
図である。
図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る光半導体装置の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る光半導体装置の等価
回路図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ光半導体素子
のＮ型基板、Ｐ型基板を下にして載置した場合を示す。
回路図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ光半導体素子
のＮ型基板、Ｐ型基板を下にして載置した場合を示す。
【図５】本発明の第２実施例に係る光半導体装置の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る光半導体装置の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図７】本発明の第４実施例に係る光半導体装置の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図８】従来の光半導体装置の断面図である。
１ 絶縁基台 ２３、２３Ａ 第１導電層 ２４、２４Ａ、２４Ｂ 第２導電層 ２５、２５Ａ、２５Ｂ 第３導電層 ２６、２６Ｃ 光半導体素子
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基台の表面の中央近傍と裏面の中央
近傍に連なって設けられた第１導電層と、前記絶縁基台
の少なくとも裏面の相対する端部近傍に設けられかつ互
いに接続された第２及び第３導電層と、前記第１導電層
の表面の中央近傍に固着されかつ前記第２又は第３導電
層に配線された光半導体素子とを具備した事を特徴とす
る光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4067258A JPH05275750A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP4067258A JPH05275750A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275750A true JPH05275750A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13339751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4067258A Pending JPH05275750A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275750A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-03-25 JP JP4067258A patent/JPH05275750A/ja active Pending
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