JP3302203B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Led Device Packages (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型の発光ダイオ
ード(以下「LED」と略称する)に関するものであ
り、特に軽薄短小を追求する電子機器向けに提供される
小型、薄型LEDに関する。
ード(以下「LED」と略称する)に関するものであ
り、特に軽薄短小を追求する電子機器向けに提供される
小型、薄型LEDに関する。
【0002】
【従来の技術】軽薄短小を追求する電子機器向けに提供
される小型、薄型LEDの代表的な従来構造を図3及び
図4に示す。図3のLEDは、略直方体形状を成した絶
縁基板1の表面にメッキ配線による金属パターンからな
る一対の電極2、3を形成している。この電極は、絶縁
基板1の下面から側面を通り上面までコの字状を成し、
該電極2と3が対向するように形成されている。LED
素子4は該電極2上の上面電極部2bに実装され、電極
3上の上面電極部3bと金属細線5によりワイヤーボン
デイング接続し、透光性樹脂6にてLED素子4と金属
細線5を覆う形で封止した構造を有している。図4のL
EDは、細長い板状の一対の金属電極7、8を所定の間
隔をあけて配置し、該金属電極7の上面側部7bにLE
D素子4を実装し、該金属電極8の上面側部8bと金属
細線5によりワイヤーボンディング接続し、透光性樹脂
6にて該金属電極7、8の一部とLED素子4と金属細
線5を含む周囲全体を封止した構造を有している。
される小型、薄型LEDの代表的な従来構造を図3及び
図4に示す。図3のLEDは、略直方体形状を成した絶
縁基板1の表面にメッキ配線による金属パターンからな
る一対の電極2、3を形成している。この電極は、絶縁
基板1の下面から側面を通り上面までコの字状を成し、
該電極2と3が対向するように形成されている。LED
素子4は該電極2上の上面電極部2bに実装され、電極
3上の上面電極部3bと金属細線5によりワイヤーボン
デイング接続し、透光性樹脂6にてLED素子4と金属
細線5を覆う形で封止した構造を有している。図4のL
EDは、細長い板状の一対の金属電極7、8を所定の間
隔をあけて配置し、該金属電極7の上面側部7bにLE
D素子4を実装し、該金属電極8の上面側部8bと金属
細線5によりワイヤーボンディング接続し、透光性樹脂
6にて該金属電極7、8の一部とLED素子4と金属細
線5を含む周囲全体を封止した構造を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来技
術における各構造で、より薄型化を追求していった場
合、次のような欠点がある。図3の構造においては、ベ
ースになる絶縁基板1の厚みがLEDの総厚に加わって
くるため、薄型化を追求する場合この絶縁基板1の厚み
を薄くする必要がある。ところが、LEDの機械的、及
び熱的信頼性を考慮した場合、薄くするのにも限界があ
り、LEDの薄型化の妨げになっていた。次に図4の構
造においてであるが、本構造の場合図3の絶縁基板1に
相当するものは構成要素にない。絶縁基板は、LED素
子を実装するための一対の電極を保持し、機械的、及び
熱的な安定を保たせる目的を有している。図4の構造に
おいては、この絶縁基板が無いために、電極7、8の上
方向と下方向に各々樹脂6が回り込むように形成し、電
極の保持、安定を図らなければならない。特に、電極
7、8の下方向の樹脂の一部6aが電極の保持、安定に
重要な役割を果たしているわけだが、本構造の場合、こ
の樹脂の一部6aがLEDの薄型化の妨げになってい
た。
術における各構造で、より薄型化を追求していった場
合、次のような欠点がある。図3の構造においては、ベ
ースになる絶縁基板1の厚みがLEDの総厚に加わって
くるため、薄型化を追求する場合この絶縁基板1の厚み
を薄くする必要がある。ところが、LEDの機械的、及
び熱的信頼性を考慮した場合、薄くするのにも限界があ
り、LEDの薄型化の妨げになっていた。次に図4の構
造においてであるが、本構造の場合図3の絶縁基板1に
相当するものは構成要素にない。絶縁基板は、LED素
子を実装するための一対の電極を保持し、機械的、及び
熱的な安定を保たせる目的を有している。図4の構造に
おいては、この絶縁基板が無いために、電極7、8の上
方向と下方向に各々樹脂6が回り込むように形成し、電
極の保持、安定を図らなければならない。特に、電極
7、8の下方向の樹脂の一部6aが電極の保持、安定に
重要な役割を果たしているわけだが、本構造の場合、こ
の樹脂の一部6aがLEDの薄型化の妨げになってい
た。
【0004】本発明は、上記課題を解決せんとするもの
であり、必要とされる性能、及び機械的、熱的信頼性を
具備しながら、さらに薄型のLEDを提供することを目
的とする。
であり、必要とされる性能、及び機械的、熱的信頼性を
具備しながら、さらに薄型のLEDを提供することを目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のLEDは、前記
課題を解決するために、絶縁基板上に一対の電極を形成
し、該一対の電極の一方にLED素子を実装し、該一対
の電極の他方と金属細線によりワイヤーボンディング接
続され、該LED素子と該金属細線を覆うように透光性
樹脂にて封止したチップLEDにおいて、LED素子を
実装する部分の絶縁基板に、LED素子より大きい貫通
穴、または溝等からなる収納部を設け、該収納部の一方
の開口部内に前記一対の電極の少なくとも一方が形成さ
れ、該電極上にLED素子が、一個または複数個実装さ
れた構造を有している。
課題を解決するために、絶縁基板上に一対の電極を形成
し、該一対の電極の一方にLED素子を実装し、該一対
の電極の他方と金属細線によりワイヤーボンディング接
続され、該LED素子と該金属細線を覆うように透光性
樹脂にて封止したチップLEDにおいて、LED素子を
実装する部分の絶縁基板に、LED素子より大きい貫通
穴、または溝等からなる収納部を設け、該収納部の一方
の開口部内に前記一対の電極の少なくとも一方が形成さ
れ、該電極上にLED素子が、一個または複数個実装さ
れた構造を有している。
【0006】
【作用】本発明のLEDは、LED素子が、絶縁基板に
設けられたLED素子より大きい穴からなる収納部の一
方の開口部内に形成された電極上に実装されているた
め、絶縁基板の厚みがLEDの総厚に影響を与えなくな
り、従来技術を用いた図3のLEDよりも、絶縁基板の
厚み分だけ薄型化を実現することが可能になる。又、従
来技術を用いた図4のLEDと比較した場合、本発明の
LEDは穴をあけているとは言え、LED素子を実装す
るための、一対の電極を保持し機械的、及び熱的な安定
を保たせるに十分な絶縁基板を具備している。したがっ
て、図4のように透光性樹脂を、LED素子を実装する
ための一対の電極の下方向まで形成させる必要が無く、
これと比較しても、より薄型化を可能にしている。
設けられたLED素子より大きい穴からなる収納部の一
方の開口部内に形成された電極上に実装されているた
め、絶縁基板の厚みがLEDの総厚に影響を与えなくな
り、従来技術を用いた図3のLEDよりも、絶縁基板の
厚み分だけ薄型化を実現することが可能になる。又、従
来技術を用いた図4のLEDと比較した場合、本発明の
LEDは穴をあけているとは言え、LED素子を実装す
るための、一対の電極を保持し機械的、及び熱的な安定
を保たせるに十分な絶縁基板を具備している。したがっ
て、図4のように透光性樹脂を、LED素子を実装する
ための一対の電極の下方向まで形成させる必要が無く、
これと比較しても、より薄型化を可能にしている。
【0007】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図1は本発明の一実施例を表す斜視図、図2は
その中央断面図を表す。図1及び図2において、1は略
直方体形状を成した絶縁基板であり、この絶縁基板1の
略中央付近にLED素子の大きさより大きい、丸状の穴
1aからなる収納部が形成されている。さらに、絶縁基
板1の表面にメッキ配線による金属パターンからなる一
対の電極2、3が形成される。電極2、3はいずれも、
絶縁基板1の下面から側面を通り上面までコの字状を成
し、電極2と3が対向するように形成されている。又、
電極2は絶縁基板1にあけられた丸状の穴1aを下面側
からふさぐように図中下方の開口部内にも突出して形成
されている。LED素子4は、この絶縁基板1に形成さ
れた穴1aに落とし込む形で、電極2の下面部2aに銀
ペースト等の導電性接着剤を用いて接着実装される。実
装されたLED素子4はもう一方の電極3の上面部3b
と金属細線5でワイヤーボンディング接続される。透光
性樹脂6はLED素子4と金属細線5を覆う形で、絶縁
基板1の上面上にのみ形成されている。この時、絶縁基
板1の厚みをLED素子4の厚みと同じか、それ以下に
設定することにより、LEDとしての総厚に絶縁基板1
の厚みを考慮する必要が無くなり、より薄型のLEDが
実現できることになる。尚、絶縁基板1に設ける穴1a
は本実施例のような丸状だけでなく、楕円状または多角
状等であってもよい。
明する。図1は本発明の一実施例を表す斜視図、図2は
その中央断面図を表す。図1及び図2において、1は略
直方体形状を成した絶縁基板であり、この絶縁基板1の
略中央付近にLED素子の大きさより大きい、丸状の穴
1aからなる収納部が形成されている。さらに、絶縁基
板1の表面にメッキ配線による金属パターンからなる一
対の電極2、3が形成される。電極2、3はいずれも、
絶縁基板1の下面から側面を通り上面までコの字状を成
し、電極2と3が対向するように形成されている。又、
電極2は絶縁基板1にあけられた丸状の穴1aを下面側
からふさぐように図中下方の開口部内にも突出して形成
されている。LED素子4は、この絶縁基板1に形成さ
れた穴1aに落とし込む形で、電極2の下面部2aに銀
ペースト等の導電性接着剤を用いて接着実装される。実
装されたLED素子4はもう一方の電極3の上面部3b
と金属細線5でワイヤーボンディング接続される。透光
性樹脂6はLED素子4と金属細線5を覆う形で、絶縁
基板1の上面上にのみ形成されている。この時、絶縁基
板1の厚みをLED素子4の厚みと同じか、それ以下に
設定することにより、LEDとしての総厚に絶縁基板1
の厚みを考慮する必要が無くなり、より薄型のLEDが
実現できることになる。尚、絶縁基板1に設ける穴1a
は本実施例のような丸状だけでなく、楕円状または多角
状等であってもよい。
【0008】図5に本発明の他の実施例に係るLEDの
斜視図、図6にその中央断面図を示す。本実施例の場
合、絶縁基板1の表面に形成された一対の電極2、3
は、絶縁基板1の下面側及び穴1aの図中下方の開口部
内に突出するようにしか形成されておらず、側面及び上
面には形成されていない。また、これにともない、LE
D素子4とワイヤーボンディング接続されるもう一方の
電極3の接続場所が前記実施例の時と異なり、穴1a内
の電極3の下面部3aに接続されている。この場合、絶
縁基板1に形成する穴1aを前記実施例と比較し、より
大きくする必要があるが、絶縁基板1表面のメッキ配線
からなる金属パターンが下面側片側のみですむため、製
造コストを下げることが可能となり、薄型でなおかつ安
価なLEDの提供が可能となる。
斜視図、図6にその中央断面図を示す。本実施例の場
合、絶縁基板1の表面に形成された一対の電極2、3
は、絶縁基板1の下面側及び穴1aの図中下方の開口部
内に突出するようにしか形成されておらず、側面及び上
面には形成されていない。また、これにともない、LE
D素子4とワイヤーボンディング接続されるもう一方の
電極3の接続場所が前記実施例の時と異なり、穴1a内
の電極3の下面部3aに接続されている。この場合、絶
縁基板1に形成する穴1aを前記実施例と比較し、より
大きくする必要があるが、絶縁基板1表面のメッキ配線
からなる金属パターンが下面側片側のみですむため、製
造コストを下げることが可能となり、薄型でなおかつ安
価なLEDの提供が可能となる。
【0009】図7に本発明のさらに他の実施例に係るL
EDの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板1に設
けられている穴が、絶縁基板1の一辺から対向する他の
一辺まで溝状に形成されており、該溝が絶縁基板1を二
分する形になっている。本発明において絶縁基板に設け
られる穴は、四方を絶縁基板に囲まれた完全な穴だけで
なく、このように二辺を解放した溝であっても良い。
尚、本実施例における電極2、3は、二分された絶縁基
板1の間に掛け渡されるように形成されている。
EDの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板1に設
けられている穴が、絶縁基板1の一辺から対向する他の
一辺まで溝状に形成されており、該溝が絶縁基板1を二
分する形になっている。本発明において絶縁基板に設け
られる穴は、四方を絶縁基板に囲まれた完全な穴だけで
なく、このように二辺を解放した溝であっても良い。
尚、本実施例における電極2、3は、二分された絶縁基
板1の間に掛け渡されるように形成されている。
【0010】図8に本発明のさらに他の実施例に係るL
EDの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板1に設
けられている穴1a内にLED素子が2個実装されてい
る。このように穴1a内に実装されるLED素子の数は
一個のみならず、複数個であっても良い。
EDの斜視図を示す。本実施例の場合、絶縁基板1に設
けられている穴1a内にLED素子が2個実装されてい
る。このように穴1a内に実装されるLED素子の数は
一個のみならず、複数個であっても良い。
【0011】
【発明の効果】以上のように、本発明のLEDは、絶縁
基板に穴又は溝等からなる収納部を設け、その穴または
溝等の中にLED素子を実装することにより、LEDの
総厚に対して絶縁基板の厚みを考慮する必要が無くな
り、LEDに要求される性能、及び機械的、熱的信頼性
を損なうことなく、薄型のLEDを提供することを可能
にするものである。
基板に穴又は溝等からなる収納部を設け、その穴または
溝等の中にLED素子を実装することにより、LEDの
総厚に対して絶縁基板の厚みを考慮する必要が無くな
り、LEDに要求される性能、及び機械的、熱的信頼性
を損なうことなく、薄型のLEDを提供することを可能
にするものである。
【図1】本発明の一実施例に係るLEDを示す斜視図。
【図2】図1に示すLEDの中央断面図。
【図3】従来のLEDを示す斜視図。
【図4】従来のLEDを示す斜視図。
【図5】本発明の他の実施例に係るLEDを示す斜視
図。
図。
【図6】図5に示すLEDの中央断面図。
【図7】本発明のさらに他の実施例に係るLEDを示す
斜視図。
斜視図。
【図8】本発明のさらに他の実施例に係るLEDを示す
斜視図。
斜視図。
1 絶縁基板 2、3 電極 4 LED素子 5 金属細線 6 透光性樹脂 7、8 金属電極
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−235696(JP,A) 特開 平6−37359(JP,A) 特開 平5−315654(JP,A) 実開 平6−7263(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00
Claims (4)
- 【請求項1】 貫通穴を有する絶縁基板と、 該絶縁基板の底面上に形成され、前記貫通穴の下方開口
部をふさぐように形成された下面部をそれぞれ有する一
対の電極と、 前記一対の電極の一方の下面部上に実装され、前記一対
の電極の他方の下面部に金属細線にてワイヤーボンディ
ング接続された発光ダイオード素子と、 該発光ダイオード素子及び前記金属細線を覆う透光性樹
脂と、 を有することを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 溝にて二分された絶縁基板と、 該二分された絶縁基板に掛け渡されるようにその底面上
に形成され、前記溝の下方開口部をふさぐように形成さ
れた下面部をそれぞれ有する一対の電極と、 前記一対の電極の一方の下面部上に実装され、前記一対
の電極の他方の下面部に金属細線にてワイヤーボンディ
ング接続された発光ダイオード素子と、 該発光ダイオード素子及び前記金属細線を覆う透光性樹
脂と、 を有することを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記絶縁基板の厚みを前記発光ダイオー
ド素子の厚みと同じかそれ以下に設定することを特徴と
する請求項1又は2に記載の発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記発光ダイオード素子は、複数の発光
ダイオード素子からなることを特徴とする請求項1乃至
3の一つに記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28256594A JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28256594A JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08125227A JPH08125227A (ja) | 1996-05-17 |
JP3302203B2 true JP3302203B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=17654142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28256594A Expired - Lifetime JP3302203B2 (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3302203B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3784976B2 (ja) | 1998-12-22 | 2006-06-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2006030671A1 (ja) | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Hitachi Aic Inc. | Led用反射板およびled装置 |
JP4798432B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-10-19 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
JP4865525B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-02-01 | イッツウェル カンパニー リミテッド | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
TW200822384A (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-16 | Coretronic Corp | LED package structure |
JP2008235765A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP5270861B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-08-21 | シチズン電子株式会社 | バックライト光源 |
JP5121544B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2013-01-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP28256594A patent/JP3302203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08125227A (ja) | 1996-05-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110426 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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