JPH0527430A - Positive photoresist composition - Google Patents
Positive photoresist compositionInfo
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- JPH0527430A JPH0527430A JP20373791A JP20373791A JPH0527430A JP H0527430 A JPH0527430 A JP H0527430A JP 20373791 A JP20373791 A JP 20373791A JP 20373791 A JP20373791 A JP 20373791A JP H0527430 A JPH0527430 A JP H0527430A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は輻射線に感応するポジ型
フオトレジスト組成物に関するものであり、特に高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フオトレジスト組成物に関するものである。本
発明に成るポジ型フオトレジストは、半導体ウエハー、
ガラス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン
塗布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現
像してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマス
クとしてエツチングすることにより、基板上にパターン
の加工を施すことができる。代表的な応用分野にはＩＣ
等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基
板の製造、その他のフオトフアブリケーシヨン工程等が
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation-sensitive positive photoresist composition, and more particularly to a photoresist composition for microfabrication having a high resolution and sensitivity and a good pattern cross-sectional shape. It is a thing. The positive type photoresist according to the present invention is a semiconductor wafer,
It is applied to a substrate of glass, ceramics, metal or the like by spin coating or roller coating to a thickness of 0.5 to 3 μm. After that, it is heated and dried, and a circuit pattern or the like is baked by irradiation of ultraviolet rays or the like through an exposure mask and developed to form a positive image. Further, by etching this positive image as a mask, a pattern can be processed on the substrate. IC is a typical application field
Etc., semiconductor manufacturing process, liquid crystal, circuit board manufacturing such as thermal head, and other photo-ablation process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ポジ型フオトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジ
アジド置換化合物」としてＵＳＰ−３,６６６,４７３
号、ＵＳＰ−４,１１５,１２８号及びＵＳＰ−４,１７
３,４７０号等に、また最も典型的な組成物として「ク
レゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／
トリヒドロキシベンゾフエノンー１,２ーナフト キノン
ジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イン
トロダクシヨン・トウー・マイクロリソグラフイー」
(Ｌ.Ｆ.Ｔｈｏｍｐｓｏｎ「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ
ｔｏ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏ−ｇｒａｐｈｙ」） (Ａ
ＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に記載
されている。結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨潤す
ることなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成
した画像をエツチングのマスクとして使用する際に特に
プラズマエツチングに対して高い耐性を与えるが故に本
用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフトキ
ノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のアル
カリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用する
が、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生
じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働
きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質変
化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有用
である。これまで、かかる観点からノボラツク樹脂とナ
フトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型
フオトレジストが開発、実用化され、１．５μｍ〜２μ
ｍ程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめて
きた。2. Description of the Related Art As a positive photoresist composition,
Generally, a composition containing an alkali-soluble resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material is used. For example, US Pat. No. 3,666,473 as “Novolak type phenol resin / naphthoquinone diazide substituted compound”
No., USP-4,115,128 and USP-4,17
No. 3,470, etc., and the most typical composition is "cresol-formaldehyde novolak resin /
An example of "trihydroxybenzophenone-1,2 naphthoquinonediazide sulfonate" is Thompson "Introduction Tou Microlithography".
(LF Thompson "Introduction
to Microlitho-graphy ”) (A
CS Publishing, No. 219, P112-121). Novolac resin as a binder is particularly useful for this application because it can be dissolved in an alkaline aqueous solution without swelling, and when it is used as a mask for etching, it gives a high resistance to plasma etching. Is. Further, the naphthoquinonediazide compound used for the photosensitive material acts as a dissolution inhibitor which lowers the alkali solubility of the novolak resin by itself, but when decomposed by light irradiation, an alkali-soluble substance is generated and rather the alkali solubility of the novolak resin is increased. It is unique in that it acts to enhance it, and is particularly useful as a photosensitive material for a positive photoresist because of its large change in properties with respect to light. From this point of view, many positive photoresists containing a novolak resin and a naphthoquinonediazide type photosensitive material have been developed and put to practical use from the viewpoint of 1.5 μm to 2 μm.
We have achieved sufficient results in line width processing up to about m.
【０００３】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１
μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要と
される様になってきている。かかる用途においては、特
に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高い
パターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度
を有するフオトレジストが要求され、従来の上記ポジ型
フオトレジストでは対応できないのが実状である。However, the degree of integration of integrated circuits is increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSIs,
It has become necessary to process an ultrafine pattern having a line width of μm or less. For such applications, a photoresist having a particularly high resolution, a high pattern shape reproducibility that accurately copies the shape of the exposure mask, and a high sensitivity from the viewpoint of high productivity is required, and the conventional positive photoresist described above is applicable. The reality is that we cannot do it.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的と
する所は、特に半導体デバイスの製造において、（１）
高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、
（２） フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク
寸法を正確に再現するポジ型フオトレジスト組成物、
（３） １μｍ以下の線幅のパターンにおいて、高いア
スペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成
し得るポジ型フオトレジスト組成物、（４） パターン
断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得るポ
ジ型フオトレジスト組成物、（５） 広い現像ラチチユ
ードを有するポジ型フオトレジスト組成物、（６） 得
られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジス
ト組成物、を提供する事にある。Therefore, the object of the present invention is to (1) particularly in the manufacture of semiconductor devices.
A positive photoresist composition having high resolution,
(2) A positive photoresist composition that accurately reproduces mask dimensions over a wide range of photomask line width,
(3) A positive photoresist composition capable of forming a resist pattern having a cross-sectional shape with a high aspect ratio in a pattern having a line width of 1 μm or less, (4) a pattern having a shape in which the side wall of the pattern cross section is nearly vertical An object of the present invention is to provide a positive photoresist composition to be obtained, (5) a positive photoresist composition having a wide development latitude, and (6) a positive photoresist composition in which a resist image obtained has excellent heat resistance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が下記一般
式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化合物と１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−（及び／または−４−）スル
ホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアル
カリ可溶性ノボラツク樹脂を含有することを特徴とする
ポジ型フオトレジスト組成物により達成されることを見
いだした。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies made by the present inventors while paying attention to the above-mentioned characteristics, the object of the present invention is to provide a polyhydroxy compound represented by the following general formula (I) and 1,2-naphtho. It was found to be achieved by a positive photoresist composition containing a photosensitive material obtained by reacting quinonediazide-5- (and / or -4-) sulfonyl chloride, and an alkali-soluble novolak resin. .
【０００６】[0006]
【化３】 [Chemical 3]
【０００７】ここで、 Ｒ：Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは非置換アルキレン基、も
しくはHere, R is a C 1 -C 10 substituted or unsubstituted alkylene group, or
【０００８】[0008]
【化４】 [Chemical 4]
【０００９】Ｒ1〜Ｒ5：同一もしくは異なっても良く、
水素原子、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしく
は非置換アリール基、置換もしくは非置換アラルキル
基、置換もしくは非置換アルコキシ基、置換もしくは非
置換アリールオキシ基、置換もしくは非置換アラルキル
オキシ基、置換もしくは非置換アシル基、置換もしくは
非置換アシロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、もしくは−Ｎ（−Ｒ6，−Ｒ7（Ｒ6，Ｒ7：Ｈ，Ｃ1
〜Ｃ4のアルキル基） 但し、Ｒ5は更に−ＯＨ基であつても良い。 ｌ〜ｔ：０もしくは１〜３の整数 但し、１≦（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ）≦１２。R 1 to R 5 may be the same or different,
Hydrogen atom, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted aralkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted aralkyloxy group, substituted or non-substituted substituted acyl group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, a halogen atom, a nitro group, a cyano group or a -N, (-R 6, -R 7 (R 6, R 7: H, C 1
˜C 4 alkyl group) However, R 5 may further be an —OH group. 1 to t: 0 or an integer of 1 to 3, provided that 1 ≦ (l + m + n + o) ≦ 12.
【００１０】以下に本発明を詳細に説明する。Ｒは上述
の基を表すが、Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは非置換アルキ
レン基については、好ましくは、炭素数１〜８の直鎖状
もしくは分岐したアルキレン基、アルコキシ基・アリー
ルオキシ基・アリール基・ヒドロキシル基・カルボキシ
ル基・スルホン酸基・アミノ基・ニトロ基・シリル基・
シリルエーテル基・シアノ基もしくはハロゲン原子等で
置換された直鎖状もしくは分岐した炭素数１〜８のアル
キレン基を表す。The present invention will be described in detail below. R represents the above-mentioned group, and the substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is preferably a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group, an aryloxy group, or an aryl group. Group ・ hydroxyl group ・ carboxyl group ・ sulfonic acid group ・ amino group ・ nitro group ・ silyl group ・
It represents a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms which is substituted with a silyl ether group / cyano group or a halogen atom.
【００１１】Ｒ1〜Ｒ5は上述の基を表すが、好ましくは
Ｈ，炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アシル
基もしくはアシロキシ基、アルコキシ基・アリールオキ
シ基・アリール基・ヒドロキシル基・カルボキシル基・
スルホン酸基・アミノ基・ニトロ基・シリル基・シリル
エーテル基・シアノ基もしくはハロゲン原子等で置換さ
れた炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アシル
基もしくはアシロキシ基、炭素数６〜１５のアリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基もしくはアラルキ
ルオキシ基、アルコキシ基・アリールオキシ基・アリー
ル基・ヒドロキシル基・カルボキシル基・スルホン酸基
・アミノ基・ニトロ基・シリル基・シリルエーテル基・
シアノ基もしくはハロゲン原子等で置換された炭素数６
〜１５のアリール基、アラルキル基、アリールオキシ基
もしくはアラルキルオキシ基、ハロゲン、ニトロ基、シ
アノ基、−Ｎ（−Ｒ6，−Ｒ7）（Ｒ6，Ｒ7：Ｈ，Ｃ1〜
Ｃ4のアルキル基）である。R 1 to R 5 represent the above-mentioned groups, preferably H, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group, an acyl group or an acyloxy group, an alkoxy group, an aryloxy group, an aryl group and a hydroxyl group.・ Carboxyl group ・
Alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, substituted with sulfonic acid group, amino group, nitro group, silyl group, silyl ether group, cyano group or halogen atom, alkoxy group, acyl group or acyloxy group, and 6 to 15 carbon atoms Aryl groups, aralkyl groups, aryloxy groups or aralkyloxy groups, alkoxy groups, aryloxy groups, aryl groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, sulfonic acid groups, amino groups, nitro groups, silyl groups, silyl ether groups,
6 carbon atoms substituted with a cyano group or halogen atom
15 aryl group, an aralkyl group, an aryloxy group or an aralkyloxy group, a halogen, a nitro group, a cyano group, -N (-R 6, -R 7 ) (R 6, R 7: H, C 1 ~
A C 4 alkyl group).
【００１２】一般式（Ｉ）で表されるポリヒドロキシ化
合物は、Ｊ．Ｅ．Ｄｒｉｖｅｒ等の方法（Ｊ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．，１９５４，Ｐ９８５〜９８９）により、
置換もしくは非置換フエノール類とアルデヒド類を縮合
させることにより得られる。一般式（Ｉ）で表されるポ
リヒドロキシ化合物の具体例として、以下の化合物を挙
げることができるが、本発明において使用できる化合物
はこれらに限定されるものではない。The polyhydroxy compounds represented by the general formula (I) are described in J. E. Driver et al. (J. Che
m. Soc. , 1954, pp. 985-989),
It is obtained by condensing a substituted or unsubstituted phenol with an aldehyde. The following compounds may be mentioned as specific examples of the polyhydroxy compound represented by the general formula (I), but the compounds usable in the present invention are not limited thereto.
【００１３】[0013]
【化５】 [Chemical 5]
【００１４】[0014]
【化６】 [Chemical 6]
【００１５】[0015]
【化７】 [Chemical 7]
【００１６】[0016]
【化８】 [Chemical 8]
【００１７】本発明の感光物は、一般式（Ｉ）で表され
るポリヒドロキシ化合物に、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５（及び／または−４）−スルホニルクロリドを
反応させることにより得られる。このエステル化反応は
通常の方法が用いられる。即ち、所定量の（Ｉ）で表さ
れるポリヒドロキシ化合物と、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５（及び／または−４）−スルホニルクロリド
及びジオキサン、アセトン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン等の溶剤をフラ
スコ中に仕込み、塩基性触媒、例えば水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチル
アミン等を滴下して縮合させる。得られた生成物は、水
洗後精製し乾燥する。このようにして、本発明の感光物
を調製できる。The photosensitive material of the present invention can be obtained by reacting the polyhydroxy compound represented by the general formula (I) with 1,2-naphthoquinonediazide-5 (and / or -4) -sulfonyl chloride. A usual method is used for this esterification reaction. That is, a predetermined amount of the polyhydroxy compound represented by (I), 1,2-naphthoquinonediazide-5 (and / or -4) -sulfonyl chloride and dioxane, acetone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, N-methylpyrrolidone. A solvent such as the above is charged into a flask, and a basic catalyst such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, triethylamine, etc. is added dropwise for condensation. The obtained product is washed with water, purified, and dried. In this way, the photosensitive material of the present invention can be prepared.
【００１８】以上のエステル化反応においては、エステ
ル化数及びエステル化位置が種々異なる混合物が得られ
る。従って、本発明でいうエステル化率は、この混合物
の平均値として定義される。このように定義されたエス
テル化率は、原料である化合物（Ｉ）と１,２ −ナフト
キノンジアジド−５（及び／又は−４）−スルホニルク
ロリドとの混合比により制御できる。即ち、添加された
１,２−ナフトキノンジアジド− ５（及び／又は−４）
−スルホニルクロリドは、実質上総てエステル化反応を
起こすので、所望のエステル化率の混合物を得るために
は、原料のモル比を調整すれば良い。必要に応じて、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルと１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステルを併用することもできる。また、前記方法におけ
る反応温度は、通常−２０〜６０℃、好ましくは０〜４
０℃である。In the above esterification reaction, a mixture having different esterification numbers and esterification positions can be obtained. Therefore, the esterification rate in the present invention is defined as the average value of this mixture. The esterification rate thus defined can be controlled by the mixing ratio of the raw material compound (I) and 1,2-naphthoquinonediazide-5 (and / or -4) -sulfonyl chloride. That is, the added 1,2-naphthoquinonediazide-5 (and / or -4)
Since the sulfonyl chloride causes an esterification reaction substantially in its entirety, the molar ratio of the raw materials may be adjusted to obtain a mixture having a desired esterification rate. If necessary,
It is also possible to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester in combination. Moreover, the reaction temperature in the said method is -20-60 degreeC normally, Preferably it is 0-4.
It is 0 ° C.
【００１９】本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラツク
樹脂は、フエノール類１モルに対しアルデヒド類０．６
〜１．０モルを酸性触媒下付加縮合することにより得ら
れる。フエノール類としては、フエノール、ｏ−クレゾ
ール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシ
レノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフ
エノール、、３，４，５−トリメチルフエノール等を単
独または２種以上組み合わせて用いることができる。ま
た、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ハロゲン化アセト
アルデヒド（例えばクロロー、ブロモー）、あるいはフ
ルフラール等を、酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、
蓚酸もしくは酢酸等を使用できる。こうして得られた分
子量１０００〜５００００のノボラツク樹脂はアルカリ
可溶性を示す。本発明における感光物とアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂の使用比率は、ノボラツク樹脂１００重
量部に対し感光物５〜１００重量部、好ましくは１０〜
５０重量部である。この使用比率が５重量部未満では残
膜率が著しく低下し、また１００重量部を越えると感度
及び溶剤への溶解性が低下する。The alkali-soluble novolac resin used in the present invention contains 0.6 mol of aldehydes per mol of phenols.
It is obtained by addition-condensing ˜1.0 mol under an acidic catalyst. Examples of phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethyl. A phenol, 3,4,5-trimethylphenol, etc. can be used individually or in combination of 2 or more types. Further, as the aldehydes, formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, halogenated acetaldehyde (for example, chloro-, bromo-), or furfural, etc., and as the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid,
Oxalic acid or acetic acid can be used. The thus obtained novolak resin having a molecular weight of 1,000 to 50,000 exhibits alkali solubility. The ratio of the photosensitive material to the alkali-soluble novolak resin used in the present invention is 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 100 parts by weight of the novolak resin.
It is 50 parts by weight. If the use ratio is less than 5 parts by weight, the residual film rate is remarkably lowered, and if it exceeds 100 parts by weight, the sensitivity and the solubility in a solvent are lowered.
【００２０】本発明では、前記感光物を主として用いる
べきであるが、必要に応じて通常の感光物、例えば２,
３,４−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,４,４'−ト
リヒドロキシベンゾフエノン、２,４,６−トリヒド ロ
キシベンゾフエノン等と１,２−ナフトキノンジアジド
−５− (及び／ 又は−４−）スルホニルクロリドとの
エステル化物を併用することができる。この場合、本発
明の感光物１００重量部に対し１００重量部以下、好ま
しくは３０重量部以下の割合で使用することができる。In the present invention, the above-mentioned photosensitive material should be mainly used, but if necessary, an ordinary photosensitive material such as 2,
3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4'-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, etc. and 1,2-naphthoquinonediazide-5- (and / or- 4-) An esterified product with sulfonyl chloride can be used in combination. In this case, 100 parts by weight or less, preferably 30 parts by weight or less, of the photosensitive material of the present invention can be used.
【００２１】本発明の組成物には、更に現像液への溶解
促進のために、他のポリヒドロキシ化合物を併用するこ
とができる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、
フエノール類、レゾルシン、フロログルシン、２,３,４
−トリヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,４’−テ
トラヒドロキシベンゾフエノン、２,３,４,３’,４’,
５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピ
ロガロール縮合樹脂等を挙げることができる。The composition of the present invention may further contain other polyhydroxy compounds in order to accelerate the dissolution in the developing solution. Preferred polyhydroxy compounds include:
Phenols, resorcin, phloroglucin, 2,3,4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ', 4',
5'-hexahydroxy benzophenone, acetone-pyrogallol condensation resin, etc. can be mentioned.
【００２２】本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン類、４−エトキイ−２
−ブタノン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタノ
ン等のケトエーテル類、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等
の脂肪酸エステル類、１,１,２−トリクロロエチレン等
のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。こ
れら溶剤は単独で、もしくは複数の溶剤を混合して使用
することもできる。As a solvent for dissolving the photosensitive material of the present invention and the alkali-soluble novolak resin, ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, 4-etoki-2
-Ketoethers such as butanone, 4-methoxy-4-methyl-2-pentanone, alcohol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether, ethers such as dioxane and ethylene glycol dimethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl Cellosolve esters such as cellosolve acetate, fatty acid esters such as butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, halogenated hydrocarbons such as 1,1,2-trichloroethylene, dimethylacetamide, N-
Examples thereof include highly polar solvents such as methylpyrrolidone, dimethylformamide and dimethylsulfoxide. These solvents may be used alone or as a mixture of a plurality of solvents.
【００２３】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、必要に応じて染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性
剤等を配合することができる。具体例としては、メチル
バイオレツト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグ
リーン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエ
ノキシ樹脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチル
ジシラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニ
ルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オク
チルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール等の
界面活性剤がある。If desired, the positive photoresist composition of the present invention may contain a dye, a plasticizer, an adhesion aid, a surfactant and the like. Specific examples thereof include dyes such as methyl violet, crystal violet and malachite green, stearic acid, acetal resins, phenoxy resins, plasticizers such as alkyd resins, adhesion promoters such as hexamethyldisilazane and chloromethylsilane, and nonyl. There are surfactants such as phenoxypoly (ethyleneoxy) ethanol and octylphenoxypoly (ethyleneoxy) ethanol.
【００２４】上記ポジ型フオトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板 (例：シリ
コン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して
露光し、現像することにより良好なレジストを得ること
ができる。本発明のポジ型フオトレジスト用組成物の現
像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、
ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチ
ルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジ
メチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のア
ルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四
級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミ
ン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。以
下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。なお、％は、他に指定のない限り、
重量％を示す。The positive photoresist composition is applied onto a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) used for the production of precision integrated circuit devices by a suitable coating method such as a spinner or a coater, and then the predetermined composition is applied. A good resist can be obtained by exposing through a mask and developing. As a developer for the positive photoresist composition of the present invention, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as aqueous ammonia, ethylamine,
Primary amines such as n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetra Aqueous solutions of quaternary ammonium salts such as methylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and cyclic amines such as pyrrole and piperidine, and alkalis can be used. Further, an appropriate amount of alcohols and surfactants may be added to the above aqueous solution of alkalis for use. Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited thereto. Unless otherwise specified,% is
Indicates weight percent.
【００２５】[0025]
（１）感光物ａの合成 化合物（１）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニルクロリド１８．３ｇ及びアセトン４００
ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝７．１ｇ／３０ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液１８００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ａを得た。(1) Synthesis of Photosensitive Material a Compound (1) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-
5-Sulfonyl chloride 18.3 g and acetone 400
ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 7.1 g / 30 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1800 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material a having the physical properties shown in Table 1.
【００２６】（２）感光物ｂの合成 化合物（３）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニルクロリド１０．７ｇ及びアセトン２３０
ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝４．１ｇ／２０ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液１０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｂを得た。(2) Synthesis of Photosensitive Material b Compound (3) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-
5-Sulfonyl chloride 10.7 g and acetone 230
ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 4.1 g / 20 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1000 ml of a 1% aqueous hydrochloric acid solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material b having the physical properties shown in Table 1.
【００２７】（３）感光物ｃの合成 化合物（９）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニルクロリド２５．６ｇ及びアセトン５５０
ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝９．９ｇ／５０ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液２４００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｃを得た。(3) Synthesis of Photosensitive Material c Compound (9) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-
2-Sulfonyl chloride 25.6 g and acetone 550
ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 9.9 g / 50 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 2400 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the resulting precipitate was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material c having the physical properties shown in Table 1.
【００２８】（４）感光物ｄの合成 下記化合物（１５）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホニルクロリド９．２ｇ及びアセトン２
００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次
いで、トリエチルアミン／アセトン＝３．６ｇ／２０ｍ
ｌを徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混
合液を１％塩酸水溶液９００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｄを得た。(4) Synthesis of Photosensitive Material d 10 g of the following compound (15), 9.2 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and acetone 2
00 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 3.6 g / 20 m
1 was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 900 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material d having the physical properties shown in Table 1.
【００２９】（５）感光物ｅの合成 化合物（２０）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド１０．５ｇ及びアセトン２３
０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝４．０ｇ／２５ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液１０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｅを得た。(5) Synthesis of Photosensitive Material e Compound (20) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride 10.5 g and acetone 23
0 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 4.0 g / 25 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1000 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material e having the physical properties shown in Table 1.
【００３０】（６）感光物ｆの合成 化合物（２２）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド３２．０ｇ及びアセトン７０
０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝１２．４ｇ／８０ｍ
ｌを徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混
合液を１％塩酸水溶液３０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈
澱物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示
した物性値を有する感光物ｆを得た。(6) Synthesis of Photosensitive Material f Compound (22) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride 32.0 g and acetone 70
0 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 12.4 g / 80 m
1 was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 3000 ml of a 1% aqueous hydrochloric acid solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material f having the physical properties shown in Table 1.
【００３１】（７）感光物ｇの合成 化合物（２３）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド１４．２ｇ及びアセトン３１
０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝５．５ｇ／３５ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液１３００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｇを得た。(7) Synthesis of Photosensitive Material g Compound (23) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride 14.2 g and acetone 31
0 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 5.5 g / 35 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1300 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the resulting precipitate was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material g having the physical properties shown in Table 1.
【００３２】（８）感光物ｈの合成 化合物（２４）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニルクロリド９．５ｇ及びアセトン２００
ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝３．６ｇ／２０ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液８７０ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物
を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示した
物性値を有する感光物ｈを得た。(8) Synthesis of Photosensitive Material h Compound (24) 10 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride 9.5 g and acetone 200
ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 3.6 g / 20 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 870 ml of a 1% aqueous hydrochloric acid solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material h having the physical properties shown in Table 1.
【００３３】（９）感光物ｉの合成（比較例１） ２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン１０ｇ、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリ
ド２５．７ｇ及びアセトン５４０ｍｌを３つ口フラスコ
に仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチルアミン／
アセトン＝９．９ｇ／５５ｍｌを徐々に滴下し、２５℃
で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液２４
００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥
(４０℃）を行い、表１に示した物性値を有する感光物
ｉを得た。(9) Synthesis of Photosensitive Material i (Comparative Example 1) 2,3,4-trihydroxybenzophenone 10 g,
25.7 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 540 ml of acetone were charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then triethylamine /
Acetone = 9.9g / 55ml was gradually added dropwise at 25 ° C.
And reacted for 3 hours. The reaction mixture is a 1% aqueous hydrochloric acid solution 24
Pour into 00 ml, filter the resulting precipitate, wash with water and dry
(40 ° C.) to obtain a photosensitive material i having the physical property values shown in Table 1.
【００３４】（１０）感光物ｊの合成（比較例２） ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン１
０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロリド３２．８ｇ及びアセトン７００ｍｌを３つ口フ
ラスコに仕込み均一に溶解した。次いで、トリエチルア
ミン／アセトン＝１２．５ｇ／７０ｍｌを徐々に滴下
し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸
水溶液３０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、
水洗・乾燥(４０℃）を行い、表１に示した物性値を有
する感光物ｊを得た。(10) Synthesis of Photosensitive Material j (Comparative Example 2) 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1
0 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride (32.8 g) and acetone (700 ml) were charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 12.5 g / 70 ml was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 3000 ml of a 1% hydrochloric acid aqueous solution, the precipitate formed was filtered off,
After washing with water and drying (40 ° C.), a photosensitive material j having the physical properties shown in Table 1 was obtained.
【００３５】（１１）感光物ｋの合成（比較例３） 下記構造を有する化合物１０ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホ(11) Synthesis of Photosensitive Material k (Comparative Example 3) 10 g of a compound having the following structure, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfo
【００３６】[0036]
【化９】 [Chemical 9]
【００３７】ニルクロリド２１．６ｇ及びアセトン４６
０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝８．３ｇ／４７ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液２０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｋを得た。21.6 g of nyl chloride and 46 of acetone
0 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 8.3 g / 47 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 2000 ml of a 1% aqueous hydrochloric acid solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material k having the physical properties shown in Table 1.
【００３８】（１２）感光物ｌの合成（比較例４） 下記構造を有する化合物１０ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホ(12) Synthesis of Photosensitive Material 1 (Comparative Example 4) 10 g of a compound having the following structure, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfo
【００３９】[0039]
【化１０】 [Chemical 10]
【００４０】ニルクロリド１５．８ｇ及びアセトン３６
０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次い
で、トリエチルアミン／アセトン＝６．１ｇ／３５ｍｌ
を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合
液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱
物を濾別し、水洗・乾燥 (４０℃）を行い、表１に示し
た物性値を有する感光物ｌを得た。Nyl chloride 15.8 g and acetone 36
0 ml was charged into a three-necked flask and uniformly dissolved. Then, triethylamine / acetone = 6.1 g / 35 ml
Was gradually added dropwise and reacted at 25 ° C. for 3 hours. The reaction mixture was poured into 1500 ml of a 1% aqueous hydrochloric acid solution, the precipitate formed was filtered off, washed with water and dried (40 ° C.) to obtain a photosensitive material 1 having the physical properties shown in Table 1.
【００４１】[0041]
【表１】 [Table 1]
【００４２】（１３）ノボラツク樹脂の合成 ｍ−クレゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ、３７％
ホルマリン水溶液５４．０ｇ及びシユウ酸０．０５ｇを
３つ口フラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇
温し７時間反応させた。反応後室温まで冷却し、３０ｍ
ｍＨｇまで減圧した。ついで徐々に１５０℃まで昇温
し、水及び未反応モノマーを除去した。得られたノボラ
ツク樹脂は重量平均分子量７５００ (ポリスチレン換
算）であつた。(13) Synthesis of Novolac Resin 40 g of m-cresol, 60 g of p-cresol, 37%
54.0 g of formalin aqueous solution and 0.05 g of oxalic acid were charged into a three-necked flask, heated to 100 ° C. with stirring, and reacted for 7 hours. After reaction, cool to room temperature, 30m
The pressure was reduced to mHg. Then, the temperature was gradually raised to 150 ° C. to remove water and unreacted monomers. The obtained novolak resin had a weight average molecular weight of 7,500 (in terms of polystyrene).
【００４３】（１４）ポジ型フオトレジスト組成物の調
製と評価 上記（１）〜（１２）で得られた感光物ａ〜ｌ各１．２
５ｇ及び上記（１３）で得られたクレゾールノボラツク
樹脂（分子量７５００）５ｇをエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート１５ｇに溶解し、０．２μｍ
のミクロフイルターを用いて濾過し、フオトレジスト組
成物を調製した。このフオトレジスト組成物をスピナー
を用いてシリコンウエハーに塗布し、窒素雰囲気下の対
流オーブンで９０℃、３０分間乾燥して膜厚１．２μｍ
のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装置（キヤ
ノン社製 ＦＰＡ−１５５０）を用いテストチヤートマ
スクを介して露光した後、２．３８％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間現像し、３０秒
間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリコン
ウエハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察
し、レジストを評価した。その結果を表２に示す。(14) Preparation and Evaluation of Positive Photoresist Composition 1.2 for each of the photosensitive materials a to l obtained in the above (1) to (12)
5 g and 5 g of the cresol novolak resin (molecular weight 7500) obtained in (13) above were dissolved in 15 g of ethylene glycol monoethyl ether acetate to give 0.2 μm.
A photoresist composition was prepared by filtering using a microfilter of. This photoresist composition was applied to a silicon wafer using a spinner and dried in a convection oven under a nitrogen atmosphere at 90 ° C. for 30 minutes to give a film thickness of 1.2 μm.
A resist film of This film was exposed through a test chart mask using a reduction projection exposure device (FPA-1550 manufactured by Canon Inc.), developed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 1 minute, washed with water for 30 seconds and dried. did. The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist. The results are shown in Table 2.
【００４４】感度は、０．７０μｍのマスクパターンを
再現する露光量の逆数をもつて定義し、比較例１の感度
に対する相対値で示した。残膜率は、未露光部の現像前
後の比の百分率で表した。解像力は、０．７０μｍのマ
スクパターンを再現する露光量における限界解像力を表
す。耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコン
ウエハーを対流オーブンで３０分間ベークし、そのパタ
ーンの変形が起こらない温度を示した。レジストの形状
は、０．７０μｍのレジストパターン断面におけるレジ
スト壁面とシリコンウエハーの平面のなす角（Θ）で表
した。これから判る様に、本発明の感光物ａ〜ｉを用い
たレジストは、 特に解像力及びレジスト形状が優れて
いた。本発明の感光物は、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートに対する溶解性も優れており、こ
れらの感光物を用いたレジスト組成物溶液は４０℃、３
０日間も放置しても沈澱物の析出はなかつたが、比較例
の感光物を用いたレジスト組成物溶液は同条件で放置し
たところ、レジスト組成物中に沈澱の析出が見られた。The sensitivity was defined as the reciprocal of the exposure dose for reproducing a 0.70 μm mask pattern, and shown as a relative value to the sensitivity of Comparative Example 1. The residual film rate was expressed as a percentage of the ratio of the unexposed area before and after development. The resolving power represents a limiting resolving power at an exposure amount that reproduces a 0.70 μm mask pattern. The heat resistance showed the temperature at which the resist pattern-patterned silicon wafer was baked in a convection oven for 30 minutes and the pattern was not deformed. The shape of the resist is represented by the angle (θ) formed by the resist wall surface and the plane of the silicon wafer in the 0.70 μm resist pattern cross section. As can be seen from the above, the resists using the photosensitive materials a to i of the present invention were particularly excellent in resolution and resist shape. The photosensitizer of the present invention has excellent solubility in ethylene glycol monoethyl ether acetate, and the resist composition solution using these photosensitizers has a temperature of 40 ° C.
No precipitate was deposited even after standing for 0 days, but when the resist composition solution using the photosensitive material of Comparative Example was allowed to stand under the same conditions, precipitation was observed in the resist composition.
【００４５】[0045]
【表２】 [Table 2]
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明のポジ型フオトレジスト組成物は
解像力、忠実再現性、レジスト像の断面形状、現像ラチ
チユード、耐熱性、組成物溶液の保存安定性に優れ、微
細加工用フオトレジストとして好適に用いられる。The positive photoresist composition of the present invention is excellent in resolution, faithful reproducibility, cross-sectional shape of resist image, development latitude, heat resistance and storage stability of composition solution, and is suitable as a photoresist for fine processing. Used for.
Claims (1)
キシ化合物と１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及
び／または−４−）スルホニルクロリドを反応させて得
られる感光物、及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含
有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。 【化１】 ここで、 Ｒ：Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは非置換アルキレン基、も
しくは 【化２】 Ｒ1〜Ｒ5：同一もしくは異なっても良く、水素原子、 置換もしくは非置換アルキル基、 置換もしくは非置換アリール基、 置換もしくは非置換アラルキル基、 置換もしくは非置換アルコキシ基、 置換もしくは非置換アリールオキシ基、 置換もしくは非置換アラルキルオキシ基、 置換もしくは非置換アシル基、 置換もしくは非置換アシロキシ基、 ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、もしくは−Ｎ（−
Ｒ6，−Ｒ7（Ｒ6，Ｒ7：Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基） 但し、Ｒ5は更に−ＯＨ基であつても良い。 ｌ〜ｔ：０もしくは１〜３の整数 但し、１≦（ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ）≦１２。Claims: 1. A compound obtained by reacting a polyhydroxy compound represented by the following general formula (I) with 1,2-naphthoquinonediazide-5- (and / or -4-) sulfonyl chloride. A positive photoresist composition comprising a photosensitive material and an alkali-soluble novolak resin. [Chemical 1] Here, R: a C 1 to C 10 substituted or unsubstituted alkylene group, or R 1 to R 5 may be the same or different and are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryloxy Group, substituted or unsubstituted aralkyloxy group, substituted or unsubstituted acyl group, substituted or unsubstituted acyloxy group, halogen atom, nitro group, cyano group, or -N (-
R 6, -R 7 (R 6 , R 7: H, C 1 ~C 4 alkyl group) where, R 5 may be further filed with an -OH group. 1 to t: 0 or an integer of 1 to 3, provided that 1 ≦ (l + m + n + o) ≦ 12.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20373791A JPH0527430A (en) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | Positive photoresist composition |
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| JP (1) | JPH0527430A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002341527A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Asahi Kasei Corp | Positive type photosensitive resin composition |
| WO2005075398A1 (en) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jsr Corporation | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| JP2008050366A (en) * | 2004-02-04 | 2008-03-06 | Jsr Corp | Intermediate of calixarene-based compound |
| JP5277966B2 (en) * | 2007-01-09 | 2013-08-28 | Ｊｓｒ株式会社 | Compound and radiation-sensitive composition |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP20373791A patent/JPH0527430A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002341527A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Asahi Kasei Corp | Positive type photosensitive resin composition |
| JP4558976B2 (en) * | 2001-05-14 | 2010-10-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | Positive photosensitive resin composition |
| WO2005075398A1 (en) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jsr Corporation | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| EP1712537A1 (en) * | 2004-02-04 | 2006-10-18 | JSR Corporation | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| EP1712537A4 (en) * | 2004-02-04 | 2008-01-23 | Jsr Corp | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| JP2008050366A (en) * | 2004-02-04 | 2008-03-06 | Jsr Corp | Intermediate of calixarene-based compound |
| US7705189B2 (en) | 2004-02-04 | 2010-04-27 | Jsr Corporation | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| KR101135771B1 (en) * | 2004-02-04 | 2012-04-20 | 각고우호우진 가나가와 다이가쿠 | Calixarene compound, process for producing the same, intermediate therefor, and composition thereof |
| JP5277966B2 (en) * | 2007-01-09 | 2013-08-28 | Ｊｓｒ株式会社 | Compound and radiation-sensitive composition |
| KR101431295B1 (en) * | 2007-01-09 | 2014-08-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Compound and radiation-sensitive composition |
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