JPH05273427A - 実質的に平坦な基板を備えた光導波体とその製作のための処理法 - Google Patents
実質的に平坦な基板を備えた光導波体とその製作のための処理法Info
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- JPH05273427A JPH05273427A JP4273410A JP27341092A JPH05273427A JP H05273427 A JPH05273427 A JP H05273427A JP 4273410 A JP4273410 A JP 4273410A JP 27341092 A JP27341092 A JP 27341092A JP H05273427 A JPH05273427 A JP H05273427A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実質的に平坦な基板（１）と基板に付着した
導波体層（３）とを備えた光導波体が開示されている。 【構成】 発明は基板が合成樹脂または有機物割合の高
い材料から成ることにある。このことは非有機導波体層
の高い屈折率が合成樹脂基板の材料の性質と、例えば高
張力、プラスチックそして熱可塑性プラスチックの成形
性、光化学的構造化能力、そしてその他諸々と結合する
という利点を持っている。
導波体層（３）とを備えた光導波体が開示されている。 【構成】 発明は基板が合成樹脂または有機物割合の高
い材料から成ることにある。このことは非有機導波体層
の高い屈折率が合成樹脂基板の材料の性質と、例えば高
張力、プラスチックそして熱可塑性プラスチックの成形
性、光化学的構造化能力、そしてその他諸々と結合する
という利点を持っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は実質的に平坦な基板を
備えた光導波体とその基板に付着された非有機的な導波
体層とに関している。また、この発明は有機的な層が実
質的に平坦な基板に付着された光導波体の製作のための
処理法と、そのような導波体の利用とに関連している。
備えた光導波体とその基板に付着された非有機的な導波
体層とに関している。また、この発明は有機的な層が実
質的に平坦な基板に付着された光導波体の製作のための
処理法と、そのような導波体の利用とに関連している。
【０００２】
【従来の技術】種々の基板へ被覆を付着すること自体は
知られており、被覆された基板の意図的な利用とその利
用の仕方とに依存して被覆の光学的性質に対して非常に
異なった要請が課せられている。
知られており、被覆された基板の意図的な利用とその利
用の仕方とに依存して被覆の光学的性質に対して非常に
異なった要請が課せられている。
【０００３】複雑な表面構成の基板へ多層の光学的干渉
被覆を付着するための処理法はＤＯＳ３，８３３，５０
１において知られている。したがって、プラズマ強化の
化学蒸着によって合成樹脂基板に数百層が付着され、そ
こでは有機金属結合が被覆のために利用されている。被
覆方法は有機的割合が比較的に高い物質の干渉層を作り
出し、それによって被覆段階での材料の選択において高
い柔軟性が確保される。被覆の性質は、特に微細構造に
関する性質は、いくつかの干渉層を備えたこのような基
板は、例えばヘリコプターパイロットのヘルメットの前
ひさしに採用されるという目的に対しては決定的に重要
である。被覆は普通に現れる微細柱構造を呈するのでは
なく、この微細柱構造はガラス基板の被覆に対してのみ
現れるという事実について記述されていることは真実で
ある。にもかかわらず、微細柱構造の欠如は恐らく有機
物割合が比較的に高い被覆に由来する。実質的に平坦な
基板を備えた光導波体の製作を含んでいるＤＯＳ３，８
３３，５０１には何も示唆されていない。
被覆を付着するための処理法はＤＯＳ３，８３３，５０
１において知られている。したがって、プラズマ強化の
化学蒸着によって合成樹脂基板に数百層が付着され、そ
こでは有機金属結合が被覆のために利用されている。被
覆方法は有機的割合が比較的に高い物質の干渉層を作り
出し、それによって被覆段階での材料の選択において高
い柔軟性が確保される。被覆の性質は、特に微細構造に
関する性質は、いくつかの干渉層を備えたこのような基
板は、例えばヘリコプターパイロットのヘルメットの前
ひさしに採用されるという目的に対しては決定的に重要
である。被覆は普通に現れる微細柱構造を呈するのでは
なく、この微細柱構造はガラス基板の被覆に対してのみ
現れるという事実について記述されていることは真実で
ある。にもかかわらず、微細柱構造の欠如は恐らく有機
物割合が比較的に高い被覆に由来する。実質的に平坦な
基板を備えた光導波体の製作を含んでいるＤＯＳ３，８
３３，５０１には何も示唆されていない。
【０００４】ＤＯＳ４，００８，４０５．１は実質的に
平坦な基板を備えた光導波体に関する如何なるヒントも
欠いている。参照では反射層を形成するための干渉層を
備えた被覆合成樹脂基板について記述しているが、合成
樹脂はその低い熱的耐応力容量のために非有機的基板、
例えば、ガラス基板、よりも適していないことを強く指
摘している。
平坦な基板を備えた光導波体に関する如何なるヒントも
欠いている。参照では反射層を形成するための干渉層を
備えた被覆合成樹脂基板について記述しているが、合成
樹脂はその低い熱的耐応力容量のために非有機的基板、
例えば、ガラス基板、よりも適していないことを強く指
摘している。
【０００５】干渉層を普通に備えた反射層または基板と
は対照的に、例えば、表面センサー、即ちバイオセンサ
ー、の光変換器として用いられる光導波体に要請される
条件ははるかに高い。特に、減衰率の低いそして屈折率
の高い光導波体が望ましい。そのような導波体自体は知
られているが、その場合には非有機的または有機的被覆
を与えられたガラス基板が利用されている。非有機的な
基板は、例えばガラスは、非常に高い温度まで加熱でき
るため微細柱構造の形成が広範囲に阻止されるという事
実によってこれらの普通の導波体の低減衰率が可能にな
る。
は対照的に、例えば、表面センサー、即ちバイオセンサ
ー、の光変換器として用いられる光導波体に要請される
条件ははるかに高い。特に、減衰率の低いそして屈折率
の高い光導波体が望ましい。そのような導波体自体は知
られているが、その場合には非有機的または有機的被覆
を与えられたガラス基板が利用されている。非有機的な
基板は、例えばガラスは、非常に高い温度まで加熱でき
るため微細柱構造の形成が広範囲に阻止されるという事
実によってこれらの普通の導波体の低減衰率が可能にな
る。
【０００６】光学的に平坦な導波体は“Ｅｕｒｏｓｅｎ
ｓｏｒｓ”ＩＶ，１９９０，ＫａｒｌｓｒｕｈｅのＫｕ
ｎｚ ｅｔ ａｌで知られているが、その導波体はＴａ
2 Ｏ5 から反応イオンプレーティングで製作されそして
ＴＥＯモードに対して１．１ｄＢ／ｃｍの損失でそして
ＴＭＯモードに対しては１．３ｄＢ／ｃｍの損失で２．
２の屈折率を呈する。波長６３３ｎｍでの基板材料の損
失の効果が開示されており、そこでは水晶（クオーツ）
ガラスの層が最も損失が低い。この基板を使用すると、
低いアーク電流では損失は低い（＜４ｄＢ／ｃｍ）が、
明らかな柱構造で、環境条件に左右され易くなってい
る。緻密な層を得るために、アーク電流は高いレベルに
されねばならないが、損失が増大される欠点がある。
ｓｏｒｓ”ＩＶ，１９９０，ＫａｒｌｓｒｕｈｅのＫｕ
ｎｚ ｅｔ ａｌで知られているが、その導波体はＴａ
2 Ｏ5 から反応イオンプレーティングで製作されそして
ＴＥＯモードに対して１．１ｄＢ／ｃｍの損失でそして
ＴＭＯモードに対しては１．３ｄＢ／ｃｍの損失で２．
２の屈折率を呈する。波長６３３ｎｍでの基板材料の損
失の効果が開示されており、そこでは水晶（クオーツ）
ガラスの層が最も損失が低い。この基板を使用すると、
低いアーク電流では損失は低い（＜４ｄＢ／ｃｍ）が、
明らかな柱構造で、環境条件に左右され易くなってい
る。緻密な層を得るために、アーク電流は高いレベルに
されねばならないが、損失が増大される欠点がある。
【０００７】Ｌａｍ，Ｄ．Ｋ．Ｗ．，Ｏｐｔ．２３／１
９８４／２７４４は水晶ガラスまたはシリコン上の基板
温度２２０℃でのＳｉＯX ＮY 導波体の製作を開示して
いる。ＳｉＯX ＮY の低損失は、約１．７５の屈折率に
対してのみ、即ち非有機的基板に対してのみ可能な付加
的な処理をした後で、得られる。この付加的な処理は５
ｄＢ／ｃｍの損失が１．５ｄＢ／ｃｍに減少されるとこ
ろの付加的なＣＯ2 レーザー処理を含んでいる。
９８４／２７４４は水晶ガラスまたはシリコン上の基板
温度２２０℃でのＳｉＯX ＮY 導波体の製作を開示して
いる。ＳｉＯX ＮY の低損失は、約１．７５の屈折率に
対してのみ、即ち非有機的基板に対してのみ可能な付加
的な処理をした後で、得られる。この付加的な処理は５
ｄＢ／ｃｍの損失が１．５ｄＢ／ｃｍに減少されるとこ
ろの付加的なＣＯ2 レーザー処理を含んでいる。
【０００８】ゾル−ゲル技術によって製造され、約１７
０ｎｍの厚さであり、屈折率１．７４−１．８０のガラ
ス上のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 の混合層から作られる導波体
に対する応用の可能性がＬｕＫｏｓｚ，Ｗ，ｅｔ ａ
ｌ．，“Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒ
ｓ”，Ｂ１（１９９０）：５８５−５８８そして５９２
−５９６に記述されている。ゲル層は浮きだしているの
で格子を付着することができる。しかしながら、浮きだ
した後でゲル層は固められねばならないのでゲル層が縮
みそのためその光学的性質が変化するという欠点があ
る。硬化処理に非常に高い温度が必要であるために層が
結晶化しそのため高い屈折率の純粋なＴｉＯ2は製造す
ることができない。
０ｎｍの厚さであり、屈折率１．７４−１．８０のガラ
ス上のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 の混合層から作られる導波体
に対する応用の可能性がＬｕＫｏｓｚ，Ｗ，ｅｔ ａ
ｌ．，“Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒ
ｓ”，Ｂ１（１９９０）：５８５−５８８そして５９２
−５９６に記述されている。ゲル層は浮きだしているの
で格子を付着することができる。しかしながら、浮きだ
した後でゲル層は固められねばならないのでゲル層が縮
みそのためその光学的性質が変化するという欠点があ
る。硬化処理に非常に高い温度が必要であるために層が
結晶化しそのため高い屈折率の純粋なＴｉＯ2は製造す
ることができない。
【０００９】Ｈｅｕｂｅｒｇｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ａｐ
ｐｌ．Ｏｐｔ．２５／１９８６／１４９９では、ゾル−
ゲル技術によって同様に製作されるところの導波体が記
述されている。“Ｐｙｒｅｘ”ガラス上に設けられたＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 混合層は＜１ｄＢ／ｃｍの損失である
が、高温（５００℃）で加工されねばならない。
ｐｌ．Ｏｐｔ．２５／１９８６／１４９９では、ゾル−
ゲル技術によって同様に製作されるところの導波体が記
述されている。“Ｐｙｒｅｘ”ガラス上に設けられたＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 混合層は＜１ｄＢ／ｃｍの損失である
が、高温（５００℃）で加工されねばならない。
【００１０】光導波体に関するあらゆる刊行物におい
て、ＳｉＯX ，Ｔａ2 Ｏ5 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 層
の製作が、非有機的基板上に各場合毎に記述され、そこ
では高い基板温度が採用されるか、または付加的な処理
が行われねばならない。
て、ＳｉＯX ，Ｔａ2 Ｏ5 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 層
の製作が、非有機的基板上に各場合毎に記述され、そこ
では高い基板温度が採用されるか、または付加的な処理
が行われねばならない。
【００１１】普通の導波体の異なる欠点は、導波体層に
関しては、例えば、光の結合切断の光学的格子の費用の
掛からない付着のために必要であるところのそれらの基
板が正しく浮き出しできないことにある。そればかりで
なく、公知の光導波体は脆弱でそのたため切断または穴
開けの処理をすることができない。
関しては、例えば、光の結合切断の光学的格子の費用の
掛からない付着のために必要であるところのそれらの基
板が正しく浮き出しできないことにある。そればかりで
なく、公知の光導波体は脆弱でそのたため切断または穴
開けの処理をすることができない。
【００１２】Ｕ．Ｓ．ｐａｔｅｎｔ４，７４９，２４５
は有機導波体層と合成樹脂の基板からなる平坦な基板上
の光学的導波体を開示している。少なくとも有機高分子
材料の一つの中間層が基板と導波体層との間にあること
が必要である；この中間層の溶解性は導波体有機材料の
それとは異なっておりそしてその屈折率は低い。この導
波体の欠点は屈折率の制限範囲だけでしか導波体層（最
大１．７まで）として役立たないことであり、そして合
成樹脂は普通湿気を吸収しないから変化する環境条件
（湿気、温度）では導波体層は屈折率が不安定であるこ
とである。それ故に、開示された型の導波体は表面セン
サー技術に対しては不適当である［例えば、Ｒ．Ｒｅｕ
ｔｅｒ ｅｔ ａｌ．，ＡＰＬ５２，ｐ．７７８（１９
８８）を参照］。
は有機導波体層と合成樹脂の基板からなる平坦な基板上
の光学的導波体を開示している。少なくとも有機高分子
材料の一つの中間層が基板と導波体層との間にあること
が必要である；この中間層の溶解性は導波体有機材料の
それとは異なっておりそしてその屈折率は低い。この導
波体の欠点は屈折率の制限範囲だけでしか導波体層（最
大１．７まで）として役立たないことであり、そして合
成樹脂は普通湿気を吸収しないから変化する環境条件
（湿気、温度）では導波体層は屈折率が不安定であるこ
とである。それ故に、開示された型の導波体は表面セン
サー技術に対しては不適当である［例えば、Ｒ．Ｒｅｕ
ｔｅｒ ｅｔ ａｌ．，ＡＰＬ５２，ｐ．７７８（１９
８８）を参照］。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】高い切断応力を呈する
実質的に平坦な基板を備えた高屈折率光導波体を与える
ことが発明の目的でありそしてその導波体の基板は光学
的な微細構造の経済的な製作に適しており、導波体の最
終製品への簡単なそして経済的な処理法が可能である。
実質的に平坦な基板を備えた高屈折率光導波体を与える
ことが発明の目的でありそしてその導波体の基板は光学
的な微細構造の経済的な製作に適しており、導波体の最
終製品への簡単なそして経済的な処理法が可能である。
【００１４】この目的は請求項１にしたがった光導波体
で達成される。製作処理法は請求項４２の従属項をなし
ている。好ましい使用法は請求項５９−６１に記述され
ている。望ましい実施例は独立請求の範囲に開示されて
いる。
で達成される。製作処理法は請求項４２の従属項をなし
ている。好ましい使用法は請求項５９−６１に記述され
ている。望ましい実施例は独立請求の範囲に開示されて
いる。
【００１５】請求項１に一致した高い有機物割合は０．
１以上の酸素の金属原子に対する炭素水素のグループの
数の割合を意味するものと理解される。
１以上の酸素の金属原子に対する炭素水素のグループの
数の割合を意味するものと理解される。
【００１６】合成樹脂基板上の非有機導波体層を備えた
この発明による光導波体は高い屈折率の非有機層が合成
樹脂基板の材料特性、例えば、経済的に好ましい構造と
同様の破断応力そして低重量、と結合している長所を申
し出ている。いくつかのモードを導通するために必要な
層の厚さがより薄くなればなるほど、導波体の屈折率は
高くなってゆく。高屈折率の非有機導波体層を備えた単
一モード導波体は、ＴＥＯモードとＴＭＯモードのみで
導通するが、センサーの感度が屈折率とともに上昇する
のでセンサー技術（特に表面センサー技術）の導波体を
利用するときには特に意義がある。
この発明による光導波体は高い屈折率の非有機層が合成
樹脂基板の材料特性、例えば、経済的に好ましい構造と
同様の破断応力そして低重量、と結合している長所を申
し出ている。いくつかのモードを導通するために必要な
層の厚さがより薄くなればなるほど、導波体の屈折率は
高くなってゆく。高屈折率の非有機導波体層を備えた単
一モード導波体は、ＴＥＯモードとＴＭＯモードのみで
導通するが、センサーの感度が屈折率とともに上昇する
のでセンサー技術（特に表面センサー技術）の導波体を
利用するときには特に意義がある。
【００１７】プラスチック基板上の非有機導波体層の付
加的な利点はプラスチック基板がフィルムとして形成で
きることである。厚さ＞２０μｍのフィルムは厚さの下
限に制限のない導波体層で問題なく被覆され得る。合成
樹脂フィルムの材料は導波体が大きな断片数で製作でき
るため大量生産物として広い用途に用いられると云う利
点を申し出る。プラスチックフィルムの材料の特性は導
波体の最終製品への一連の処理をかなりの程度に簡単化
している。
加的な利点はプラスチック基板がフィルムとして形成で
きることである。厚さ＞２０μｍのフィルムは厚さの下
限に制限のない導波体層で問題なく被覆され得る。合成
樹脂フィルムの材料は導波体が大きな断片数で製作でき
るため大量生産物として広い用途に用いられると云う利
点を申し出る。プラスチックフィルムの材料の特性は導
波体の最終製品への一連の処理をかなりの程度に簡単化
している。
【００１８】好ましくは、熱可塑化方法によって処理さ
れ得る合成樹脂は、特に熱可塑的に機能性のポリカーボ
ネート、ＰＭＭＡ、ポリイミドまたはポリエステルは、
基板材料として利用され得る。
れ得る合成樹脂は、特に熱可塑的に機能性のポリカーボ
ネート、ＰＭＭＡ、ポリイミドまたはポリエステルは、
基板材料として利用され得る。
【００１９】熱可塑性プラスチックは、ホットスタンピ
ングによって、その表面上に、大きな製造費用をかけな
いで、導波の結合と切断のための光回折格子を製作する
ことができるという利点がある。
ングによって、その表面上に、大きな製造費用をかけな
いで、導波の結合と切断のための光回折格子を製作する
ことができるという利点がある。
【００２０】ポリカーボネートは良好な表面特性、即ち
比較的に低い表面粗さ、のフィルムになるので好まし
い。のみならず、ポリカーボネートへの光格子のホット
スタンヒングは実験によって既によく証明されている。
また、ポリカーボネートは有機導波体層の基板としても
知られている。しかしながら、ポリカーボネート基板は
引っかきに非常に敏感であるという欠点がある。ポリカ
ーボネートは良好な温度安定性である；最大長期使用温
度はほぼ１３５℃である。
比較的に低い表面粗さ、のフィルムになるので好まし
い。のみならず、ポリカーボネートへの光格子のホット
スタンヒングは実験によって既によく証明されている。
また、ポリカーボネートは有機導波体層の基板としても
知られている。しかしながら、ポリカーボネート基板は
引っかきに非常に敏感であるという欠点がある。ポリカ
ーボネートは良好な温度安定性である；最大長期使用温
度はほぼ１３５℃である。
【００２１】ＰＭＭＡは引っかきに対して非常に抵抗力
があり、低い水吸収容量だが、ポリカーボネートのよう
な温度安定性がない。ＰＭＭＡの最大長期使用温度は６
０−９０℃にすぎず、そこでは導波体の被覆温度は非常
に制限される。一般に、高い屈折率は非有機導波体層の
製作中の高い基板温度で得られる。これに反してＰＭＭ
Ａは、ちょうどポリカーボネートのように、容易にスタ
ンプされるばかりでなく光構造化することができる。
があり、低い水吸収容量だが、ポリカーボネートのよう
な温度安定性がない。ＰＭＭＡの最大長期使用温度は６
０−９０℃にすぎず、そこでは導波体の被覆温度は非常
に制限される。一般に、高い屈折率は非有機導波体層の
製作中の高い基板温度で得られる。これに反してＰＭＭ
Ａは、ちょうどポリカーボネートのように、容易にスタ
ンプされるばかりでなく光構造化することができる。
【００２２】ポリイミド基板は、比較的に低い熱膨脹の
ために、基板と非有機被覆の間の応力が他のプラスチッ
クよりも低いという利点がある。更に、ホットスタンピ
ングによるまたは光構造による光回折格子を備えたポリ
イミド基板を与えることができる。ポリイミドの長期使
用温度は２００℃以上で、ポリカーボネートのそれより
もかなり高い。それ故に、ポリイミド基板は高い被覆温
度が可能であり高い屈折率の導波体を与えることができ
る。
ために、基板と非有機被覆の間の応力が他のプラスチッ
クよりも低いという利点がある。更に、ホットスタンピ
ングによるまたは光構造による光回折格子を備えたポリ
イミド基板を与えることができる。ポリイミドの長期使
用温度は２００℃以上で、ポリカーボネートのそれより
もかなり高い。それ故に、ポリイミド基板は高い被覆温
度が可能であり高い屈折率の導波体を与えることができ
る。
【００２３】非有機層はポリエステルに非常に良好な接
着性を示す。更に、ポリエステル基板は同様に高い温度
安定性（１００−１２０℃の長期使用温度で、短期では
２００℃にもなる）であるため容易にスタンプされ得
る。
着性を示す。更に、ポリエステル基板は同様に高い温度
安定性（１００−１２０℃の長期使用温度で、短期では
２００℃にもなる）であるため容易にスタンプされ得
る。
【００２４】更に適切な合成樹脂は、別名、ＰＶＣ（長
期使用温度６５−８５℃）とポリスチレン（長期使用温
度５０−７０℃）であり、ＣＲ３９、ポリウレタンまた
はジエチレングリコールビスアリールカーボネートと同
じようにホットスタンピング技術に適している。
期使用温度６５−８５℃）とポリスチレン（長期使用温
度５０−７０℃）であり、ＣＲ３９、ポリウレタンまた
はジエチレングリコールビスアリールカーボネートと同
じようにホットスタンピング技術に適している。
【００２５】合成樹脂フィルムは基板材料として用いら
れることが好ましい。プラスチックフィルムは、エンド
レステープとして採用されるが、連続ローリングスタン
ピング処理で光格子を与えることができる。基板表面上
への格子製作の代替え法は平坦な型枠を備えたプラスチ
ックパネルの浮き出しである。各センサーチップはプラ
スチックフィルムからまたは導波体を被覆したパネルか
ら容易にパンチすることによって作られる（即ちセンサ
ー技術での光変換器としての使用のために）。
れることが好ましい。プラスチックフィルムは、エンド
レステープとして採用されるが、連続ローリングスタン
ピング処理で光格子を与えることができる。基板表面上
への格子製作の代替え法は平坦な型枠を備えたプラスチ
ックパネルの浮き出しである。各センサーチップはプラ
スチックフィルムからまたは導波体を被覆したパネルか
ら容易にパンチすることによって作られる（即ちセンサ
ー技術での光変換器としての使用のために）。
【００２６】純粋な有機基板の代わりに、高い有機物割
合の基板を使用することが可能である。いわゆるＯＲＭ
ＯＣＥＲ材料は、ＯＲｇａｎｉｃａｌｌｙ ＭＯｄｉｆ
ｉｅｄ ＣＥＲａｍｉｃｓ−例えば、Ｇｒｅｕｅｒ
Ｋ．，そしてＳｃｈｏｔｅｒ，Ｇ．，ＯＲＭＯＣＥＲ
ｓ：”Ａ Ｎｏｖｅｌ Ｃｌａｓｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ，Ｆｉｒｓｔ Ｐｒｏｄｕｃｔ”（“新しいク
ラスの材料，第一製品展開”）、ＦｈＧ−Ｂｅｒｉｃｈ
ｔｅ２（１９９０）は、この目的に適している。これら
のＯＲＭＯＣＥＲ材料は液相、即ち非熱可塑性プラスチ
ック層のポリイミドの液相、から製造されたプラスチッ
ク層と同様に非加工状態で浮き出されるので結合切断格
子が大きな製造費用なしで形成できる。
合の基板を使用することが可能である。いわゆるＯＲＭ
ＯＣＥＲ材料は、ＯＲｇａｎｉｃａｌｌｙ ＭＯｄｉｆ
ｉｅｄ ＣＥＲａｍｉｃｓ−例えば、Ｇｒｅｕｅｒ
Ｋ．，そしてＳｃｈｏｔｅｒ，Ｇ．，ＯＲＭＯＣＥＲ
ｓ：”Ａ Ｎｏｖｅｌ Ｃｌａｓｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ，Ｆｉｒｓｔ Ｐｒｏｄｕｃｔ”（“新しいク
ラスの材料，第一製品展開”）、ＦｈＧ−Ｂｅｒｉｃｈ
ｔｅ２（１９９０）は、この目的に適している。これら
のＯＲＭＯＣＥＲ材料は液相、即ち非熱可塑性プラスチ
ック層のポリイミドの液相、から製造されたプラスチッ
ク層と同様に非加工状態で浮き出されるので結合切断格
子が大きな製造費用なしで形成できる。
【００２７】好ましくは、これらのＯＲＭＯＣＥＲ層
は、または液相から製造されたプラスチック層は、バッ
キングプレートまたは非有機または有機材料のフィルム
に付着される。このことは、一方では、被覆液体の表面
張力によって光学的に高い特性の低い粗さ表面が簡単に
製作できるが、他方では、非有機バッキング材料を使用
すると、ＯＲＭＯＣＥＲまたは合成樹脂を被覆したバッ
キングプレートまたはバッキングフィルムの層の熱膨脹
係数が導波体層の熱膨脹係数と最も適合している（参
照、この点では、例えば、Ｇ．Ｅｌｓｎｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，１９８５
（１９９０）．１８９−１９７，Ｔ．Ｏｇｕｃｈｉ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，２７（１９９１）：７０６−７０７）。
は、または液相から製造されたプラスチック層は、バッ
キングプレートまたは非有機または有機材料のフィルム
に付着される。このことは、一方では、被覆液体の表面
張力によって光学的に高い特性の低い粗さ表面が簡単に
製作できるが、他方では、非有機バッキング材料を使用
すると、ＯＲＭＯＣＥＲまたは合成樹脂を被覆したバッ
キングプレートまたはバッキングフィルムの層の熱膨脹
係数が導波体層の熱膨脹係数と最も適合している（参
照、この点では、例えば、Ｇ．Ｅｌｓｎｅｒ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，１９８５
（１９９０）．１８９−１９７，Ｔ．Ｏｇｕｃｈｉ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ，２７（１９９１）：７０６−７０７）。
【００２８】合成樹脂は非有機材料、例えば、ガラス、
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、そしてその他、よりも実質的に高
い熱膨脹係数である。非有機層で有機基板を被覆する
と、異なる熱膨脹係数は、温度変化の場合に、導波体層
の亀裂（クラック）形成につながる。しかしながら、薄
い有機基板層（数μｍ）をガラスバッキングプレートに
付着すると、例えば、異方性熱膨脹係数が現れる。平面
では、合成樹脂はバッキング材料のそれに近い値をとる
が直交した膨脹係数は合成樹脂材料のそれに近い値が観
測される。全体では、横方向で、導波体層の熱膨脹係数
よりも実質的に高い程度に適合されるバッキング材料に
類似した膨脹係数を呈する。亀裂（クラック）形成傾向
はしたがって減少する。
ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、そしてその他、よりも実質的に高
い熱膨脹係数である。非有機層で有機基板を被覆する
と、異なる熱膨脹係数は、温度変化の場合に、導波体層
の亀裂（クラック）形成につながる。しかしながら、薄
い有機基板層（数μｍ）をガラスバッキングプレートに
付着すると、例えば、異方性熱膨脹係数が現れる。平面
では、合成樹脂はバッキング材料のそれに近い値をとる
が直交した膨脹係数は合成樹脂材料のそれに近い値が観
測される。全体では、横方向で、導波体層の熱膨脹係数
よりも実質的に高い程度に適合されるバッキング材料に
類似した膨脹係数を呈する。亀裂（クラック）形成傾向
はしたがって減少する。
【００２９】しかしながら、熱硬化性プラスチックまた
は光構造化基板を使用するときに上述のタイプのバッキ
ングプレートまたはフィルムに、例えば、引き延ばし法
（ｄｒａｗｉｎｇ−ｄｏｗｎ）または遠心法（ｃｅｎｔ
ｒｉｆｕｇａｌ）によって被覆液体を与えることによ
り、これらを付着することが有利である。適当な被覆液
体は液状の熱可塑性のポリイミドまたはポリイミドのフ
ォトレジストである。この特徴は、低い粗さと、バッキ
ングプレート、特にバッキングフィルム、そして導波体
層の適合熱膨脹率と、を備えた光学的に高特性の表面の
簡単化された製造の前述の利点を申し出る。バッキング
プレートまたはバッキングフィルム上の基板層の光学的
回折格子または光学的微細構造（帯状導波体を製造する
ための）は浮き出しまたは光学的構造によって製作され
る。
は光構造化基板を使用するときに上述のタイプのバッキ
ングプレートまたはフィルムに、例えば、引き延ばし法
（ｄｒａｗｉｎｇ−ｄｏｗｎ）または遠心法（ｃｅｎｔ
ｒｉｆｕｇａｌ）によって被覆液体を与えることによ
り、これらを付着することが有利である。適当な被覆液
体は液状の熱可塑性のポリイミドまたはポリイミドのフ
ォトレジストである。この特徴は、低い粗さと、バッキ
ングプレート、特にバッキングフィルム、そして導波体
層の適合熱膨脹率と、を備えた光学的に高特性の表面の
簡単化された製造の前述の利点を申し出る。バッキング
プレートまたはバッキングフィルム上の基板層の光学的
回折格子または光学的微細構造（帯状導波体を製造する
ための）は浮き出しまたは光学的構造によって製作され
る。
【００３０】非有機材料のプレートは好ましくはガラ
ス、例えば、石灰（１ｉｍｅ）−ソーダガラスまたは水
晶（クオーツ）ガラスから成っている。しかしながら、
金属プレートも利用できる。
ス、例えば、石灰（１ｉｍｅ）−ソーダガラスまたは水
晶（クオーツ）ガラスから成っている。しかしながら、
金属プレートも利用できる。
【００３１】基板の層の厚さは２０μｍと２ｍｍとの間
項、好ましくは５００μｍ以下であるべきだ。よって、
基板はすぐに取り扱うことができそしてセンサーチップ
の製作と同様に簡単な仕方で打ち抜くことができる。基
板がバッキングフィルムまたはプレートに付着されると
きは、層の厚さは０．１と５０μｍとの間の、好ましく
は０．５と２０μｍとの間にあるべきである。
項、好ましくは５００μｍ以下であるべきだ。よって、
基板はすぐに取り扱うことができそしてセンサーチップ
の製作と同様に簡単な仕方で打ち抜くことができる。基
板がバッキングフィルムまたはプレートに付着されると
きは、層の厚さは０．１と５０μｍとの間の、好ましく
は０．５と２０μｍとの間にあるべきである。
【００３２】このような層は光学的格子をスタンプする
ために充分な厚さがあるが、他方で、層の厚さの上限
は、被覆技術の理由で確立されるのだが、まだ達成され
ていない。この発明による導波体は実質的に平坦な基板
を呈する。この発明の線に沿った“実質的に平坦な”は
基板が明確にわずかに平坦ではない、即ち、例えば、わ
ずかに曲がっている、ということを意味している。
ために充分な厚さがあるが、他方で、層の厚さの上限
は、被覆技術の理由で確立されるのだが、まだ達成され
ていない。この発明による導波体は実質的に平坦な基板
を呈する。この発明の線に沿った“実質的に平坦な”は
基板が明確にわずかに平坦ではない、即ち、例えば、わ
ずかに曲がっている、ということを意味している。
【００３３】好ましくは、非有機導波体層はＴｉＯ2 、
ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｓｉ
3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 またはＺｒＯ2 から成っ
ている。高い屈折率の導波体の製作のためのこれらの材
料の使用は普通である。特に、知られた被覆方法が、例
えば、ＰＣＶＤ、ＰＩＣＶＤまたはイオン強化ＰＶＤ処
理が、利用される。これらの被覆はＰＣＶＤ、ＰＩＣＶ
Ｄ方法によって簡単な仕方で準備できそしてこれらの組
成物の最初の材料は非常に安上がりであるからＳｉ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 の導波体層は特に好ま
しい。
ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｓｉ
3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 またはＺｒＯ2 から成っ
ている。高い屈折率の導波体の製作のためのこれらの材
料の使用は普通である。特に、知られた被覆方法が、例
えば、ＰＣＶＤ、ＰＩＣＶＤまたはイオン強化ＰＶＤ処
理が、利用される。これらの被覆はＰＣＶＤ、ＰＩＣＶ
Ｄ方法によって簡単な仕方で準備できそしてこれらの組
成物の最初の材料は非常に安上がりであるからＳｉ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 の導波体層は特に好ま
しい。
【００３４】この発明による光導波体の減衰は典型的に
は１０ｄＢ／ｃｍ以下である。好ましくは、減衰は＜５
ｄＢ／ｃｍで、特に３ｄＢ／ｃｍよりも小さい。これら
の値は導波体の導波の電版通路が表面センサー技術の光
学的変換器とし導波体の付着に対して相対的に短い長さ
であるという要請から生じている；典型的には、この通
路は１ｃｍよりも短い。
は１０ｄＢ／ｃｍ以下である。好ましくは、減衰は＜５
ｄＢ／ｃｍで、特に３ｄＢ／ｃｍよりも小さい。これら
の値は導波体の導波の電版通路が表面センサー技術の光
学的変換器とし導波体の付着に対して相対的に短い長さ
であるという要請から生じている；典型的には、この通
路は１ｃｍよりも短い。
【００３５】積層された導波体へのそしてからの一様な
光を結合するために、一つまたはいくつかのいわゆる光
回折格子を使用することが知られている。光回折格子は
全基板表面上にと同様にバッキング基板の制限された領
域上に拡張できる。回折格子の固体表面設計は光を結合
切断するときの浪費的調節が除かれるという利点があ
る。
光を結合するために、一つまたはいくつかのいわゆる光
回折格子を使用することが知られている。光回折格子は
全基板表面上にと同様にバッキング基板の制限された領
域上に拡張できる。回折格子の固体表面設計は光を結合
切断するときの浪費的調節が除かれるという利点があ
る。
【００３６】この使用の格子構造は１から約５０ｎｍの
構造深さの１０００から５０００１／ｍｍの範囲であ
り、更に好ましくは２から２０ｎｍである。光回折格子
は屈折格子と同様に微細浮き彫り（ｒｅｌｉｅｆ）格子
として、即ち周期的に屈折率が変化する連続層として、
設計できる。
構造深さの１０００から５０００１／ｍｍの範囲であ
り、更に好ましくは２から２０ｎｍである。光回折格子
は屈折格子と同様に微細浮き彫り（ｒｅｌｉｅｆ）格子
として、即ち周期的に屈折率が変化する連続層として、
設計できる。
【００３７】表面センサー、特にバイオセンサーの光変
換器としてこの発明による導波体を使用するときは特
に、多回析として、特別に２回折（ｂｉｄｉｆｆｒａｃ
ｔｉｖｅ）格子として、光回折格子を設計することは有
利である。光導波体の結合切断の手段として２回折格子
は知られておりそしてＥＰ−Ａ４５５，０６７に記述さ
れている。格子構造はその周波数スペクトルが２つの
（多回析格子：いくつかの）基本成分を呈するならば
“２回折（ｂｉｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ）”と呼ばれ
る。２回折格子は切断光そして反射、伝送、特に直接に
回折された成分ビームの間の方向分離に作用する。導通
された光波の結合切断が発生する導波体層の領域が部分
的に重なっているけれども、このことはバックグラウン
ドのない切断の後に導波体層に導通された光を検出する
ことを可能にしている。
換器としてこの発明による導波体を使用するときは特
に、多回析として、特別に２回折（ｂｉｄｉｆｆｒａｃ
ｔｉｖｅ）格子として、光回折格子を設計することは有
利である。光導波体の結合切断の手段として２回折格子
は知られておりそしてＥＰ−Ａ４５５，０６７に記述さ
れている。格子構造はその周波数スペクトルが２つの
（多回析格子：いくつかの）基本成分を呈するならば
“２回折（ｂｉｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ）”と呼ばれ
る。２回折格子は切断光そして反射、伝送、特に直接に
回折された成分ビームの間の方向分離に作用する。導通
された光波の結合切断が発生する導波体層の領域が部分
的に重なっているけれども、このことはバックグラウン
ドのない切断の後に導波体層に導通された光を検出する
ことを可能にしている。
【００３８】２回折格子構造は異なる周期と方向性の２
つの格子の重ね合わせとして実現される。製作に関する
詳細と“２回折格子結合器”の付加的な利点はＥＰ−Ａ
４５５，０６７に開示されている。発明の別の好ましい
実施例では、基板と導波体層との間に少なくとも１つの
中間層が配置されている。
つの格子の重ね合わせとして実現される。製作に関する
詳細と“２回折格子結合器”の付加的な利点はＥＰ−Ａ
４５５，０６７に開示されている。発明の別の好ましい
実施例では、基板と導波体層との間に少なくとも１つの
中間層が配置されている。
【００３９】中間層は基板表面の粗さを改善するのに役
立つ。商業的に可能な熱可塑性合成樹脂プレートまたは
フィルムは、それらの製造処理法のために、高すぎるた
めに使用できない表面粗さ（典型的には３−１０ｎｍ、
ＲＭＳ値）を呈する。この粗さは伝導モードの大きな散
乱損失をもたらす。基板の表面粗さは自乗で減衰に効い
てくる。しかしながら、＜３ｎｍの、好ましくは＜１．
５ｎｍの、粗さは表面センサー、特にバイオセンサー、
の光変換器としての使用に好ましいので、高い屈折率
の、単一（モノ）モードでの粗さ揺動の散乱損失を最小
にすることが必要である。中間層は好ましくは＜３ｎｍ
の、より好ましくは＜１．５ｎｍの、表面粗さを呈す
る。
立つ。商業的に可能な熱可塑性合成樹脂プレートまたは
フィルムは、それらの製造処理法のために、高すぎるた
めに使用できない表面粗さ（典型的には３−１０ｎｍ、
ＲＭＳ値）を呈する。この粗さは伝導モードの大きな散
乱損失をもたらす。基板の表面粗さは自乗で減衰に効い
てくる。しかしながら、＜３ｎｍの、好ましくは＜１．
５ｎｍの、粗さは表面センサー、特にバイオセンサー、
の光変換器としての使用に好ましいので、高い屈折率
の、単一（モノ）モードでの粗さ揺動の散乱損失を最小
にすることが必要である。中間層は好ましくは＜３ｎｍ
の、より好ましくは＜１．５ｎｍの、表面粗さを呈す
る。
【００４０】有利なことに、基板表面に浮き出た光回折
格子を備えた中間層は１：１の割合でその表面上に格子
構造を描かないでむしろ格子構造の回折効率と結合切断
効率を限定して弱めることが得られる変調深さを減少さ
せる。このことは光格子の製造時のホットスタンピング
において特に技術的な利点がある。
格子を備えた中間層は１：１の割合でその表面上に格子
構造を描かないでむしろ格子構造の回折効率と結合切断
効率を限定して弱めることが得られる変調深さを減少さ
せる。このことは光格子の製造時のホットスタンピング
において特に技術的な利点がある。
【００４１】合成樹脂パネルまたはフィルムのホットス
タンピングにおいて、金属型枠はエレクトロプレーティ
ングによってマスターから作られている。合成樹脂プレ
ートまたはフィルムは合成樹脂のガラス転移温度まで加
熱されそして金属枠型でゆっくりと加圧しながらプレス
される。その方法はローラー浮き出し過程において全く
連続的に遂行され、そこではエレクトロプレーティング
によって、加熱ロールに締め付けられる金属シム（ｓｈ
ｉｍ）が製作される。フィルムはＴｇ温度以上に加熱さ
れ、そして２つのロールでプレスされて引き出され、こ
れらの１つは締め付けられて構造化された金属シムを備
える。３００ｎｍ以上の幅で浮き出すロールは技術の状
態に関係している。普通の応用に対して、例えば、ホロ
グラフィック安全素子の製造またはギフトラッピングの
ためのいわゆるプリズムフィルムの製造に対して、利用
された構造（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）深さは約１００
ｎｍ以上の範囲である。しかしながら、光の結合切断の
ためには、特別に、著しく小さい構造的（ｔｅｘｔｕｒ
ｉｎｉｎｇ）深さ（＜５０ｎｍ）の格子が必要であり、
そこではマスターの製作においてより高い要請が満たさ
れねばならない。構造深さの余裕度はここでは最大＋−
２０°、好ましくはわずかに＋−５％である。格子の深
さを望ましい量だけ減少させる中間層の付着は普通の構
造深さ（ほぼ１００ｎｍ）のそしてより大きい構造深さ
の余裕度とを有する金属シムは微細な光回折格子の製造
に利用することができる。
タンピングにおいて、金属型枠はエレクトロプレーティ
ングによってマスターから作られている。合成樹脂プレ
ートまたはフィルムは合成樹脂のガラス転移温度まで加
熱されそして金属枠型でゆっくりと加圧しながらプレス
される。その方法はローラー浮き出し過程において全く
連続的に遂行され、そこではエレクトロプレーティング
によって、加熱ロールに締め付けられる金属シム（ｓｈ
ｉｍ）が製作される。フィルムはＴｇ温度以上に加熱さ
れ、そして２つのロールでプレスされて引き出され、こ
れらの１つは締め付けられて構造化された金属シムを備
える。３００ｎｍ以上の幅で浮き出すロールは技術の状
態に関係している。普通の応用に対して、例えば、ホロ
グラフィック安全素子の製造またはギフトラッピングの
ためのいわゆるプリズムフィルムの製造に対して、利用
された構造（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）深さは約１００
ｎｍ以上の範囲である。しかしながら、光の結合切断の
ためには、特別に、著しく小さい構造的（ｔｅｘｔｕｒ
ｉｎｉｎｇ）深さ（＜５０ｎｍ）の格子が必要であり、
そこではマスターの製作においてより高い要請が満たさ
れねばならない。構造深さの余裕度はここでは最大＋−
２０°、好ましくはわずかに＋−５％である。格子の深
さを望ましい量だけ減少させる中間層の付着は普通の構
造深さ（ほぼ１００ｎｍ）のそしてより大きい構造深さ
の余裕度とを有する金属シムは微細な光回折格子の製造
に利用することができる。
【００４２】格子の望ましい回折と結合切断効率が達成
される程度まで簡単な仕方で中間層によって、浮き出し
処理法に続いて、格子のしわが埋められる。ほぼ１００
ｎｍの構造深さの金属シムを使用するとき、浮き出し格
子構造の深さの少なくとも０．１倍そして大きくても５
０倍の中間層の厚さがこの目的のためには充分である。
される程度まで簡単な仕方で中間層によって、浮き出し
処理法に続いて、格子のしわが埋められる。ほぼ１００
ｎｍの構造深さの金属シムを使用するとき、浮き出し格
子構造の深さの少なくとも０．１倍そして大きくても５
０倍の中間層の厚さがこの目的のためには充分である。
【００４３】時間の経過とともに特に摩耗によって浮き
出しシムの特性が低下することが知られている。このこ
とは浮き出し基板表面のより大きな粗さとそして結果的
に導波層での減衰の増大とにつながる。摩滅したスタン
ピングシムによって作られた表面粗さを再びスムースに
するばかりでなく、中間層の厚さを経て、スタンプされ
た格子の構造深さによって格子の回折効率と結合切断効
率とを簡単な仕方で再調整するという付加的な利点を中
間層の付着は持っている。浮き出しシムの特性のこれら
の減じられた要請はこの発明による導波体のより低額の
製造費として現れる。
出しシムの特性が低下することが知られている。このこ
とは浮き出し基板表面のより大きな粗さとそして結果的
に導波層での減衰の増大とにつながる。摩滅したスタン
ピングシムによって作られた表面粗さを再びスムースに
するばかりでなく、中間層の厚さを経て、スタンプされ
た格子の構造深さによって格子の回折効率と結合切断効
率とを簡単な仕方で再調整するという付加的な利点を中
間層の付着は持っている。浮き出しシムの特性のこれら
の減じられた要請はこの発明による導波体のより低額の
製造費として現れる。
【０００４４】中間層の厚さが増大するにつれて、基板
表面は波の直交して弱められた場の領域からますます遠
ざかる。適当な厚さの中間層で、導波は境界領域で今や
単に基板表面と相互作用するという事実により、散乱損
失と吸収損失とが最小にされる。
表面は波の直交して弱められた場の領域からますます遠
ざかる。適当な厚さの中間層で、導波は境界領域で今や
単に基板表面と相互作用するという事実により、散乱損
失と吸収損失とが最小にされる。
【００４５】中間層は一つのパックの単一層として設計
されるが、一つのパックの層から成ることができるが、
その場合には設計“中間層の厚さ”はこの発明の線に沿
って全層パックの厚さを意味すると理解されるべきであ
る。簡単な製造のためにそして低額の製造費を維持する
ために、単一層の中間層の形成が好ましい。
されるが、一つのパックの層から成ることができるが、
その場合には設計“中間層の厚さ”はこの発明の線に沿
って全層パックの厚さを意味すると理解されるべきであ
る。簡単な製造のためにそして低額の製造費を維持する
ために、単一層の中間層の形成が好ましい。
【００４６】適当な中間層は低い屈折率でありそして低
い吸収率であり、そしてガラス状の、即ち非結晶性の構
造を備えている。このことは非有機材料の層と同様に有
機材料の層である。また、非有機的そして有機的成分の
構成材料が採用できる。層区分は非有機のそして有機の
個々の層で形成されている。好ましくは、真空過程、特
にＰＣＶＤによって適用された導波体層のバッキングと
して適しているところの中間層の材料が使用される。
い吸収率であり、そしてガラス状の、即ち非結晶性の構
造を備えている。このことは非有機材料の層と同様に有
機材料の層である。また、非有機的そして有機的成分の
構成材料が採用できる。層区分は非有機のそして有機の
個々の層で形成されている。好ましくは、真空過程、特
にＰＣＶＤによって適用された導波体層のバッキングと
して適しているところの中間層の材料が使用される。
【００４７】中間層の適した材料の例はＳｉＯ2 、Ｆま
たはＢの注入（ドウプ）されたＳｉＯ2 、炭化水素の割
合が基板の表面から連続的に減少しているＳｉＯX ＣY
ＨZ傾斜層である。好ましい実施例では、有機材料は非
有機材料の場合よりも低い温度で強くなるので中間層は
有機材料から成る。
たはＢの注入（ドウプ）されたＳｉＯ2 、炭化水素の割
合が基板の表面から連続的に減少しているＳｉＯX ＣY
ＨZ傾斜層である。好ましい実施例では、有機材料は非
有機材料の場合よりも低い温度で強くなるので中間層は
有機材料から成る。
【００４８】別の好ましい実施例では、中間層はＳｉＯ
2 から成る。このことは中間層と導波体層とが真空処理
法で結合して付着できるという利点がある。
2 から成る。このことは中間層と導波体層とが真空処理
法で結合して付着できるという利点がある。
【００４９】有利なことに、導波体の感度は導波体層と
バッキングとの間の屈折率の差によって決められるので
中間層の材料の屈折率は基板材料の屈折率よりも小さい
かまたは等しい。しかしながら、バッキングは光学的に
活性である、即ち約５０μｍの最小の厚さを呈するとい
うことがあらかじめ必要である。導波体層にＴｉＯ2を
使用するとき、中間層は１．３と１．６との間の屈折率
の材料から成っている。
バッキングとの間の屈折率の差によって決められるので
中間層の材料の屈折率は基板材料の屈折率よりも小さい
かまたは等しい。しかしながら、バッキングは光学的に
活性である、即ち約５０μｍの最小の厚さを呈するとい
うことがあらかじめ必要である。導波体層にＴｉＯ2を
使用するとき、中間層は１．３と１．６との間の屈折率
の材料から成っている。
【００５０】化学的に両立しない二つの層の、例えば有
機基板または有機中間層と非有機導波体層の、間に接着
層を配することが有利である。この接着層はその熱膨脹
係数が接合されるべき材料の中間にあり、そこでは既に
層の改善された接着を与える熱膨脹特性の層の付着が得
られる。好ましくは、ＳｉＯX ＣY ＨZ 傾斜層が接着促
進層として利用される；ここで再び、中間層の場合のよ
うに、炭化水素の割合が有機層から非有機層に連続的に
減少している。
機基板または有機中間層と非有機導波体層の、間に接着
層を配することが有利である。この接着層はその熱膨脹
係数が接合されるべき材料の中間にあり、そこでは既に
層の改善された接着を与える熱膨脹特性の層の付着が得
られる。好ましくは、ＳｉＯX ＣY ＨZ 傾斜層が接着促
進層として利用される；ここで再び、中間層の場合のよ
うに、炭化水素の割合が有機層から非有機層に連続的に
減少している。
【００５１】のみならず、有機基板に、または一般的に
有機材料の層に、導波体層の一連の付着の間の有害な影
響から有機層を保護するための保護層を、ＰＣＶＤ処理
によって付着するために使用するとき、特に有利である
ことがわかっている。バッキング層の有機材料に依存し
て、エネルギー粒子、即ちイオン、ラヂカル、に対して
導波体層の出発物質のプラズマ、即ちＣ１原子、から保
護するところの材料から保護層を選択することが有利で
ある。保護層に適しているのはＳｉＯ2 またはＳｉＯX
ＣY ＨZ 化合物である。好ましくは、保護層はＳｉＯ2
から成っている。数ｎｍ、好ましくは１ｎｍと２００ｎ
ｍとの間の層の厚さが適切である。この保護層は高い張
力と低い吸収性でありそして導波体層が設計されている
波長で光散乱しないように設計されている。ＳｉＯX Ｃ
Y ＨZ 化合物使用するとき、保護層は接着促進層として
同時に作用する。
有機材料の層に、導波体層の一連の付着の間の有害な影
響から有機層を保護するための保護層を、ＰＣＶＤ処理
によって付着するために使用するとき、特に有利である
ことがわかっている。バッキング層の有機材料に依存し
て、エネルギー粒子、即ちイオン、ラヂカル、に対して
導波体層の出発物質のプラズマ、即ちＣ１原子、から保
護するところの材料から保護層を選択することが有利で
ある。保護層に適しているのはＳｉＯ2 またはＳｉＯX
ＣY ＨZ 化合物である。好ましくは、保護層はＳｉＯ2
から成っている。数ｎｍ、好ましくは１ｎｍと２００ｎ
ｍとの間の層の厚さが適切である。この保護層は高い張
力と低い吸収性でありそして導波体層が設計されている
波長で光散乱しないように設計されている。ＳｉＯX Ｃ
Y ＨZ 化合物使用するとき、保護層は接着促進層として
同時に作用する。
【００５２】好ましくは、後者を接着層と同様に保護層
として作用するように適合させるところの材料から中間
層は成っている。導波体層のセンサー技術と解析への種
々の応用に対して、導波体層の限定された表面領域また
は全表面に非有機のまたは有機の材料のカバー層を付着
することが有利であることが証明されている。カバー層
は、例えば、特殊な化学的なまたは物理的な性質のセン
サー表面を与えるために役立つ。
として作用するように適合させるところの材料から中間
層は成っている。導波体層のセンサー技術と解析への種
々の応用に対して、導波体層の限定された表面領域また
は全表面に非有機のまたは有機の材料のカバー層を付着
することが有利であることが証明されている。カバー層
は、例えば、特殊な化学的なまたは物理的な性質のセン
サー表面を与えるために役立つ。
【００５３】材料ＳｉＯ2 とポリスチレンの表面は解析
的に意義のある役割を果たしている。ＳｉＯ2 とポリス
チレンのカバー層は発明の導波体層の表面センサー技術
への使用に適合している。
的に意義のある役割を果たしている。ＳｉＯ2 とポリス
チレンのカバー層は発明の導波体層の表面センサー技術
への使用に適合している。
【００５４】表面解析（特に類似のクロマトグラフィ）
の性質の異なった利用に対して、大きな内部表面積の多
孔性材料、即ち多孔性ＳｉＯ2 、の使用は決定的に重要
である。この発明の導波体層は、多孔性ＳｉＯ2 のカバ
ー層を備えると、解析分野の光センサーとして使用（特
に類似のクロマトグラフィ）に対して理想的な材料特性
を呈する。
の性質の異なった利用に対して、大きな内部表面積の多
孔性材料、即ち多孔性ＳｉＯ2 、の使用は決定的に重要
である。この発明の導波体層は、多孔性ＳｉＯ2 のカバ
ー層を備えると、解析分野の光センサーとして使用（特
に類似のクロマトグラフィ）に対して理想的な材料特性
を呈する。
【００５５】基板表面の光導波体層の構造は平坦な光導
波体としてまたはいわゆる帯状導波体として設計され
る。帯状導波体はまたチャンネル導波体またはビームリ
ード導波体と呼ばれる。光センサーにおける平坦な導波
体と帯状導波体の種々の応用はＫｕｎｚ，Ｐｒｏｃ，Ｓ
ＰＩＥｖｏｌ．１５８７（１９９２）に記述されてい
る。
波体としてまたはいわゆる帯状導波体として設計され
る。帯状導波体はまたチャンネル導波体またはビームリ
ード導波体と呼ばれる。光センサーにおける平坦な導波
体と帯状導波体の種々の応用はＫｕｎｚ，Ｐｒｏｃ，Ｓ
ＰＩＥｖｏｌ．１５８７（１９９２）に記述されてい
る。
【００５６】平坦な光導波体において、基板表面に沿っ
た導波の伝搬方向は自由に選択できる。導波の伝搬方向
は、例えば、侵入する光ビームの方向の適当な選択によ
る場合と同じように、結合格子の格子定数と方向付けと
の適当な選択によって、制御することができる。
た導波の伝搬方向は自由に選択できる。導波の伝搬方向
は、例えば、侵入する光ビームの方向の適当な選択によ
る場合と同じように、結合格子の格子定数と方向付けと
の適当な選択によって、制御することができる。
【００５７】帯状導波体の場合には、波は基板表面上の
あらかじめ決められたトラックに沿って導かれる。基板
表面の平面は導波体の帯状形状構造によって限定され
る。帯状導波体への光の結合は、例えば、結合格子とと
もに生ずる。この接続では、結合格子の格子定数と方向
付けそして侵入光の方向は帯状導波体における導波光の
あらかじめ限定された伝搬方向を結合光波が呈するよう
に選択されるべきである。
あらかじめ決められたトラックに沿って導かれる。基板
表面の平面は導波体の帯状形状構造によって限定され
る。帯状導波体への光の結合は、例えば、結合格子とと
もに生ずる。この接続では、結合格子の格子定数と方向
付けそして侵入光の方向は帯状導波体における導波光の
あらかじめ限定された伝搬方向を結合光波が呈するよう
に選択されるべきである。
【００５８】帯状導波体の製作には、帯状形状微細構造
を備えた光導波体層化パックが与えられるべきである。
微細構造は基板表面かまたは基板と導波体層との間の中
間層にかまたは導波体層の上のカバー層かにある。微細
構造は適当に盛り上がった輪郭または基板表面に平行な
屈折率変調を構成する。
を備えた光導波体層化パックが与えられるべきである。
微細構造は基板表面かまたは基板と導波体層との間の中
間層にかまたは導波体層の上のカバー層かにある。微細
構造は適当に盛り上がった輪郭または基板表面に平行な
屈折率変調を構成する。
【００５９】発明の好ましい実施例では、帯状形状の微
細構造の製作は結合切断機能のための光格子構造の製作
に対して述べられた技術に類似した技術によって遂行さ
れるべきである。
細構造の製作は結合切断機能のための光格子構造の製作
に対して述べられた技術に類似した技術によって遂行さ
れるべきである。
【００６０】発明の別の実施例では、帯状導波体は導波
体層の上のカバー層を構築することによって製作され
る。帯状導波体の定義のための構築されたカバー層の製
作と有効性のモードとは文献；参照、例えば、Ｓ．Ｖａ
ｌｅｔｔｅｅｔ ａｌ．，“Ｓｉ−Ｂａｓｅｄ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉ
ｅｓ”Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ，Ｆｅｂ．１９８９に記述されている。
体層の上のカバー層を構築することによって製作され
る。帯状導波体の定義のための構築されたカバー層の製
作と有効性のモードとは文献；参照、例えば、Ｓ．Ｖａ
ｌｅｔｔｅｅｔ ａｌ．，“Ｓｉ−Ｂａｓｅｄ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉ
ｅｓ”Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ，Ｆｅｂ．１９８９に記述されている。
【００６１】帯状導波体と同様に平坦な光導波体は光セ
ンサー技術の変換器として利用される｛参照 Ｋｕｎ
ｚ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥｖｏｌ．１５８７（１９９
２）｝。センサー技術と信号処理の分野における平坦な
光導波体と帯状導波体の別の重要な応用は集積光素子グ
ループ、特に集積光ネットワークの受動素子として使用
することである。
ンサー技術の変換器として利用される｛参照 Ｋｕｎ
ｚ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥｖｏｌ．１５８７（１９９
２）｝。センサー技術と信号処理の分野における平坦な
光導波体と帯状導波体の別の重要な応用は集積光素子グ
ループ、特に集積光ネットワークの受動素子として使用
することである。
【００６２】この発明による導波体を製作するための処
理法は、基板、合成樹脂基板または有機物割合の高い基
板が使用されるということ；合成樹脂の場合には基板は
Ｔ＜Ｔｇに加熱されることで、そして有機物割合の高い
基板の場合には基板はＴ＜３００℃に加熱されることで
特徴づけられる。Ｔｇは合成樹脂のガラス転移温度であ
る；しかも非有機導波体層はＰＣＶＤ処理法によって、
好ましくはＰＩＣＶＤ処理法によって基板に付着され
る。好ましくは、この被覆方法のプラズマはマイクロ波
によって励起される。
理法は、基板、合成樹脂基板または有機物割合の高い基
板が使用されるということ；合成樹脂の場合には基板は
Ｔ＜Ｔｇに加熱されることで、そして有機物割合の高い
基板の場合には基板はＴ＜３００℃に加熱されることで
特徴づけられる。Ｔｇは合成樹脂のガラス転移温度であ
る；しかも非有機導波体層はＰＣＶＤ処理法によって、
好ましくはＰＩＣＶＤ処理法によって基板に付着され
る。好ましくは、この被覆方法のプラズマはマイクロ波
によって励起される。
【００６３】この処理法において、微細柱を避けた構造
の層を設けるためには約６０°の基板温度で既に充分で
あることがわかっている。この処理法ではほぼ１の高い
パッキング密度を得ることが可能であるが、そこでは層
は固体層材料と環境の作用に同じ抵抗を示しそして実際
には固体層材料の屈折率を呈する。低い基板温度は低損
失非有機導波体層の形成のために必要なので、非有機材
料の光導波体層のための基板として合成樹脂または有機
物割合の高い材料を、まず、利用することがこの処理法
によって可能になった。
の層を設けるためには約６０°の基板温度で既に充分で
あることがわかっている。この処理法ではほぼ１の高い
パッキング密度を得ることが可能であるが、そこでは層
は固体層材料と環境の作用に同じ抵抗を示しそして実際
には固体層材料の屈折率を呈する。低い基板温度は低損
失非有機導波体層の形成のために必要なので、非有機材
料の光導波体層のための基板として合成樹脂または有機
物割合の高い材料を、まず、利用することがこの処理法
によって可能になった。
【００６４】例えば、マイクロ波プラズマの被覆のパラ
メータ領域では、たった数ｅＶでしかない電子温度とそ
してプラズマと基板との間の自己バイアスポテンシャル
は低レベルである。このことは基板表面と非有機層とが
プラズマによる輻射ダメージを受けいなという有利さを
与えている。この処理法では導波体層は柱構造ないしで
そして高いパッキング密度で一様に成長する。
メータ領域では、たった数ｅＶでしかない電子温度とそ
してプラズマと基板との間の自己バイアスポテンシャル
は低レベルである。このことは基板表面と非有機層とが
プラズマによる輻射ダメージを受けいなという有利さを
与えている。この処理法では導波体層は柱構造ないしで
そして高いパッキング密度で一様に成長する。
【００６５】基板材料に依存して、技術の状態に関係し
ているところの、そして例えば、ＷＯ８９／０１９５７
に記述されているところの接着力を増大するための処理
法を使用することによって導波体の接着をまだ更に強化
することが有利である。この場合もまた、導波体特性は
低損失に保持してある。
ているところの、そして例えば、ＷＯ８９／０１９５７
に記述されているところの接着力を増大するための処理
法を使用することによって導波体の接着をまだ更に強化
することが有利である。この場合もまた、導波体特性は
低損失に保持してある。
【００６６】好ましくは、光回折格子は、形成処理法に
よって、即ちホットスタンピングによって、有機基板の
表面へ直接に浮き出される。特に、この発明による導波
体の経済的な製作は、合成樹脂フィルムが基板として利
用されるときに期待され、そして基板表面の構造化が一
つのフィルムの通過において遂行されることができる。
この点で、合成樹脂フィルムのローラ型浮き出しは基板
表面のスムース化に付加的に導くので特に良好であるこ
とが証明されている。
よって、即ちホットスタンピングによって、有機基板の
表面へ直接に浮き出される。特に、この発明による導波
体の経済的な製作は、合成樹脂フィルムが基板として利
用されるときに期待され、そして基板表面の構造化が一
つのフィルムの通過において遂行されることができる。
この点で、合成樹脂フィルムのローラ型浮き出しは基板
表面のスムース化に付加的に導くので特に良好であるこ
とが証明されている。
【００６７】プラスチックフィルムは、その製造処理の
ために、しばしば条線状であり、そしてほとんどの場合
にに３ｎｍＲＭＳ以上の非常に大きな表面粗さを有して
いる。想像するに、このことは導波体層の基板としてプ
ラスチックフィルムの使用が知られていない理由の一つ
である。特にスムースなロールを使用することで、要請
された粗さのフィルムをフィルム製造者が作ることは、
原理的には、可能ではあるが。しかしながら、そのよう
な極端にスムースなフィルムの必要性が少なくそしてこ
れらのフィルムの特別な生産が非常に高額である限りに
おいて、異なる処理過程が推薦される。
ために、しばしば条線状であり、そしてほとんどの場合
にに３ｎｍＲＭＳ以上の非常に大きな表面粗さを有して
いる。想像するに、このことは導波体層の基板としてプ
ラスチックフィルムの使用が知られていない理由の一つ
である。特にスムースなロールを使用することで、要請
された粗さのフィルムをフィルム製造者が作ることは、
原理的には、可能ではあるが。しかしながら、そのよう
な極端にスムースなフィルムの必要性が少なくそしてこ
れらのフィルムの特別な生産が非常に高額である限りに
おいて、異なる処理過程が推薦される。
【００６８】プラスチックフィルムの格子の製造のため
の普通のロール浮き出し処理の使用は高品質の基板表面
の製造に好ましい影響をもたらすことがわかっている。
この発明の導波体に対して、対応した高品質の金属シム
が利用されるならば、結合切断動作に必要な格子ばかり
でなく、導波の目的のために意図された中間の範囲の＜
１．５（ＲＭＳ）の粗さのよりスムースな表面をロール
浮き出しによって得ることが可能であることが驚くべき
ことに発見された。
の普通のロール浮き出し処理の使用は高品質の基板表面
の製造に好ましい影響をもたらすことがわかっている。
この発明の導波体に対して、対応した高品質の金属シム
が利用されるならば、結合切断動作に必要な格子ばかり
でなく、導波の目的のために意図された中間の範囲の＜
１．５（ＲＭＳ）の粗さのよりスムースな表面をロール
浮き出しによって得ることが可能であることが驚くべき
ことに発見された。
【００６９】光回折格子の製作のための別の処理法は光
構造化（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）である。この目的のため
に、光構造化に適合したポリマー、即ちポリイミドを基
本とした光レジスト、またはその屈折率が光化学的に可
変であるプラスチック、が利用される。このような合成
樹脂は、例えば、Ｄｒｉｅｍｅｌｅ ｅｔ ａｌ．，Ａ
ｐｐｌ．Ｏｐｔ．２５：２９６０ ｅｔ ｓｅｑ．，Ｈ
ｏｒｎａｋ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
６７（１９９０），ａｎｄ Ｂｅｅｓｏｎ ｅｔ ａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５８（１９９
１）：１９５５ ｅｔ ｓｅｑに記載されている。
構造化（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）である。この目的のため
に、光構造化に適合したポリマー、即ちポリイミドを基
本とした光レジスト、またはその屈折率が光化学的に可
変であるプラスチック、が利用される。このような合成
樹脂は、例えば、Ｄｒｉｅｍｅｌｅ ｅｔ ａｌ．，Ａ
ｐｐｌ．Ｏｐｔ．２５：２９６０ ｅｔ ｓｅｑ．，Ｈ
ｏｒｎａｋ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
６７（１９９０），ａｎｄ Ｂｅｅｓｏｎ ｅｔ ａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５８（１９９
１）：１９５５ ｅｔ ｓｅｑに記載されている。
【００７０】光回折格子は基板表面の限られた領域を晒
すことによってこの処理法で製作されるが、そこでは基
板材料の部分的な、光化学的な変化が誘導される。光レ
ジストを使用すると、晒し段階は、基板表面の微細な浮
き彫り格子を生み出す発展段階になる。光化学的に可変
な屈折率のプラスチックを使用すると、部分的な晒しは
基板表面に平行な平面の屈折率変調を作り出す。
すことによってこの処理法で製作されるが、そこでは基
板材料の部分的な、光化学的な変化が誘導される。光レ
ジストを使用すると、晒し段階は、基板表面の微細な浮
き彫り格子を生み出す発展段階になる。光化学的に可変
な屈折率のプラスチックを使用すると、部分的な晒しは
基板表面に平行な平面の屈折率変調を作り出す。
【００７１】光回折格子は製作する別の処理法は光（特
にＵＶ光）への晒しと結合したポリマーフィルムの浮き
出しでありそしてこのように加工される。しかしなが
ら、基板表面に直接に格子を付着するよりもむしろ光回
折格子がそれ自身の“格子層”を持つように配列するこ
とが有利である。この過程は便宜的である、例えば、時
には回折格子は基板表面上の浮き彫り格子として与えら
れるべきではなくむしろ屈折率を周期的に変化する層と
して形成されるべきである。回折格子は、その屈折率が
光に晒すことで、フォトリソグラフィック処理法によっ
て上述のように簡単な仕方で、可変される光屈折材料、
例えばポリマー、から成るところの層の中に製作され
る。
にＵＶ光）への晒しと結合したポリマーフィルムの浮き
出しでありそしてこのように加工される。しかしなが
ら、基板表面に直接に格子を付着するよりもむしろ光回
折格子がそれ自身の“格子層”を持つように配列するこ
とが有利である。この過程は便宜的である、例えば、時
には回折格子は基板表面上の浮き彫り格子として与えら
れるべきではなくむしろ屈折率を周期的に変化する層と
して形成されるべきである。回折格子は、その屈折率が
光に晒すことで、フォトリソグラフィック処理法によっ
て上述のように簡単な仕方で、可変される光屈折材料、
例えばポリマー、から成るところの層の中に製作され
る。
【００７２】光回折格子を製作するための更なる方法は
注入モールドであり、例えば、Ａ．Ｎｅｙｅｒ ｅｔ
ａｌ．，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１
９９２に記述されている。ＯＲＭＯＣＥＲ層の場合と同
じように液相から製作されたプラスチックの場合には、
光回折格子または光微細構造（帯状導波体）はプラスチ
ック成形によって形成される。この過程では、液相で付
着されたフィルムはまず乾燥される。この条件で、型枠
の押圧によって成形される。成形条件には、フィルム
は、例えばＵＶ光または熱の作用によって加工されねば
ならない。ＵＶの作用は、透明な型枠を使用すること
に、後者に適用できる。
注入モールドであり、例えば、Ａ．Ｎｅｙｅｒ ｅｔ
ａｌ．，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１
９９２に記述されている。ＯＲＭＯＣＥＲ層の場合と同
じように液相から製作されたプラスチックの場合には、
光回折格子または光微細構造（帯状導波体）はプラスチ
ック成形によって形成される。この過程では、液相で付
着されたフィルムはまず乾燥される。この条件で、型枠
の押圧によって成形される。成形条件には、フィルム
は、例えばＵＶ光または熱の作用によって加工されねば
ならない。ＵＶの作用は、透明な型枠を使用すること
に、後者に適用できる。
【００７３】有機材料の中間層は浸す方法または遠心法
によって付着される。中間層が液相で形成されたとき、
液体の表面張力は格子構造と同様に基板表面の粗さのよ
り顕著なレベルに導く。一般に、柱状構造を避けた緻密
な層を生み出すあらゆる方法、例えば、プラズマ強化Ｃ
ＶＤ処理法、特にマイクロ波プラズマパルスＣＶＤ処理
法、中でもイオンスパッタ処理法、は中間層を作るのに
適している。ＰＣＶＤ方法は、この場合に中間層と導波
体層が一つの真空処理法で付着されるので、ＳｉＯ2 の
中間層を作るのに好ましい。
によって付着される。中間層が液相で形成されたとき、
液体の表面張力は格子構造と同様に基板表面の粗さのよ
り顕著なレベルに導く。一般に、柱状構造を避けた緻密
な層を生み出すあらゆる方法、例えば、プラズマ強化Ｃ
ＶＤ処理法、特にマイクロ波プラズマパルスＣＶＤ処理
法、中でもイオンスパッタ処理法、は中間層を作るのに
適している。ＰＣＶＤ方法は、この場合に中間層と導波
体層が一つの真空処理法で付着されるので、ＳｉＯ2 の
中間層を作るのに好ましい。
【００７４】導波体層とちょうど同じように、保護層と
接着促進層がＰＣＶＤ、特にＰＩＣＶＤ処理法、によっ
て同様に好ましく形成される。ガス交換システムを備え
たＰＣＶＤ装置のバッチ処理と同様に連続フィルム作成
処理法によってこの発明による導波体が製造される。そ
こでは、一連に、中間層、接着促進層そして保護層そし
て導波体層が格子構造を与えられた基板に付着される。
処理法の有利な変形では、格子の深さは中間層の層の厚
さで決められる。格子構造の回折効率または結合切断効
率を測定することによって行われる。回折効率の測定は
格子構造を備えた基板上への被覆段階に先だってここで
は遂行される；結合切断効率の測定は導波体層が付着さ
れる被覆過程の間かまたは後で生ずる。このことはまた
被覆段階での処理の経過を監視することをそして被覆処
理の間に変化する条件に付着を成し遂げることを簡単な
仕方で可能にしている。例えば、ロール浮き出し段階の
浮き出しシムの使い減らしは、格子の変更された構造深
さにつながるが、早期に認識されそして処理を妨害する
ことなく、中間層の厚さを変更することによってある程
度まで補償することができる。
接着促進層がＰＣＶＤ、特にＰＩＣＶＤ処理法、によっ
て同様に好ましく形成される。ガス交換システムを備え
たＰＣＶＤ装置のバッチ処理と同様に連続フィルム作成
処理法によってこの発明による導波体が製造される。そ
こでは、一連に、中間層、接着促進層そして保護層そし
て導波体層が格子構造を与えられた基板に付着される。
処理法の有利な変形では、格子の深さは中間層の層の厚
さで決められる。格子構造の回折効率または結合切断効
率を測定することによって行われる。回折効率の測定は
格子構造を備えた基板上への被覆段階に先だってここで
は遂行される；結合切断効率の測定は導波体層が付着さ
れる被覆過程の間かまたは後で生ずる。このことはまた
被覆段階での処理の経過を監視することをそして被覆処
理の間に変化する条件に付着を成し遂げることを簡単な
仕方で可能にしている。例えば、ロール浮き出し段階の
浮き出しシムの使い減らしは、格子の変更された構造深
さにつながるが、早期に認識されそして処理を妨害する
ことなく、中間層の厚さを変更することによってある程
度まで補償することができる。
【００７５】基板材料によって、導波体層に対しての出
発の基板のプラズマからのラヂカル、即ちＣ１原子の衝
突に対して保護層によって後者を保護することは有利で
ある。数ｍｍの層の厚さはこの目的には充分である。
発の基板のプラズマからのラヂカル、即ちＣ１原子の衝
突に対して保護層によって後者を保護することは有利で
ある。数ｍｍの層の厚さはこの目的には充分である。
【００７６】発明は実施例を参照して下記により詳細に
記述されている。Ｏｔｔｏ Ｊ．ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏ
ｃｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＰＩＥ ｖｏｌ．１３２３（１
９９０）：３９に開示されているマイクロ波ＰＩＣＶＤ
装置で成し遂げられる。装置はガス噴霧器を備えた平行
プレート反応器である。反応ガスはガス噴霧器を経て反
応室へ導かれる。基板はマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）
に対して透過性の誘電体ベースプレート上に晒される。
処理法の消費ガスはポンプによって放射状に排出され
る。
記述されている。Ｏｔｔｏ Ｊ．ｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏ
ｃｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＰＩＥ ｖｏｌ．１３２３（１
９９０）：３９に開示されているマイクロ波ＰＩＣＶＤ
装置で成し遂げられる。装置はガス噴霧器を備えた平行
プレート反応器である。反応ガスはガス噴霧器を経て反
応室へ導かれる。基板はマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）
に対して透過性の誘電体ベースプレート上に晒される。
処理法の消費ガスはポンプによって放射状に排出され
る。
【００７７】
【実施例１】 １．ポリカーボネート上にＴｉＯ2 からの単一モード導
波体の製作、その表面は部分的領域で浮き出しによって
構造化されまたはスムースにされている。このように浮
き出された構造は３６４ｎｍの線間隔と１０ｎｍの変調
深さとを備えた格子である。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 時間 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍ１／分 パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：４０ｎｍ／ｍｉｎ 層厚さ ：１４０ｎｍ 基板 ：ポリカーボネート 厚さ１．５ｍｍ 直径１００ｍｍ 基板温度 ：６０℃ 被覆操作は一度は保護層を付着してそして一度は保護層
の付着なしでそしてまたは技術の状態によっては接着促
進法を使用して遂行される。両方の場合に、ＴＥＯ波の
損失は２．５ｄＢ／ｃｍである。
波体の製作、その表面は部分的領域で浮き出しによって
構造化されまたはスムースにされている。このように浮
き出された構造は３６４ｎｍの線間隔と１０ｎｍの変調
深さとを備えた格子である。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 時間 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍ１／分 パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：４０ｎｍ／ｍｉｎ 層厚さ ：１４０ｎｍ 基板 ：ポリカーボネート 厚さ１．５ｍｍ 直径１００ｍｍ 基板温度 ：６０℃ 被覆操作は一度は保護層を付着してそして一度は保護層
の付着なしでそしてまたは技術の状態によっては接着促
進法を使用して遂行される。両方の場合に、ＴＥＯ波の
損失は２．５ｄＢ／ｃｍである。
【００７８】
【実施例２】 ２．ガラスプレート（ＡＦ４５，ｄ＝０．５５ｍｍ，Ｄ
ＥＳＡＧ，Ｇｒｕｅｎｅｎｐｌａｎ，ＦＲＧ）上のＴｉ
Ｏ2 からの単一モード導波体の製造はほぼ１μｍの厚さ
の熱可塑性プラスチックのポリイミドフィルムで被覆さ
れる。（“Ｍａｔｒｉｍｉｄ”５２１８，Ｃｉｂａ−Ｇ
ｅｉｇｙ，Ｂａｓｅｌ Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ）。被
覆段階での基板温度は９０℃であった。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 間隔 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 １：ＳｉＯ2 の保護層 （層厚さ：１３ｎｍ） 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＨＭＤＳ ：１０ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９０ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｉｎ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ （Ｃ）被覆 ２：ＴｉＯ2 の導波体 （層厚さ：１４０ｎｍ） 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：５ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９５ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：４７ｎｍ／ｍｉｎ ＴＥＯ波に対する損失：２．５ｄＢ／ｃｍ
ＥＳＡＧ，Ｇｒｕｅｎｅｎｐｌａｎ，ＦＲＧ）上のＴｉ
Ｏ2 からの単一モード導波体の製造はほぼ１μｍの厚さ
の熱可塑性プラスチックのポリイミドフィルムで被覆さ
れる。（“Ｍａｔｒｉｍｉｄ”５２１８，Ｃｉｂａ−Ｇ
ｅｉｇｙ，Ｂａｓｅｌ Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ）。被
覆段階での基板温度は９０℃であった。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 間隔 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 １：ＳｉＯ2 の保護層 （層厚さ：１３ｎｍ） 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＨＭＤＳ ：１０ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９０ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｉｎ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ （Ｃ）被覆 ２：ＴｉＯ2 の導波体 （層厚さ：１４０ｎｍ） 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：５ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９５ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：４７ｎｍ／ｍｉｎ ＴＥＯ波に対する損失：２．５ｄＢ／ｃｍ
【００７９】
【実施例３】 ３．ＵＶ−補修し得るＯＲＭＯＣＥＲで被覆されたガラ
スプレート（ＡＦ４５、ｄ＝０．５５ｍｍ、ＤＥＳＡ
Ｇ、Ｇｒｕｅｎｅｎｐｌａｎ、ＦＲＧ）上のＴｉＯ2 か
らの単一モード導波体の製作。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 間隔 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：４ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ 層厚さ ：１４０ｎｍ 基板 ：ＯＲＭＯＣＥＲ層、厚さ２μｍ、ガ
ラス上 基板温度 ：１２０℃ ＴＥＯ波に対する損失：５ｄＢ／ｃｍ
スプレート（ＡＦ４５、ｄ＝０．５５ｍｍ、ＤＥＳＡ
Ｇ、Ｇｒｕｅｎｅｎｐｌａｎ、ＦＲＧ）上のＴｉＯ2 か
らの単一モード導波体の製作。 処理パラメータ （ａ）プラズマ前処理 ガス ：Ｏ2 またはＮ2 またはＡｒ 間隔 ：５−３００ｓ 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ （ｂ）被覆 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＴｉＣｌ4 ：４ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：１００ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：１ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ 層厚さ ：１４０ｎｍ 基板 ：ＯＲＭＯＣＥＲ層、厚さ２μｍ、ガ
ラス上 基板温度 ：１２０℃ ＴＥＯ波に対する損失：５ｄＢ／ｃｍ
【００８０】
【実施例４】 ４．５０ｎｍの厚さのＳｉＯ2 の中間層を備えた実施例
Ｉにおけるようにポリカーボネート基板上のＴｉＯ2 か
らの単一モード導波体の製作 処理パラメータ、中間層： 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＨＭＤＳ ：１０ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９０ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ （プラズマ前処理、導波体層の付着、実施例Ｉに類似し
た格子構造） 中間層の付加的な付着のため、０．５ｍｍの構造領域
（中間層なし）の伝導ＴＭＤモードの伝搬通路は５ｍｍ
にまで増大した。
Ｉにおけるようにポリカーボネート基板上のＴｉＯ2 か
らの単一モード導波体の製作 処理パラメータ、中間層： 圧力 ：０．８ｍｂａｒ 流量ＨＭＤＳ ：１０ｍｌ／ｍｉｎ 流量Ｏ2 ：９０ｍｌ／ｍｉｎ パルス幅 ：０．８ｍｓ パルス間隔 ：９０ｍｓ 被覆速度 ：１５０ｎｍ／ｍｉｎ （プラズマ前処理、導波体層の付着、実施例Ｉに類似し
た格子構造） 中間層の付加的な付着のため、０．５ｍｍの構造領域
（中間層なし）の伝導ＴＭＤモードの伝搬通路は５ｍｍ
にまで増大した。
【００８１】上記の実施例から生ずるすべての被覆は亀
裂（クラック）がなく、（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０８−Ｃ
による）接着力を示し、そして２５℃の水の中と同様
に、４５℃と１００％相対的湿度での数日の貯蔵に耐え
る。被覆されたポリカーボネートフィルムは同様に室温
と９６℃との間のダメージ無しで３０回の温度サイクル
に耐える。その間、被覆された側は蒸溜水に連続的に接
触している。
裂（クラック）がなく、（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０８−Ｃ
による）接着力を示し、そして２５℃の水の中と同様
に、４５℃と１００％相対的湿度での数日の貯蔵に耐え
る。被覆されたポリカーボネートフィルムは同様に室温
と９６℃との間のダメージ無しで３０回の温度サイクル
に耐える。その間、被覆された側は蒸溜水に連続的に接
触している。
【図１】平坦な光導波体の断面を示している。
【図２】バッキングプレート上にポリイミドまたはＯＲ
ＭＯＣＥＲ層を備えた平坦な光導波体の断面を示してい
る。
ＭＯＣＥＲ層を備えた平坦な光導波体の断面を示してい
る。
【図３】中間層を備えた平坦な光導波体の断面を示して
いる。
いる。
【図４】カバー層を備えた平坦な導波体の断面を示して
いる。
いる。
【図５】発明の別の実施例による平坦な光導波体の断面
を示している。図１において、合成樹脂基板１を示す平
坦な光導波体の断面が図示されている。導波体層の付着
に先行して、格子２が二つに分かれた部分の基板表面に
スタンプされている。図２は平坦な光導波体の別の実施
例を示している。付加的なバッキングプレート４上に、
ＯＲＭＯＣＥＲ層１が基板として付着され、そして二つ
の格子２は同様にそこで浮き出されている。導波体層３
はＯＲＭＯＣＥＲ層１に付着している。中間層６を備え
た実施例が図３に示されている。中間層は光回折格子の
スムース化にそしてしかも構造深さの減少につながって
いる。図４において、平坦な光導波体５は付加的にカバ
ー層を備えた導波体層３上に被覆される。図５は保護と
接着の層７が有機材料からなる中間層と非有機導波体層
３との間に配置されているということを示している。
を示している。図１において、合成樹脂基板１を示す平
坦な光導波体の断面が図示されている。導波体層の付着
に先行して、格子２が二つに分かれた部分の基板表面に
スタンプされている。図２は平坦な光導波体の別の実施
例を示している。付加的なバッキングプレート４上に、
ＯＲＭＯＣＥＲ層１が基板として付着され、そして二つ
の格子２は同様にそこで浮き出されている。導波体層３
はＯＲＭＯＣＥＲ層１に付着している。中間層６を備え
た実施例が図３に示されている。中間層は光回折格子の
スムース化にそしてしかも構造深さの減少につながって
いる。図４において、平坦な光導波体５は付加的にカバ
ー層を備えた導波体層３上に被覆される。図５は保護と
接着の層７が有機材料からなる中間層と非有機導波体層
３との間に配置されているということを示している。
１…基板、２…光回折格子、３…導波体層、４…バッキ
ングフィルム、５…平坦な光導波体、６…中間層、７…
保護層、８…カバー層。
ングフィルム、５…平坦な光導波体、６…中間層、７…
保護層、８…カバー層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルティン ヘミング ドイツ連邦共和国、6501 ソウルハイム フセルヴェーグ２ (72)発明者 ローランド ホッフハオス ドイツ連邦共和国、6500 マインツ 21、 キルヒガッセ 37 (72)発明者 ラルフ ケルステン ドイツ連邦共和国、6239 ブレムタル、ア ム ケーニヒスバーグ 42 (72)発明者 ディーター クラウス ドイツ連邦共和国、6500 マインツ 21、 オーシデーンヴェーク ４ (72)発明者 ユルゲン オットー ドイツ連邦共和国、6500 マインツ ドレ ーザ シュトラーセ 110 (72)発明者 フォルカー パケット ドイツ連邦共和国、6500 マインツ 21、 セルトリウスリング 187 (72)発明者 ヨハネス ゼグナー ドイツ連邦共和国、6534 シュトロムバー グ、アルテ シュタイゲ ７ (72)発明者 クリストフ ファティンガー スイス国、シーエッチー4249 ブラオエ ン、エムメンガッセ ７
Claims (61)
- 【請求項１】 基板（１）が合成樹脂または有機物割合
の高い材料からなることで特徴づけられる、実質的に平
坦な基板と基板に付着された非有機導波体層とを備えた
光導波体。 - 【請求項２】 合成樹脂がプラスチックまたは熱可塑性
プラスチック成形によって構成されるということで特徴
づけられる、請求項１による導波体。 - 【請求項３】 合成樹脂が光化学的手段によって構成さ
れることで特徴づけられる、請求項１による導波体。 - 【請求項４】 合成樹脂の光屈折率が光化学的に変えら
れることで特徴づけられる、請求項１による導波体。 - 【請求項５】 合成樹脂がポリカーボネート、ＰＭＭ
Ａ、ポリイミド、またはポリエステルであるということ
で特徴づけられる、請求項１−４の少なくとも一つによ
る導波体。 - 【請求項６】 基板（１）が合成樹脂フィルムであるこ
とで特徴づけられる、請求項１−５の少なくとも一つに
よる導波体。 - 【請求項７】 有機物割合の高い材料がＯＲＭＯＣＥＲ
からなることで特徴づけられる、請求項１による導波
体。 - 【請求項８】 基板（１）が非有機または有機材料のバ
ッキングプレートまたはバッキングフィルムに付着され
ることで特徴づけられる、請求項１−７の少なくとも一
つによる導波体。 - 【請求項９】 バッキングプレートまたはフィルムのな
い基板（１）の厚さは２０μｍと２ｍｍの間であり、好
ましくは５００μｍ以下であり、そしてバッキングプレ
ートまたはフィルムを付着した基板（１）の厚さは０．
１と５０μｍの間であり、好ましくは０．５と２０μｍ
の間であることで特徴づけられる、請求項１−８の少な
くとも一つによる導波体。 - 【請求項１０】 非有機導波体層（３）がＴｉＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 との混合物、ＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 またはＺｒＯ2 からな
ることで特徴づけられる、請求項１−９の少なくとも一
つによる導波体。 - 【請求項１１】 ＜１０ｄＢ／ｃｍの減衰を呈すること
で特徴づけられる、請求項１−１０の少なくとも一つに
よる導波体。 - 【請求項１２】 ＜５ｄＢ／ｃｍ、特に＜３ｄＢ／ｃｍ
の減衰を呈することで特徴づけられる、請求項１１によ
る導波体。 - 【請求項１３】 少なくとも一つの光回折格子（２）が
基板表面上にまたは基板（１）と導波体（３）との間に
与えられていることで特徴づけられる、請求項１−１２
の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項１４】 光回折格子（２）は微細浮き彫り格子
であることで特徴づけられる、請求項１３による導波
体。 - 【請求項１５】 光回折格子（２）は基板表面に浮き出
されていることで特徴づけられている、請求項１４によ
る導波体。 - 【請求項１６】 光回折格子（２）は屈折率格子である
ということで特徴づけられる、請求項１３による導波
体。 - 【請求項１７】 光回折格子（２）は光化学的処理によ
って製作されることで特徴づけられる、請求項１４また
は１６による導波体。 - 【請求項１８】 光回折格子（２）は多回析、特に２回
折格子であることで特徴づけられる、請求項１３−１７
の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項１９】 光回折格子（２）が固体表面に形成さ
れることで特徴づけられる、請求項１３−１８の少なく
とも一つによる導波体。 - 【請求項２０】 光回折格子（２）が５００から５００
０ １／ｍｍの綿密度とそして１から５０ｎｍの、好ま
しくは２から１０ｎｍの構造深さとを呈することで特徴
づけられる、請求項１３−１９の少なくとも一つによる
導波体。 - 【請求項２１】 少なくとも一つの中間層（６）が基板
（１）と導波体層（３）との間に与えられることで特徴
づけられる、請求項１−２０の少なくとも一つによる導
波体。 - 【請求項２２】 中間層の材料の屈折率が基板材料の屈
折率よりも小さいかまたは等しいことで特徴づけられ
る、請求項２１による導波体。 - 【請求項２３】 中間層（６）は＜３ｎｍ、好ましくは
＜１．５ｎｍの表面粗さを呈することで特徴づけられ
る、請求項２１または２２による導波体。 - 【請求項２４】 格子構造（２）の変調深さが中間層
（６）によって減じられることで特徴づけられる、請求
項２１−２３の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項２５】 光回折格子（２）の望ましい程度の回
折効率が整えられるように中間層（６）の厚さが決めら
れることで特徴づけられる、請求項２４による導波体。 - 【請求項２６】 中間層（６）の厚さが浮き出しによっ
て得られた格子構造（２）の深さの少なくとも０．１倍
そして大きくても５０倍であることで特徴づけられる、
請求項２５による導波体。 - 【請求項２７】 中間層（６）がＳｉＯ2 から成ること
で特徴づけられる、請求項２１−２６の少なくとも一つ
による導波体。 - 【請求項２８】 中間層が有機材料または有機物割合の
高い材料から成ることで特徴づけられる、請求項２１−
２６の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項２９】 接着促進層が有機層と非有機層との間
に与えられることで特徴づけられる、請求項１−２８の
少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項３０】 接着促進層がＳｉＯX ＣY ＨZ から成
ることで特徴づけられる、請求項２９による導波体。 - 【請求項３１】 導波体（３）に対し出発材料のプラズ
マからのエネルギー粒子の衝突に対して有機バッキング
を保護する保護層（７）が導波体層（３）と有機バッキ
ングとの間に与えられることで特徴づけられる、請求項
１−３０の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項３２】 保護層（７）がＳｉＯ2 から成ること
で特徴づけられる、請求項３１による導波体。 - 【請求項３３】 中間層（６）が同時に接着促進と保護
の層（７）であることで特徴づけられる、請求項２１−
３２の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項３４】 導波体の表面が非有機材料または有機
材料のカバー層（８）によってカバーされることで特徴
づけられる、請求項１−３３の少なくとも一つによる導
波体。 - 【請求項３５】 カバー層（８）ＳｉＯ2 から成ること
で特徴づけられる、請求項３４による導波体。 - 【請求項３６】 ＳｉＯ2 が多孔性であることで特徴づ
けられる、請求項３５による導波体。 - 【請求項３７】 カバー層（８）が合成樹脂、特にポリ
エステルから成ることで特徴づけられる、請求項３４に
よる導波体。 - 【請求項３８】 基板表面の光導波体構造が平坦な光導
波体として製作されることで特徴づけられる、請求項１
−３７の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項３９】 基板表面の光導波体構造が光帯状導波
体として製作されることで特徴づけられる、請求項１−
３７の少なくとも一つによる導波体。 - 【請求項４０】 基板表面の、または基板（１）と導波
体層（３）との間の少なくとも一つの層の、または導波
体層（３）の、またはカバー層（８）の、屈折率の変調
または微細な浮き彫り構造によるトラックに沿って導波
が限定されることで特徴づけられる、請求項３９による
導波体。 - 【請求項４１】 単一モード導波体であることで特徴づ
けられる、請求項１−４０の少なくとも一つによる導波
体。 - 【請求項４２】 合成樹脂基板または有機物割合の高い
物質が基板として使用され；そして合成樹脂基板はＴ＜
Ｔｇの温度に加熱されそして有機物割合の高い基板はＴ
＜３００℃の温度に加熱され；そして非有機導波体層が
ＰＣＶＤ処理法によって基板に付着されることで特徴づ
けられる、非有機導波体層が実質的に平坦な基板に付着
される光導波体の製作のための処理法。 - 【請求項４３】 導波体の付着に先行して少なくとも一
つの光回折格子を備えた基板を与えることで特徴づけら
れる、請求項４２による処理法。 - 【請求項４４】 光回折格子が基板表面への形成処理法
によって浮き出されることで特徴づけられる、請求項４
３による処理法。 - 【請求項４５】 熱可塑性プラスチック材料が基板とし
て使用されそして光回折格子がホットスタンピングによ
って供給されることで特徴づけられる、請求項４４によ
る処理法。 - 【請求項４６】 合成樹脂フィルムが基板として使用さ
れそして光回折格子が連続ロール浮き出し処理法によっ
て合成樹脂フィルムの表面に製作されることで特徴づけ
られる、請求項４５による処理法。 - 【請求項４７】 光化学的処理法によって光回折格子を
製作することで特徴づけられる、請求項４３による処理
法。 - 【請求項４８】 基板表面をスムースにするためにまた
は光回折格子の回折効率の程度を調節するために導波体
層の付着に先行して少なくとも一つの中間層が基板表面
に付着されることで特徴づけられる、請求項４２−４７
の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項４９】 中間層がディッピングまたは遠心処理
法によって付着されることで特徴づけられる、請求項４
８による処理法。 - 【請求項５０】 中間層がＰＣＶＤ処理法、特にＰＩＣ
ＶＤ処理法によって付着されることで特徴づけられる、
請求項４８による処理法。 - 【請求項５１】 被覆段階の前または後で、中間層の厚
さの調節のために、格子構造の回折効率または結合切断
効率を測定することで特徴づけられる、請求項４８−５
０の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５２】 化学的に両立し難い層間に接着促進層
を配置することで特徴づけられる、請求項４２−５１の
少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５３】 非有機導波体層の付着に先行して、保
護層が有機的バッキングに付着され、この保護層は有機
バッキングを導波体層の出発材料のプラズマからのエネ
ルギー粒子の衝突に対し保護することで特徴づけられ
る、請求項４２−５２の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５４】 プラズマがマイクロ波によって励起さ
れることで特徴づけられる、請求項４２−５３の少なく
とも一つによる処理法。 - 【請求項５５】 ＰＩＣＶＤ処理法によって非有機導波
体層を製作することで特徴づけられる、請求項４２−５
４の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５６】 基板は導波体層の付着に先行して＞６
０℃の温度に加熱されることで特徴づけられる、請求項
４２−５５の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５７】 帯状導波体の帯状形状微細構造を製作
するための微細浮き彫り格子はプラスチックまたは熱可
塑性プラスチック成形によってまたは光化学的処理法に
よって形成されることで特徴づけられる、請求項４２−
５６の少なくとも一つによる処理法。 - 【請求項５８】 帯状導波体の帯状形微細構造を製作す
るための屈折率変調が光化学的処理法によって得られる
ことで特徴づけられる、請求項４２−５６の少なくとも
一つによる処理法。 - 【請求項５９】 表面センサー、特にバイオセンサーの
ための光変換器として請求項１−５８の少なくとも一つ
による導波体の使用。 - 【請求項６０】 光学的測定デバイスの成分として請求
項１−５８の少なくとも一つによる導波体の使用。 - 【請求項６１】 光ネットワークの成分として請求項１
−５８の一つによる導波体の使用。
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|---|---|---|---|
| JP4273410A Expired - Fee Related JP2903033B2 (ja) | 1991-09-18 | 1992-09-18 | 実質的に平坦な基板を備えた光導波体の製作のための処理法 |
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|---|---|
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| ES (1) | ES2136068T3 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002139638A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
| US6462356B1 (en) | 1999-10-25 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
| US6512250B1 (en) | 1999-06-10 | 2003-01-28 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6704335B1 (en) | 1998-12-17 | 2004-03-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6727646B1 (en) | 1999-03-23 | 2004-04-27 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6731856B1 (en) | 1998-11-27 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic waveguide and manufacturing method thereof and optical part using the same |
| US6737802B2 (en) | 2000-08-11 | 2004-05-18 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6795463B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-09-21 | Seiko Epson Corporation | Light -emitting device |
| JP2005508728A (ja) * | 2001-03-29 | 2005-04-07 | カール − ツァイス − シュティフツング | コーティングされたプラスチック物体の製造方法 |
| JP2012511106A (ja) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシー | 改善されたバリア層の性質を有する薄膜の高速成膜 |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59410197D1 (de) * | 1993-03-26 | 2002-11-21 | Hoffmann La Roche | Optisches Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Substanzen an Sensoroberflächen |
| CH688165A5 (de) | 1993-07-26 | 1997-05-30 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleiters und darnach hergestellter optischer Wellenleiter |
| ATE220941T1 (de) * | 1993-11-16 | 2002-08-15 | Voith Fabrics Heidenheim Gmbh | Phasentrennvorrichtung |
| HUT76406A (en) * | 1994-05-27 | 1997-08-28 | Ciba Geigy Ag | Process for detecting evanescently excited luminescence |
| CH693368A5 (de) * | 1994-12-09 | 2003-06-30 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters, Lichtleiterbauteil sowie deren Verwendungen. |
| DE4445427C2 (de) | 1994-12-20 | 1997-04-30 | Schott Glaswerke | Plasma-CVD-Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht |
| US5659640A (en) * | 1995-06-27 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Integrated waveguide having an internal optical grating |
| US5659648A (en) * | 1995-09-29 | 1997-08-19 | Motorola, Inc. | Polyimide optical waveguide having electrical conductivity |
| ATE273253T1 (de) * | 1996-02-28 | 2004-08-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Barriereschichten |
| JPH1010348A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Ngk Insulators Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
| US6083852A (en) | 1997-05-07 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Method for applying films using reduced deposition rates |
| DE19634795C2 (de) * | 1996-08-29 | 1999-11-04 | Schott Glas | Plasma-CVD-Anlage mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden und Plasma-CVD-Verfahren |
| AU5479998A (en) * | 1996-11-11 | 1998-06-03 | Novartis Ag | Use of biosensors to diagnose plant diseases |
| US6144795A (en) * | 1996-12-13 | 2000-11-07 | Corning Incorporated | Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device |
| US5991493A (en) * | 1996-12-13 | 1999-11-23 | Corning Incorporated | Optically transmissive bonding material |
| AU3474900A (en) | 1999-02-05 | 2000-08-25 | Corning Incorporated | Optical fiber component with shaped optical element and method of making same |
| US6771376B2 (en) | 1999-07-05 | 2004-08-03 | Novartis Ag | Sensor platform, apparatus incorporating the platform, and process using the platform |
| DE60030978T2 (de) | 1999-07-05 | 2007-06-14 | Novartis Ag | Verfahren zur anwendung einer sensoreinheit |
| US7167615B1 (en) | 1999-11-05 | 2007-01-23 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same |
| US6510263B1 (en) | 2000-01-27 | 2003-01-21 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Waveguide plate and process for its production and microtitre plate |
| US6961490B2 (en) * | 2000-01-27 | 2005-11-01 | Unaxis-Balzers Aktiengesellschaft | Waveguide plate and process for its production and microtitre plate |
| US7058245B2 (en) | 2000-04-04 | 2006-06-06 | Waveguide Solutions, Inc. | Integrated optical circuits |
| DE10029905A1 (de) * | 2000-06-17 | 2002-01-03 | Schott Auer Gmbh | Reflektor, insbesondere zur Anwendung bei einem Kraftfahrzeug |
| US6629763B2 (en) * | 2000-06-17 | 2003-10-07 | Schott Glas | Object which has optical layers |
| WO2002012865A1 (de) | 2000-08-09 | 2002-02-14 | Artificial Sensing Instruments Asi Ag | Wellenleitergitterstruktur und optische messanordnung |
| EP1310034A2 (de) | 2000-08-16 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Wickelanordnung mit einem wickelkörper und durch- oder eingeführtem lichtwellenleiter |
| DE60118474T2 (de) | 2000-08-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE10048243A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Bosch Gmbh Robert | Substrat mit geglätteter Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
| FR2815417B1 (fr) * | 2000-10-13 | 2003-10-31 | Shakticom | Filtre optique, son procede de fabrication et son utilisation pour un systeme multiplex |
| FR2816062B1 (fr) * | 2000-10-27 | 2003-10-31 | Shakticom | Filtre optique, son procede de fabrication par dopage ionique et son utilisation pour un systeme multiplex |
| AU2001295694A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-22 | Highwave Optical Technologies Marseille | Optical filters, method for making same and use thereof for a multiplex system |
| GB2369820B (en) * | 2000-12-08 | 2003-04-23 | Univ Southampton | Fabrication of substrates for planar waveguide devices and planar waveguide devices |
| US6875379B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-04-05 | Amkor Technology, Inc. | Tool and method for forming an integrated optical circuit |
| US6980710B2 (en) * | 2001-03-09 | 2005-12-27 | Waveguide Solutions Inc | Process for efficient light extraction from light emitting chips |
| GB0106050D0 (en) * | 2001-03-12 | 2001-05-02 | Suisse Electronique Microtech | Polarisers and mass-production method and apparatus for polarisers |
| US6792303B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-09-14 | Scimed Life Systems, Inc. | Apparatus for improved sensor accuracy |
| US20020191916A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Confluent Photonics, Corporation | Vertical waveguide tapers for optical coupling between optical fibers and thin silicon waveguides |
| WO2003020488A1 (de) | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Zeptosens Ag | Verfahren zur herstellung von abformkörpern, insbesondere optischen strukturen, und deren verwendung |
| DE10152002A1 (de) * | 2001-10-22 | 2003-05-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung mit mehrschichtigem Aufbau sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20030110808A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Applied Materials Inc., A Delaware Corporation | Method of manufacturing an optical core |
| US20030113085A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | HDP-CVD film for uppercladding application in optical waveguides |
| KR100418908B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 광도파로용 실리카막 제조방법 |
| US6728286B2 (en) | 2002-08-07 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Method of joining mirrors to ring laser gyro block assemblies |
| US6936194B2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-08-30 | Molecular Imprints, Inc. | Functional patterning material for imprint lithography processes |
| US6902871B2 (en) * | 2002-10-03 | 2005-06-07 | Lumera Corporation | Method for manufacturing polymer microstructures and polymer waveguides |
| US6905773B2 (en) * | 2002-10-22 | 2005-06-14 | Schlage Lock Company | Corrosion-resistant coatings and methods of manufacturing the same |
| US7080528B2 (en) * | 2002-10-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a phosphorus doped optical core using a PECVD process |
| US6937811B2 (en) * | 2002-11-19 | 2005-08-30 | Lumera Corporation | Polymer waveguide devices incorporating electro-optically active polymer clads |
| KR100895148B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2009-05-04 | 엘지전자 주식회사 | 고분자 광도파관 그레이팅 제조방법 |
| US20040112862A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Molecular Imprints, Inc. | Planarization composition and method of patterning a substrate using the same |
| US20040191639A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Danliang Jin | Micro-imprinting method and template for use in same |
| US7307118B2 (en) | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US20060108710A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US6985664B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-01-10 | Corning Incorporated | Substrate index modification for increasing the sensitivity of grating-coupled waveguides |
| JP4453335B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-04-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 光回路パターン及び高分子光導波路の製造方法 |
| US7122482B2 (en) | 2003-10-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography |
| US7241394B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-07-10 | Lumera Corporation | Process of fabricating polymer sustained microelectrodes |
| US7125949B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-10-24 | Lumera Corporation | Fluorinated sol-gel electro-optic materials, process for producing same, and devices therefrom |
| US6852563B1 (en) | 2004-01-21 | 2005-02-08 | Lumera Corporation | Process of fabricating electro-optic polymer devices with polymer sustained microelectrodes |
| US7250712B2 (en) * | 2004-01-21 | 2007-07-31 | Lumera Corporation | Polymer sustained microelectrodes |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7939131B2 (en) | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
| US20060062922A1 (en) | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
| US20060081557A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Molecular Imprints, Inc. | Low-k dielectric functional imprinting materials |
| US8557351B2 (en) * | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
| US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
| US8142703B2 (en) * | 2005-10-05 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method |
| US7218802B1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-15 | Corning Incorporated | Low drift planar waveguide grating sensor and method for manufacturing same |
| US7505651B2 (en) * | 2006-10-06 | 2009-03-17 | Motorola, Inc. | Optical planar wavelength selective filter and method of manufacture |
| DE102006054310A1 (de) * | 2006-11-17 | 2008-05-29 | Siemens Ag | Vermessen eines Hohlraums mittels zylindersymmetrischer Triangulation |
| JP5101345B2 (ja) | 2008-03-04 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 光導波路装置の製造方法 |
| EP2110694B1 (en) | 2008-04-18 | 2013-08-14 | Sony DADC Austria AG | Method for manufacturing an optical waveguide, optical waveguide, and sensor arrangement |
| DE102008046579A1 (de) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer optischen Wellenleiterschicht |
| US8442360B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-05-14 | Gigoptix, Inc. | Intrinsically low resistivity hybrid sol-gel polymer clads and electro-optic devices made therefrom |
| DE102010063704A1 (de) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Elgan-Diamantwerkzeuge Gmbh & Co. Kg | Bearbeitungsverfahren und Bearbeitungswerkzeug zum Bearbeiten einer gekrümmten Werkstückoberfläche |
| DE102012214440B3 (de) * | 2012-08-14 | 2013-10-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Planaroptisches Element, Sensorelement und Verfahren zu deren Herstellung |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| DE102016015587B4 (de) | 2016-12-31 | 2019-11-21 | Technische Universität Braunschweig | Substrat und dessen Herstellung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131031A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | ガラス転写体の製造方法 |
| JPH01169203U (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-29 | ||
| JPH0258284A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nec Corp | 回折格子の製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3674336A (en) * | 1970-08-28 | 1972-07-04 | Bell Telephone Labor Inc | Light wave coupling into thin film light guides with bragg type gratings |
| US3822928A (en) * | 1971-08-02 | 1974-07-09 | Bell Telephone Labor Inc | Thin film light guide |
| US4579750A (en) * | 1980-07-07 | 1986-04-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser heated CVD process |
| NL8302461A (nl) * | 1983-07-11 | 1985-02-01 | Philips Nv | Geodetisch optisch element. |
| NL8303905A (nl) * | 1983-11-15 | 1985-06-03 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een geodetische component en geintegreerde optische inrichting die deze component bevat. |
| US4749245A (en) * | 1985-03-11 | 1988-06-07 | Kuraray Co., Ltd. | Thin film waveguide device and manufacturing method for making same |
| CA1268618A (en) * | 1986-11-05 | 1990-05-08 | William P. Trumble | Method for making an optical waveguide element |
| JP2539406B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 固体光ピツクアツプ |
| US4827870A (en) * | 1987-10-05 | 1989-05-09 | Honeywell Inc. | Apparatus for applying multilayer optical interference coating on complex curved substrates |
| FR2646930B1 (fr) * | 1989-05-12 | 1993-04-09 | Essilor Int | Procede de realisation d'un element diffractif, utilisable notamment dans la fabrication de lentilles optiques artificielles, et lentilles ainsi obtenues |
| US5138687A (en) * | 1989-09-26 | 1992-08-11 | Omron Corporation | Rib optical waveguide and method of manufacturing the same |
| US4955977A (en) * | 1989-10-11 | 1990-09-11 | Eastman Kodak Company | Nonlinear optical article with improved buffer layer |
| FR2658307A1 (fr) * | 1990-02-13 | 1991-08-16 | Thomson Csf | Guide d'onde optique integre et procede de realisation. |
| DE4008405C1 (ja) | 1990-03-16 | 1991-07-11 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
| US5009920A (en) * | 1990-03-30 | 1991-04-23 | Honeywell Inc. | Method for applying optical interference coating |
| US5026135A (en) * | 1990-04-20 | 1991-06-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Moisture sealing of optical waveguide devices with doped silicon dioxide |
| DE59109246D1 (de) | 1990-05-03 | 2003-04-03 | Hoffmann La Roche | Mikrooptischer Sensor |
| DE4137606C1 (ja) * | 1991-11-15 | 1992-07-30 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De |
-
1992
- 1992-08-29 DE DE4228853A patent/DE4228853C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-12 EP EP94109950A patent/EP0622647B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1992-09-18 US US07/946,072 patent/US5369722A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-18 JP JP4273410A patent/JP2903033B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-07 US US08/418,895 patent/US5480687A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131031A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | ガラス転写体の製造方法 |
| JPH01169203U (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-29 | ||
| JPH0258284A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Nec Corp | 回折格子の製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731856B1 (en) | 1998-11-27 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic waveguide and manufacturing method thereof and optical part using the same |
| US6704335B1 (en) | 1998-12-17 | 2004-03-09 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6727646B1 (en) | 1999-03-23 | 2004-04-27 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6512250B1 (en) | 1999-06-10 | 2003-01-28 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| US6462356B1 (en) | 1999-10-25 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device |
| US6795463B2 (en) | 2000-03-01 | 2004-09-21 | Seiko Epson Corporation | Light -emitting device |
| US6737802B2 (en) | 2000-08-11 | 2004-05-18 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
| JP2002139638A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
| JP2005508728A (ja) * | 2001-03-29 | 2005-04-07 | カール − ツァイス − シュティフツング | コーティングされたプラスチック物体の製造方法 |
| JP2012511106A (ja) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシー | 改善されたバリア層の性質を有する薄膜の高速成膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4228853A1 (de) | 1993-03-25 |
| EP0622647A2 (de) | 1994-11-02 |
| EP0622647B1 (de) | 2006-11-08 |
| US5369722A (en) | 1994-11-29 |
| DE59209662D1 (de) | 1999-04-29 |
| US5480687A (en) | 1996-01-02 |
| EP0533074B1 (de) | 1999-03-24 |
| EP0533074A1 (de) | 1993-03-24 |
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| DE59210005D1 (de) | 2006-12-21 |
| ATE178144T1 (de) | 1999-04-15 |
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| JP2903033B2 (ja) | 1999-06-07 |
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| ES2136068T3 (es) | 1999-11-16 |
| CA2078612C (en) | 1999-08-24 |
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