JPH052720A - 磁気抵抗効果型再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘツドInfo
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- JPH052720A JPH052720A JP3156599A JP15659991A JPH052720A JP H052720 A JPH052720 A JP H052720A JP 3156599 A JP3156599 A JP 3156599A JP 15659991 A JP15659991 A JP 15659991A JP H052720 A JPH052720 A JP H052720A
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- magnetic shield
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- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる磁
気抵抗効果型再生ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子を２
つの磁性シールド体の中心位置に配置しても該磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界が確実に印加されるようにし
て、孤立再生波形のピークシフトの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】 ２つの磁性シールド体11, 15間に、磁気抵抗
効果素子13とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層31a, 3
1bとを配置したヘッド構成において、前記磁気抵抗効果
素子13は２つの磁性シールド体11, 15間の中心位置に配
置され、かつ２つの磁性シールド体11, 15の内の何れか
一方の磁性シールド体11の磁気抵抗効果素子13と対向す
る面に、その面上で記録媒体との対向面より所定寸法だ
け離間してその磁性シールド体11の幅方向にバイアス磁
界を印加する反強磁性膜32を設けた構成とする。
気抵抗効果型再生ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子を２
つの磁性シールド体の中心位置に配置しても該磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界が確実に印加されるようにし
て、孤立再生波形のピークシフトの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】 ２つの磁性シールド体11, 15間に、磁気抵抗
効果素子13とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層31a, 3
1bとを配置したヘッド構成において、前記磁気抵抗効果
素子13は２つの磁性シールド体11, 15間の中心位置に配
置され、かつ２つの磁性シールド体11, 15の内の何れか
一方の磁性シールド体11の磁気抵抗効果素子13と対向す
る面に、その面上で記録媒体との対向面より所定寸法だ
け離間してその磁性シールド体11の幅方向にバイアス磁
界を印加する反強磁性膜32を設けた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられるセルフ
バイアス方式の磁気抵抗効果型再生ヘッドに関するもの
である。磁気抵抗効果型再生ヘッドは再生出力が記録媒
体の移動速度に依存せず、一般的に用いられているイン
ダクティブ型の記録・再生用磁気ヘッドに比べて狭トラ
ック再生が可能で、しかも大きい再生出力が得られるこ
とから高密度記録化における再生専用ヘッドとして注目
され、より優れた再生特性を有する磁気抵抗効果型再生
ヘッドが要望されている。
は磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられるセルフ
バイアス方式の磁気抵抗効果型再生ヘッドに関するもの
である。磁気抵抗効果型再生ヘッドは再生出力が記録媒
体の移動速度に依存せず、一般的に用いられているイン
ダクティブ型の記録・再生用磁気ヘッドに比べて狭トラ
ック再生が可能で、しかも大きい再生出力が得られるこ
とから高密度記録化における再生専用ヘッドとして注目
され、より優れた再生特性を有する磁気抵抗効果型再生
ヘッドが要望されている。
【０００２】
【従来の技術】従来のセルフバイアス方式の磁気抵抗効
果型再生ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は、図４
の要部側断面図に示すように長さ方向の両端にCu, Al等
からなる非磁性な引出し端子14が接合された Ni-Fe膜か
らなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）13
の両側に、それぞれSiO2などからなる非磁性絶縁層12a,
12b を介して、例えば Ni-Znフェライト等からなる磁性
シールド体11と Ni-Feからなるシールド磁性体層15が配
設された構成からなっている。
果型再生ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）は、図４
の要部側断面図に示すように長さ方向の両端にCu, Al等
からなる非磁性な引出し端子14が接合された Ni-Fe膜か
らなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）13
の両側に、それぞれSiO2などからなる非磁性絶縁層12a,
12b を介して、例えば Ni-Znフェライト等からなる磁性
シールド体11と Ni-Feからなるシールド磁性体層15が配
設された構成からなっている。
【０００３】そしてかかるＭＲ素子13にその両引出し端
子14を通してセンス電流Isを供給することによって発生
する磁界により、前記磁性シールド体11及びシールド磁
性体層15が矢印で示すように磁化され、その磁化により
ＭＲ素子13にバイアス磁界が印加される。このＭＲ素子
13により検知された磁気記録媒体16からの情報の信号磁
界の変化に応じて生じる抵抗値の変化を、前記両引出し
端子14より電圧の変化として取り出すことによって再生
を行っている。
子14を通してセンス電流Isを供給することによって発生
する磁界により、前記磁性シールド体11及びシールド磁
性体層15が矢印で示すように磁化され、その磁化により
ＭＲ素子13にバイアス磁界が印加される。このＭＲ素子
13により検知された磁気記録媒体16からの情報の信号磁
界の変化に応じて生じる抵抗値の変化を、前記両引出し
端子14より電圧の変化として取り出すことによって再生
を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな従来の構成のＭＲヘッドでは、図４に示すように前
記磁性シールド体11とシールド磁性体層15間に配置した
ＭＲ素子13は、そのシールド間の中心よりも例えばシー
ルド磁性体層15側へずらした位置に配置することによっ
て該ＭＲ素子13に対してバイアス磁界を確実に印加する
ようにしているため、図５に示すように再生時の孤立再
生波形が左右非対称となり易く、そのような現象により
出力電圧の尖頭値の位置変化、即ち、ピークシフトが生
じて再生信号の識別の時間的マージンの低下、或いは情
報が正確に再生されなくなるといった問題があった。
うな従来の構成のＭＲヘッドでは、図４に示すように前
記磁性シールド体11とシールド磁性体層15間に配置した
ＭＲ素子13は、そのシールド間の中心よりも例えばシー
ルド磁性体層15側へずらした位置に配置することによっ
て該ＭＲ素子13に対してバイアス磁界を確実に印加する
ようにしているため、図５に示すように再生時の孤立再
生波形が左右非対称となり易く、そのような現象により
出力電圧の尖頭値の位置変化、即ち、ピークシフトが生
じて再生信号の識別の時間的マージンの低下、或いは情
報が正確に再生されなくなるといった問題があった。
【０００５】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、Ｍ
Ｒ素子に対してバイアス磁界が確実に印加でき、しかも
孤立再生波形のピークシフトの発生を防止することが可
能な新規なＭＲヘッドを提供することを目的とするもの
である。
Ｒ素子に対してバイアス磁界が確実に印加でき、しかも
孤立再生波形のピークシフトの発生を防止することが可
能な新規なＭＲヘッドを提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、２つの磁性シールド体間に、磁気抵抗効
果素子とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層とを配置し
たヘッド構成において、前記磁気抵抗効果素子は２つの
磁性シールド体間の中心位置に配置され、かつその２つ
の磁性シールド体の内の何れか一方の磁性シールド体の
磁気抵抗効果素子と対向する面に、その磁性シールド体
の幅方向にバイアス磁界を印加する手段を設けた構成と
する。
達成するため、２つの磁性シールド体間に、磁気抵抗効
果素子とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁層とを配置し
たヘッド構成において、前記磁気抵抗効果素子は２つの
磁性シールド体間の中心位置に配置され、かつその２つ
の磁性シールド体の内の何れか一方の磁性シールド体の
磁気抵抗効果素子と対向する面に、その磁性シールド体
の幅方向にバイアス磁界を印加する手段を設けた構成と
する。
【０００７】また、前記磁性シールド体の幅方向にバイ
アス磁界を印加する手段は反強磁性膜からなり、該反強
磁性膜は磁性シールド体の磁気抵抗効果素子と対向する
面上で記録媒体との対向面より所定寸法だけ離間して配
設された構成とする。
アス磁界を印加する手段は反強磁性膜からなり、該反強
磁性膜は磁性シールド体の磁気抵抗効果素子と対向する
面上で記録媒体との対向面より所定寸法だけ離間して配
設された構成とする。
【０００８】
【作用】図２に示すように Ni-Feからなる強磁性膜（上
記磁性シールド体に相当）21上に Mn-Feからなる反強磁
性膜22をそれらの磁化容易軸が整合するように付着させ
ると、該強磁性膜21の反強磁性膜（上記反強磁性膜に相
当) 22と接する界面での磁化の向きが矢印で示すように
該反強磁性膜22との磁気的な交換相互作用により磁化容
易軸方向にバイアス磁界が印加されてその方向に沿って
単一方向に向くようになり、しかもかかる強磁性膜21に
磁化容易軸方向と直交する方向にバイアス磁界を印加し
ても該強磁性膜21の反強磁性膜22と接する表面層では磁
化の向きが変化しない。
記磁性シールド体に相当）21上に Mn-Feからなる反強磁
性膜22をそれらの磁化容易軸が整合するように付着させ
ると、該強磁性膜21の反強磁性膜（上記反強磁性膜に相
当) 22と接する界面での磁化の向きが矢印で示すように
該反強磁性膜22との磁気的な交換相互作用により磁化容
易軸方向にバイアス磁界が印加されてその方向に沿って
単一方向に向くようになり、しかもかかる強磁性膜21に
磁化容易軸方向と直交する方向にバイアス磁界を印加し
ても該強磁性膜21の反強磁性膜22と接する表面層では磁
化の向きが変化しない。
【０００９】従って、２つの磁性シールド体間の中心位
置に配置した磁気抵抗効果素子にセンス電流を通電した
際に発生する磁界により該反強磁性膜及び反強磁性膜と
接する一方の磁性シールド体の表面層の磁化の方向が変
化することがなくなり、このことは前記磁気抵抗効果素
子を２つの磁性シールド体間の中心位置より一方の磁性
シールド体側へずらした位置に配置した場合と同様な構
成となり、しかも孤立再生波形は左右対称となってピー
クシフトの発生もなくなるので、再生特性が向上する。
置に配置した磁気抵抗効果素子にセンス電流を通電した
際に発生する磁界により該反強磁性膜及び反強磁性膜と
接する一方の磁性シールド体の表面層の磁化の方向が変
化することがなくなり、このことは前記磁気抵抗効果素
子を２つの磁性シールド体間の中心位置より一方の磁性
シールド体側へずらした位置に配置した場合と同様な構
成となり、しかも孤立再生波形は左右対称となってピー
クシフトの発生もなくなるので、再生特性が向上する。
【００１０】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る磁気抵抗効果型再生
ヘッドの一実施例を示す要部側断面図であり、図４と同
等部分には同一符号を付している。
細に説明する。図１は本発明に係る磁気抵抗効果型再生
ヘッドの一実施例を示す要部側断面図であり、図４と同
等部分には同一符号を付している。
【００１１】本実施例では図示のように、例えば Ni-Zn
フェライト等からなる磁性シールド体11と Ni-Feからな
るシールド磁性体層15との間の中心位置に、長さ方向の
両端にCu, Al等からなる非磁性な引出し端子14が接合さ
れた Ni-Fe膜からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
と略称する）13を配置し、その両側にそれぞれSiO2等か
らなる非磁性絶縁層12a, 12bが配置される。
フェライト等からなる磁性シールド体11と Ni-Feからな
るシールド磁性体層15との間の中心位置に、長さ方向の
両端にCu, Al等からなる非磁性な引出し端子14が接合さ
れた Ni-Fe膜からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子
と略称する）13を配置し、その両側にそれぞれSiO2等か
らなる非磁性絶縁層12a, 12bが配置される。
【００１２】更に磁性シールド体11の磁気抵抗効果素子
と対向する面上の媒体対向面より所定寸法だけ離間した
領域に、前記ＭＲ素子13の長さ方向に磁界を印加した状
態でスパッタリング法等により Mn-Feからなる反強磁性
膜32を被着して設ける。
と対向する面上の媒体対向面より所定寸法だけ離間した
領域に、前記ＭＲ素子13の長さ方向に磁界を印加した状
態でスパッタリング法等により Mn-Feからなる反強磁性
膜32を被着して設ける。
【００１３】該反強磁性膜32とその反強磁性膜32が被着
した磁性シールド体11面の領域の表面層33の磁化の方向
は図３の斜視図に矢印で示すように前記ＭＲ素子13の長
さ方向となる。
した磁性シールド体11面の領域の表面層33の磁化の方向
は図３の斜視図に矢印で示すように前記ＭＲ素子13の長
さ方向となる。
【００１４】このようなヘッド構成とすることにより、
前記ＭＲ素子13にその両端の引出し端子14を通してセン
ス電流Isを通電して磁界を発生させた際に、前記磁性シ
ールド体11の表面層33には反強磁性膜32との磁気的な交
換相互作用によりＭＲ素子13の長さ方向にバイアス磁界
が印加された状態となっているため、該表面層33の磁化
された方向がその表面層33以外の磁性シールド体11の磁
化の方向( 矢印で示すＭＲ素子13の高さ方向) に磁化さ
れることがない。
前記ＭＲ素子13にその両端の引出し端子14を通してセン
ス電流Isを通電して磁界を発生させた際に、前記磁性シ
ールド体11の表面層33には反強磁性膜32との磁気的な交
換相互作用によりＭＲ素子13の長さ方向にバイアス磁界
が印加された状態となっているため、該表面層33の磁化
された方向がその表面層33以外の磁性シールド体11の磁
化の方向( 矢印で示すＭＲ素子13の高さ方向) に磁化さ
れることがない。
【００１５】従って、前記ＭＲ素子13が磁性シールド体
11とシールド磁性体層15間の中心位置より該シールド磁
性体層15側へずらした位置に配置した従来と同様にＭＲ
素子13には良好なセルフバイアス磁界が印加される。
11とシールド磁性体層15間の中心位置より該シールド磁
性体層15側へずらした位置に配置した従来と同様にＭＲ
素子13には良好なセルフバイアス磁界が印加される。
【００１６】また、当該ＭＲヘッドにより磁気記録媒体
16に記録された情報を再生した際の孤立再生波形も左右
対称となってピークシフトの発生がなく、記録信号の正
確な再生が可能となる。
16に記録された情報を再生した際の孤立再生波形も左右
対称となってピークシフトの発生がなく、記録信号の正
確な再生が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドによれば、磁気抵抗効
果素子を２つの磁性シールド体間の中心位置に配置し、
かつ該２つの磁性シールド体の内の何れか一方の磁性シ
ールド体の磁気抵抗効果素子との対向面に反強磁性膜を
設けることによって、該磁気抵抗効果素子には容易にセ
ルフバイアス磁界が印加され、また再生時の孤立再生波
形が左右対称となってピークシフトの発生が解消される
ので、記録信号を正確に再生することが可能となり、再
生特性が向上する等、実用上優れた効果を奏する。
に係る磁気抵抗効果型再生ヘッドによれば、磁気抵抗効
果素子を２つの磁性シールド体間の中心位置に配置し、
かつ該２つの磁性シールド体の内の何れか一方の磁性シ
ールド体の磁気抵抗効果素子との対向面に反強磁性膜を
設けることによって、該磁気抵抗効果素子には容易にセ
ルフバイアス磁界が印加され、また再生時の孤立再生波
形が左右対称となってピークシフトの発生が解消される
ので、記録信号を正確に再生することが可能となり、再
生特性が向上する等、実用上優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実施
例を示す要部側断面図である。
例を示す要部側断面図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図３】 本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドの一実施
例を説明するための要部斜視図である。
例を説明するための要部斜視図である。
【図４】 従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドを説明する
ための要部側断面図である。
ための要部側断面図である。
【図５】 従来の磁気抵抗効果型再生ヘッドの再生時に
おける孤立再生波形を説明するための図である。
おける孤立再生波形を説明するための図である。
１１ 磁性シールド体
１３ ＭＲ素子
１４ 引出し端子
１５ シールド磁性体層
１６ 磁気記録媒体
２１ 強磁性膜
３１a,３１b 非磁性絶縁層
２２，３２ 反強磁性膜
３３ 表面層
Claims (2)
- 【請求項１】 ２つの磁性シールド体(11, 15)間に、磁
気抵抗効果素子(13)とそれの両側を絶縁する非磁性絶縁
層(31a, 31b)とを配置したヘッド構成において、前記磁
気抵抗効果素子(13)は２つの磁性シールド体(11, 15)間
の中心位置に配置され、かつ２つの磁性シールド体(11,
15)の内の何れか一方の磁性シールド体(11)の磁気抵抗
効果素子(13)と対向する面に、その磁性シールド体(11)
の幅方向にバイアス磁界を印加する手段を設けたことを
特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁性シールド体(11)の幅方向にバイ
アス磁界を印加する手段は反強磁性膜(32)からなり、該
反強磁性膜(32)は磁性シールド体(11)の磁気抵抗効果素
子(13)と対向する面上で記録媒体との対向面より所定寸
法だけ離間して配設されてなることを特徴とする請求項
１の磁気抵抗効果型再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156599A JPH052720A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156599A JPH052720A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052720A true JPH052720A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15631279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156599A Withdrawn JPH052720A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 磁気抵抗効果型再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7606007B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shield stabilization for magnetoresistive sensors |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3156599A patent/JPH052720A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7606007B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-10-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shield stabilization for magnetoresistive sensors |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |