JPH05267149A - レジスト送液装置 - Google Patents

レジスト送液装置

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Publication number
JPH05267149A
JPH05267149A JP6412392A JP6412392A JPH05267149A JP H05267149 A JPH05267149 A JP H05267149A JP 6412392 A JP6412392 A JP 6412392A JP 6412392 A JP6412392 A JP 6412392A JP H05267149 A JPH05267149 A JP H05267149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
container
liquid
feeder
nitrogen
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6412392A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadao Sakai
忠夫 酒井
Takayuki Sadakata
孝之 定方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH05267149A publication Critical patent/JPH05267149A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レジスト塗布装置等におけるレジスト送液装
置の構造に関し、脈動が発生せず、且つ溶存窒素を連続
的に脱気することが可能なレジスト送液装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 圧気導入口1aと送液口1bとを備えたレジスト
容器1と、レジスト容器1からユースポイントに至る送
液路2と、送液路2中に挿入する脱気手段3及びフィル
タ4等で構成する。レジスト容器1内への窒素圧気の導
入によりレジストを圧送する。脱気手段3はメンブレン
チューブ3aとこれを包囲する真空容器3bからなり、メン
ブレンチューブ3aを通過するレジストから溶存窒素を連
続的に脱気する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置等にお
いてレジストをレジスト容器からユースポイントに送液
するレジスト送液装置の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のレジスト送液装置は、通常、ポン
プにより送液するものであり、レジスト容器、ポンプ、
送液路からなっていた。ポンプとしては発塵が少ないと
されるベローズポンプ又はダイヤフラムポンプが使用さ
れていた。又、レジスト中のパーティクルや気泡を除去
するために送液路にはフィルタが設けられていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ベローズポ
ンプ又はダイヤフラムポンプによりレジストを送液する
と、脈動を生じる。レジスト塗布装置においてレジスト
の送液に脈動があると塗布膜厚の均一性を損なうことに
なり、塗布膜厚が不均一であると転写パターンの寸法精
度が低下する。又、フィルタが一旦捕捉したパーティク
ルや気泡(これらのサイズがフィルタのポアサイズ以下
のもの)が脈動のためにフィルタを通過することがあ
る。レジスト塗布膜にパーティクルや気泡が混入してい
ると転写パターンに欠陥を生じる。
【0004】レジストの送液をポンプによらず、窒素の
圧気をレジスト容器に導入して圧送することが出来る
が、その場合は脈動はないものの、窒素がレジストに溶
け込み、この溶存窒素が後に気泡になる、という問題が
ある。レジストがフィルタを通過した後に気泡になれ
ば、塗布膜に気泡が付着することになる。
【0005】本発明はこのような問題を解決して、脈動
が発生せず、且つ溶存窒素を脱気することが可能なレジ
スト送液装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、圧気導入口と送液口とを備えたレジスト容器と該
レジスト容器からユースポイントに至る送液路とを有
し、該送液路はメンブレンチューブと該メンブレンチュ
ーブを包囲する真空容器からなる脱気手段を備えてお
り、該レジスト容器内への圧気の導入によりレジストを
圧送し、送液中のレジストから該脱気手段が溶存ガスを
連続的に脱気するように構成したことを特徴とするレジ
スト送液装置とすることで、達成される。
【0007】
【作用】本発明のレジスト送液装置では、ポンプを持た
ないから可動部分からの発塵はなく、又、脈動も発生し
ない。レジスト容器に窒素の圧気を導入することにより
レジストを圧送する方式であるため、レジスト中に窒素
が溶け込むが、これは送液路で送液中、脱気手段を通過
する際に除去されるから、溶存窒素に起因する問題は生
じない。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図1を参照しながら説明す
る。図1は本発明の実施例の説明図であり、レジスト塗
布装置におけるレジスト送液装置の構成の概略を示して
いる。レジスト塗布装置は基板(半導体ウェーハ等)上
にフォトレジスト、電子線レジスト等を回転塗布する装
置である。同図において、1はレジスト容器、2は送液
路、3は脱気手段、4はフィルタである。
【0009】レジスト容器1はガラス瓶、キャニスタ缶
等であり、レジストが収容されており、栓(又は蓋)部
には圧気導入口1aと送液口1bとを有している。圧気導入
口1aは圧縮窒素の供給源(図示は省略)に連通してい
る。送液路2はレジスト容器1(送液口1b)からユース
ポイント(レジストを基板6上に滴下するノズル5)に
至る配管であり、途中に脱気手段3と、その下流側にフ
ィルタ4が、それぞれ挿入されている。
【0010】脱気手段3はメンブレンチューブ3aとこれ
を包囲する真空容器3b等からなり、真空容器3bは真空源
(図示は省略)に連通している。メンブレンチューブ3a
は気体透過性が大で且つ化学的に安定な弗素樹脂(PT
FE等)からなり、膜面積を増すために小口径チューブ
(例えば、内径0.5mm) 複数本を両端で束ねてある。フ
ィルタ4はメンブレンフィルタであり、レジスト中のパ
ーティクルや気泡を捕捉する。
【0011】このレジスト送液装置では、清浄な窒素の
圧気を圧気導入口1aからレジスト容器1内に導入し、レ
ジスト容器1内のレジストを送液路2を介してユースポ
イントに圧送する。レジスト容器1内に導入された窒素
の一部はレジスト内に溶け込むが、この溶存窒素はレジ
ストが脱気手段3のメンブレンチューブ3aを通過する際
にその管壁を透過して排気される。その結果、基板上に
塗布されたレジスト膜に気泡を生じることはなかった。
【0012】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
レジスト充填装置等、レジスト塗布装置以外におけるレ
ジスト送液装置に本発明を適用することが出来る。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジストは窒素の圧気により圧送され、しかも送液路に
は脱気手段が挿入されているから、脈動が発生せず、且
つ溶存窒素を脱気することが可能なレジスト送液装置を
提供することが出来、半導体装置製造等における歩留り
向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の説明図である。
【符号の説明】
1 レジスト容器 1a 圧気導入口 1b 送液口 2 送液路 3 脱気手段 3a メンブレンチューブ 3b 真空容器 4 フィルタ 5 ノズル 6 基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧気導入口(1a)と送液口(1b)とを備えた
    レジスト容器(1) と該レジスト容器(1) からユースポイ
    ントに至る送液路(2) とを有し、 該送液路(2) はメンブレンチューブ(3a)と該メンブレン
    チューブ(3a)を包囲する真空容器(3b)からなる脱気手段
    (3) を備えており、 該レジスト容器(1) 内への圧気の導入によりレジストを
    圧送し、送液中のレジストから該脱気手段(3) が溶存ガ
    スを連続的に脱気するように構成したことを特徴とする
    レジスト送液装置。
JP6412392A 1992-03-19 1992-03-19 レジスト送液装置 Withdrawn JPH05267149A (ja)

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JP (1) JPH05267149A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788742A (en) * 1995-12-11 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method and apparatus for degassing processing solution for substrates
JP2000269129A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Huabang Electronic Co Ltd フォトレジスト供給装置
JP2002062667A (ja) * 2000-08-23 2002-02-28 Sumitomo Chem Co Ltd 微粒子量の低減されたフォトレジスト組成物の製造方法
JP2014082513A (ja) * 2012-02-27 2014-05-08 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US9731226B2 (en) 2012-02-27 2017-08-15 Tokyo Electron Limited Solution treatment apparatus and solution treatment method

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US9731226B2 (en) 2012-02-27 2017-08-15 Tokyo Electron Limited Solution treatment apparatus and solution treatment method
US9878267B2 (en) 2012-02-27 2018-01-30 Tokyo Electron Limited Solution treatment apparatus and solution treatment method
US10022652B2 (en) 2012-02-27 2018-07-17 Tokyo Electron Limited Solution treatment apparatus and solution treatment method

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Effective date: 19990608