JPH0525253Y2 - - Google Patents
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- JPH0525253Y2 JPH0525253Y2 JP5940987U JP5940987U JPH0525253Y2 JP H0525253 Y2 JPH0525253 Y2 JP H0525253Y2 JP 5940987 U JP5940987 U JP 5940987U JP 5940987 U JP5940987 U JP 5940987U JP H0525253 Y2 JPH0525253 Y2 JP H0525253Y2
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は複数の光電変換素子を同一基板上で直
列接続してなる光起電力装置に関する。
列接続してなる光起電力装置に関する。
(ロ) 従来の技術
この種光起電力装置は、特開昭59−94885号公
報等により既に知られており、第３図及び第４図
はその平面図及び側面断面図を示している。１は
ガラス基板、２ａ〜２ｃは該ガラス基板の表面に
分割配置された透明導電酸化物TCOから成る第
１電極層、３ａ〜３ｃはこれら第１電極層上に積
層形成されたアモルフアス半導体から成る光活性
層であり、光活性層３ａ〜３ｂはその右隣りの隣
接間隔部ab，bcを経て第１電極層２ｂ，２ｃの
左端部にまで形成されている。４ａ〜４ｃは各光
活性層３ａ〜３ｃ上に積層形成された金属から成
る第２電極層であり、第２電極層４ａ，４ｂはそ
の右隣りの第１電極層２ｂ，２ｃと電気的に接続
されている。こうして形成された３つの光電変換
素子５ａ〜５ｃは直列接続されており、左端の光
電変換素子５ａの第１電極層２ａと右端の光電変
換素子５ｃの第２電極層４ｃとの間で直列の光電
変換出力が得られる。
報等により既に知られており、第３図及び第４図
はその平面図及び側面断面図を示している。１は
ガラス基板、２ａ〜２ｃは該ガラス基板の表面に
分割配置された透明導電酸化物TCOから成る第
１電極層、３ａ〜３ｃはこれら第１電極層上に積
層形成されたアモルフアス半導体から成る光活性
層であり、光活性層３ａ〜３ｂはその右隣りの隣
接間隔部ab，bcを経て第１電極層２ｂ，２ｃの
左端部にまで形成されている。４ａ〜４ｃは各光
活性層３ａ〜３ｃ上に積層形成された金属から成
る第２電極層であり、第２電極層４ａ，４ｂはそ
の右隣りの第１電極層２ｂ，２ｃと電気的に接続
されている。こうして形成された３つの光電変換
素子５ａ〜５ｃは直列接続されており、左端の光
電変換素子５ａの第１電極層２ａと右端の光電変
換素子５ｃの第２電極層４ｃとの間で直列の光電
変換出力が得られる。
斯る構成の光起電力装置を作成する際、第１電
極層２ａ〜２ｃは一旦基板１の略表面全面に形成
された後レーザビームの如きエネルギービームの
照射によつて夫々に分割される。斯るレーザパタ
ーニングによれば簡単なプロセスとなる。
極層２ａ〜２ｃは一旦基板１の略表面全面に形成
された後レーザビームの如きエネルギービームの
照射によつて夫々に分割される。斯るレーザパタ
ーニングによれば簡単なプロセスとなる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
ところで、レーザビームによるパターニングに
おいて、レーザビームの強度を充分なものとする
ために、そのビーム径を数10μmとする必要があ
る。この場合、各第１電極層２ａ〜２ｃの隣接間
隔部ab，bcの幅は当然数10μmとなる。
おいて、レーザビームの強度を充分なものとする
ために、そのビーム径を数10μmとする必要があ
る。この場合、各第１電極層２ａ〜２ｃの隣接間
隔部ab，bcの幅は当然数10μmとなる。
こうして分割配置された第１電極層２ａ〜２ｃ
上にアモルフアス半導体から成る光活性層３ａ〜
３ｃが積層形成されるが、光活性層３ａ，３ｂは
隣接間隔部ab，bcを越えて右隣りの第１電極層
２ｂ，２ｃまで至つている。
上にアモルフアス半導体から成る光活性層３ａ〜
３ｃが積層形成されるが、光活性層３ａ，３ｂは
隣接間隔部ab，bcを越えて右隣りの第１電極層
２ｂ，２ｃまで至つている。
従つて、フモルフアス半導体から成る光活性層
３ａ，３ｂは高抵抗であるものの、隣接間隔部
ab，bcの幅が数10μmであるため、光活性層３
ａ，３ｂは第１電極層２ａと２ｂ及び第１電極層
２ｂと２ｃを短絡する短絡抵抗成分となつてしま
い、光電変換出力に悪影響を及ぼす。
３ａ，３ｂは高抵抗であるものの、隣接間隔部
ab，bcの幅が数10μmであるため、光活性層３
ａ，３ｂは第１電極層２ａと２ｂ及び第１電極層
２ｂと２ｃを短絡する短絡抵抗成分となつてしま
い、光電変換出力に悪影響を及ぼす。
斯る欠点を解決するには、隣接間隔部ab，bc
の幅を大きくすればよいものの、この場合光起電
力装置全体の大きさが大きくなつてしまう。
の幅を大きくすればよいものの、この場合光起電
力装置全体の大きさが大きくなつてしまう。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は、上記問題点を解決すべくなされたも
のであつて、絶縁表面を有する基板と、該基板の
絶縁表面に並置された複数の第１電極層と、該第
１電極層の隣接間隔部及びこの隣接間隔部を挟ん
で対向する第１電極層の端部の少なくとも一方を
覆う絶縁層と、上記第１電極層の及びその一方の
隣りの絶縁層の上に形成された光活性層と、該光
活性層上から一方の隣りの第１電極層上まで延在
して形成された第２電極層とを備えたことを特徴
とする。
のであつて、絶縁表面を有する基板と、該基板の
絶縁表面に並置された複数の第１電極層と、該第
１電極層の隣接間隔部及びこの隣接間隔部を挟ん
で対向する第１電極層の端部の少なくとも一方を
覆う絶縁層と、上記第１電極層の及びその一方の
隣りの絶縁層の上に形成された光活性層と、該光
活性層上から一方の隣りの第１電極層上まで延在
して形成された第２電極層とを備えたことを特徴
とする。
(ホ) 作用
本考案によれば、基板の表面に形成された複数
の第１電極層の隣接間隔部に、この部分の第１電
極層の少なくとも一方の端部を覆う絶縁層を形成
することによつて、実質的に隣接間隔部の幅が大
きくなる。
の第１電極層の隣接間隔部に、この部分の第１電
極層の少なくとも一方の端部を覆う絶縁層を形成
することによつて、実質的に隣接間隔部の幅が大
きくなる。
(ヘ) 実施例
第１図は本考案の一実施例の要部を示す側面断
面図である。なお、第４図と同一部分には同一番
号を付して説明を省略する。６は本考案の特徴で
あり、基板１の表面に形成された第１電極層２
ａ，２ｂの隣接間隔部abに設けられ、第１電極
層２ａ，２ｂの端部を覆う幅100〜300μm程度の
絶縁層であり、斯る絶縁層はポリイミド、フツ素
系樹脂等の耐熱性樹脂、ガラスペースト、二酸化
シリコン、窒化シリコン等から成る。
面図である。なお、第４図と同一部分には同一番
号を付して説明を省略する。６は本考案の特徴で
あり、基板１の表面に形成された第１電極層２
ａ，２ｂの隣接間隔部abに設けられ、第１電極
層２ａ，２ｂの端部を覆う幅100〜300μm程度の
絶縁層であり、斯る絶縁層はポリイミド、フツ素
系樹脂等の耐熱性樹脂、ガラスペースト、二酸化
シリコン、窒化シリコン等から成る。
従つて、第１電極層２ａ及び２ｂの間の隣接間
隔部abは、実質的に絶縁層６の幅に拡大された
こととなり、絶縁層６上に跨つて第１電極層２ａ
上から第１電極層２ｂの端部にまで形成された光
活性層３ａは、第１電極層２ａと２ｂとを短絡す
る短絡抵抗とほとんどなり得ず、短絡電流の発生
が防止される。
隔部abは、実質的に絶縁層６の幅に拡大された
こととなり、絶縁層６上に跨つて第１電極層２ａ
上から第１電極層２ｂの端部にまで形成された光
活性層３ａは、第１電極層２ａと２ｂとを短絡す
る短絡抵抗とほとんどなり得ず、短絡電流の発生
が防止される。
第２図は本考案の一実施例（実線）と従来例
（破線）との−特性を示す特性図である。図
から明らかなように、本考案によれば−特性
が改善されている。
（破線）との−特性を示す特性図である。図
から明らかなように、本考案によれば−特性
が改善されている。
(ト) 考案の効果
本考案によれば、基板上に形成された複数の電
極層の隣接間隔部に、この部分の第１電極層の少
なくとも一方の端部を覆う絶縁膜を形成したの
で、実際の隣接間隔部を大きくすることなく、短
絡電流を防止し、出力特性を改善することができ
る。
極層の隣接間隔部に、この部分の第１電極層の少
なくとも一方の端部を覆う絶縁膜を形成したの
で、実際の隣接間隔部を大きくすることなく、短
絡電流を防止し、出力特性を改善することができ
る。
第１図は本考案の一実施例を示す要部断面図、
第２図は本考案と従来例との−特性を示す特
性図、第３図は従来例を示す平面図、第４図はそ
の−線断面図であり、１は基板、２ａ〜２ｃ
は第１電極層、３ａ〜３ｃは光活性層、６は絶縁
層である。
第２図は本考案と従来例との−特性を示す特
性図、第３図は従来例を示す平面図、第４図はそ
の−線断面図であり、１は基板、２ａ〜２ｃ
は第１電極層、３ａ〜３ｃは光活性層、６は絶縁
層である。
Claims (1)
- 絶縁表面を有する基板と、該基板の絶縁表面に
並置された複数の第１電極層と、該第１電極層の
隣接間隔部及びこの隣接間隔部を挟んで対向する
第１電極層の端部の少なくとも一方を覆う絶縁層
と、上記第１電極層及びその一方の隣りの絶縁層
の上に形成された光活性層と、該光活性層上から
一方の隣りの第１電極層上まで延在して形成され
た第２電極層とを備えたことを特徴とする光起電
力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5940987U JPH0525253Y2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5940987U JPH0525253Y2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165865U JPS63165865U (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0525253Y2 true JPH0525253Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=30890876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5940987U Expired - Lifetime JPH0525253Y2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525253Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5902592B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-04-13 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2016111310A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-20 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2016157805A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP5940987U patent/JPH0525253Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63165865U (ja) | 1988-10-28 |
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