KR920005040Y1 - 집적형 비정질 실리콘 태양전지의 구조 - Google Patents
집적형 비정질 실리콘 태양전지의 구조 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 본 고안의 평면도.
제 2a 도는 본 고안의 사시도, (b)는 본 고안의 측면도.
제 3 도는 종래 고안 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 유리기판 2 : 투명전도막
2a : 투명전도막의 전극연결부 3 : 비정질실리콘층
3a : p형 비정질실리콘층 3b : i형 비정질실리콘층
3c : n형 비정질실리콘층 4 : 금속전도막
4a : 금속전도막의 전극연결부 5 : 전극연결접속부
6 : 유효광전변환영역 7 : 유효광전변환영역의 일측부위
본 고안은 집적형 비정질 실리콘 태양전지(Integr-ated Amorphous Si Solar Cell)의 구조에 관한 것으로 특히 광전 변환영역을 증대시킨 신규한 태양전지의 구조에 관한 것이다.
일반적으로 집적형 비정질 실리콘 태양전지는 제 3 도에 도시된 바와같이 동일한 유리기판(40)상에 투명전도막(41)과 비정질실리콘층(42) 및 금속전도막(43)을 순차적으로 적층한 태양전지를 복수개 나열하여 이루어지는 것으로 투명전도막의 전극연결부(41a)와 금속전도막의 전극연결부(43a)의 상호 중첩접속에 의하여 전기적으로 직렬로 연결된다.
그러나 종래의 경우 투명전도막의 전극연결부(41a)와 금속전도막의 전극연결부(43a)는 각각 투명전도막(41)과 금속전도막(43)의 일측에 돌출형성하여 있으므로 각 전극연결부가 차지하는 면적 및 상기한 돌출형성으로 인하여 상기 두 전극연결부(41a)(43a)사이에 형성되는 빈공간을 말미암아 태양전지의 유효광전 변환영역(Photo-electric Conversion area) (44)이 협소하며 이에 따라 동일 기판에서 단위 면적당 이용할 수 있는 태양전지의 이용효율의 향상을 기대할 수 없다는 문제점이 제기되었다.
본 고안은 이와같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 투명전도막의 전극연결부 및 돌출된 투명전도막의 전극 연결부와 금속전도막의 전극연결부 사이에 형성된 빈 공간을 포함할 수 있도록 투명전도막을 확대 제작하는 동시에 태양전지 상호간의 전기적 연결을 해주는, 상기 각 전극의 연결접속부를 광전변환영역의 일측부위에 배치함으로써 동일기판상에서 단위면적당의 광전변환영역을 증대시켜 태양전지의 전기적 특성을 향상시키고자 하는데 목적이 있다.
이와같은 목적을 당성하기 위하여 첨부된 도면에 의하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.
즉 본 고안에 따르는 집적형 비정질 실리콘 태양전지의 구조는 제 1 도 및 제 2 도에 도시된 바와같이 절연기판인 유리기판(1)의 윗면에 투명전도막(2) 비정질 실리콘층(3) 및 금속전도막(4)을 순차적으로 접합한 다층구조의 태양전지를 복수개 나열한 구조로 이루어지는데 이때 투명전도막(2)은 종래의 투명전도막(41)으로 부터 돌출되는 전극연결부(41a) 및 금속전도막의 전극연결부(43a) 사이의 빈공간을 포함하도록 구조를 변경하여 확대 제작하는 한편 p형 비정질 실리콘층(3a)과 i형 비정질실리콘층(3b) 및 n형 비정질실리콘층(3c)으로 이루어지고 투명전도막(2)과 금속전도막(4)사이에 위치하는 비정질실리콘층(3)에서 투명전도막(2)과 금속전도막(4)의 각 전극연결부(2a)(4b)가 상호접속되는 부분 즉, 전극연결접속부(5)를 에칭(Etching)처리하여 공간이 발생하도록 구성한다.
한편 비정질실리콘층(3)의 두께 만큼 상하로 이격되어있는 금속전도막의 전극연결부(4a)와 투명전도막의 전극연결부(2a) 사이의 공간에는 상호간의 전기적 연결을 위하여 금속전도막(4)과 동일한 재질로써 증착, 접속한 구조로 이루어 진다.
이와같은 구성에 따라 유효광전변환 영역(6)이 확대되는데 이에 따른 본 고안의 동작은 제 2b 도에 도시된 바와같이 유리기판(11) 및 투명전도막(2)을 통하여 입사된 빛은 p-i-n 비정질실리콘층(3)에 들어오게 되며 이 광에너지는 i형 비정질실리콘층(3b)에서 흡수되어 광쌍생성 과정을 통하게 전자와 정공을 발생시키게 되고 발생된 전자와 정공은 p-i-n 결합에 의한 전위치에 의하여 각각 n형 비정질실리콘층(3c)와 p형 비정질실리콘층(3a)에 수집되게 된다.
이상과 같은 본 고안의 효과로는 투명전도막을 제작함에 있어서 종래의 돌출된 전극연결부를 없애는 동시에 상기의 돌출된 전극연결부의 금속전도막의 전극연결부 사이의 빈공간을 포함하도록 함으로써 마스크제작 및 제조공정시의 작업의 복잡성을 해소할 수 있고 투명전도막의 전극연결부와 금속전도막의 전극연결부의 접속부를 유효광전변환영역의 일측에 위치시킴으로써 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬수 있는 잇점이 있다.
Claims (1)
- 통상의 집적형 비정질실리콘 태양전지의 다층구조에 있어서, 투명전도막(2), 금속전도막(4)의 전극 연결부가 없는 형태로 제작함과 동시에 투명전도막 전극연결부(2a) 및 금속전도막 전극연결부(4a)를 유효광전 변환 영역의 일측부위(7)내에 박막함으로써 태양전지의 유효광전변환 영역을 최대로한 것을 특징으로 하는 집적형 비정질 실리콘 태양전지의 구조.
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| KR2019880006875U KR920005040Y1 (ko) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 집적형 비정질 실리콘 태양전지의 구조 |
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| KR890023790U KR890023790U (ko) | 1989-12-04 |
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1988
- 1988-05-06 KR KR2019880006875U patent/KR920005040Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR890023790U (ko) | 1989-12-04 |
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