JPH05247654A - Photo-excited cvd system - Google Patents
Photo-excited cvd systemInfo
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- JPH05247654A JPH05247654A JP5457691A JP5457691A JPH05247654A JP H05247654 A JPH05247654 A JP H05247654A JP 5457691 A JP5457691 A JP 5457691A JP 5457691 A JP5457691 A JP 5457691A JP H05247654 A JPH05247654 A JP H05247654A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は成膜装置に係り、特に基
板のクリーニング、低温成膜、高速成膜及び良好な段差
被覆性を実現できる光励起ＣＶＤ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly to a photo-excited CVD apparatus capable of realizing substrate cleaning, low temperature film forming, high speed film forming and good step coverage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光励起ＣＶＤ装置は基本的に紫外
光光源部と排気ポンプ系と紫外光透過窓とから構成され
ている。図２のように従来光励起ＣＶＤ装置は、低圧水
銀ランプ３の紫外光励起で発生した酸素ラジカルの化学
活性を利用したものである。例えば、ＳｉＨ4 とＯ2 と
の混合ガスに紫外線を照射して、赤外線ランプ８で所定
温度に昇温した基板１上にＳｉＯ2 を成膜していた。成
膜においては、低温、低ダメージ、良好な段差被覆性
（カバーレッジ）等の特徴を有するといわれている。2. Description of the Related Art A conventional photo-excited CVD apparatus basically comprises an ultraviolet light source section, an exhaust pump system and an ultraviolet light transmitting window. As shown in FIG. 2, the conventional photo-excited CVD apparatus utilizes the chemical activity of oxygen radicals generated by the low-pressure mercury lamp 3 excited by ultraviolet light. For example, a mixed gas of SiH 4 and O 2 is irradiated with ultraviolet rays to form a SiO 2 film on the substrate 1 heated to a predetermined temperature by the infrared lamp 8. The film formation is said to have characteristics such as low temperature, low damage, and good step coverage (coverage).
【０００３】しかし、従来の光励起ＣＶＤ装置では、成
膜速度が既存の成膜装置（例えば、プラズマＣＶＤ、熱
ＣＶＤ等）と比べ、１〜２桁程度低いことが実用化を妨
げている原因となっている。また従来装置では段差被覆
性も十分なものではない。成膜の高速化については、予
備励起室を設けた装置が提案されている。（例えば、特
公平１−３６６９４号公報が挙げられる。）この装置で
は、成膜速度が大概２倍程度になるだけで、十分な高速
成膜が達成できない上に、段差被覆性については何ら対
策が取られていない。However, in the conventional photo-excited CVD apparatus, the fact that the film forming rate is lower than that of existing film forming apparatuses (for example, plasma CVD, thermal CVD, etc.) by 1 to 2 digits is a cause of impeding practical application. Has become. Further, the conventional device does not have sufficient step coverage. An apparatus provided with a pre-excitation chamber has been proposed for speeding up film formation. (For example, Japanese Patent Publication No. 1-36694 can be cited.) With this apparatus, the film forming speed is almost doubled, and a sufficiently high speed film formation cannot be achieved, and no measures are taken for the step coverage. Is not taken.
【０００４】最近のＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の作製プロ
セスでは、高集積化にしたがい、低温、低ダメージ及び
高速成膜の他に、良好な段差被覆性に対する要求が一段
と高くなっている。また一方では作製プロセスのなか
で、ホトレジストを用いた微細加工が多用されているた
めに、パターニング工程及びドライエッチング工程での
有機質汚染が無視できなくなっており、成膜前の基板の
クリーニングが必要となってきているが、従来光励起Ｃ
ＶＤ装置では、クリーニング機能を持っていない。Recent LSI (Large Scale)
In the process of manufacturing integrated circuits), the demand for good step coverage in addition to low temperature, low damage, and high-speed film formation is further increasing due to higher integration. On the other hand, in the manufacturing process, microfabrication using photoresist is frequently used, so organic contamination in the patterning process and dry etching process cannot be ignored, and it is necessary to clean the substrate before film formation. However, the conventional photoexcitation C
The VD device does not have a cleaning function.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光励起
ＣＶＤ装置では、成膜前の基板のクリーニング（有機質
の除去）、高速成膜、段差被覆性について配慮がされて
おらず、ＬＳＩ作製プロセスへの光励起ＣＶＤ装置の適
用が難しいという問題があった。In the conventional photo-excited CVD apparatus described above, no consideration is given to cleaning (removal of organic substances) of the substrate before film formation, high-speed film formation, and step coverage. However, there is a problem that it is difficult to apply the photo-excited CVD apparatus.
【０００６】本発明の目的は、成膜前の基板のクリーニ
ング、高速成膜、優れた段差被覆性を可能とした光励起
ＣＶＤ装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a photo-excited CVD apparatus capable of cleaning a substrate before film formation, high-speed film formation, and excellent step coverage.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的は、室内に供給
されるオゾンの紫外光による光励起反応によって生じる
酸素ラジカルを介して基板に介在する有機質を燃焼除去
するオゾン反応室と、室内に供給されるオゾンの紫外光
による光励起反応によって生じる酸素ラジカルを介して
基板上に膜を形成する成膜室と、を備えており、オゾン
反応室と成膜室とをゲートバルブを介して開閉自在に連
通した装置構造とすることによって達成される。The above object is to provide an ozone reaction chamber for burning and removing organic substances existing on a substrate through oxygen radicals generated by a photoexcitation reaction of ozone supplied to the chamber, and an ozone reaction chamber for supplying ozone to the chamber. A film formation chamber for forming a film on a substrate through oxygen radicals generated by a photoexcitation reaction of ozone with ultraviolet light is provided, and the ozone reaction chamber and the film formation chamber are opened and closed via a gate valve. This is achieved by adopting the above device structure.
【０００８】成膜室におけるシリコン源としては、有機
金属〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 、Ｓ
ｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、（Ｃ2 Ｈ5 ）Ｓ
ｉＨ、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 、（Ｃ
Ｈ3 ）3 ＳｉＳｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯ
ＣＨ＝ＣＨ2 等〕またはＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨＣ
ｌ3 、ＳｉＣｌ4 が用いされる。As a silicon source in the film forming chamber, organic metal [Si (OC 2 H 5 ) 4 , Si (OCH 3 ) 4 , S
i (C 2 H 5) 4 , Si (CH 3) 4, (C 2 H 5) S
iH, (CH 3) 3 SiOSi (CH 3) 3, (C
H 3) 3 SiSi (CH 3 ) 2 H, (CH 3) 3 SiO
CH = CH 2 etc.] or SiH 2 Cl 2 , SiHC
l 3 and SiCl 4 are used.
【０００９】[0009]
【作用】酸素源として、オゾン発生機より得たオゾンを
オゾン反応室内に導入すれば、オゾン反応室の有機質、
例えば、ホトレジスト及びその残渣は燃焼して容器内か
ら除外することができる。したがって、減圧下で有機質
の燃焼を行えば、揮発が容易で、成膜前の基板のクリー
ニングを速やかに行なうことができる。オゾン反応室に
おけるクリーニング後にゲートバルブを介して、成膜室
に基板を搬送し、シリコン源として〔Ｓｉ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ
2 Ｈ 5 ）4 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＳｉＨ、
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 、（ＣＨ3 ）3 Ｓ
ｉＳｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＣＨ＝ＣＨ
2 等〕またはＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ
4 を導入すれば、オゾンが低圧水銀ランプの紫外照射を
受け、Ｏ3 →Ｏなる反応により酸素ラジカルが生成し、
この酸素ラジカルが前記シリコン源を酸化し、基板上に
酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）が折出する。この場合、オゾ
ン反応室と成膜室との間は、ゲートバルブに介して開閉
自在に連通され、したがって、オゾン反応室及び成膜室
の真空を破らずに連続して基板の処理が可能とある。[Function] Ozone obtained from the ozone generator is used as the oxygen source.
If introduced into the ozone reaction chamber, the organic matter in the ozone reaction chamber,
For example, if the photoresist and its residues are burnt and are
Can be excluded from Therefore, organic matter under reduced pressure
If it is burned, it is easy to volatilize and
Training can be performed quickly. In the ozone reaction chamber
After cleaning in the deposition chamber through the gate valve
The substrate is transferred to a silicon source [Si (OC
2HFive)Four, Si (OCH3)Four, Si (C
2H Five)Four, Si (CH3)Four, (C2HFive) SiH,
(CH3)3SiOSi (CH3)3, (CH3)3S
iSi (CH3)2H, (CH3)3SiOCH = CH
2Etc.] or SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl
FourIntroduces ozone to the UV irradiation of a low-pressure mercury lamp.
Receiving, O3→ O radicals are generated by the reaction O
This oxygen radical oxidizes the silicon source,
Silicon oxide (SiO2) Breaks out. In this case, Ozo
The gate valve opens and closes the reaction chamber and the film formation chamber.
Freely communicated, therefore ozone reaction chamber and film formation chamber
It is possible to process substrates continuously without breaking the vacuum.
【００１０】光源に用いた低圧水銀ランプの最も強い波
長（２５４ｎｍ）が利用できることと、前記シリコン源
は吸着能力が強く、基板に多量に吸着するので、高速成
膜が可能となる。また成膜プロセスに光励起反応を利用
しているため、低温化が可能である。さらに、一般に吸
着層の厚さが均一であるので、下地基板の凹凸に対して
忠実に追従し、段差被覆性のよい成膜が可能となる。こ
のように成膜室とオゾン反応室をゲートバルブを介して
連続させ、かつ吸着性の高い反応物を用いることによ
り、室内の真空を破ることなく、基板のクリーニングと
成膜との２つの機能を持たせることができる上に、低温
成膜、高速成膜、さらに段差被覆性のよい成膜が可能と
なる。Since the strongest wavelength (254 nm) of the low-pressure mercury lamp used as the light source can be used and the silicon source has a strong adsorption ability and is adsorbed on the substrate in a large amount, high speed film formation is possible. Further, since the photoexcitation reaction is used in the film forming process, the temperature can be lowered. Furthermore, since the thickness of the adsorption layer is generally uniform, it is possible to faithfully follow the irregularities of the underlying substrate and form a film with good step coverage. In this way, the film formation chamber and the ozone reaction chamber are connected through a gate valve, and by using a highly adsorbable reactant, two functions of cleaning the substrate and film formation can be performed without breaking the vacuum inside the chamber. In addition to the above properties, low-temperature film formation, high-speed film formation, and film formation with good step coverage are possible.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に本発明の光励起ＣＶＤ装置の構成を示す。
図１において、図２と実質的に同一の構成部分は同一符
号で示している。この光励起ＣＶＤ装置は、成膜室２と
オゾン反応室１９とを備えており、これらはゲートバル
ブ１７を介して開閉自在に連通されている。成膜室２の
上部には光入射窓としての合成石英窓（Ａ）１１が設置
され、その上部には低圧水銀ランプ（Ａ）３が複数本配
設されている。基板１はターンテーブル（Ａ）４上に載
置され、ターンテーブル（Ａ）４の下方側には赤外線ラ
ンプ（Ａ）１０が複数本配設されている。成膜室２のゲ
ートバルブ１７と相対面する側面側には多孔板が配設さ
れている。この多孔板はオゾン用多孔板（Ａ）５と反応
ガス用多孔板６に区画されており、オゾン用多孔板
（Ａ）５はオゾン発生機７に接続されている。また反応
ガス用多孔板６はバブラー２１に接続されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of the photoexcited CVD apparatus of the present invention.
In FIG. 1, the same components as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. This photo-excited CVD apparatus includes a film forming chamber 2 and an ozone reaction chamber 19, which are openably and closably connected via a gate valve 17. A synthetic quartz window (A) 11 as a light incident window is installed above the film forming chamber 2, and a plurality of low pressure mercury lamps (A) 3 are provided above the synthetic quartz window (A) 11. The substrate 1 is placed on a turntable (A) 4, and a plurality of infrared lamps (A) 10 are arranged below the turntable (A) 4. A perforated plate is provided on the side surface of the film forming chamber 2 facing the gate valve 17. The perforated plate is divided into an ozone perforated plate (A) 5 and a reaction gas perforated plate 6, and the ozone perforated plate (A) 5 is connected to an ozone generator 7. The reaction gas porous plate 6 is connected to a bubbler 21.
【００１２】オゾン反応室１９のゲートバルブ１７と相
対面する側面側にはオゾン用多孔板（Ｂ）１４が配設さ
れており、この多孔板にはオゾン発生機７からの配管が
分岐したバイパス管１５を介し、オゾン供給用バルブ１
８により接続されている。オゾン反応室１９の上部には
光入射窓としての合成石英窓（Ｂ）２０が設置されてお
り、その上方側には低圧水銀ランプ（Ｂ）１６が複数本
配設されている。また基板（Ｂ）１３はターンテーブル
（Ｂ）８に載置されており、ターンテーブル（Ｂ）８の
下方側には赤外線ランプ（Ｂ）１２が配設されている。
なお、図中９はバルブを示している。A perforated ozone plate (B) 14 is disposed on the side of the ozone reaction chamber 19 facing the gate valve 17, and a bypass from which a pipe from the ozone generator 7 is branched is provided on this perforated plate. Ozone supply valve 1 via pipe 15
8 are connected. A synthetic quartz window (B) 20 as a light incident window is installed above the ozone reaction chamber 19, and a plurality of low-pressure mercury lamps (B) 16 are provided above the synthetic quartz window (B) 20. The substrate (B) 13 is placed on the turntable (B) 8, and an infrared lamp (B) 12 is arranged below the turntable (B) 8.
In the figure, 9 indicates a valve.
【００１３】次に上記した装置による作用を説明する。
予め赤外線ランプ１２で加熱したオゾン反応室１９内の
ターンテーブル８上にホトレジストでパターニング加工
した基板１３を載置した。基板１３を載置後、酸素（Ｏ
2 ）または窒素（Ｎ2 ）で希釈した酸素をオゾン発生機
７に導入してオゾンＯ3 を発生させ、バイパス配管１５
を経由し、バルブ１８よりオゾン反応室１９へオゾンを
送入した。低圧水銀ランプ（Ｂ）１６からの紫外線を合
成石英窓２０を通して照射すると、Ｏ3 →Ｏなる光励起
反応により生じた酸素ラジカルが基板１３上の有機質
（ホトレジスト）を燃焼させ、基板１３をクリーニング
した。クリーニング条件としては、基板温度２００℃、
クリーニング時間２ｍｉｎであった。Next, the operation of the above device will be described.
The substrate 13 patterned with photoresist was placed on the turntable 8 in the ozone reaction chamber 19 which had been heated by the infrared lamp 12 in advance. After mounting the substrate 13, oxygen (O
2 ) or oxygen diluted with nitrogen (N 2 ) is introduced into the ozone generator 7 to generate ozone O 3 , and the bypass pipe 15
Ozone was fed into the ozone reaction chamber 19 from the valve 18 via the. When ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp (B) 16 were irradiated through the synthetic quartz window 20, oxygen radicals generated by the photoexcitation reaction of O 3 → O burned the organic matter (photoresist) on the substrate 13 and cleaned the substrate 13. As cleaning conditions, the substrate temperature is 200 ° C.,
The cleaning time was 2 minutes.
【００１４】所定時間（２ｍｉｎ）クリーニング後、オ
ゾン反応室１９内の基板１３をゲートバルブ１７を介し
て、予め赤外線ランプ（Ａ）１０で加熱したターンテー
ブル（Ａ）４上に基板（Ａ）１のように載置した。載置
後、有機金属（例えばテトラエチルオルソシラン：ＴＥ
ＯＳと略称）を窒素（Ｎ2 ）をキャリアガスとして、Ｔ
ＥＯＳの入ったバブラー２１に流すことにより、バルブ
９及び整流のための反応ガス用多孔板６を介して、ＴＥ
ＯＳを成膜室２に導入した。After cleaning for a predetermined time (2 min), the substrate 13 in the ozone reaction chamber 19 is placed on the turntable (A) 4 preheated by the infrared lamp (A) 10 through the gate valve 17 and the substrate (A) 1 Placed like. After mounting, an organic metal (for example, tetraethylorthosilane: TE
Nitrogen (N 2 ) is used as carrier gas for T
By flowing it through the bubbler 21 containing EOS, TE is passed through the valve 9 and the reaction gas porous plate 6 for rectification.
The OS was introduced into the film forming chamber 2.
【００１５】次いで、バルブ９及び整流のためのオゾン
用多孔板５を介して、オゾン（Ｏ3）を成膜室２に導入
した。低圧水銀ランプ（Ａ）３からの紫外光は合成石英
窓（Ａ）１１を透過して照射され、オゾン（Ｏ3 ）はＯ
3 →Ｏなる光励起反応により、酸化力の強いラジカル状
の酸素Ｏが発生し、ＴＥＯＳを酸化して、基板１上に膜
厚８０ｎｍのＳｉＯ2 を形成させた。形成条件は基板温
度３００℃、ＳｉＨ4分圧0.０１５Ｔｏｒｒ、Ｏ2 ／Ｓ
ｉＨ4 流量比１０、全圧0.７Ｔｏｒｒであった。Next, ozone (O 3 ) was introduced into the film forming chamber 2 through the valve 9 and the ozone perforated plate 5 for rectification. Ultraviolet light from the low-pressure mercury lamp (A) 3 passes through the synthetic quartz window (A) 11 and is irradiated, and ozone (O 3 ) is O.
By the photoexcitation reaction of 3 → O, radical oxygen O having a strong oxidizing power was generated, and TEOS was oxidized to form SiO 2 having a film thickness of 80 nm on the substrate 1. The formation conditions are a substrate temperature of 300 ° C., a SiH 4 partial pressure of 0.015 Torr, and O 2 / S.
The iH 4 flow rate ratio was 10 and the total pressure was 0.7 Torr.
【００１６】このように作製したＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造の絶縁
破壊電界の測定結果（Ａ）を図３に示す。なお、オゾン
によるクリーニングを行わない従来例（Ｂ）の値を比較
のため、図示している。実施例（Ａ）による場合には、
破壊電界が７ＭＶ／ｃｍ以上と非常に高く、かつ相対頻
度で見ると殆ど８〜９ＭＶ／ｃｍとなっている。一方、
従来例（Ｂ）においては、破壊電界が２〜８ＭＶ／ｃｍ
がバラツキが大きくなっている。特に、従来例（Ｂ）の
２〜３ＭＶ／ｃｍの破壊電界は有機質の汚染による劣化
であると考えられる。The MOS (Metal) fabricated in this way
FIG. 3 shows the measurement results (A) of the dielectric breakdown electric field of the oxide semiconductor (Oxide Semiconductor) structure. The values of the conventional example (B) in which cleaning with ozone is not performed are shown for comparison. In the case of Example (A),
The breakdown electric field is very high at 7 MV / cm or more, and it is almost 8 to 9 MV / cm in terms of relative frequency. on the other hand,
In the conventional example (B), the breakdown electric field is 2 to 8 MV / cm.
However, the variation is increasing. In particular, the breakdown electric field of 2 to 3 MV / cm in the conventional example (B) is considered to be deterioration due to organic contamination.
【００１７】オゾン（Ｏ3 ）を使用した時に、有機質主
としてホトレジストを除去できる理由は、オゾンに低圧
水銀ランプの紫外線が当ると、Ｏ3 →Ｏなる反応により
ラジカル状のＯが発生する。ラジカル状のＯは非常に活
性であるので、低温で有機質を酸化燃焼させ、ＣＯ2 及
びＨ2 Ｏを形成し、反応室から除去される。When ozone (O 3 ) is used, the reason why the photoresist can be removed mainly as an organic substance is that when ozone is exposed to ultraviolet rays from a low-pressure mercury lamp, radical O is generated by the reaction of O 3 → O. Radical O is so active that it oxidizes and burns organics at low temperatures to form CO 2 and H 2 O, which are removed from the reaction chamber.
【００１８】またＴＥＯＳのような吸着性ガスを用いる
ことのにより、段差被覆性のよい成膜が可能となった
（図４）。図２の従来の光励起ＣＶＤ装置では、パター
ンサイズが１μｍまでは段差被覆性がよいが、１μｍ以
下ではよくなかった。しかし本発明では１μｍ以下であ
っても段差被覆性がよく、ｂ／ａ及びｃ／ａが０．９以
上を達成することができた。By using an adsorbing gas such as TEOS, it is possible to form a film with good step coverage (FIG. 4). In the conventional photo-excited CVD apparatus of FIG. 2, the step coverage is good up to a pattern size of 1 μm, but not good at a pattern size of 1 μm or less. However, in the present invention, even when the thickness is 1 μm or less, the step coverage is good, and b / a and c / a can reach 0.9 or more.
【００１９】図５に本発明と従来装置とで作製したＳｉ
Ｏ2 の成膜速度との比較を示す。これによると、本発明
装置によるＳｉＯ2 の成膜速度とＳｉＨ4 またはＴＥＯ
Ｓ流量との間に直線関係が成り立ち、本発明の場合に
は、成膜速度が約１桁アップした。その理由は、成膜室
２にオゾンを導入することにより、光源に用いた低圧水
銀ランプ３の最も強い波長（２５４ｎｍ）が利用できる
ことと、有機シリコンは吸着能力が強く、基板１に多量
に吸着するので、高速成膜が可能となったためであると
考えられる。FIG. 5 shows the Si produced by the present invention and the conventional device.
The comparison with the film forming rate of O 2 is shown. According to this, the deposition rate of SiO 2 and SiH 4 or TEO by the device of the present invention
A linear relationship is established with the S flow rate, and in the case of the present invention, the film formation rate is increased by about one digit. The reason is that by introducing ozone into the film forming chamber 2, the strongest wavelength (254 nm) of the low-pressure mercury lamp 3 used as a light source can be used, and the adsorption capacity of organic silicon is strong, and a large amount of it is adsorbed on the substrate 1. Therefore, it is considered that high-speed film formation is possible.
【００２０】なお、このような効果はシリコン源として
はＴＥＯＳに限定されるものでなく、有機シラン〔Ｓｉ
（ＯＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）
4 、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＳｉＨ、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3 ）3 、（ＣＨ3 ）3 ＳｉＳｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ、（Ｃ
Ｈ3 ）3 ＳｉＯＣＨ＝ＣＨ2 等〕さらにＳｉＨ2 Ｃ
ｌ 2 、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ4 を用いた場合にも同様
であった。It should be noted that such an effect is obtained as a silicon source.
Is not limited to TEOS, but organic silane [Si
(OCH3)Four, Si (C2HFive)Four, Si (CH3)
Four, (C2HFive) SiH, (CH3)3SiOSi (C
H3)3, (CH3)3Si Si (CH3)2H, (C
H3)3SiOCH = CH2Etc.] and SiH2C
l 2, SiHCl3, SiClFourAlso when using
Met.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によれば、基板のクリーン化が可
能で、高速成膜及び段差被覆性のよいものを実現できる
ので、シリコン及び３−５族化合物半導体を用いたＬＳ
Ｉ等のデバイス性能を向上させることができる。すなわ
ち、段差被覆性が悪いために起こる耐圧劣化、有機質混
入による特性劣化を防ぐことができる。さらに高速成膜
を実現できるために、スループットの向上が可能とな
る。According to the present invention, a substrate can be cleaned, a high-speed film can be formed and good step coverage can be realized. Therefore, an LS using silicon and a Group 3-5 compound semiconductor can be obtained.
The device performance such as I can be improved. That is, it is possible to prevent deterioration in withstand voltage due to poor step coverage and deterioration in characteristics due to mixing of organic substances. Further, since high-speed film formation can be realized, throughput can be improved.
【００２２】[0022]
【図１】本発明による光励起ＣＶＤ装置を示す概略的構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a photo-excited CVD apparatus according to the present invention.
【図２】従来の光励起ＣＶＤ装置の概略的構成図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional photoexcited CVD apparatus.
【図３】本発明の装置により得られたＭＯＳ構造と従来
の装置により得られたＭＯＳ構造の絶縁破壊電界を示す
グラフである。FIG. 3 is a graph showing the breakdown electric field of a MOS structure obtained by the device of the present invention and a MOS structure obtained by the conventional device.
【図４】（Ａ）は段差被覆性を示すグラフ、（Ｂ）はグ
ラフにおける符号を説明するための説明図である。FIG. 4A is a graph showing step coverage, and FIG. 4B is an explanatory diagram for explaining symbols in the graph.
【図５】本発明の装置と従来の装置により得られるＳｉ
2 Ｏの成膜速度を示すグラフである。FIG. 5: Si obtained by the device of the present invention and the conventional device
It is a graph which shows the film-forming rate of 2 O.
１ 基板（Ａ） ２ 成膜室 ３ 低圧水銀ランプ（Ａ） ４ ターンテーブル（Ａ） ５ オゾン用多孔板（Ａ） ６ 反応ガス用多孔板 ７ オゾン発生機 ８ ターンテーブル（Ｂ） ９ バルブ １０ 赤外線ランプ（Ａ） １１ 合成石英窓（Ａ） １２ 赤外線ランプ（Ｂ） １３ 基板（Ｂ） １４ オゾン用多孔板（Ｂ） １５ バイパス配管 １６ 低圧水銀ランプ（Ｂ） １７ ゲートバルブ １８ オゾン供給用バルブ １９ オゾン反応室 １９ 合成石英窓（Ｂ） ２０ バブラー 1 Substrate (A) 2 Film-forming chamber 3 Low-pressure mercury lamp (A) 4 Turntable (A) 5 Perforated plate for ozone (A) 6 Perforated plate for reaction gas 7 Ozone generator 8 Turntable (B) 9 Valve 10 Infrared Lamp (A) 11 Synthetic quartz window (A) 12 Infrared lamp (B) 13 Substrate (B) 14 Perforated plate for ozone (B) 15 Bypass piping 16 Low-pressure mercury lamp (B) 17 Gate valve 18 Ozone supply valve 19 Ozone Reaction chamber 19 Synthetic quartz window (B) 20 Bubbler
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 淳 神奈川県横浜市磯子区磯子一丁目２番10号 バブコック日立株式会社横浜研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Atsushi Iwasaki 1-2-10 Isogo, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Babcock Hitachi Ltd. Yokohama Research Laboratory
Claims (2)
光励起反応によって生じる酸素ラジカルを介して基板に
介在する有機質を燃焼除去するオゾン反応室と、室内に
供給されるオゾンの紫外光による光励起反応によって生
じる酸素ラジカルを介して基板上に膜を形成する成膜室
と、を備え、前記オゾン反応室と前記成膜室とをゲート
バルブを介して開閉自在に連通したことを特徴とする光
励起ＣＶＤ装置。1. An ozone reaction chamber for burning and removing organic substances present on a substrate through oxygen radicals generated by a photoexcitation reaction of ozone supplied to the room, and a photoexcitation reaction of ozone supplied to the room by ultraviolet light. A photo-excited CVD, characterized by comprising: a film forming chamber for forming a film on a substrate through oxygen radicals generated by the above, wherein the ozone reaction chamber and the film forming chamber are opened and closed via a gate valve. apparatus.
反応ガス用多孔板が設けられ、前記オゾン反応室の側面
部にオゾン用多孔板が設けられ、それぞれのオゾン用多
孔板側にオゾン発生機からの配管が接続されていること
を特徴とする請求項１の光励起ＣＶＤ装置。2. A porous plate for ozone and a porous plate for reaction gas are provided on a side surface of the film forming chamber, and a porous plate for ozone is provided on a side surface of the ozone reaction chamber. The photoexcitation CVD apparatus according to claim 1, wherein a pipe from an ozone generator is connected to the.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5457691A JPH05247654A (en) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Photo-excited cvd system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5457691A JPH05247654A (en) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Photo-excited cvd system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247654A true JPH05247654A (en) | 1993-09-24 |
Family
ID=12974526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5457691A Pending JPH05247654A (en) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Photo-excited cvd system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247654A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1108468A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-20 | IPS Ltd | Thin film deposition apparatus |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5457691A patent/JPH05247654A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1108468A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-20 | IPS Ltd | Thin film deposition apparatus |
| US6740166B2 (en) | 1999-12-17 | 2004-05-25 | Ips, Ltd. | Thin film deposition apparatus for semiconductor |
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