JPH05238969A - フッ素含有エタン誘導体の製造法、ならびに該方法を実施するための触媒および調剤 - Google Patents
フッ素含有エタン誘導体の製造法、ならびに該方法を実施するための触媒および調剤Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 環境を侵害しないフッ素含有エタン誘導体
を、技術的に簡易で、かつ高い変換率および高い選択性
をもって製造する方法を提供する。 【構成】 ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 で示される、アルケンまたはハロゲン含有アルカンを出
発化合物として、液体相中で０〜２５０℃の温度でフッ
化水素と反応させ、この場合この反応をタンタル−フル
オルスルホン酸塩化合物および／またはニオブ−フルオ
ルスルホン酸塩化合物を含有する触媒活性調剤を用いて
促進させ、一般式： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＺ1Ｚ2Ｆ ［Ｘ1，Ｘ2，Ｙ1，Ｙ2，Ｚ1，Ｚ2はＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂ
ｒ、Ｙ3はＣｌ，Ｂｒ、Ｋは０〜２、ｍは０〜２、ｎは
１〜３。］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製造す
る。
を、技術的に簡易で、かつ高い変換率および高い選択性
をもって製造する方法を提供する。 【構成】 ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 で示される、アルケンまたはハロゲン含有アルカンを出
発化合物として、液体相中で０〜２５０℃の温度でフッ
化水素と反応させ、この場合この反応をタンタル−フル
オルスルホン酸塩化合物および／またはニオブ−フルオ
ルスルホン酸塩化合物を含有する触媒活性調剤を用いて
促進させ、一般式： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＺ1Ｚ2Ｆ ［Ｘ1，Ｘ2，Ｙ1，Ｙ2，Ｚ1，Ｚ2はＨ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂ
ｒ、Ｙ3はＣｌ，Ｂｒ、Ｋは０〜２、ｍは０〜２、ｎは
１〜３。］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製造す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式：ＦkＣＨnＣｌ
3-k-nＣＺ1Ｚ2Ｆ、但し式中、ｋ、ｎ、Ｚ1およびＺ2は
下記の意味を表わす、フッ素を含有するエタン誘導体を
製造する方法に関する。
3-k-nＣＺ1Ｚ2Ｆ、但し式中、ｋ、ｎ、Ｚ1およびＺ2は
下記の意味を表わす、フッ素を含有するエタン誘導体を
製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】環境に認容性のハロゲン化炭化水素がま
すます必要になっている。そのようなものとして、例え
ば、少なくとも１つの水素原子を有するようなフッ素含
有エタン誘導体、例えばＣＦ3ＣＨ3（Ｒ１４３ａ）、Ｃ
Ｆ3ＣＨ2Ｃｌ（Ｒ１３３ａ）およびＣＦ3ＣＨＣｌ2（Ｒ
１２３）ならびにＣＦ3ＣＨ2Ｆ（Ｒ１３４ａ）が判明し
た。しかしまた相応する１−フッ素化合物または１．
１．−ジフルオル化合物、例えば環境に融和性であると
見なされ、冷却剤、溶剤または発射火薬として使用でき
る化合物ＣＦＣｌ2ＣＨＣｌ2またはＣＦ2ＣｌＣＨＣｌ2
も重要である。
すます必要になっている。そのようなものとして、例え
ば、少なくとも１つの水素原子を有するようなフッ素含
有エタン誘導体、例えばＣＦ3ＣＨ3（Ｒ１４３ａ）、Ｃ
Ｆ3ＣＨ2Ｃｌ（Ｒ１３３ａ）およびＣＦ3ＣＨＣｌ2（Ｒ
１２３）ならびにＣＦ3ＣＨ2Ｆ（Ｒ１３４ａ）が判明し
た。しかしまた相応する１−フッ素化合物または１．
１．−ジフルオル化合物、例えば環境に融和性であると
見なされ、冷却剤、溶剤または発射火薬として使用でき
る化合物ＣＦＣｌ2ＣＨＣｌ2またはＣＦ2ＣｌＣＨＣｌ2
も重要である。
【０００３】工業的にはこのような化合物は、接触反応
で分解されたハロゲン−フッ素交換によって、特に塩素
−フッ素交換によって、相応するハロゲン化された誘導
体から製造される。しかしこの場合に使用されるハロゲ
ン化された出発化合物はハロゲン−フッ素交換に対して
著しく反応不活発である。
で分解されたハロゲン−フッ素交換によって、特に塩素
−フッ素交換によって、相応するハロゲン化された誘導
体から製造される。しかしこの場合に使用されるハロゲ
ン化された出発化合物はハロゲン−フッ素交換に対して
著しく反応不活発である。
【０００４】特に高級フッ素化化合物の製造には強く作
用する処理条件が必要である。このような強く作用する
処理条件、例えばガス相中の作業にも拘らず、通常変換
は僅かである。その他の公知方法による不利な点は、使
用される屡々著しく高価な触媒が十分な寿命を有してい
ないことである。
用する処理条件が必要である。このような強く作用する
処理条件、例えばガス相中の作業にも拘らず、通常変換
は僅かである。その他の公知方法による不利な点は、使
用される屡々著しく高価な触媒が十分な寿命を有してい
ないことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、技術
的に容易に実施でき、かつ高い変換率を有するフッ素含
有エタン誘導体を製造する方法を提供することである。
的に容易に実施でき、かつ高い変換率を有するフッ素含
有エタン誘導体を製造する方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明の方
法により解決される。
法により解決される。
【０００７】本発明による方法は、一般式（Ｉ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＺ1Ｚ2Ｆ （Ｉ） ［式中、Ｚ1およびＺ2は同一かまたは異なっていてよ
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、およ
びｋは０、１または２を表わし、およびｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製
造する方法を包含し、アルケンまたはハロゲン含有アル
カンを出発化合物として、液体相中で０〜２５０℃の温
度でフッ化水素と反応させ、この場合反応は、本質的に
五ハロゲン化タンタルおよび／または五ハロゲン化ニオ
ブ不含、有利に本質的に五塩化タンタルおよび／または
五塩化ニオブおよび五臭化タンタルおよび／または五臭
化ニオブ不含で、タンタル−フルオルスルホン酸塩−化
合物含有および／またはニオブ−フルオルスルホン酸塩
−化合物を含有する触媒活性調剤によって促進され、フ
ッ化水素は出発化合物に対して少なくとも等モル量で使
用され、出発化合物対触媒活性化合物のモル比は１０：
１〜１：１００であり、但し ａ）アルケンとして一般式（ＩＩ）： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、Ｘ1およびＸ2は同一かまたは異なっていてよ
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、ｋは
０、１または２を表わし、およびｍは０、１または２を
表わす］で示される化合物を使用するか、または ｂ）ハロゲン含有アルカンとして、一般式（ＩＩＩ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前記の意味を表わし、Ｙ1、Ｙ2は
同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩
素または臭素を表わし、およびＹ3は塩素または臭素を
表わす］で示される化合物を使用する。
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、およ
びｋは０、１または２を表わし、およびｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製
造する方法を包含し、アルケンまたはハロゲン含有アル
カンを出発化合物として、液体相中で０〜２５０℃の温
度でフッ化水素と反応させ、この場合反応は、本質的に
五ハロゲン化タンタルおよび／または五ハロゲン化ニオ
ブ不含、有利に本質的に五塩化タンタルおよび／または
五塩化ニオブおよび五臭化タンタルおよび／または五臭
化ニオブ不含で、タンタル−フルオルスルホン酸塩−化
合物含有および／またはニオブ−フルオルスルホン酸塩
−化合物を含有する触媒活性調剤によって促進され、フ
ッ化水素は出発化合物に対して少なくとも等モル量で使
用され、出発化合物対触媒活性化合物のモル比は１０：
１〜１：１００であり、但し ａ）アルケンとして一般式（ＩＩ）： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、Ｘ1およびＸ2は同一かまたは異なっていてよ
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、ｋは
０、１または２を表わし、およびｍは０、１または２を
表わす］で示される化合物を使用するか、または ｂ）ハロゲン含有アルカンとして、一般式（ＩＩＩ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前記の意味を表わし、Ｙ1、Ｙ2は
同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩
素または臭素を表わし、およびＹ3は塩素または臭素を
表わす］で示される化合物を使用する。
【０００８】本発明の範囲において、ｋとｎとの合計は
１、２または３であり、およびｋとｍとの合計は０、１
または２である。
１、２または３であり、およびｋとｍとの合計は０、１
または２である。
【０００９】好ましくは式ＩＩおよびＩＩＩの出発化合
物中で、ｋは０を表わし、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1およびＹ2はフ
ッ素、塩素または臭素を表わす。
物中で、ｋは０を表わし、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1およびＹ2はフ
ッ素、塩素または臭素を表わす。
【００１０】この方法は、１〜１００バールの圧力（絶
対）および０〜２５０℃、有利に５０〜２５０℃の温度
で行なわれることができる。この場合、圧力および温度
は、変換が液体相中で進行するように、選択される。
対）および０〜２５０℃、有利に５０〜２５０℃の温度
で行なわれることができる。この場合、圧力および温度
は、変換が液体相中で進行するように、選択される。
【００１１】触媒活性調剤として、好ましくは式：ＭＸ
n（ＦＳＯ3）5-n、但しＸはハロゲン化物を表わし、Ｍ
はニオブまたはタンタルを表わし、かつｎは０〜４であ
る、ニオブ−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩−化
合物が使用される。この場合、“ハロゲン化物”とは有
利に塩素またはフッ素、特に塩素を意味し、およびｎは
好ましくは１〜４、特に２〜４である。
n（ＦＳＯ3）5-n、但しＸはハロゲン化物を表わし、Ｍ
はニオブまたはタンタルを表わし、かつｎは０〜４であ
る、ニオブ−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩−化
合物が使用される。この場合、“ハロゲン化物”とは有
利に塩素またはフッ素、特に塩素を意味し、およびｎは
好ましくは１〜４、特に２〜４である。
【００１２】このような化合物の製造は公知である。
【００１３】そして、Ｅ．Ｈａｙｅｋ、Ｊ．Ｐｕｓｃｈ
ｍａｎｎおよびＡ．Ｃｚａｌｏｕｎは、月刊誌Ｃｈｅ
ｍ．８５（１９５４）、３５９〜３６３頁に五塩化タン
タルおよびフルオルスルホン酸からのＴａＣｌ3（ＦＳ
Ｏ3）2の製造および過剰フルオルスルホン酸の蒸発を記
載した。また、化合物は五塩化タンタルとフルオルスル
ホン酸誘導体、例えばフルオルスルホン酸エチレンエス
テルとからも製造されることができる。五塩化ニオブと
フルオルスルホン酸とからの反応混合物は粘性またはゼ
リー状である。Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９５８、１９
０〜１９５頁、特に１９３頁の中で著者Ｈ．Ｃ．Ｃｌａ
ｒｋおよびＨ．Ｊ．Ｅｍｅｌｅｕｓの見解から、ＮｂＣ
ｌ3（ＦＳＯ3）2が問題になっている。
ｍａｎｎおよびＡ．Ｃｚａｌｏｕｎは、月刊誌Ｃｈｅ
ｍ．８５（１９５４）、３５９〜３６３頁に五塩化タン
タルおよびフルオルスルホン酸からのＴａＣｌ3（ＦＳ
Ｏ3）2の製造および過剰フルオルスルホン酸の蒸発を記
載した。また、化合物は五塩化タンタルとフルオルスル
ホン酸誘導体、例えばフルオルスルホン酸エチレンエス
テルとからも製造されることができる。五塩化ニオブと
フルオルスルホン酸とからの反応混合物は粘性またはゼ
リー状である。Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９５８、１９
０〜１９５頁、特に１９３頁の中で著者Ｈ．Ｃ．Ｃｌａ
ｒｋおよびＨ．Ｊ．Ｅｍｅｌｅｕｓの見解から、ＮｂＣ
ｌ3（ＦＳＯ3）2が問題になっている。
【００１４】著者Ｈ．Ｃ．ＣｌａｒｋおよびＨ．Ｊ．Ｅ
ｍｅｌｅｕｓは同一箇所で、五フッ化タンタルもしくは
五フッ化ニオブと三酸化硫黄とから室温でのＴａＦ
3（ＦＳＯ3）2およびＮｂＦ3（ＦＳＯ3）2の製造も記載
している。
ｍｅｌｅｕｓは同一箇所で、五フッ化タンタルもしくは
五フッ化ニオブと三酸化硫黄とから室温でのＴａＦ
3（ＦＳＯ3）2およびＮｂＦ3（ＦＳＯ3）2の製造も記載
している。
【００１５】著者Ｗ．Ｖ．ＣｉｃｈａおよびＦ．Ａｕｂ
ｋｅは、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍ．４７（１９
９０）、３１７〜３３２頁にその他のタンタル−フッ化
物−フルオルスルホン酸塩化合物およびニオブ−フッ化
物−フルオルスルホン酸塩化合物の製造を記載してい
る。
ｋｅは、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍ．４７（１９
９０）、３１７〜３３２頁にその他のタンタル−フッ化
物−フルオルスルホン酸塩化合物およびニオブ−フッ化
物−フルオルスルホン酸塩化合物の製造を記載してい
る。
【００１６】Ｔａ（ＦＳＯ3）5およびＮｂ（ＦＳＯ3）5
はそれぞれの金属粉末をビス−（フルオロスルフリル）
ペルオキシドを用いてフルオルスルホン酸中で酸化する
ことによって製造されることができる。ニオブ金属粉末
の変換の場合には、副生成物としてＮｂＦ2（ＦＳＯ3）
3も生じる。
はそれぞれの金属粉末をビス−（フルオロスルフリル）
ペルオキシドを用いてフルオルスルホン酸中で酸化する
ことによって製造されることができる。ニオブ金属粉末
の変換の場合には、副生成物としてＮｂＦ2（ＦＳＯ3）
3も生じる。
【００１７】ＴａＦ4（ＦＳＯ3）は、例えばＴａ（ＦＳ
Ｏ3）5と４等モル量の五フッ化タンタルとの間の配位子
交換反応によって製造されることができる。
Ｏ3）5と４等モル量の五フッ化タンタルとの間の配位子
交換反応によって製造されることができる。
【００１８】前述のように、有利にタンタル−またはニ
オブ−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物が使
用される。
オブ−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物が使
用される。
【００１９】特に有利な実施態様によれば、触媒活性化
合物は、五塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオル
スルホン酸とを１：１〜１：４のモル比で変換させるこ
とによって得られたタンタル−塩化物−フルオルスルホ
ン酸塩化合物またはニオブ−塩化物−フルオルスルホン
酸塩化合物である。フルオルスルホン酸の代わりに、五
塩化タンタルまたは五塩化ニオブと、フルオルスルホン
酸塩により塩素置換下に反応するフルオルスルホン酸誘
導体、例えばフルオルスルホン酸エステルも使用される
ことができる。
合物は、五塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオル
スルホン酸とを１：１〜１：４のモル比で変換させるこ
とによって得られたタンタル−塩化物−フルオルスルホ
ン酸塩化合物またはニオブ−塩化物−フルオルスルホン
酸塩化合物である。フルオルスルホン酸の代わりに、五
塩化タンタルまたは五塩化ニオブと、フルオルスルホン
酸塩により塩素置換下に反応するフルオルスルホン酸誘
導体、例えばフルオルスルホン酸エステルも使用される
ことができる。
【００２０】他の特に有利な実施態様によれば、触媒活
性化合物として、五フッ化タンタルまたは五フッ化ニオ
ブと三酸化硫黄との変換によって得られたタンタル−フ
ッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物またはニオブ−フ
ッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物が使用される。五
塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオルスルホン酸
または、五塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオル
スルホン酸塩による塩素置換下に反応するフルオルスル
ホン酸誘導体、例えばフルオルスルホン酸エステルとを
変換させることによって、１：１〜１：４のモル比およ
び引き続く塩素−フッ素交換で、得られた相応する化合
物が二者択一的に使用される。
性化合物として、五フッ化タンタルまたは五フッ化ニオ
ブと三酸化硫黄との変換によって得られたタンタル−フ
ッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物またはニオブ−フ
ッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物が使用される。五
塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオルスルホン酸
または、五塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオル
スルホン酸塩による塩素置換下に反応するフルオルスル
ホン酸誘導体、例えばフルオルスルホン酸エステルとを
変換させることによって、１：１〜１：４のモル比およ
び引き続く塩素−フッ素交換で、得られた相応する化合
物が二者択一的に使用される。
【００２１】前述のように、本発明による方法は、本質
的に五ハロゲン化タンタルもしくは五ハロゲン化ニオブ
不含であるべき触媒活性調剤によって触媒作用される。
つまり場合により、このような五ハロゲン化物の僅かに
尚、望ましくない量が調剤中に存在する。
的に五ハロゲン化タンタルもしくは五ハロゲン化ニオブ
不含であるべき触媒活性調剤によって触媒作用される。
つまり場合により、このような五ハロゲン化物の僅かに
尚、望ましくない量が調剤中に存在する。
【００２２】当業者が、当該のニオブ−またはタンタル
金属粉末とビス−（フルオロスルフリル）ペルオキシド
とをフルオルスルホン酸中で反応させることによって製
造された調剤から出発する場合には、調剤は本質的に五
ハロゲン化物不含である。
金属粉末とビス−（フルオロスルフリル）ペルオキシド
とをフルオルスルホン酸中で反応させることによって製
造された調剤から出発する場合には、調剤は本質的に五
ハロゲン化物不含である。
【００２３】当業者が、五ハロゲン化タンタルまたは五
ハロゲン化ニオブと、フルオルスルホン酸か、フルオル
スルホン酸誘導体かまたは三酸化硫黄とを反応させるこ
とによって製造された調剤から出発する場合には、フル
オルスルホン酸および五ハロゲン化物は少なくとも１：
１のモル比で使用される。アルケンもしくはアルカンと
フッ化水素との間の反応は、五ハロゲン化タンタルもし
くは五ハロゲン化ニオブとフルオルスルホン酸もしくは
フルオルスルホン酸の誘導体または三酸化硫黄とが相応
するタンタル−もしくはニオブ−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩化合物の形成下に反応し、かつ調剤が本
質的に五ハロゲン化物不含である時に初めて実施され
る。これは、（ヒドロ）フッ素化アルケンもしくはアル
カンかまたはフッ化水素のいずれかが、五ハロゲン化ニ
オブまたは五ハロゲン化タンタルからニオブ−ハロゲン
化物−フルオルスルホン酸塩化合物もしくはタンタル−
ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物への変換の
前または最中にこの反応混合物中に存在してよいことを
除外しない。例えば五塩化ニオブまたは五塩化タンタル
とフルオルスルホン酸とは、（ヒドロ）フッ素化アルケ
ンまたはアルカンの不在下に互いに反応することができ
る。この場合有機化合物は希釈剤として作用する。アル
ケンまたはアルカンのヒドロフッ素化または塩素−フッ
素−交換に必要なフッ化水素は、この場合、五ハロゲン
化物がハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物の形
成のために本質的に消費されてから初めて導入される。
既にアルケン／アルカンとフッ化水素との交換の初め
に、調剤は本質的に五ハロゲン化タンタルもしくは五ハ
ロゲン化ニオブ不含であるべきである。
ハロゲン化ニオブと、フルオルスルホン酸か、フルオル
スルホン酸誘導体かまたは三酸化硫黄とを反応させるこ
とによって製造された調剤から出発する場合には、フル
オルスルホン酸および五ハロゲン化物は少なくとも１：
１のモル比で使用される。アルケンもしくはアルカンと
フッ化水素との間の反応は、五ハロゲン化タンタルもし
くは五ハロゲン化ニオブとフルオルスルホン酸もしくは
フルオルスルホン酸の誘導体または三酸化硫黄とが相応
するタンタル−もしくはニオブ−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩化合物の形成下に反応し、かつ調剤が本
質的に五ハロゲン化物不含である時に初めて実施され
る。これは、（ヒドロ）フッ素化アルケンもしくはアル
カンかまたはフッ化水素のいずれかが、五ハロゲン化ニ
オブまたは五ハロゲン化タンタルからニオブ−ハロゲン
化物−フルオルスルホン酸塩化合物もしくはタンタル−
ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物への変換の
前または最中にこの反応混合物中に存在してよいことを
除外しない。例えば五塩化ニオブまたは五塩化タンタル
とフルオルスルホン酸とは、（ヒドロ）フッ素化アルケ
ンまたはアルカンの不在下に互いに反応することができ
る。この場合有機化合物は希釈剤として作用する。アル
ケンまたはアルカンのヒドロフッ素化または塩素−フッ
素−交換に必要なフッ化水素は、この場合、五ハロゲン
化物がハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物の形
成のために本質的に消費されてから初めて導入される。
既にアルケン／アルカンとフッ化水素との交換の初め
に、調剤は本質的に五ハロゲン化タンタルもしくは五ハ
ロゲン化ニオブ不含であるべきである。
【００２４】本発明による方法の場合に得られたエタン
誘導体は、少なくとも１つのフッ素原子を多く有する点
で出発化合物と区別される。それぞれこの方法で支持体
分子中に導入されるフッ素原子には、有利にフッ化水素
が少なくとも化学量論的に必要とされる量に相応する量
で使用される。ＨＦ−付加もしくはハロゲン−フッ素−
交換のために使用されるフッ化水素の量は、これ以上で
もよい。これらは例えば化学量論的な量の１５倍まで、
およびこれ以上であってよい。
誘導体は、少なくとも１つのフッ素原子を多く有する点
で出発化合物と区別される。それぞれこの方法で支持体
分子中に導入されるフッ素原子には、有利にフッ化水素
が少なくとも化学量論的に必要とされる量に相応する量
で使用される。ＨＦ−付加もしくはハロゲン−フッ素−
交換のために使用されるフッ化水素の量は、これ以上で
もよい。これらは例えば化学量論的な量の１５倍まで、
およびこれ以上であってよい。
【００２５】不飽和化合物からなるトリフルオルメチル
基含有誘導体を製造する場合には、既に、使用されたフ
ッ化水素の量が化学量論的に必要な量の１〜１５倍に相
応する場合に良好な結果が得られる。
基含有誘導体を製造する場合には、既に、使用されたフ
ッ化水素の量が化学量論的に必要な量の１〜１５倍に相
応する場合に良好な結果が得られる。
【００２６】フッ化水素の使用されるべき量は、アルケ
ンまたはアルカンのフッ化水素付加のため、および／ま
たは塩素−フッ素交換のために必要とされるこれらの量
を越えてよい。即ちタンタル−ハロゲン化物−フルオル
スルホン酸塩化合物が、塩素または臭素を含有する触媒
成分として使用される場合には、これらの金属ハロゲン
化物は場合により、塩素または臭素の、多少ともフッ素
を含有する金属ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩の
形のフッ素との交換によって反応混合物中に存在する。
ンまたはアルカンのフッ化水素付加のため、および／ま
たは塩素−フッ素交換のために必要とされるこれらの量
を越えてよい。即ちタンタル−ハロゲン化物−フルオル
スルホン酸塩化合物が、塩素または臭素を含有する触媒
成分として使用される場合には、これらの金属ハロゲン
化物は場合により、塩素または臭素の、多少ともフッ素
を含有する金属ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩の
形のフッ素との交換によって反応混合物中に存在する。
【００２７】従って既に記された使用されるべきフッ化
水素の量の記載の意味は、支持体分子中に導入されたそ
れぞれのフッ素原子に対して、有利にフッ化水素が、少
なくとも化学量論的に必要な量に相応する量で使用され
ることであり、付加的に金属−ハロゲン化物−フルオル
スルホン酸塩の場合にハロゲン化物の場合によるハロゲ
ン−フッ素交換のために必要とされる程に多量のフッ化
水素である。また、更に下記で行なわれた、アルケンま
たはアルカンの場合にフッ化水素付加および／またはハ
ロゲン−フッ素交換に使用されるフッ化水素の化学量論
的記載にも相応して理解されるべきである。簡易化のた
め、付加的なフッ化水素が万一のハロゲン化物のハロゲ
ン−フッ素−交換のため必要でありうることは、前記の
記載中に必ずしも明示されているわけではない。
水素の量の記載の意味は、支持体分子中に導入されたそ
れぞれのフッ素原子に対して、有利にフッ化水素が、少
なくとも化学量論的に必要な量に相応する量で使用され
ることであり、付加的に金属−ハロゲン化物−フルオル
スルホン酸塩の場合にハロゲン化物の場合によるハロゲ
ン−フッ素交換のために必要とされる程に多量のフッ化
水素である。また、更に下記で行なわれた、アルケンま
たはアルカンの場合にフッ化水素付加および／またはハ
ロゲン−フッ素交換に使用されるフッ化水素の化学量論
的記載にも相応して理解されるべきである。簡易化のた
め、付加的なフッ化水素が万一のハロゲン化物のハロゲ
ン−フッ素−交換のため必要でありうることは、前記の
記載中に必ずしも明示されているわけではない。
【００２８】フッ化水素のどれだけの量がこのハロゲン
−フッ素−交換に付加的に必要となるかを見積もるた
め、当業者は使用されるべき金属ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩をまず第一にフッ化水素と変換させるこ
とができる。消費されたフッ化水素の量および／または
形成されたハロゲン化水素の量は、フッ化水素のどれだ
けの量が、使用されたハロゲン化炭化水素の変換のため
の量に対してこれ以上に付加的に必要とされるかを計算
することを可能にする。
−フッ素−交換に付加的に必要となるかを見積もるた
め、当業者は使用されるべき金属ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩をまず第一にフッ化水素と変換させるこ
とができる。消費されたフッ化水素の量および／または
形成されたハロゲン化水素の量は、フッ化水素のどれだ
けの量が、使用されたハロゲン化炭化水素の変換のため
の量に対してこれ以上に付加的に必要とされるかを計算
することを可能にする。
【００２９】特に容易かつ有利であるのは、次ぎの処置
方法である：金属ハロゲン化物、例えば五塩化ニオブま
たは五臭化ニオブ、または五塩化タンタルまたは五臭化
タンタルがフッ素化反応器中で、場合によりフッ素化す
るべき有機出発物質の一部または全部の不在下に、予め
導入され、かつ塩化水素もしくは臭化水素が最早生じな
くなるまで、フルオルスルホン酸が添加される。次に場
合によりフッ素化されるべきハロゲン化炭化水素の残量
およびフッ素化に必要とされるフッ化水素が触媒混合物
中に導入される。
方法である：金属ハロゲン化物、例えば五塩化ニオブま
たは五臭化ニオブ、または五塩化タンタルまたは五臭化
タンタルがフッ素化反応器中で、場合によりフッ素化す
るべき有機出発物質の一部または全部の不在下に、予め
導入され、かつ塩化水素もしくは臭化水素が最早生じな
くなるまで、フルオルスルホン酸が添加される。次に場
合によりフッ素化されるべきハロゲン化炭化水素の残量
およびフッ素化に必要とされるフッ化水素が触媒混合物
中に導入される。
【００３０】低級フッ素化化合物、例えばＣＨＣｌ2Ｃ
Ｃｌ2ＦをＣＨＣｌ2ＣＣｌ3またはＣＣｌ2＝ＣＣｌ2か
ら、ＣＨ2ＣｌＣＣｌ2ＦをＣＨ2ＣｌＣＣｌ3またはＣＨ
Ｃｌ＝ＣＣｌ2から、またはＣＨ3ＣＣｌ2ＦをＣＨ3ＣＣ
ｌ3またはＣＨ2＝ＣＣｌ2から製造するため、下記の温
度範囲内で、例えば５０〜１５０℃の間で作業すること
が有利である。変換温度は分析的に、例えば試料採取に
よって、およびガスクロマトグラフィーによる実験によ
って追跡されることができる。
Ｃｌ2ＦをＣＨＣｌ2ＣＣｌ3またはＣＣｌ2＝ＣＣｌ2か
ら、ＣＨ2ＣｌＣＣｌ2ＦをＣＨ2ＣｌＣＣｌ3またはＣＨ
Ｃｌ＝ＣＣｌ2から、またはＣＨ3ＣＣｌ2ＦをＣＨ3ＣＣ
ｌ3またはＣＨ2＝ＣＣｌ2から製造するため、下記の温
度範囲内で、例えば５０〜１５０℃の間で作業すること
が有利である。変換温度は分析的に、例えば試料採取に
よって、およびガスクロマトグラフィーによる実験によ
って追跡されることができる。
【００３１】この場合有利であるのは本発明による方法
の高い変換率である。
の高い変換率である。
【００３２】次の第１表中には、使用できる出発化合物
およびフッ化水素の化学量的に必要な量の記載下に、本
発明により製造できるフッ素含有エタン誘導体のための
数例が記載されている。
およびフッ化水素の化学量的に必要な量の記載下に、本
発明により製造できるフッ素含有エタン誘導体のための
数例が記載されている。
【００３３】第１表 ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2 ＋ ＨＦ→ＣＨＣｌ2ＣＣｌ2Ｆ ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2 ＋３ＨＦ→ＣＨＣｌ2ＣＦ3 ＣＨＣｌ2ＣＣｌ3 ＋３ＨＦ→ＣＨＣｌ2ＣＦ3 ＣＨＣｌ2ＣＣｌ2Ｆ＋２ＨＦ→ＣＨＣｌ2ＣＦ3 ＣＨＣｌ2ＣＣｌＦ2＋ ＨＦ→ＣＨＣｌ2ＣＦ3 ＣＨＣｌ＝ＣＣｌ2 ＋３ＨＦ→ＣＨ2ＣｌＣＦ3 ＣＨ2ＣｌＣＣｌ3 ＋３ＨＦ→ＣＨ2ＣｌＣＦ3 ＣＨ2＝ＣＣｌ2 ＋３ＨＦ→ＣＨ3ＣＦ3 ＣＨ3ＣＣｌ3 ＋３ＨＦ→ＣＨ3ＣＦ3 ＣＦＨ＝ＣＦ2 ＋ ＨＦ→ＣＨ2ＦＣＦ3 本発明による方法の利点は、全く特に高級フッ素化生成
物の製造の場合に判明する。高級フッ素化生成物の製造
の場合、例えばＣＨＣｌ2ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2ＣＣｌ
2Ｆ、ＣＣｌ2ＣＣｌＦ2、ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2またはこれ
らの混合物からのＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造、ＣＨ2ＣｌＣ
Ｃｌ3、ＣＨ2ＣｌＣＣＬ2Ｆ、ＣＨ2ＣｌＣＣｌＦ2、Ｃ
ＨＣｌ＝ＣＣｌ2またはこれらの混合物からのＣＨＣｌ
２2ＣｌＣＦ3の製造のため、またはＣＨ3ＣＣｌ3、ＣＨ
3ＣＣｌ2Ｆ、ＣＨ3ＣＣｌＦ2、ＣＨ2＝ＣＣｌ2またはこ
れらの混合物からのＣＨ3ＣＦ3の製造のため、有利に高
い温度範囲で、例えば７０〜２２０℃の間で、および１
０〜５０バールで作業される。またこの場合も、変換率
は反応混合物から取り出された試料からの分析によって
測定されることができる。
物の製造の場合に判明する。高級フッ素化生成物の製造
の場合、例えばＣＨＣｌ2ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2ＣＣｌ
2Ｆ、ＣＣｌ2ＣＣｌＦ2、ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2またはこれ
らの混合物からのＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造、ＣＨ2ＣｌＣ
Ｃｌ3、ＣＨ2ＣｌＣＣＬ2Ｆ、ＣＨ2ＣｌＣＣｌＦ2、Ｃ
ＨＣｌ＝ＣＣｌ2またはこれらの混合物からのＣＨＣｌ
２2ＣｌＣＦ3の製造のため、またはＣＨ3ＣＣｌ3、ＣＨ
3ＣＣｌ2Ｆ、ＣＨ3ＣＣｌＦ2、ＣＨ2＝ＣＣｌ2またはこ
れらの混合物からのＣＨ3ＣＦ3の製造のため、有利に高
い温度範囲で、例えば７０〜２２０℃の間で、および１
０〜５０バールで作業される。またこの場合も、変換率
は反応混合物から取り出された試料からの分析によって
測定されることができる。
【００３４】それ故に特に有利であるのは、高級フッ素
化化合物、特に一般式：ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＦ3（Ｉ
ａ）［但し式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは
１、２または３を表わす］で示されるトリフルオルメチ
ル基含有エタン誘導体の製造のための本発明による方法
である。
化化合物、特に一般式：ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＦ3（Ｉ
ａ）［但し式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは
１、２または３を表わす］で示されるトリフルオルメチ
ル基含有エタン誘導体の製造のための本発明による方法
である。
【００３５】この本発明による方法の好ましい実施態様
は、一般式（Ｉａ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＦ3 （Ｉａ）， ［式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体の製
造のため、０〜２５０℃の温度および１〜１００バール
の圧力（絶対）で ａ）一般式： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｍは前述の意味を表わし、Ｘ1および
Ｘ2はフッ素、塩素または臭素を表わす］で示されるハ
ロゲン含有アルケンをフッ化水素と反応させ、この場合
フッ化水素は少なくとも化学量論的にアルケンのフッ化
水素付加のためおよびハロゲン−フッ素交換のために必
要な量で使用されるか、または ｂ）一般式： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前述の意味を表わし、Ｙ1および
Ｙ2はフッ素、塩素または臭素を表わし、Ｙ3は塩素また
は臭素を表わす］で示されるハロゲン含有アルカンが、
フッ化水素と反応され、但しフッ化水素は少なくともア
ルカンのハロゲン−フッ素交換のため化学量論的に必要
な量で使用されることによって特徴付けられる。
は、一般式（Ｉａ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＦ3 （Ｉａ）， ［式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体の製
造のため、０〜２５０℃の温度および１〜１００バール
の圧力（絶対）で ａ）一般式： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｍは前述の意味を表わし、Ｘ1および
Ｘ2はフッ素、塩素または臭素を表わす］で示されるハ
ロゲン含有アルケンをフッ化水素と反応させ、この場合
フッ化水素は少なくとも化学量論的にアルケンのフッ化
水素付加のためおよびハロゲン−フッ素交換のために必
要な量で使用されるか、または ｂ）一般式： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前述の意味を表わし、Ｙ1および
Ｙ2はフッ素、塩素または臭素を表わし、Ｙ3は塩素また
は臭素を表わす］で示されるハロゲン含有アルカンが、
フッ化水素と反応され、但しフッ化水素は少なくともア
ルカンのハロゲン−フッ素交換のため化学量論的に必要
な量で使用されることによって特徴付けられる。
【００３６】出発化合物として相応するハロゲン化アル
ケンから出発する場合、本発明による方法の利点が特に
顕著になる。この本来著しく反応不活性な化合物を使用
する場合の変換度は、著しく高い。他の方法の場合に観
察された重合体の形成、もしくは、フッ化水素の付加に
よってではなく、ハロゲンの付加によって生じた化合物
の形成は、本発明による方法の場合には場合により著し
く僅かな量で観察される。
ケンから出発する場合、本発明による方法の利点が特に
顕著になる。この本来著しく反応不活性な化合物を使用
する場合の変換度は、著しく高い。他の方法の場合に観
察された重合体の形成、もしくは、フッ化水素の付加に
よってではなく、ハロゲンの付加によって生じた化合物
の形成は、本発明による方法の場合には場合により著し
く僅かな量で観察される。
【００３７】本発明による方法の有利な変形により、ハ
ロゲン化アルケンが出発化合物として使用される。第一
の反応工程で、まずフッ化水素付加化合物が形成され
る。この種の、全く価値の高い性質、例えば溶剤として
の性質を有する低級フッ素化化合物の製造が所望される
場合には、この化合物は反応混合物から単離される。高
級フッ素化生成物、特にトリフルオルメチル基含有エタ
ン誘導体の製造が所望される場合には、これらの化合物
は単離され、かつ更にフッ素化される。有利にはこれら
の中間に第一反応工程中で生じるフッ化水素付加化合物
は単離されるのではなく、これらの化合物はその場で更
にフッ化水素と、所望の高級フッ素化生成物になるまで
反応する。
ロゲン化アルケンが出発化合物として使用される。第一
の反応工程で、まずフッ化水素付加化合物が形成され
る。この種の、全く価値の高い性質、例えば溶剤として
の性質を有する低級フッ素化化合物の製造が所望される
場合には、この化合物は反応混合物から単離される。高
級フッ素化生成物、特にトリフルオルメチル基含有エタ
ン誘導体の製造が所望される場合には、これらの化合物
は単離され、かつ更にフッ素化される。有利にはこれら
の中間に第一反応工程中で生じるフッ化水素付加化合物
は単離されるのではなく、これらの化合物はその場で更
にフッ化水素と、所望の高級フッ素化生成物になるまで
反応する。
【００３８】また少なくとも部分的にフッ素化されたア
ルケンから出発することもできる。このように本発明に
よる方法の実施態様により、トリフルオルエチレンとフ
ッ化水素とが金属ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩
の不在下に反応することによって、ＣＨ2ＦＣＦ3が製造
されることができる。以外なことにアルケンの重合は観
察されなかった。
ルケンから出発することもできる。このように本発明に
よる方法の実施態様により、トリフルオルエチレンとフ
ッ化水素とが金属ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩
の不在下に反応することによって、ＣＨ2ＦＣＦ3が製造
されることができる。以外なことにアルケンの重合は観
察されなかった。
【００３９】本発明による方法はＣＨＣｌ2ＣＦ3(Ｒ１
２３)の製造に傑出して好適である。
２３)の製造に傑出して好適である。
【００４０】この全く特に有利な本発明による方法の実
施態様は、ＣＨＣｌ2ＣＦ3を製造するため、 ａ）ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2をフッ化水素と反応させ、この場
合フッ化水素は少なくとも、アルケンのフッ化水素付加
および塩素−フッ素交換のために必要な化学量論的な量
で使用されるか、または ｂ）ＣＨＣｌ2ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2ＣＦＣｌ2、ＣＨＣｌ
2ＣＦ2Ｃｌまたはこれらの混合物をフッ化水素と反応さ
せ、この場合フッ化水素は少なくともアルカンの塩素−
フッ素交換に必要な化学量論的な量で使用されることに
よって特徴付けられる。
施態様は、ＣＨＣｌ2ＣＦ3を製造するため、 ａ）ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2をフッ化水素と反応させ、この場
合フッ化水素は少なくとも、アルケンのフッ化水素付加
および塩素−フッ素交換のために必要な化学量論的な量
で使用されるか、または ｂ）ＣＨＣｌ2ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2ＣＦＣｌ2、ＣＨＣｌ
2ＣＦ2Ｃｌまたはこれらの混合物をフッ化水素と反応さ
せ、この場合フッ化水素は少なくともアルカンの塩素−
フッ素交換に必要な化学量論的な量で使用されることに
よって特徴付けられる。
【００４１】全く特に有利であるのは、変形ａ）による
ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2からのＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造である。
ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2とフッ化水素とのモル比は有利に１：
３〜１：１００の間である。
ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2からのＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造である。
ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2とフッ化水素とのモル比は有利に１：
３〜１：１００の間である。
【００４２】出発化合物対金属−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩のモル比は、前述されたように、１０：
１〜１：１００の間にある。
ルスルホン酸塩のモル比は、前述されたように、１０：
１〜１：１００の間にある。
【００４３】出発化合物対金属−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩のモル比は好ましくは１０：１〜１：１
０の間にあり、特に好ましくは２：１〜１：５の間にあ
る。
ルスルホン酸塩のモル比は好ましくは１０：１〜１：１
０の間にあり、特に好ましくは２：１〜１：５の間にあ
る。
【００４４】本発明による方法の全く特に好ましい実施
態様は、ＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造のためＣＣｌ2＝ＣＣｌ2
から出発し、これをアルケンのフッ化水素付加のため、
および塩素−フッ素交換のため少なくとも化学量論的に
必要とされるフッ化水素の量と変換させ、この場合触媒
活性調剤として、五ハロゲン化ニオブ、五ハロゲン化タ
ンタルまたはこれらの化合物の混合物と、フルオルスル
ホン酸塩との１：１〜１：３のモル比での変換の反応生
成物を使用することによって示される。
態様は、ＣＨＣｌ2ＣＦ3の製造のためＣＣｌ2＝ＣＣｌ2
から出発し、これをアルケンのフッ化水素付加のため、
および塩素−フッ素交換のため少なくとも化学量論的に
必要とされるフッ化水素の量と変換させ、この場合触媒
活性調剤として、五ハロゲン化ニオブ、五ハロゲン化タ
ンタルまたはこれらの化合物の混合物と、フルオルスル
ホン酸塩との１：１〜１：３のモル比での変換の反応生
成物を使用することによって示される。
【００４５】湿分は本発明による方法では支障のあるよ
うに作用する。従って、反応は有利に、水の好ましくな
い量が反応混合物中に達するのを阻止する条件下で、実
施される。本質的に水不含のフッ化水素が使用される。
フッ化水素の使用された量に依存して、市販のフッ化水
素を使用前に乾燥することが望ましい。更に望ましいの
は、使用される装置をできるだけ乾燥した状態で維持す
ることである。このため導管、反応容器、生成物後加工
および生成物貯蔵のための装置は乾燥ガス、例えば乾燥
空気または乾燥窒素ガスを用いて洗浄されることができ
る。反応はバッチ法でか、または連続的に実施されるこ
とができる。常に反応混合物中には少なくともハロゲン
−フッ素交換のためもしくはフッ化水素付加のために化
学量論的に必要なフッ化水素の量が存在しているべきで
ある。
うに作用する。従って、反応は有利に、水の好ましくな
い量が反応混合物中に達するのを阻止する条件下で、実
施される。本質的に水不含のフッ化水素が使用される。
フッ化水素の使用された量に依存して、市販のフッ化水
素を使用前に乾燥することが望ましい。更に望ましいの
は、使用される装置をできるだけ乾燥した状態で維持す
ることである。このため導管、反応容器、生成物後加工
および生成物貯蔵のための装置は乾燥ガス、例えば乾燥
空気または乾燥窒素ガスを用いて洗浄されることができ
る。反応はバッチ法でか、または連続的に実施されるこ
とができる。常に反応混合物中には少なくともハロゲン
−フッ素交換のためもしくはフッ化水素付加のために化
学量論的に必要なフッ化水素の量が存在しているべきで
ある。
【００４６】後加工は反応混合物のガス洗浄器を通して
の導通および引き続く分留によって行なわれる。
の導通および引き続く分留によって行なわれる。
【００４７】実施のために使用された装置は、フッ化水
素に対して抵抗性であるべきである。有利にテフロンお
よび特殊な合金、例えば“ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌ
ｏｙ）”、フッ化水素抵抗性ニッケル合金からなる構成
部材が使用される。
素に対して抵抗性であるべきである。有利にテフロンお
よび特殊な合金、例えば“ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌ
ｏｙ）”、フッ化水素抵抗性ニッケル合金からなる構成
部材が使用される。
【００４８】更に本発明の目的は、一般式（ＩＶ）： ＭＸn（ＦＳＯ3）5-n （ＩＶ） ［式中、Ｘはハロゲンを表わし、ｎは０〜４である］で
示される金属−フルオルスルホン酸塩化合物の触媒とし
ての使用である。
示される金属−フルオルスルホン酸塩化合物の触媒とし
ての使用である。
【００４９】Ｘは好ましくは塩素またはフッ素を表わ
し、ｎは好ましくは１〜４であり、特に２〜４である。
し、ｎは好ましくは１〜４であり、特に２〜４である。
【００５０】製造は、前述されたように五ハロゲン化物
から、フルオルスルホン酸またはフルオルスルホン酸誘
導体、例えばフルオルスルホン酸エステルを用いて行な
われる。塩化物から出発する場合には、所望の場合には
反応生成物はフッ化水素と反応することができ、かつ相
応するフッ化物−フルオルスルホン酸塩が得られる。フ
ッ化物から出発して、三酸化硫黄と反応する場合にも相
応する金属−フッ化物−フルオルスルホン酸塩が得られ
る。
から、フルオルスルホン酸またはフルオルスルホン酸誘
導体、例えばフルオルスルホン酸エステルを用いて行な
われる。塩化物から出発する場合には、所望の場合には
反応生成物はフッ化水素と反応することができ、かつ相
応するフッ化物−フルオルスルホン酸塩が得られる。フ
ッ化物から出発して、三酸化硫黄と反応する場合にも相
応する金属−フッ化物−フルオルスルホン酸塩が得られ
る。
【００５１】更に本発明の目的は、式（Ｖ）のタンタル
ハロゲニド−フルオルスルホン酸塩化合物もしくはニオ
ブハロゲニド−フルオルスルホン酸塩化合物および式
（ＩＩ）のアルケンか、式（ＩＩＩ）のアルケンかまた
はフッ化水素のいずれかが得られる本発明による方法中
で使用される調剤であり、この場合成分の合計は１００
重量％である。式（ＩＶ）の化合物の有利に０．１〜９
９重量％、特に１０〜９０重量％、および全く特に有利
に３０〜７０重量％が得られるこの調剤は、個々の成分
の混合によって得られる。所望の場合には万一形成され
た塩化水素または臭化水素が分離されることができる。
ハロゲニド−フルオルスルホン酸塩化合物もしくはニオ
ブハロゲニド−フルオルスルホン酸塩化合物および式
（ＩＩ）のアルケンか、式（ＩＩＩ）のアルケンかまた
はフッ化水素のいずれかが得られる本発明による方法中
で使用される調剤であり、この場合成分の合計は１００
重量％である。式（ＩＶ）の化合物の有利に０．１〜９
９重量％、特に１０〜９０重量％、および全く特に有利
に３０〜７０重量％が得られるこの調剤は、個々の成分
の混合によって得られる。所望の場合には万一形成され
た塩化水素または臭化水素が分離されることができる。
【００５２】本発明の方法により得られたフッ素含有エ
タン誘導体は、価値の高い環境認容性の溶剤、発射火薬
および化学合成のための中間生成物である。
タン誘導体は、価値の高い環境認容性の溶剤、発射火薬
および化学合成のための中間生成物である。
【００５３】本発明による方法は高い変換率および高い
選択性を示し、かつ有利に液体相中で実施されることが
できる。
選択性を示し、かつ有利に液体相中で実施されることが
できる。
【００５４】本発明による方法の高い効果は、驚異的で
予測不可能なこととして観察されなければならない。従
って、例えば過クロルエチレンが出発化合物として、使
用されかつフルオルスルホン酸塩が触媒として使用され
る場合には、変換率は著しく僅かである。触媒としての
五ハロゲン化ニオブは僅かな変換度を提供する。従っ
て、例えばそれ自体では殆ど使用できない触媒成分の反
応生成物が、本発明による方法において変換率、選択性
および触媒混合物の寿命に関する良好な結果をもたら
し、かつまた高フッ素化生成物、例えば特にＲ１２３の
製造を可能にすることは、全く予想外である。
予測不可能なこととして観察されなければならない。従
って、例えば過クロルエチレンが出発化合物として、使
用されかつフルオルスルホン酸塩が触媒として使用され
る場合には、変換率は著しく僅かである。触媒としての
五ハロゲン化ニオブは僅かな変換度を提供する。従っ
て、例えばそれ自体では殆ど使用できない触媒成分の反
応生成物が、本発明による方法において変換率、選択性
および触媒混合物の寿命に関する良好な結果をもたら
し、かつまた高フッ素化生成物、例えば特にＲ１２３の
製造を可能にすることは、全く予想外である。
【００５５】次の例につき、本発明の方法を、その範囲
に限定することなく詳説する。
に限定することなく詳説する。
【００５６】
【実施例】例１： タンタル−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物
の使用下でのテトラクロルエチレンからのトリフルオル
ジクロルエタン（Ｒ１２３）およびジフルオルトリクロ
ルエタン（Ｒ１２３）の製造。
の使用下でのテトラクロルエチレンからのトリフルオル
ジクロルエタン（Ｒ１２３）およびジフルオルトリクロ
ルエタン（Ｒ１２３）の製造。
【００５７】１．１．使用した装置：反応をＨＦ−耐性
材料（ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ４TM、合金
鋼）からなる密閉できる反応器中で実施した。反応器は
２リットルの内部容量を有する。この反応器は翼状撹拌
機、還流冷却器、サーモスタットおよび導入管を装備し
ており（サーモスタットを介して内部温度が測定される
ことができる）。還流冷却器を、水を満たしたガス洗浄
器と連結した。ガス洗浄器はその側で、低温冷却凝縮装
置と連結している。
材料（ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ４TM、合金
鋼）からなる密閉できる反応器中で実施した。反応器は
２リットルの内部容量を有する。この反応器は翼状撹拌
機、還流冷却器、サーモスタットおよび導入管を装備し
ており（サーモスタットを介して内部温度が測定される
ことができる）。還流冷却器を、水を満たしたガス洗浄
器と連結した。ガス洗浄器はその側で、低温冷却凝縮装
置と連結している。
【００５８】１．２．タンタル−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩化合物の製造 反応器中に導入管を介して五塩化タンタル７２０ｇおよ
びフルオルスルホン酸２３０ｇ（２．３モル）を導入し
た。次に反応器を密閉した。反応混合物を室温で撹拌
し、この場合反応器中の圧力は５バールに上昇した。次
に、更にフッ化水素２４０ｇ（１２モル）を反応器中に
圧縮した。次に反応内容物をもう一度室温で撹拌した。
引続き、室温でガス状である成分を反応器から還流冷却
器を介して排出させ、およびガス洗浄器に導通させた。
ガス状成分は本質的にＨＣｌからなる。ガス洗浄器内容
物の分析から明らかなように、洗浄溶液は使用された塩
酸の形の五塩化タンタルの全塩素含量を含有した。従っ
て、反応器中で製造された調剤中のタンタルは本質的に
ＴａＦ4（ＦＳＯ）3としてフッ化水素中に予め装入して
いたと、考えられる。
ルスルホン酸塩化合物の製造 反応器中に導入管を介して五塩化タンタル７２０ｇおよ
びフルオルスルホン酸２３０ｇ（２．３モル）を導入し
た。次に反応器を密閉した。反応混合物を室温で撹拌
し、この場合反応器中の圧力は５バールに上昇した。次
に、更にフッ化水素２４０ｇ（１２モル）を反応器中に
圧縮した。次に反応内容物をもう一度室温で撹拌した。
引続き、室温でガス状である成分を反応器から還流冷却
器を介して排出させ、およびガス洗浄器に導通させた。
ガス状成分は本質的にＨＣｌからなる。ガス洗浄器内容
物の分析から明らかなように、洗浄溶液は使用された塩
酸の形の五塩化タンタルの全塩素含量を含有した。従っ
て、反応器中で製造された調剤中のタンタルは本質的に
ＴａＦ4（ＦＳＯ）3としてフッ化水素中に予め装入して
いたと、考えられる。
【００５９】１．３．Ｒ１２３およびＲ１２２の製造の
実施 １．２．により製造されたフッ化水素およびタンタル−
フッ化物−フルオルスルホン酸塩含有調剤中に、フッ化
水素およびテトラクロルエチレンを導入した。配量は、
毎時フッ化水素５０ｇ（２．５モル）およびテトラクロ
ルエチレン５０ｍｌ（０．５モル）が供給されるように
調節された。反応混合物中の温度を１４５℃に調節し、
圧力を調節弁を用いて１３〜１５バールに調節した。全
部でフッ化水素４ｋｇおよび過クロルエチレン４．２ｋ
ｇを供給した。
実施 １．２．により製造されたフッ化水素およびタンタル−
フッ化物−フルオルスルホン酸塩含有調剤中に、フッ化
水素およびテトラクロルエチレンを導入した。配量は、
毎時フッ化水素５０ｇ（２．５モル）およびテトラクロ
ルエチレン５０ｍｌ（０．５モル）が供給されるように
調節された。反応混合物中の温度を１４５℃に調節し、
圧力を調節弁を用いて１３〜１５バールに調節した。全
部でフッ化水素４ｋｇおよび過クロルエチレン４．２ｋ
ｇを供給した。
【００６０】還流冷却器を介して連続的に低沸点物の十
分な量をガス状で反応器から排出させ、洗浄器に導通さ
せ、かつ洗浄器から排出された有機成分を低温冷却凝縮
装置中で凝縮した。全体で有機成分３，３００ｇを低温
冷却凝縮装置中で凝縮した。
分な量をガス状で反応器から排出させ、洗浄器に導通さ
せ、かつ洗浄器から排出された有機成分を低温冷却凝縮
装置中で凝縮した。全体で有機成分３，３００ｇを低温
冷却凝縮装置中で凝縮した。
【００６１】有機相の組成はガスクロマトグラフィーに
より測定した。
より測定した。
【００６２】組成： Ｒ１２４（Ｃ2ＨＣｌＦ4） ： ０．１％ Ｒ１２３（Ｃ2ＨＣｌ2Ｆ3）：３８．２％ Ｒ１２２（Ｃ2ＨＣｌ3Ｆ2）：６０．３％ Ｒ１２１（Ｃ2ＨＣｌ4Ｆ） ： ０．２％ Ｃ2Ｃｌ4 ： ０．９％ （重量％で記載）例２： トリフルオルジクロルエタンの半連続的製造 ２．１．使用した装置 使用したのは、Ｖ４Ａ−鋼（塩素、ニッケルおよびモリ
ブデンを用いて合金された鋼）からなる実験室オートク
レーブである。このオートクレーブの内容積は０．２５
１である。オートクレーブは電磁撹拌機、出発化合物を
供給することができる浸漬管、および内部温度を測定で
きるサーモスタットを装備している。更に、実験室オー
トクレーブは、水で満たしたガス洗浄器と連結している
ガス排出口を有する。ガス洗浄器はその側で、低温冷却
凝縮装置と連結している。
ブデンを用いて合金された鋼）からなる実験室オートク
レーブである。このオートクレーブの内容積は０．２５
１である。オートクレーブは電磁撹拌機、出発化合物を
供給することができる浸漬管、および内部温度を測定で
きるサーモスタットを装備している。更に、実験室オー
トクレーブは、水で満たしたガス洗浄器と連結している
ガス排出口を有する。ガス洗浄器はその側で、低温冷却
凝縮装置と連結している。
【００６３】２．２．ニオブハロゲン化物−フルオルス
ルホン酸塩化合物の製造および試験の実施 五塩化ニオブ２７ｇ（０．１モル）およびフルオルスル
ホン酸塩１０ｇをオートクレーブ中に導入した。テトラ
クロルエチレン４０ｇ（０．２４モル）の添加前に、ニ
オブ−塩化物−フルオルスルホン酸塩化合物の形成の際
に形成する塩化水素を排出した。次に、フッ化水素４０
ｇを３回に分けて供給した。その間に生じる過圧を揮発
性成分の排出によって取り除いた。
ルホン酸塩化合物の製造および試験の実施 五塩化ニオブ２７ｇ（０．１モル）およびフルオルスル
ホン酸塩１０ｇをオートクレーブ中に導入した。テトラ
クロルエチレン４０ｇ（０．２４モル）の添加前に、ニ
オブ−塩化物−フルオルスルホン酸塩化合物の形成の際
に形成する塩化水素を排出した。次に、フッ化水素４０
ｇを３回に分けて供給した。その間に生じる過圧を揮発
性成分の排出によって取り除いた。
【００６４】次に、オートクレーブを密閉し、かつ第一
の加熱段階をなした。この場合オートクレーブ内容物を
第二表中に記載の温度にもたらし、かつ第２表に記載の
時間の間この温度に保った。引続きオートクレーブ内容
物を周囲温度にもたらし、かつ生じた塩化水素を排出し
た。引続き周囲温度および常圧で揮発性の化合物の試料
を取って、かつその中に含有される有機化合物に関して
ガスクロマトグラフィー的に分析した。分析値は、重量
％で記載され、第２表中に見い出される。
の加熱段階をなした。この場合オートクレーブ内容物を
第二表中に記載の温度にもたらし、かつ第２表に記載の
時間の間この温度に保った。引続きオートクレーブ内容
物を周囲温度にもたらし、かつ生じた塩化水素を排出し
た。引続き周囲温度および常圧で揮発性の化合物の試料
を取って、かつその中に含有される有機化合物に関して
ガスクロマトグラフィー的に分析した。分析値は、重量
％で記載され、第２表中に見い出される。
【００６５】引続きオートクレーブ内容物を第二の加熱
段階にした。冷却後、反応器を常圧にもたらし、および
今回は室温および常圧で揮発性の化合物を反応器から排
出し、かつガス洗浄器に導通させた。ガス洗浄器から排
出された粗製生成物をガスクロマトグラフィー的に分析
した。
段階にした。冷却後、反応器を常圧にもたらし、および
今回は室温および常圧で揮発性の化合物を反応器から排
出し、かつガス洗浄器に導通させた。ガス洗浄器から排
出された粗製生成物をガスクロマトグラフィー的に分析
した。
【００６６】次に、難揮発性有機化合物以外に触媒系も
残留する反応器中に、新たにテトラクロルエチレン４０
ｇ、およびフッ化水素４０ｇを供給した。次に反応器を
第三の加熱段階にし、冷却し、生じた塩化水素を排出
し、引続き周囲温度および常圧で揮発性の有機化合物の
試料を分析した。それに基づいて反応器を第四の加熱段
階にし、冷却し、かつほぼ室温および常圧で揮発性の化
合物の全含量を反応器からガス洗浄器の中へ導入し、か
つガス洗浄器から排出された粗製生成物を再びガスクロ
マトグラフィー的に分析した。
残留する反応器中に、新たにテトラクロルエチレン４０
ｇ、およびフッ化水素４０ｇを供給した。次に反応器を
第三の加熱段階にし、冷却し、生じた塩化水素を排出
し、引続き周囲温度および常圧で揮発性の有機化合物の
試料を分析した。それに基づいて反応器を第四の加熱段
階にし、冷却し、かつほぼ室温および常圧で揮発性の化
合物の全含量を反応器からガス洗浄器の中へ導入し、か
つガス洗浄器から排出された粗製生成物を再びガスクロ
マトグラフィー的に分析した。
【００６７】この処理法を数回繰り返した。第二（前記
参照）、第四および第六加熱段階の後、それぞれフッ化
水素４０ｇおよびそれぞれテトラクロルエチレン４０ｇ
を反応器中に導入した。それぞれの加熱段階で調節され
た最高温度、達成された最大圧力および、最高温度が保
持されていた間の時間の長さ、ならびにそれぞれの加熱
段階に得られたガス相のガスクロマトグラフィー分析に
よるデータを第２表にまとめた。
参照）、第四および第六加熱段階の後、それぞれフッ化
水素４０ｇおよびそれぞれテトラクロルエチレン４０ｇ
を反応器中に導入した。それぞれの加熱段階で調節され
た最高温度、達成された最大圧力および、最高温度が保
持されていた間の時間の長さ、ならびにそれぞれの加熱
段階に得られたガス相のガスクロマトグラフィー分析に
よるデータを第２表にまとめた。
【００６８】
【表１】
【００６９】ガスクロマトグラフィー分析の場合にはＲ
１２４ ０．２〜０．８％の他に、Ｒ１２５ ０．２〜
０．５％も見い出された。
１２４ ０．２〜０．８％の他に、Ｒ１２５ ０．２〜
０．５％も見い出された。
【００７０】例３： テトラクロルエチレンからのＲ１２３およびＲ１２２の
半連続的製造 ３．１．使用された装置 例２．１．以下に記載された装置を使用した。
半連続的製造 ３．１．使用された装置 例２．１．以下に記載された装置を使用した。
【００７１】３．２．タンタル−ハロゲン化物−フルオ
ルスルホン酸塩化合物を含有する触媒活性調剤の製造 テトラクロルエチレン４０ｇ、五塩化タンタル３６ｇ
（０．１モル）およびフルオルスルホン酸塩３０ｇ
（０．３モル）をこの順序でオートクレーブ中に装入し
た（この場合テトラクロルエチレンは希釈剤のように作
用する）。オートクレーブを密閉し、かつオートクレー
ブの内容物を撹拌した。撹拌の間約５バールの圧力が生
じた。調節弁を介して放圧を行なった。次に形成された
タンタル−塩化物−フルオルスルホン酸塩化合物および
テトラクロルエチレンを含有する調剤を装入した。
ルスルホン酸塩化合物を含有する触媒活性調剤の製造 テトラクロルエチレン４０ｇ、五塩化タンタル３６ｇ
（０．１モル）およびフルオルスルホン酸塩３０ｇ
（０．３モル）をこの順序でオートクレーブ中に装入し
た（この場合テトラクロルエチレンは希釈剤のように作
用する）。オートクレーブを密閉し、かつオートクレー
ブの内容物を撹拌した。撹拌の間約５バールの圧力が生
じた。調節弁を介して放圧を行なった。次に形成された
タンタル−塩化物−フルオルスルホン酸塩化合物および
テトラクロルエチレンを含有する調剤を装入した。
【００７２】３．３．試験の実施 例３．２．の中で製造された調剤中にフッ化水素４０ｇ
を配量した。圧力は撹拌の際に約１２バールに上昇し
た。調節弁を介して放圧を行なった。
を配量した。圧力は撹拌の際に約１２バールに上昇し
た。調節弁を介して放圧を行なった。
【００７３】第一加熱段階で反応器内容物を１時間以内
に１６０℃に加熱しかつ４時間この温度で維持した。こ
の場合圧力は３２バールに上昇した。冷却後低沸点物を
ガスクロマトグラフィー分析した。分析結果を第三表に
まとめた。
に１６０℃に加熱しかつ４時間この温度で維持した。こ
の場合圧力は３２バールに上昇した。冷却後低沸点物を
ガスクロマトグラフィー分析した。分析結果を第三表に
まとめた。
【００７４】第二加熱段階前に、テトラクロルエチレン
２０ｇおよびフッ化水素２０ｇをオートクレーブの中へ
導入した。同様の方法で合計８加熱段階を実施した。加
熱段階の間に低沸点物をガスクロマトグラフィー分析し
（第七加熱段階の分析結果は誤差を生じた）およびそれ
ぞれテトラクロルエチレン２０ｇおよびフッ化水素２０
ｇをオートクレーブの中へ導入した（第六加熱段階の前
は専らフッ化水素２０ｇ、しかしテトラクロルエチレン
なし）。合計でテトラクロルエチレン１８０ｇおよびフ
ッ化水素２００ｇを使用した。処理パラメータおよび個
々の加熱段階（第七加熱段階まで）の分析結果を第三表
にまとめた。
２０ｇおよびフッ化水素２０ｇをオートクレーブの中へ
導入した。同様の方法で合計８加熱段階を実施した。加
熱段階の間に低沸点物をガスクロマトグラフィー分析し
（第七加熱段階の分析結果は誤差を生じた）およびそれ
ぞれテトラクロルエチレン２０ｇおよびフッ化水素２０
ｇをオートクレーブの中へ導入した（第六加熱段階の前
は専らフッ化水素２０ｇ、しかしテトラクロルエチレン
なし）。合計でテトラクロルエチレン１８０ｇおよびフ
ッ化水素２００ｇを使用した。処理パラメータおよび個
々の加熱段階（第七加熱段階まで）の分析結果を第三表
にまとめた。
【００７５】最後の加熱段階終了後、オートクレーブ中
に残留した反応混合物を氷上に流し込み、かつ析出した
有機相を分離した。また、この有機相をガスクロマトグ
ラフィー分析した。使用されたテトラクロルエチレン４
０ｇを回収した。
に残留した反応混合物を氷上に流し込み、かつ析出した
有機相を分離した。また、この有機相をガスクロマトグ
ラフィー分析した。使用されたテトラクロルエチレン４
０ｇを回収した。
【００７６】分析結果から、半連続的な方法の進行中に
反応したテトラクロルエチレン合計１４０ｇが本質的に
Ｒ１２３（７０％）、Ｒ１２２（２５％）、Ｒ１２１
（５％）に変換されたことを、予測することができる。
反応したテトラクロルエチレン合計１４０ｇが本質的に
Ｒ１２３（７０％）、Ｒ１２２（２５％）、Ｒ１２１
（５％）に変換されたことを、予測することができる。
【００７７】
【表２】
【００７８】“％”は“重量％”を表わす ａ）ＧＣ−試料に混ぜ物をした ｂ）さらにＲ２３／ＣＯ2３１％、Ｒ２２ １．１％、
Ｒ１１１２ ０．３％ ｃ）さらにＲ１１１２ ４．５％、Ｒ１１３ ０．３％ ｄ）さらにテトラクロルエチレン４１．６％、Ｒ１２１
２７．６％ 高級フッ素化エタン、特にトリフルオルジクロルエタン
ならびにジフルオルトリクロルエタンの含分は、また連
続的かまたは半連続的処理方法の場合にも触媒の安定性
により長い反応時間の後にもなお著しく良好である。
Ｒ１１１２ ０．３％ ｃ）さらにＲ１１１２ ４．５％、Ｒ１１３ ０．３％ ｄ）さらにテトラクロルエチレン４１．６％、Ｒ１２１
２７．６％ 高級フッ素化エタン、特にトリフルオルジクロルエタン
ならびにジフルオルトリクロルエタンの含分は、また連
続的かまたは半連続的処理方法の場合にも触媒の安定性
により長い反応時間の後にもなお著しく良好である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】この本発明による方法の好ましい実施態様
は、一般式（Ｉａ）： ＦｋＨｎＣｌ３−ｋ−ｎＣ−ＣＦ３ （Ｉａ）， ［式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体の製
造のため、５０〜２５０℃の温度および１〜１００バー
ルの圧力（絶対）で ａ）一般式： ＦｋＨｍＣｌ２−ｋ−ｍＣ＝ＣＸ１Ｘ２ （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｍは前述の意味を表わし、Ｘ１および
Ｘ２はフッ素、塩素または臭素を表わす］で示されるハ
ロゲン含有アルケンをフッ化水素と反応させ、この場合
フッ化水素は少なくとも化学量諭的にアルケンのフッ化
水素付加のためおよびハロゲン−フッ累交換のために必
要な量で使用されるか、または ｂ）一般式： ＦｋＨｎＣｌ３−ｋ−ｎＣ−ＣＹ１Ｙ２Ｙ３ （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前述の意味を表わし、Ｙ１および
Ｙ２はフッ素、塩素または臭素を表わし、Ｙ３は塩素ま
たは臭素を表わすす］で示されるハロゲン含有アルカン
が、フッ化水素と反応され、但しフッ化水素は少なくと
もアルカンのハロゲン−フッ素交換のため化学量諭的に
必要な量で使用されることによって特徴付けられる。
は、一般式（Ｉａ）： ＦｋＨｎＣｌ３−ｋ−ｎＣ−ＣＦ３ （Ｉａ）， ［式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体の製
造のため、５０〜２５０℃の温度および１〜１００バー
ルの圧力（絶対）で ａ）一般式： ＦｋＨｍＣｌ２−ｋ−ｍＣ＝ＣＸ１Ｘ２ （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｍは前述の意味を表わし、Ｘ１および
Ｘ２はフッ素、塩素または臭素を表わす］で示されるハ
ロゲン含有アルケンをフッ化水素と反応させ、この場合
フッ化水素は少なくとも化学量諭的にアルケンのフッ化
水素付加のためおよびハロゲン−フッ累交換のために必
要な量で使用されるか、または ｂ）一般式： ＦｋＨｎＣｌ３−ｋ−ｎＣ−ＣＹ１Ｙ２Ｙ３ （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前述の意味を表わし、Ｙ１および
Ｙ２はフッ素、塩素または臭素を表わし、Ｙ３は塩素ま
たは臭素を表わすす］で示されるハロゲン含有アルカン
が、フッ化水素と反応され、但しフッ化水素は少なくと
もアルカンのハロゲン−フッ素交換のため化学量諭的に
必要な量で使用されることによって特徴付けられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴェルナー ルードルフ ドイツ連邦共和国 ハノーヴァー 71 オ ーダーシュトラーセ 38 (72)発明者 ハンス−ヴァルター シュヴィデルスキー ドイツ連邦共和国 ハノーヴァー １ ツ ェッペリンシュトラーセ ５
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＺ1Ｚ2Ｆ （Ｉ） ［式中、Ｚ1およびＺ2は同一かまたは異なっていてよ
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、ｋは
０、１または２を表わし、ｎは１、２または３を表わ
す］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製造する方法
において、アルケンまたはハロゲン含有アルカンを出発
化合物として、液体相中で０〜２５０℃の温度でフッ化
水素と反応させ、この場合反応は、本質的に五ハロゲン
化タンタルおよび／または五ハロゲン化ニオブ不含、有
利に本質的に五塩化タンタルおよび／または五塩化ニオ
ブおよび五臭化タンタルおよび／または五臭化ニオブ不
含で、タンタル−フルオルスルホン酸塩化合物含有およ
び／またはニオブ−フルオルスルホン酸塩化合物含有の
触媒活性調剤によって促進され、フッ化水素は出発化合
物に対して少なくとも等モル量で使用され、出発化合物
対触媒活性化合物のモル比は約１０：１〜１：１００で
あり、但し ａ）アルケンとして一般式（ＩＩ）： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、Ｘ1およびＸ2は同一かまたは異なっていてよ
く、かつ水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、ｋは
上記の意味を表わし、およびｍは０、１または２を表わ
す］で示される化合物を使用するか、または ｂ）ハロゲン含有アルカンとして、一般式（ＩＩＩ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前記の意味を表わし、Ｙ1、Ｙ2は
同一かまたは異なっていてよく、かつ水素、フッ素、塩
素または臭素を表わし、Ｙ3は塩素または臭素を表わ
す］で示される化合物を使用することを特徴とする、一
般式（Ｉ）のフッ素含有エタン誘導体の製造法。 - 【請求項２】 一般式（Ｉａ）： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＦ3 （Ｉａ） ［式中、ｋは０、１または２を表わし、ｎは１、２また
は３を表わす］で示されるフッ素含有エタン誘導体を製
造するため、５０〜２５０℃の温度および１〜１００バ
ールの圧力で、 ａ）一般式： ＦkＨmＣｌ2-k-mＣ＝ＣＸ1Ｘ2 （ＩＩ） ［式中、ｋおよびｍは前記の意味を表わし、Ｘ1および
Ｘ2はフッ素、塩素または臭素を表わす］で示されるハ
ロゲン含有アルケンを、フッ化水素と反応させ、この場
合フッ化水素は少なくとも、アルケンの場合にフッ化水
素付加およびハロゲン−フッ素交換のために必要な化学
量論的量で使用されるか、または ｂ）一般式： ＦkＨnＣｌ3-k-nＣ−ＣＹ1Ｙ2Ｙ3 （ＩＩＩ） ［式中、ｋおよびｎは前記の意味を表わし、Ｙ1、Ｙ2は
フッ素、塩素または臭素を表わし、Ｙ3は塩素または臭
素を表わす］で示されるハロゲン含有アルカンをフッ化
水素と反応させ、この場合フッ化水素は少なくとも、ア
ルカンの場合にハロゲン−フッ素交換のために必要な化
学量論的量で使用される、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 ＣＨＣｌ2ＣＦ3を製造するため、 ａ）ＣＣｌ2＝ＣＣｌ2をフッ化水素と反応させ、この場
合フッ化水素は少なくとも、アルケンのフッ化水素付加
および塩素−フッ素交換のために必要な化学量論的量で
使用されるか、または ｂ）ＣＨＣｌ2ＣＣｌ3、ＣＨＣｌ2、ＣＦＣｌ2、ＣＨＣ
ｌ2ＣＦ2Ｃｌまたはこれらの混合物をフッ化水素と反応
させ、この場合フッ化水素は少なくともアルカンの塩素
−フッ素交換に必要な化学量論的量で使用される、請求
項２記載の方法。 - 【請求項４】 触媒活性化合物がタンタル−ハロゲン化
物−フルオルスルホン酸塩化合物またはニオブ−ハロゲ
ン化物−フルオルスルホン酸塩化合物である、請求項１
から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 触媒活性化合物が、五塩化タンタルまた
は五塩化ニオブと、フルオルスルホン酸塩による塩化物
の置換下に五塩化タンタルまたは五塩化ニオブと反応す
るフルオルスルホン酸またはフルオルスルホン酸誘導体
との反応によって、モル比１：１〜１：４で得られた塩
化タンタル−フルオルスルホン酸塩化合物またはニオブ
−塩化物−フルオルスルホン酸塩化合物である、請求項
４記載の方法。 - 【請求項６】 触媒活性化合物が、五フッ化タンタルま
たは五フッ化ニオブと三酸化硫黄との反応によるか、ま
たは五塩化タンタルまたは五塩化ニオブとフルオルスル
ホン酸または、フルオルスルホン酸塩による塩化物の置
換下に五塩化タンタルまたは五塩化ニオブと反応するフ
ルオルスルホン酸誘導体との反応によって、モル比１：
１〜１：４および引き続く塩素−フッ素交換で得られた
タンタル−フッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物また
はニオブ−フッ化物−フルオルスルホン酸塩化合物であ
る、請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 請求項１から６までのいずれか１項記載
の方法を実施するための触媒において、一般式（Ｉ
Ｖ）： ＭＸn（ＦＳＯ3）5-n （ＩＶ） ［式中、Ｘはハロゲンを表わし、Ｍはタンタル、ニオブ
を表わし、ｎは０〜４である］で示される金属−フルオ
ルスルホン酸塩化合物を使用することを特徴とする、請
求項１から６までのいずれか１項記載の方法を実施する
ための触媒。 - 【請求項８】 請求項１から６までのいずれか１項記載
の方法に使用するための調剤において、タンタル−ハロ
ゲン化物−フルオルスルホン酸塩化合物または式（Ｉ
Ｖ）のニオブ−ハロゲン化物−フルオルスルホン酸塩化
合物および式（ＩＩ）のアルケンか、式（ＩＩＩ）のア
ルカンまたはフッ化水素のいずれかを含有する、請求項
１から６までのいずれか１項記載の方法を実施するため
の調剤。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4130696.1 | 1991-09-14 | ||
| DE4130696A DE4130696A1 (de) | 1991-09-14 | 1991-09-14 | Verfahren zur herstellung von fluor enthaltenden ethanderivaten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238969A true JPH05238969A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=6440673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4240260A Pending JPH05238969A (ja) | 1991-09-14 | 1992-09-09 | フッ素含有エタン誘導体の製造法、ならびに該方法を実施するための触媒および調剤 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5227546A (ja) |
| EP (1) | EP0533003B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05238969A (ja) |
| AT (1) | ATE131148T1 (ja) |
| DE (2) | DE4130696A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020535107A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-12-03 | 福建永晶科技股▲ふん▼有限公司Ｆｕｊｉａｎ Ｙｏｎｇｊｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | ２，２−ジクロロ−１，１，１−トリフルオロエタン（ｈｃｆｃ−１２３）及び／又はｈｃｆｃ−１２２（１，１，２−トリクロロ−２，２−ジフルオロエタン）の新規製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4130696A1 (de) * | 1991-09-14 | 1993-03-18 | Solvay Fluor & Derivate | Verfahren zur herstellung von fluor enthaltenden ethanderivaten |
| US5773637A (en) * | 1995-09-20 | 1998-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perfluoroalkyl sulfonates, their preparation and use |
| WO2013071024A1 (en) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Mario Joseph Nappa | Catalytic fluorination process of making hydrohaloalkane |
| CN110536879B (zh) * | 2018-07-30 | 2020-11-06 | 福建永晶科技股份有限公司 | Hcfc-123和/或hcfc-122的制造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2462359A (en) * | 1944-11-22 | 1949-02-22 | Allied Chem & Dye Corp | Hydrofluorination of unsaturated organic compounds |
| NL129409C (ja) * | 1963-05-10 | |||
| FR1582004A (ja) * | 1966-06-04 | 1969-09-26 | ||
| DE1945655A1 (de) * | 1969-09-09 | 1971-03-11 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von 1-Difluoraethan |
| BE787410A (fr) * | 1971-08-10 | 1973-02-12 | Bayer Ag | Procede de preparation du 1,1-difluorethane |
| DE2234305A1 (de) * | 1972-07-12 | 1974-01-31 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von 1,1difluoraethan |
| US4258225A (en) * | 1977-08-15 | 1981-03-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | TaF5 and NbF5 as fluorination catalysts |
| US4316986A (en) * | 1980-09-23 | 1982-02-23 | E. I. Dupont De Nemours & Company | Preparation of difluoromalonyl fluoride |
| US4383128A (en) * | 1980-10-01 | 1983-05-10 | Allied Corporation | Production of monofluorotrichloroethane |
| US4374289A (en) * | 1980-10-01 | 1983-02-15 | Allied Corporation | Production of monofluorotrichloroethane |
| FR2617475B1 (fr) * | 1987-07-03 | 1989-12-01 | Atochem | Synthese du chloro-1 difluoro-1,1 ethane |
| CA1328471C (en) * | 1988-06-23 | 1994-04-12 | Velliyur Nott Mallikarjuna Rao | Catalyzed hydrofluorination of halogenated alkanes |
| US5015791A (en) * | 1988-06-23 | 1991-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Catalyzed hydrofluorination of alkenes |
| BR8907508A (pt) * | 1988-06-23 | 1991-06-11 | Du Pont | Processo de hidrofluoretacao catalisada |
| BR8907500A (pt) * | 1988-06-23 | 1991-05-14 | Du Pont | Hidrofluoretacao catalisada de alcenos |
| DE68909598T2 (de) * | 1988-06-23 | 1994-04-14 | Du Pont | Katalysiertes hydrofluorierungsverfahren. |
| US4967024A (en) * | 1988-06-23 | 1990-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Catalyzed hydrofluorination process |
| DE4105832A1 (de) * | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von fluor enthaltenden ethanderivaten |
| US5214223A (en) * | 1990-04-12 | 1993-05-25 | Kali-Chemie Ag | Method of preparing fluorine-containing ethane derivatives |
| DE4130696A1 (de) * | 1991-09-14 | 1993-03-18 | Solvay Fluor & Derivate | Verfahren zur herstellung von fluor enthaltenden ethanderivaten |
-
1991
- 1991-09-14 DE DE4130696A patent/DE4130696A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-09-05 DE DE59204576T patent/DE59204576D1/de not_active Expired - Fee Related
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1993
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Cited By (1)
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| JP2020535107A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-12-03 | 福建永晶科技股▲ふん▼有限公司Ｆｕｊｉａｎ Ｙｏｎｇｊｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | ２，２−ジクロロ−１，１，１−トリフルオロエタン（ｈｃｆｃ−１２３）及び／又はｈｃｆｃ−１２２（１，１，２−トリクロロ−２，２−ジフルオロエタン）の新規製造方法 |
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