JPH05234495A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05234495A JPH05234495A JP4037555A JP3755592A JPH05234495A JP H05234495 A JPH05234495 A JP H05234495A JP 4037555 A JP4037555 A JP 4037555A JP 3755592 A JP3755592 A JP 3755592A JP H05234495 A JPH05234495 A JP H05234495A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は外装樹脂発煙防止、発火保護機
能を有し、なおかつ良品判別が容易な電力用半導体素子
を提供することにある。 【構成】電力用半導体素子のチップ部４は耐湿性、耐強
度に優れ、光を遮断する不透明絶縁材料６で覆い、電力
用半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮断する温
度ヒューズ８を接続し、このヒューズ８の外観検査を可
能とするために、透明材料７をパッケージの一部に用い
ている。 【効果】外観検査という容易な手段により電力用半導体
素子の良品検査をすることが可能となるという効果があ
る。
能を有し、なおかつ良品判別が容易な電力用半導体素子
を提供することにある。 【構成】電力用半導体素子のチップ部４は耐湿性、耐強
度に優れ、光を遮断する不透明絶縁材料６で覆い、電力
用半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮断する温
度ヒューズ８を接続し、このヒューズ８の外観検査を可
能とするために、透明材料７をパッケージの一部に用い
ている。 【効果】外観検査という容易な手段により電力用半導体
素子の良品検査をすることが可能となるという効果があ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特
に、過熱並びに過電流により素子破壊したことを外観検
査により判断することを可能とした大電流を扱う電力用
半導体素子に関する。
に、過熱並びに過電流により素子破壊したことを外観検
査により判断することを可能とした大電流を扱う電力用
半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】パワーＭＯＳトランジスタは破壊した場
合ドレイン・ソース間が短絡状態となることが多いた
め、最悪の場合、負荷に過電流が流れ外装樹脂が発煙し
たり発火が生じる事故等に結び付くことがある。この対
策として、パワーＭＯＳトランジスタのパッケージ内に
温度ヒューズを設け、上記事故を防止する方法が実開平
１−１７４９４１号公報に述べられている。
合ドレイン・ソース間が短絡状態となることが多いた
め、最悪の場合、負荷に過電流が流れ外装樹脂が発煙し
たり発火が生じる事故等に結び付くことがある。この対
策として、パワーＭＯＳトランジスタのパッケージ内に
温度ヒューズを設け、上記事故を防止する方法が実開平
１−１７４９４１号公報に述べられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術によれ
ば、パワーＭＯＳトランジスタが素子破壊をするような
場合には、ドレイン電流もしくはソース電流を遮断する
ため、外装樹脂が発煙したり、発火したりする事故を防
止することが可能である。しかし、異常な外観変化がな
いというこの利点があるがゆえに、逆に使用中のパワー
ＭＯＳトランジスタのドレイン電流が遮断されてしま
い、原因が素子破壊によるものか、負荷が開放状態にな
った場合などの素子以外の原因によるものかがすぐわか
らないという問題があった。従って本発明の目的とする
ところは外装樹脂発煙防止、発火保護機能を有し、なお
かつ良品判別が容易な電力用半導体素子を提供すること
にある。
ば、パワーＭＯＳトランジスタが素子破壊をするような
場合には、ドレイン電流もしくはソース電流を遮断する
ため、外装樹脂が発煙したり、発火したりする事故を防
止することが可能である。しかし、異常な外観変化がな
いというこの利点があるがゆえに、逆に使用中のパワー
ＭＯＳトランジスタのドレイン電流が遮断されてしま
い、原因が素子破壊によるものか、負荷が開放状態にな
った場合などの素子以外の原因によるものかがすぐわか
らないという問題があった。従って本発明の目的とする
ところは外装樹脂発煙防止、発火保護機能を有し、なお
かつ良品判別が容易な電力用半導体素子を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一実施形態によれば、光を嫌う電力用半
導体素子のチップ部４は従来と同様に耐湿性、耐強度に
優れ、光を遮断する不透明絶縁材料６で覆う。さらに、
上記電力用半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮
断する温度ヒューズ８を接続し、このヒューズ８の外観
検査を可能とするために、透明材料７をパッケージの一
部に用いていることを特徴とするものである。（図
１）。
めに、本発明の一実施形態によれば、光を嫌う電力用半
導体素子のチップ部４は従来と同様に耐湿性、耐強度に
優れ、光を遮断する不透明絶縁材料６で覆う。さらに、
上記電力用半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮
断する温度ヒューズ８を接続し、このヒューズ８の外観
検査を可能とするために、透明材料７をパッケージの一
部に用いていることを特徴とするものである。（図
１）。
【０００５】本発明の他の一実施形態によれば、電力用
半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮断する温度
ヒューズ８を接続し、さらに、この温度ヒューズ１４の
状態を調べることが可能なように温度ヒューズ部の蓋７
があけられるようにすることを特徴とするものである
（図４）。また、さらに好適な実施例では、上記温度ヒ
ューズ８を交換することが可能としたものである。
半導体素子４と直列に過電流により溶解し遮断する温度
ヒューズ８を接続し、さらに、この温度ヒューズ１４の
状態を調べることが可能なように温度ヒューズ部の蓋７
があけられるようにすることを特徴とするものである
（図４）。また、さらに好適な実施例では、上記温度ヒ
ューズ８を交換することが可能としたものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、電力用半導体素子が破壊した
場合や、負荷が小さい場合に素子に過電流が流れた場合
には温度ヒューズが溶解し電流を遮断するため、素子の
発煙や発火等の事故を防止することが可能であり、さら
に素子が使用不能かどうかの検査が外観の検査だけで可
能となるという利点がある。このため、結線した回路を
崩すことなく、また、外観検査という容易な手段により
電力用半導体素子の良品検査をすることが可能であると
いう効果がある。また、チップの実装と温度ヒューズの
実装を別々に行うことができるため、チップの実装のた
めには一般の半導体チップの外装に用いる絶縁材料を用
い、温度ヒューズの実装には上記半導体チップの実装時
に必要な処理温度より低い温度で実装できるため、温度
ヒューズの融点を下げることが可能であるという効果が
ある。
場合や、負荷が小さい場合に素子に過電流が流れた場合
には温度ヒューズが溶解し電流を遮断するため、素子の
発煙や発火等の事故を防止することが可能であり、さら
に素子が使用不能かどうかの検査が外観の検査だけで可
能となるという利点がある。このため、結線した回路を
崩すことなく、また、外観検査という容易な手段により
電力用半導体素子の良品検査をすることが可能であると
いう効果がある。また、チップの実装と温度ヒューズの
実装を別々に行うことができるため、チップの実装のた
めには一般の半導体チップの外装に用いる絶縁材料を用
い、温度ヒューズの実装には上記半導体チップの実装時
に必要な処理温度より低い温度で実装できるため、温度
ヒューズの融点を下げることが可能であるという効果が
ある。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して、よ
り詳細に説明する。なお、本発明は電力用半導体素子一
般に適用可能であるが、ここでは電力用半導体素子とし
てパワーＭＯＳトランジスタを用いた場合に関して述べ
ることとする。
り詳細に説明する。なお、本発明は電力用半導体素子一
般に適用可能であるが、ここでは電力用半導体素子とし
てパワーＭＯＳトランジスタを用いた場合に関して述べ
ることとする。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例の半導体装置
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
図２はその等価回路である。１はゲート端子、２はドレ
イン端子、３はソース端子、８は温度ヒューズ、６は外
装不透明絶縁材料、７は外装透明材料、４はパワーＭＯ
Ｓトランジスタチップ、９、１０はボンディングワイヤ
である。通常のパワーＭＯＳトランジスタは素子を封じ
する材料は黒く着色したエポキシレジンの様に不透明な
絶縁性の材料を全体に使用している。これに対し、本実
施例ではパワーＭＯＳトランジスタチップ部４は通常の
半導体チップと同様に耐湿性、耐強度に優れ、光を遮断
する不透明絶縁材料６で覆い信頼度劣化を防止し、さら
に、パワーＭＯＳトランジスタのソース１１と直列に温
度ヒューズ８を接続し、温度ヒューズ部分８は外部から
見えるように透明絶縁材料７（たとえば、透明のエポキ
シレジン）で覆っている点が特徴である。本半導体装置
は以下の様にして製作可能である。 まず、（１）ドレイン端子用のリード２の上に、裏面が
ドレインである通常の縦型パワーＭＯＳトランジスタチ
ップ４を載せる。 （２）パワーＭＯＳトランジスタチップ上のソース用ボ
ンディングパッドとソース内部端子用のリード線１１と
をボンディングワイヤ１０で接続する一方、チップ上の
ゲート用ボンディングパッドとゲート用リード線１とを
ボンディングワイヤ９で接続する。 （３）のちに温度ヒューズが入る領域に窪みが生じるよ
うに、黒く着色したエポキシレジン等の外装不透明絶縁
材料６を加熱硬化して形成する。 （４）ソースの内部端子１１とソース端子３の間に、温
度ヒューズ８を接続する。 （５）透明なプラッスチック板等の外装透明材料７を外
装不透明絶縁材料６に接着する。 本実施例によれば、パワーＭＯＳトランジスタのゲート
が破壊した場合や負荷が小さい場合には素子に過電流が
流れるが、温度ヒューズ８が直列に接続してあるため
に、パッケージが異常に過熱する前に温度ヒューズが溶
けてドレイン電流を遮断する。このため、本実施例によ
る半導体装置ではパワーＭＯＳトランジスタの外装絶縁
体が発煙したり発火する事故を防止することが可能であ
る。一方、従来も温度ヒューズを用いているため、パッ
ケージが異常に過熱する前に温度ヒューズが溶けてドレ
イン電流を遮断する。しかしこれだけでは、回路にドレ
イン電流が流れなくなった時、負荷が開放状態になった
ため電流が流れなくなったのか、過電流防止のため、温
度ヒューズが溶けて電流が流れなくなったのか不明とな
る。このため、従来はドレイン電流が流れなくなった場
合にはこの素子を回路から取外し、カーブトレーサ等で
電気的に調べるか、新品の素子と交換し回路が正常に動
作しているかどうかを調べる必要がある。これに対し、
本実施例では温度ヒューズが溶解し使用不能となった場
合には外観検査により良品かどうかの判定が可能となる
ため、使い勝手の良いパワーＭＯＳトランジスタが得ら
れるという効果がある。また、温度ヒューズが透明材料
と絶縁材料で覆われているため、溶解したヒューズが落
ちて他の回路の配線に付着するような問題は回避するこ
とが可能である。
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
図２はその等価回路である。１はゲート端子、２はドレ
イン端子、３はソース端子、８は温度ヒューズ、６は外
装不透明絶縁材料、７は外装透明材料、４はパワーＭＯ
Ｓトランジスタチップ、９、１０はボンディングワイヤ
である。通常のパワーＭＯＳトランジスタは素子を封じ
する材料は黒く着色したエポキシレジンの様に不透明な
絶縁性の材料を全体に使用している。これに対し、本実
施例ではパワーＭＯＳトランジスタチップ部４は通常の
半導体チップと同様に耐湿性、耐強度に優れ、光を遮断
する不透明絶縁材料６で覆い信頼度劣化を防止し、さら
に、パワーＭＯＳトランジスタのソース１１と直列に温
度ヒューズ８を接続し、温度ヒューズ部分８は外部から
見えるように透明絶縁材料７（たとえば、透明のエポキ
シレジン）で覆っている点が特徴である。本半導体装置
は以下の様にして製作可能である。 まず、（１）ドレイン端子用のリード２の上に、裏面が
ドレインである通常の縦型パワーＭＯＳトランジスタチ
ップ４を載せる。 （２）パワーＭＯＳトランジスタチップ上のソース用ボ
ンディングパッドとソース内部端子用のリード線１１と
をボンディングワイヤ１０で接続する一方、チップ上の
ゲート用ボンディングパッドとゲート用リード線１とを
ボンディングワイヤ９で接続する。 （３）のちに温度ヒューズが入る領域に窪みが生じるよ
うに、黒く着色したエポキシレジン等の外装不透明絶縁
材料６を加熱硬化して形成する。 （４）ソースの内部端子１１とソース端子３の間に、温
度ヒューズ８を接続する。 （５）透明なプラッスチック板等の外装透明材料７を外
装不透明絶縁材料６に接着する。 本実施例によれば、パワーＭＯＳトランジスタのゲート
が破壊した場合や負荷が小さい場合には素子に過電流が
流れるが、温度ヒューズ８が直列に接続してあるため
に、パッケージが異常に過熱する前に温度ヒューズが溶
けてドレイン電流を遮断する。このため、本実施例によ
る半導体装置ではパワーＭＯＳトランジスタの外装絶縁
体が発煙したり発火する事故を防止することが可能であ
る。一方、従来も温度ヒューズを用いているため、パッ
ケージが異常に過熱する前に温度ヒューズが溶けてドレ
イン電流を遮断する。しかしこれだけでは、回路にドレ
イン電流が流れなくなった時、負荷が開放状態になった
ため電流が流れなくなったのか、過電流防止のため、温
度ヒューズが溶けて電流が流れなくなったのか不明とな
る。このため、従来はドレイン電流が流れなくなった場
合にはこの素子を回路から取外し、カーブトレーサ等で
電気的に調べるか、新品の素子と交換し回路が正常に動
作しているかどうかを調べる必要がある。これに対し、
本実施例では温度ヒューズが溶解し使用不能となった場
合には外観検査により良品かどうかの判定が可能となる
ため、使い勝手の良いパワーＭＯＳトランジスタが得ら
れるという効果がある。また、温度ヒューズが透明材料
と絶縁材料で覆われているため、溶解したヒューズが落
ちて他の回路の配線に付着するような問題は回避するこ
とが可能である。
【０００９】また、半導体チップ４の実装と温度ヒュー
ズ８の実装を別々に行うことができるため、チップ４の
実装のためには一般の半導体チップの外装に用いる信頼
度的に問題が生じない絶縁材料を用い、上記温度ヒュー
ズ８の実装には半導体チップ４の実装に必要な処理温度
より低い温度で実装することが可能である。このため温
度ヒューズの融点の選定の自由度が高くなるという利点
がある。
ズ８の実装を別々に行うことができるため、チップ４の
実装のためには一般の半導体チップの外装に用いる信頼
度的に問題が生じない絶縁材料を用い、上記温度ヒュー
ズ８の実装には半導体チップ４の実装に必要な処理温度
より低い温度で実装することが可能である。このため温
度ヒューズの融点の選定の自由度が高くなるという利点
がある。
【００１０】また、温度ヒューズ８により保護した半導
体素子４を従来と同一サイズの半導体パッケージに実装
できるため、従来と同一の回路ボード上に実装できると
いう利点がある。また、従来は回路全体または複数個の
素子からなる回路ごとに温度ヒューズを設けていたが、
本発明によると個々の素子に温度ヒューズがコンパクト
に設けることが可能となるため、回路の不良解析が容易
となるという利点がある。
体素子４を従来と同一サイズの半導体パッケージに実装
できるため、従来と同一の回路ボード上に実装できると
いう利点がある。また、従来は回路全体または複数個の
素子からなる回路ごとに温度ヒューズを設けていたが、
本発明によると個々の素子に温度ヒューズがコンパクト
に設けることが可能となるため、回路の不良解析が容易
となるという利点がある。
【００１１】図１では外装透明材料７と温度ヒューズ８
との間に隙間を空けるように示してあるが、低融点樹脂
等の外装透明材料７で温度ヒューズ８を埋め込んで形成
しても良い。なお、セラミックパッケージを使用する場
合にはパワーＭＯＳトランジスタと温度ヒューズを同時
にセラミックを用いた気密パッケージ内に納め、温度ヒ
ューズ部のみを透明プラスチック板または石英板等を通
して切断状態を検査できるようにしても良い。外装透明
材料７は温度ヒューズの腐食防止ならびに外部からの接
触による切断防止ならびに溶解したヒューズが他の回路
部に付着し故障原因となることを防止するために設けて
あるが、このような可能性がない用途では不要である。
また、透明材料７の形状を凸型のレンズ構造にした場合
には、内部のヒューズが切断しているか接続しているか
の判断が容易となるという利点がある。また、透明材料
そのものまたはその中に封入する材料として上記温度ヒ
ューズが切断する時またはその直前に発生する熱または
光により変色する材料を用いた場合には、過電流検出ま
たは過熱検出が温度ヒューズを直接検査する場合に比べ
容易に検査できるという利点がある。図２から明らかな
ように本実施例ではソース側に温度ヒューズを接続した
場合を示したがドレイン側に接続しても同様な効果が得
られることは言うまでもない。
との間に隙間を空けるように示してあるが、低融点樹脂
等の外装透明材料７で温度ヒューズ８を埋め込んで形成
しても良い。なお、セラミックパッケージを使用する場
合にはパワーＭＯＳトランジスタと温度ヒューズを同時
にセラミックを用いた気密パッケージ内に納め、温度ヒ
ューズ部のみを透明プラスチック板または石英板等を通
して切断状態を検査できるようにしても良い。外装透明
材料７は温度ヒューズの腐食防止ならびに外部からの接
触による切断防止ならびに溶解したヒューズが他の回路
部に付着し故障原因となることを防止するために設けて
あるが、このような可能性がない用途では不要である。
また、透明材料７の形状を凸型のレンズ構造にした場合
には、内部のヒューズが切断しているか接続しているか
の判断が容易となるという利点がある。また、透明材料
そのものまたはその中に封入する材料として上記温度ヒ
ューズが切断する時またはその直前に発生する熱または
光により変色する材料を用いた場合には、過電流検出ま
たは過熱検出が温度ヒューズを直接検査する場合に比べ
容易に検査できるという利点がある。図２から明らかな
ように本実施例ではソース側に温度ヒューズを接続した
場合を示したがドレイン側に接続しても同様な効果が得
られることは言うまでもない。
【００１２】また、本実施例では温度ヒューズ部分だけ
に透明絶縁体を用いた場合に関して示したが、光により
半導体チップの特性が変化しない素子の場合には外装透
明体を全て透明なエポキシレジン等の透明絶縁材料にし
ても良い。
に透明絶縁体を用いた場合に関して示したが、光により
半導体チップの特性が変化しない素子の場合には外装透
明体を全て透明なエポキシレジン等の透明絶縁材料にし
ても良い。
【００１３】図３は本発明の第２の実施例の半導体装置
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
本実施例では上記製造方法の温度ヒューズ取り付け工程
の後に帯状樹脂である透明絶縁材料７をパッケージの表
面、裏面および側面を覆うように巻いて設ける場合を示
してある。本実施例の場合には透明絶縁材料７の取り付
けが容易で、上記絶縁材料７として弾性のある材質を用
い、圧縮力で固定する場合には実装処理温度も室温ない
し室温近くの低温で行える。このため上記温度ヒューズ
の融点を下げることが可能であるというという利点があ
る。本実施例でも第１の実施例と同じ効果が得られる。
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
本実施例では上記製造方法の温度ヒューズ取り付け工程
の後に帯状樹脂である透明絶縁材料７をパッケージの表
面、裏面および側面を覆うように巻いて設ける場合を示
してある。本実施例の場合には透明絶縁材料７の取り付
けが容易で、上記絶縁材料７として弾性のある材質を用
い、圧縮力で固定する場合には実装処理温度も室温ない
し室温近くの低温で行える。このため上記温度ヒューズ
の融点を下げることが可能であるというという利点があ
る。本実施例でも第１の実施例と同じ効果が得られる。
【００１４】図４は本発明の第３の実施例の半導体装置
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
本実施例では蓋５を設け、この蓋５を開けることにより
温度ヒューズの状態を検査できるようにしたものであ
る。さらに、温度ヒューズ８を交換することができるよ
うにしておくと、パワーＭＯＳトランジスタチップ４が
破壊してない場合（負荷条件による過電流で温度ヒュー
ズが切断した場合）には、温度ヒューズの交換だけで、
パワーＭＯＳトランジスタを良品にすることが可能とな
るという効果がある。
の構造図で平面図とａ−ａ’部の断面図を示してある。
本実施例では蓋５を設け、この蓋５を開けることにより
温度ヒューズの状態を検査できるようにしたものであ
る。さらに、温度ヒューズ８を交換することができるよ
うにしておくと、パワーＭＯＳトランジスタチップ４が
破壊してない場合（負荷条件による過電流で温度ヒュー
ズが切断した場合）には、温度ヒューズの交換だけで、
パワーＭＯＳトランジスタを良品にすることが可能とな
るという効果がある。
【００１５】本発明では素子破壊を確認する手段として
温度ヒューズの外観検査による方法を述べたが過電流が
流れた場合にはチップ温度を検出し、規定温度以上にな
ると変色または変形する温度センサを内蔵し、これを本
発明で述べた手段により外観検査で確認できるようにし
た場合には素子の良否の検出がさらに容易になるという
効果が得られる。
温度ヒューズの外観検査による方法を述べたが過電流が
流れた場合にはチップ温度を検出し、規定温度以上にな
ると変色または変形する温度センサを内蔵し、これを本
発明で述べた手段により外観検査で確認できるようにし
た場合には素子の良否の検出がさらに容易になるという
効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、電力用半導体素子に過
電流が流れた場合には温度ヒューズが溶解し電流を遮断
するため、素子の発煙や発火等の事故を防止することが
可能であり、さらに素子が破壊しているかどうかの検査
が外観の検査だけで可能となるという利点がある。この
ため、結線した回路を崩すことなく、また、外観検査と
いう容易な手段により電力用半導体素子の良品検査をす
ることが可能であるという効果がある。
電流が流れた場合には温度ヒューズが溶解し電流を遮断
するため、素子の発煙や発火等の事故を防止することが
可能であり、さらに素子が破壊しているかどうかの検査
が外観の検査だけで可能となるという利点がある。この
ため、結線した回路を崩すことなく、また、外観検査と
いう容易な手段により電力用半導体素子の良品検査をす
ることが可能であるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置である。
【図２】本発明の第１の実施例の半導体装置の等価回路
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体装置である。
【図４】本発明の第３の実施例の半導体装置である。
１…ゲート端子、２…ドレイン端子、３…ソース端子、
４…パワーＭＯＳトランジスタチップ、５…蓋、６…外
装絶縁材料、７…外装透明材料、８…温度ヒューズ、
９、１０…ボンディングワイヤ、１１…内部ソース端
子。
４…パワーＭＯＳトランジスタチップ、５…蓋、６…外
装絶縁材料、７…外装透明材料、８…温度ヒューズ、
９、１０…ボンディングワイヤ、１１…内部ソース端
子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高川 恭一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体設計開発センタ内 (72)発明者 飯島 哲郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体設計開発センタ内
Claims (9)
- 【請求項１】電力用半導体素子と同一パッケージ内に上
記電力用半導体素子の過電流検出手段または過熱検出手
段を設け、上記過電流検出の結果または過熱検出の結果
を外観検査により判断することを可能としたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】上記電力用半導体素子と上記の過電流検出
手段または過熱検出手段の主要部分が絶縁性の透明材料
により覆われ、同一パッケージ内に実装されたことを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】上記電力用半導体素子を第１の外装絶縁材
料で覆い、上記の過電流検出手段または過熱検出手段の
少なくとも一部を覆うために、上記第１外装電極とは異
なった第２の透明材料を設け、両者が同一パッケージ内
に実装されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】上記過電流検出手段または過熱検出手段と
して上記電力用半導体装置と直列に接続した温度ヒュー
ズを用いたことを特徴とする請求項１から請求項３まで
のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項５】上記過電流検出手段または過熱検出手段と
して上記電力用半導体装置と直列に接続した温度ヒュー
ズを用い、さらに上記透明材料としてまたは上記透明材
料の中に封入する材料として上記温度ヒューズが切断す
る時またはその直前に発生する熱または光により変色す
る材料を用いたことを特徴とする請求項１から請求項４
までのいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項６】透明材料７の形状を凸型にし、上記温度ヒ
ューズ等の過電流検出手段または過熱検出手段の状態を
拡大して見ることを可能としたことを特徴とする請求項
１から請求項５記載までのいずれかにの半導体装置。 - 【請求項７】上記過電流検出手段または過熱検出手段を
内蔵する部分に蓋を設け、該蓋を開けて上記過電流検出
手段または過熱検出手段の外観検査ができるようにした
ことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか
に記載の半導体装置。 - 【請求項８】上記温度ヒューズ等の過電流検出手段また
は過熱検出手段を交換することができるようにしたこと
を特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかに記
載の半導体装置。 - 【請求項９】上記第２の透明材料をパッケージに実装す
るための処理温度が上記第１の外装絶縁材料内に上記電
力用半導体素子を実装するための処理温度より低いこと
を特徴とする請求項３から請求項８までのいずれかに記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037555A JPH05234495A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037555A JPH05234495A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234495A true JPH05234495A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12500766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037555A Pending JPH05234495A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234495A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441484B2 (en) | 2000-05-23 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having switching elements around a central control circuit |
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| US6507264B1 (en) | 2000-08-28 | 2003-01-14 | Littelfuse, Inc. | Integral fuse for use in semiconductor packages |
| JPWO2002095783A1 (ja) * | 2001-05-21 | 2005-04-07 | 松下電器産業株式会社 | 温度ヒューズ |
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| JP2021064622A (ja) * | 2016-01-14 | 2021-04-22 | シュルター アクチェンゲゼルシャフトＳｃｈｕｒｔｅｒ ＡＧ | 活性化可能な温度ヒューズ |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4037555A patent/JPH05234495A/ja active Pending
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