JPH05223842A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
- Publication number
- JPH05223842A JPH05223842A JP2914392A JP2914392A JPH05223842A JP H05223842 A JPH05223842 A JP H05223842A JP 2914392 A JP2914392 A JP 2914392A JP 2914392 A JP2914392 A JP 2914392A JP H05223842 A JPH05223842 A JP H05223842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gauge
- electronic circuit
- section
- acceleration sensor
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサの小形化、その部品間の電気接続部の
信頼性及び温度特性の向上を図る。 【構成】 回路基板１２に実装する部品として、加速度
検出素子たるゲージ部１と、ゲージ部１からの信号を処
理する電子回路部（ＩＣチップ）１１とを備え、ゲージ
部１の上に電子回路部１１を重ねる構造とした。ゲージ
部１と電子回路部１１との接続は、ワイヤボンディン
グ、半田、導電性接着剤などで行う。
信頼性及び温度特性の向上を図る。 【構成】 回路基板１２に実装する部品として、加速度
検出素子たるゲージ部１と、ゲージ部１からの信号を処
理する電子回路部（ＩＣチップ）１１とを備え、ゲージ
部１の上に電子回路部１１を重ねる構造とした。ゲージ
部１と電子回路部１１との接続は、ワイヤボンディン
グ、半田、導電性接着剤などで行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、自動車等に加速度センサを搭
載して、このセンサ信号を基に各種の車両の運動制御が
行われている。
載して、このセンサ信号を基に各種の車両の運動制御が
行われている。
【０００３】加速度センサとしては、歪ゲージ式や静電
容量式の半導体センサ等が使用されている。センサの実
装構造としては、特開昭６１−２３０３８３号公報等に
開示されるように、回路基板上にゲージ部（検出素子）
からのセンサ信号を処理する電子回路部を形成すると共
に、回路基板の残りのスペースに上記ゲージ部を搭載し
ていた。
容量式の半導体センサ等が使用されている。センサの実
装構造としては、特開昭６１−２３０３８３号公報等に
開示されるように、回路基板上にゲージ部（検出素子）
からのセンサ信号を処理する電子回路部を形成すると共
に、回路基板の残りのスペースに上記ゲージ部を搭載し
ていた。
【０００４】図１０はこの種加速度センサの従来の代表
的構造例を示す平面図で、回路基板１２上に半導体形の
検出素子（ゲージ部）１とＩＣチップ化された電子回路
部１１とを平行に並べて配置し、これらをワイヤボンデ
ィング１４を介して電気的に接続している。
的構造例を示す平面図で、回路基板１２上に半導体形の
検出素子（ゲージ部）１とＩＣチップ化された電子回路
部１１とを平行に並べて配置し、これらをワイヤボンデ
ィング１４を介して電気的に接続している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなセンサ搭
載構造によれば、回路基板１２上のゲージ部１の搭載箇
所には回路パターンを形成することができず、また、電
子回路部１１とゲージ部１とが回路基板上に並べた状態
となるため実装面積が大きくなり、センサ全体の小形化
を思うように図れない。
載構造によれば、回路基板１２上のゲージ部１の搭載箇
所には回路パターンを形成することができず、また、電
子回路部１１とゲージ部１とが回路基板上に並べた状態
となるため実装面積が大きくなり、センサ全体の小形化
を思うように図れない。
【０００６】また、ゲージ部１と電子回路部１１とをワ
イヤボンディング１４で橋渡しをした構造で接続してい
たが、このような接続では、外部からの振動や衝撃に対
し異なる動きとなるために、双方の接続部に応力集中を
受けて疲労による強度低下が生じ易い。
イヤボンディング１４で橋渡しをした構造で接続してい
たが、このような接続では、外部からの振動や衝撃に対
し異なる動きとなるために、双方の接続部に応力集中を
受けて疲労による強度低下が生じ易い。
【０００７】また電子回路部１１の発熱の影響によりゲ
ージ部１と電子回路部１１とで温度分布に不均衡が発生
し、出力に影響を与える。
ージ部１と電子回路部１１とで温度分布に不均衡が発生
し、出力に影響を与える。
【０００８】本発明は以上の点に鑑みてなされ、その目
的は、この種加速度センサの小形化，コストの低減を図
ると共に、接続部の信頼性の向上及び温度変化に対する
センサの特性変化を抑制できる加速度センサを提供する
ことにある。
的は、この種加速度センサの小形化，コストの低減を図
ると共に、接続部の信頼性の向上及び温度変化に対する
センサの特性変化を抑制できる加速度センサを提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基本的には次のような課題解決手段を提案
する。
するために、基本的には次のような課題解決手段を提案
する。
【００１０】すなわち、加速度検出素子であるゲージ部
と、前記ゲージ部の電気信号を処理する電子回路部とを
備えた加速度センサにおいて、前記ゲージ部の上にＩＣ
チップ化された前記電子回路部を重ねた構造とした。
と、前記ゲージ部の電気信号を処理する電子回路部とを
備えた加速度センサにおいて、前記ゲージ部の上にＩＣ
チップ化された前記電子回路部を重ねた構造とした。
【００１１】
【作用】ゲージ部の上に信号処理用の電子回路部（ＩＣ
チップ）を重ねた構造とすることで、ゲージ部及び電子
回路部を搭載する回路基板の実装面積を小さくする。
チップ）を重ねた構造とすることで、ゲージ部及び電子
回路部を搭載する回路基板の実装面積を小さくする。
【００１２】また、ゲージ部の上に電子回路部を重ねた
状態とするため、これらが外部の振動，衝撃に対して一
体的に同じ動作するので、接続部は異なる応力を受ける
ことがなく、接続部の疲労を軽減する。また、ゲージ部
は電子回路部と一体化されるため、電子回路部の発熱が
ゲージ部に伝わることで、双方の温度分布の不均衡がな
くなり、出力の温度特性が向上する。
状態とするため、これらが外部の振動，衝撃に対して一
体的に同じ動作するので、接続部は異なる応力を受ける
ことがなく、接続部の疲労を軽減する。また、ゲージ部
は電子回路部と一体化されるため、電子回路部の発熱が
ゲージ部に伝わることで、双方の温度分布の不均衡がな
くなり、出力の温度特性が向上する。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図面により説明する。
【００１４】図１の（ａ）は本発明の第１実施例に係る
加速度センサの部分斜視図、同図（ｂ）はその部分断面
図、図２はその平面図、図３はその加速度センサの回路
図、図４はその動作波形を示すタイムチャートである。
なお、既述した図１０の従来例に用いた符号と同一のも
のは同一或いは共通する要素を示す。
加速度センサの部分斜視図、同図（ｂ）はその部分断面
図、図２はその平面図、図３はその加速度センサの回路
図、図４はその動作波形を示すタイムチャートである。
なお、既述した図１０の従来例に用いた符号と同一のも
のは同一或いは共通する要素を示す。
【００１５】まず、本実施例のセンサの実装構造の説明
に先立ち、図３，図４により本実施例に用いるセンサの
全体の回路構成を説明する。
に先立ち、図３，図４により本実施例に用いるセンサの
全体の回路構成を説明する。
【００１６】図３において、ゲージ部１は加速度Ｇを検
出し、この信号を電子回路部１１に入力させることで加
速度Ｇに比例した出力電圧Ｖｏを出力する。
出し、この信号を電子回路部１１に入力させることで加
速度Ｇに比例した出力電圧Ｖｏを出力する。
【００１７】ゲージ部１は、上下のガラス基板２Ａ，２
Ｂの間にシリコン基板３´をエッチング成形した可動電
極３を介在させ、各ガラス基板２Ａ，２Ｂに可動電極３
に対向するようにして固定電極５Ａ，５Ｂを配設して成
る。可動電極３は固定電極５Ａ，５Ｂと微小ギャップを
保ってカンチレバー４により弾性支持される。
Ｂの間にシリコン基板３´をエッチング成形した可動電
極３を介在させ、各ガラス基板２Ａ，２Ｂに可動電極３
に対向するようにして固定電極５Ａ，５Ｂを配設して成
る。可動電極３は固定電極５Ａ，５Ｂと微小ギャップを
保ってカンチレバー４により弾性支持される。
【００１８】可動電極３・固定電極５Ａ間及び可動電極
３・固定電極５Ｂ間には静電容量Ｃ１，Ｃ２が存在し、
この値は電子回路部１１側に入力される。
３・固定電極５Ｂ間には静電容量Ｃ１，Ｃ２が存在し、
この値は電子回路部１１側に入力される。
【００１９】電子回路部１１は、静電容量検出回路６、
パルス幅変調回路７、ノット回路８、フィルタ９とを有
し、これらの要素により静電サーボタイプの静電容量式
加速度センサを構成している。
パルス幅変調回路７、ノット回路８、フィルタ９とを有
し、これらの要素により静電サーボタイプの静電容量式
加速度センサを構成している。
【００２０】すなわち、矢印方向に加速度Ｇがゲージ部
１に加わると、可動電極３がこれに応答して慣性力のた
め変位する。この変位を静電容量検出回路６がＣ１とＣ
２との静電容量差Ｃとしてとらえ、Ｃに比例した電圧Ｖ
ｃに変換してパルス幅変調回路７に入力させる。パルス
幅変調回路７はＶｃの値に比例したパルス幅をもつパル
ス電圧ＶＥを発生し、このパルス電圧ＶＥは一方の固定
電極５Ａに印加される。また電圧ＶＥはノット回路８で
反転され電圧ＶＦとなって他方の固定電極５Ｂに印加さ
れる。
１に加わると、可動電極３がこれに応答して慣性力のた
め変位する。この変位を静電容量検出回路６がＣ１とＣ
２との静電容量差Ｃとしてとらえ、Ｃに比例した電圧Ｖ
ｃに変換してパルス幅変調回路７に入力させる。パルス
幅変調回路７はＶｃの値に比例したパルス幅をもつパル
ス電圧ＶＥを発生し、このパルス電圧ＶＥは一方の固定
電極５Ａに印加される。また電圧ＶＥはノット回路８で
反転され電圧ＶＦとなって他方の固定電極５Ｂに印加さ
れる。
【００２１】以上の回路動作により加速度Ｇによる慣性
力とパルス電圧ＶＥ，ＶＦによる静電気力とが平衡し、
パルス電圧ＶＥのパルス幅をフィルタ９で取り出すこと
で加速度Ｇに次例した電圧Ｖｏが得られる。
力とパルス電圧ＶＥ，ＶＦによる静電気力とが平衡し、
パルス電圧ＶＥのパルス幅をフィルタ９で取り出すこと
で加速度Ｇに次例した電圧Ｖｏが得られる。
【００２２】図４は図３の回路動作におけるパルス出力
波形ＶＥを示したもので、加速度Ｇが０の場合、パルス
電圧ＶＥのパルス幅ＴＷは、周期Ｔの５０％であり、Ｇ
が正の場合（Ｇ＞０）は、パルス幅ＴＷが５０％より増
加し、負の場合（Ｇ＜０）はパルス幅ＴＷが５０％より
減少する。つまり、加速度Ｇに対応してパルス幅ＴＷが
変化し、この波形をフィルタした出力電圧Ｖｏは加速度
Ｇに比例した値となる。 この静電容量式加速度センサ
において、本実施例では、図１及び図２に示すように回
路基板１２上にゲージ部１を搭載すると共に、ゲージ部
１上にＩＣチップ化された電子回路部１１をシリコン接
着剤１３を介して重ね合わせて搭載する。
波形ＶＥを示したもので、加速度Ｇが０の場合、パルス
電圧ＶＥのパルス幅ＴＷは、周期Ｔの５０％であり、Ｇ
が正の場合（Ｇ＞０）は、パルス幅ＴＷが５０％より増
加し、負の場合（Ｇ＜０）はパルス幅ＴＷが５０％より
減少する。つまり、加速度Ｇに対応してパルス幅ＴＷが
変化し、この波形をフィルタした出力電圧Ｖｏは加速度
Ｇに比例した値となる。 この静電容量式加速度センサ
において、本実施例では、図１及び図２に示すように回
路基板１２上にゲージ部１を搭載すると共に、ゲージ部
１上にＩＣチップ化された電子回路部１１をシリコン接
着剤１３を介して重ね合わせて搭載する。
【００２３】ゲージ部１の上面には、固定電極５Ａ，５
Ｂの電極パッド３１，３３と可動電極３の電極パッド３
２とが形成され、これらのパッドと電子回路部１１（Ｉ
Ｃチップ）上面に形成した対応のパッド３４〜３６及び
ワイヤボンディング１４を介してゲージ部１と電子回路
部１１とが電気的に接続される。また、回路基板１２に
形成した導電パターン１５（信号引出線，駆動電源供給
用引出線）とこれに対応の電子回路部１１のパッド３７
〜４０もワイヤボンディング１４´を介して接続する。
パッド３１〜４０は導電体をパターン形成したものであ
る。
Ｂの電極パッド３１，３３と可動電極３の電極パッド３
２とが形成され、これらのパッドと電子回路部１１（Ｉ
Ｃチップ）上面に形成した対応のパッド３４〜３６及び
ワイヤボンディング１４を介してゲージ部１と電子回路
部１１とが電気的に接続される。また、回路基板１２に
形成した導電パターン１５（信号引出線，駆動電源供給
用引出線）とこれに対応の電子回路部１１のパッド３７
〜４０もワイヤボンディング１４´を介して接続する。
パッド３１〜４０は導電体をパターン形成したものであ
る。
【００２４】このような実装構造によれば、図１０に例
示した従来の実装構造に比べて部品の実装面積が約３分
の１以下になり、センサ全体の小形化，低コスト化を達
成できる。また、ゲージ部１と電子回路部１１とを重ね
合わせて一体化した状態でワイヤボンディング１４を介
して電気的に接続するので、振動や衝撃が加わった場合
にゲージ部１と電子回路部１１とは一体的に動作するの
で、両者の接続部に加わる応力を少なくし接続部の疲労
を軽減し信頼性を高めることができる。
示した従来の実装構造に比べて部品の実装面積が約３分
の１以下になり、センサ全体の小形化，低コスト化を達
成できる。また、ゲージ部１と電子回路部１１とを重ね
合わせて一体化した状態でワイヤボンディング１４を介
して電気的に接続するので、振動や衝撃が加わった場合
にゲージ部１と電子回路部１１とは一体的に動作するの
で、両者の接続部に加わる応力を少なくし接続部の疲労
を軽減し信頼性を高めることができる。
【００２５】また、ゲージ部１と電子回路部１１とを重
ねて配置することで、電子回路部１１の発熱がゲージ部
１に伝わり双方の温度分布に不均衡がなくなるので、セ
ンサの温度特性が向上する。
ねて配置することで、電子回路部１１の発熱がゲージ部
１に伝わり双方の温度分布に不均衡がなくなるので、セ
ンサの温度特性が向上する。
【００２６】図５は本発明の第２実施例を示す部分断面
図である。第１実施例と異なる点は、電子回路部１１と
回路基板１２上のパターン１５とを半田１６及びジャン
パリード１７を介して接続した点にある。その他は上記
第１実施例と同様の構成をなすため、第１実施例と同様
の効果を奏する。
図である。第１実施例と異なる点は、電子回路部１１と
回路基板１２上のパターン１５とを半田１６及びジャン
パリード１７を介して接続した点にある。その他は上記
第１実施例と同様の構成をなすため、第１実施例と同様
の効果を奏する。
【００２７】図６は本発明の第３実施例で、同図の
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。上記
各実施例と異なる点は、ゲージ部１の一部（シリコン基
板３´，ガラス基板２Ｂ）にその上面と下面に通じるス
ルーホール１８Ａを設け（スルーホール１８Ａのうちシ
リコン基板３´を貫通する部分は絶縁被覆２３が施され
ている）、このホール１８に導体１９Ａを充填すると共
に、導体２０をシリコン基板３´上に絶縁しつつ蒸着
し、電子回路部１１の電極パッド３７〜４０と回路基板
１２上のパターン１５とを、ワイヤボンディング１４´
−ゲージ部１上面の導体部２０−スルーホール１８の導
体部１９−ゲージ部１・回路基板１２間の半田１６を介
して電気的に接続した点にある。
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。上記
各実施例と異なる点は、ゲージ部１の一部（シリコン基
板３´，ガラス基板２Ｂ）にその上面と下面に通じるス
ルーホール１８Ａを設け（スルーホール１８Ａのうちシ
リコン基板３´を貫通する部分は絶縁被覆２３が施され
ている）、このホール１８に導体１９Ａを充填すると共
に、導体２０をシリコン基板３´上に絶縁しつつ蒸着
し、電子回路部１１の電極パッド３７〜４０と回路基板
１２上のパターン１５とを、ワイヤボンディング１４´
−ゲージ部１上面の導体部２０−スルーホール１８の導
体部１９−ゲージ部１・回路基板１２間の半田１６を介
して電気的に接続した点にある。
【００２８】本実施例によれば、上記各実施例と同様の
効果を奏するほかに、電子回路部１１と回路基板１２と
の電気的接続に用いるワイヤボンディング１４´もゲー
ジ部１とその上に重ねた電子回路部１１との間を接続す
ればよいので、その接続部に受ける応力を少なくして接
続の信頼性を高める。
効果を奏するほかに、電子回路部１１と回路基板１２と
の電気的接続に用いるワイヤボンディング１４´もゲー
ジ部１とその上に重ねた電子回路部１１との間を接続す
ればよいので、その接続部に受ける応力を少なくして接
続の信頼性を高める。
【００２９】図７は本発明の第４実施例を示し、同図の
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。
【００３０】本実施例が上記各実施例と異なる点は、ゲ
ージ部１の一部（シリコン基板３´）にスルーホール１
８Ａを設け（スルーホール１８Ａには絶縁被覆２３が施
されている）、このホール１８Ａに導体１９Ａを充填
し、電子回路部１１の電極パッド３７〜４０と回路基板
１２上のパターン１５とを、ワイヤボンディング１４ａ
´−ゲージ部１上面の導体部２０−スルーホール導体部
１９Ａ−ガラス基板上の導体部２１−ワイヤボンディン
グ１４ｂ´を介して接続した点にある。
ージ部１の一部（シリコン基板３´）にスルーホール１
８Ａを設け（スルーホール１８Ａには絶縁被覆２３が施
されている）、このホール１８Ａに導体１９Ａを充填
し、電子回路部１１の電極パッド３７〜４０と回路基板
１２上のパターン１５とを、ワイヤボンディング１４ａ
´−ゲージ部１上面の導体部２０−スルーホール導体部
１９Ａ−ガラス基板上の導体部２１−ワイヤボンディン
グ１４ｂ´を介して接続した点にある。
【００３１】図８は本発明の第５実施例を示し、同図の
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。
（ａ）が部分斜視図、（ｂ）が部分断面図である。
【００３２】本実施例が上記各実施例と異なる点は、ゲ
ージ部１とその上に重ねた電子回路部１１との電気的接
続を、ワイヤボンディングを用いずその重ね合わせ面に
形成した導電パターンを介して行った点にある。
ージ部１とその上に重ねた電子回路部１１との電気的接
続を、ワイヤボンディングを用いずその重ね合わせ面に
形成した導電パターンを介して行った点にある。
【００３３】すなわち、電子回路部１１のＩＣチップを
今まで述べた実施例とは表と裏を逆にして、電子回路部
１１側の導電パターン３４〜３６をゲージ部１の上面
（上ガラス基板２Ａ上面）に設けた導電パターン３１〜
３３（３１〜３３は固定電極５Ａ，５Ｂ及び可動電極３
の電極端子となる）とを対向させて導電性接着剤２２を
介して接続する。この電気的接続を行う場合には、導電
パターン３１〜３３は上ガラス基板２Ａ上面に形成して
あるため、このうち、可動電極３の端子となる導電パタ
ーン３２は図８（ｂ）に示すように、上ガラス基板２Ａ
にスルーホール１８Ｂを設け、このホールに導電体１９
Ｂを充填して導電パターンと可動電極３とを電気的に導
通させている。また、固定電極５Ａとその端子（導電パ
ターン３３）とは、上ガラス基板２Ａにスルーホール
（図示せず）を設け、このホールに充填される導電体
（図示せず）をシリコン基板３´と絶縁させて、この導
電体を介して電気的に導通される。一方、固定電極５Ｂ
とその端子（導電パターン３１）とは、上ガラス基板２
Ａ及びシリコン基板３´にスルーホール（図示せず、ま
たこのスルーホールのうちシリコン基板３´側は絶縁被
覆が施されている）を設け、このホールに充填される導
電体（図示せず）を介して電気的に導通される。
今まで述べた実施例とは表と裏を逆にして、電子回路部
１１側の導電パターン３４〜３６をゲージ部１の上面
（上ガラス基板２Ａ上面）に設けた導電パターン３１〜
３３（３１〜３３は固定電極５Ａ，５Ｂ及び可動電極３
の電極端子となる）とを対向させて導電性接着剤２２を
介して接続する。この電気的接続を行う場合には、導電
パターン３１〜３３は上ガラス基板２Ａ上面に形成して
あるため、このうち、可動電極３の端子となる導電パタ
ーン３２は図８（ｂ）に示すように、上ガラス基板２Ａ
にスルーホール１８Ｂを設け、このホールに導電体１９
Ｂを充填して導電パターンと可動電極３とを電気的に導
通させている。また、固定電極５Ａとその端子（導電パ
ターン３３）とは、上ガラス基板２Ａにスルーホール
（図示せず）を設け、このホールに充填される導電体
（図示せず）をシリコン基板３´と絶縁させて、この導
電体を介して電気的に導通される。一方、固定電極５Ｂ
とその端子（導電パターン３１）とは、上ガラス基板２
Ａ及びシリコン基板３´にスルーホール（図示せず、ま
たこのスルーホールのうちシリコン基板３´側は絶縁被
覆が施されている）を設け、このホールに充填される導
電体（図示せず）を介して電気的に導通される。
【００３４】一方、電子回路部１１と回路基板１２上の
導電パターン１５とは、重ね合わせ面に形成した導電パ
ターン３７〜４０のそれぞれ−これに対応の導電性接着
剤２２−上ガラス基板２Ａ上の導電パターン２０−ワイ
ヤボンディング１４´を介して接続される。
導電パターン１５とは、重ね合わせ面に形成した導電パ
ターン３７〜４０のそれぞれ−これに対応の導電性接着
剤２２−上ガラス基板２Ａ上の導電パターン２０−ワイ
ヤボンディング１４´を介して接続される。
【００３５】なお、ゲージ部１と電子回路部１１とは、
パターン同士の個所を導電性接着剤２２で接続するほか
に、残りの部分（ゲージ部１と電子回路部１１との重ね
合わせの大部分）はシリコン接着剤１３で接着してい
る。
パターン同士の個所を導電性接着剤２２で接続するほか
に、残りの部分（ゲージ部１と電子回路部１１との重ね
合わせの大部分）はシリコン接着剤１３で接着してい
る。
【００３６】本実施例によれば、上記各実施例同様の効
果を奏するほかに、ゲージ部１と電子回路部１１との電
気的接続をワイヤボンディングを使用せず簡易な導電性
接着剤２２を介して導電パターンにより行い得る利点が
ある。
果を奏するほかに、ゲージ部１と電子回路部１１との電
気的接続をワイヤボンディングを使用せず簡易な導電性
接着剤２２を介して導電パターンにより行い得る利点が
ある。
【００３７】図９は本発明の第６実施例を示し、同図
（ａ）はその部分斜視図、（ｂ）は部分断面図である。
（ａ）はその部分斜視図、（ｂ）は部分断面図である。
【００３８】本実施例もゲージ部１と電子回路部１１と
は図８の第５実施例同様の導電パターンを介して電気的
に接続するが、電子回路部１１と回路基板１２上の導電
パターン１５との接続も、ワイヤボンディングを用いな
いで行った。
は図８の第５実施例同様の導電パターンを介して電気的
に接続するが、電子回路部１１と回路基板１２上の導電
パターン１５との接続も、ワイヤボンディングを用いな
いで行った。
【００３９】すなわち、ワイヤボンディングの代わり
に、ゲージ部１の上ガラス基板２Ａ，シリコン基板３´
及び下ガラス基板２Ｂにスルーホール１８が設けてあり
（スルーホール１８のうちシリコン基板３´の部分には
絶縁被覆２３が施してある）、スルーホールに導電体１
９が充填してある。そして、電子回路部１１と回路基板
１２の導電パターン１５とは、電子回路部１１側の導電
パターン３７〜４０のそれぞれ−電子回路部１１・上ガ
ラス基板２Ａ間の導電性接着剤２２（この部分は半田に
よる半田リフロー接続でもよい）−導電体２０−導電体
１９−下ガラス基板２Ｂ・回路基板１２間の導電性接着
剤（この部分は半田による半田リフロー接続でもよい）
２２を介して電気的に接続した。
に、ゲージ部１の上ガラス基板２Ａ，シリコン基板３´
及び下ガラス基板２Ｂにスルーホール１８が設けてあり
（スルーホール１８のうちシリコン基板３´の部分には
絶縁被覆２３が施してある）、スルーホールに導電体１
９が充填してある。そして、電子回路部１１と回路基板
１２の導電パターン１５とは、電子回路部１１側の導電
パターン３７〜４０のそれぞれ−電子回路部１１・上ガ
ラス基板２Ａ間の導電性接着剤２２（この部分は半田に
よる半田リフロー接続でもよい）−導電体２０−導電体
１９−下ガラス基板２Ｂ・回路基板１２間の導電性接着
剤（この部分は半田による半田リフロー接続でもよい）
２２を介して電気的に接続した。
【００４０】本実施例では、上記各実施例同様の効果を
奏するほかに、ワイヤボンディングを回路基板１２上か
らなくして、より構造の簡略化を図り得る利点がある。
奏するほかに、ワイヤボンディングを回路基板１２上か
らなくして、より構造の簡略化を図り得る利点がある。
【００４１】なお、上記各実施例は静電容量式の加速度
センサについて説明したが、本発明のゲージ部と電子回
路部との実装構造は他の種類の加速度センサについても
適用可能である。
センサについて説明したが、本発明のゲージ部と電子回
路部との実装構造は他の種類の加速度センサについても
適用可能である。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ゲージ部
の上に電子回路部を重ねて実装することにより、センサ
全体の小形化を図りつつ、部品同士の電気的接続部の信
頼性及び温度特性の向上を図ることができる。
の上に電子回路部を重ねて実装することにより、センサ
全体の小形化を図りつつ、部品同士の電気的接続部の信
頼性及び温度特性の向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る部分斜視図及び部分
断面図
断面図
【図２】第１実施例の平面図
【図３】第１実施例の回路構成図
【図４】第１実施例の動作例を示すタイムチャート
【図５】本発明の第２実施例を示す部分断面図
【図６】本発明の第３実施例を示す部分斜視図及び部分
断面図
断面図
【図７】本発明の第４実施例を示す部分斜視図及び部分
断面図
断面図
【図８】本発明の第５実施例を示す部分斜視図及び部分
断面図
断面図
【図９】本発明の第６実施例を示す部分斜視図及び部分
断面図
断面図
【図１０】従来の加速度センサの実装構造の一例を示す
平面図
平面図
１…ゲージ部、２Ａ，２Ｂ…ガラス基板、３´…シリコ
ン基板、３…可動電極、５Ａ，５Ｂ…固定電極、１１…
電子回路部（ＩＣチップ）、１３…シリコン接着剤、１
４…ワイヤボンディング、３１〜３６…導電パターン、
２２…導電性接着剤（もしくは半田）。
ン基板、３…可動電極、５Ａ，５Ｂ…固定電極、１１…
電子回路部（ＩＣチップ）、１３…シリコン接着剤、１
４…ワイヤボンディング、３１〜３６…導電パターン、
２２…導電性接着剤（もしくは半田）。
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 政善 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 藤田 弘和 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 半沢 恵二 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 ３ 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 加速度検出素子であるゲージ部と、前記
ゲージ部の電気信号を処理する電子回路部とを備えた加
速度センサにおいて、 前記ゲージ部の上にＩＣ（集積回路）チップ化された前
記電子回路部を重ねた構造としたことを特徴とする加速
度センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記ゲージ部とその
上に重ねた前記電子回路部とを、ワイヤボンディングに
より電気的に接続したことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項３】 請求項１において、前記ゲージ部とその
上に重ねた前記電子回路部とを、その重ね合わせ面に導
電パターンを形成して、この導電パターンを介して電気
的に接続したことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項３において、前記ゲ
ージ部と前記電子回路部との電気的接続は、導電性接着
剤を用いて同時に固定と接続を行ったことを特徴とする
加速度センサ。 - 【請求項５】 請求項３において、前記ゲージ部と前記
電子回路部との電気的接続は、半田を用いたパターン接
続としたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれか１項
において、前記ゲージ部は、加速度に応じて変位する可
動電極と、この可動電極と微小ギャップを介して対向す
る固定電極とよりなる静電容量式の加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2914392A JPH05223842A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2914392A JPH05223842A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05223842A true JPH05223842A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12268056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2914392A Pending JPH05223842A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05223842A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129888A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置、センサシステム、センサ装置の製造方法及びセンサシステムの製造方法 |
| WO2005104228A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them |
| WO2006049004A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Hitachi Metals, Ltd. | 加速度センサー装置 |
| JP2007043134A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-02-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
| JP2008155326A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009223620A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Denso Corp | 力学量センサの組み付け構造 |
| JP2013015529A (ja) * | 2012-08-30 | 2013-01-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 物理量センサ及びその製造方法 |
| JP2014183151A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Seiko Epson Corp | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器、および移動体 |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2914392A patent/JPH05223842A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129888A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置、センサシステム、センサ装置の製造方法及びセンサシステムの製造方法 |
| JP4539155B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2010-09-08 | パナソニック電工株式会社 | センサシステムの製造方法 |
| WO2005104228A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them |
| US7642611B2 (en) | 2004-04-22 | 2010-01-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them |
| WO2006049004A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Hitachi Metals, Ltd. | 加速度センサー装置 |
| US7716984B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-05-18 | Hitachi Metal Ltd. | Acceleration sensor device having piezo-resistors measuring acceleration |
| JP2007043134A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-02-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
| JP2008155326A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009223620A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Denso Corp | 力学量センサの組み付け構造 |
| JP2013015529A (ja) * | 2012-08-30 | 2013-01-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 物理量センサ及びその製造方法 |
| JP2014183151A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Seiko Epson Corp | モジュール、モジュールの製造方法、電子機器、および移動体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8225660B2 (en) | Dynamic quantity sensor and method of manufacturing the same | |
| US5864063A (en) | Electrostatic capacity-type acceleration sensor | |
| US7762134B2 (en) | Dynamic quantity sensor | |
| US7468552B2 (en) | Physical quantity sensor | |
| US6450029B1 (en) | Capacitive physical quantity detection device | |
| KR100487038B1 (ko) | 반도체 디바이스 | |
| JP5095927B2 (ja) | センサ | |
| JPH05223842A (ja) | 加速度センサ | |
| JP6372361B2 (ja) | 複合センサ | |
| KR20040106587A (ko) | 각 속도 센서 | |
| JPH04307769A (ja) | 電子デバイス及びその形成方法 | |
| JP2006078249A (ja) | 容量型半導体センサ | |
| JP6372450B2 (ja) | 複合センサ | |
| KR20040097952A (ko) | 커패시턴스형 동적량 센서 | |
| JP4428210B2 (ja) | 物理量センサの実装構造 | |
| JP4923937B2 (ja) | センサ装置 | |
| KR100574813B1 (ko) | 열 헤드 및 열 헤드 장치 | |
| JP5298332B2 (ja) | 静電容量型センサ、および、その製造方法 | |
| JP2004294071A (ja) | 容量型半導体センサ装置 | |
| JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
| JP2003136494A (ja) | マイクロ構造体、物理量検出装置及びその製造方法 | |
| JP2007315898A (ja) | 圧電型加速度センサ | |
| JPH0961448A (ja) | 加速度センサの部品配置構造 | |
| JP3284251B2 (ja) | 静電容量式力センサー | |
| JP4900567B2 (ja) | モータドライブ装置の出力構造 |