JPH0521932A - Manufacture of printed-wiring board - Google Patents
Manufacture of printed-wiring boardInfo
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- JPH0521932A JPH0521932A JP22869091A JP22869091A JPH0521932A JP H0521932 A JPH0521932 A JP H0521932A JP 22869091 A JP22869091 A JP 22869091A JP 22869091 A JP22869091 A JP 22869091A JP H0521932 A JPH0521932 A JP H0521932A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の製造
方法に関し、特に信頼性の高い導体回路を形成するのに
有利なアディティブ法によるプリント配線板の製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a printed wiring board by an additive method which is advantageous for forming a highly reliable conductor circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、プリント配線板の製造に当たっ
て、化学めっきによって導体回路を形成するアディティ
ブ法がよく知られているが、例えばフルアディティブ法
の場合、次のような各工程を経ることが特徴である。
(a) 基板上の粗化接着剤層表面に、コロイドタイプのパ
ラジウム化合物（PdおよよびSnイオンを含む水溶液）な
どの無電解めっき用触媒を付与する工程、(b) 必要に応
じて、触媒活性化のために、酸でSnコロイドの一部を除
去する工程(c) めっきレジスト用フィルムまたは樹脂液
を印刷または塗布した後、露光, 現像, 熱処理などの方
法に基づいてめっきレジストを形成する工程、(d) 加熱
処理して触媒の固定を行う工程、(e) 再び酸にて触媒活
性化処理を行う工程、(f) 無電解めっきをして導体回路
を形成する工程、を経て、プリント配線板を製造する。2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing a printed wiring board, an additive method for forming a conductor circuit by chemical plating has been well known. For example, in the case of the full additive method, the following steps are involved. Is.
(a) A step of applying a catalyst for electroless plating such as a colloid type palladium compound (an aqueous solution containing Pd and Sn ions) to the surface of the roughened adhesive layer on the substrate, (b) if necessary, Step of removing a part of Sn colloid with acid for catalyst activation (c) After printing or applying a film or resin solution for plating resist, a plating resist is formed based on exposure, development, heat treatment, etc. Through, (d) heat treatment to fix the catalyst, (e) step to perform catalyst activation treatment with acid again, (f) electroless plating to form a conductor circuit. Manufactures printed wiring boards.
【０００３】このような従来技術の１つとして、例えば
特開昭58−128788号公報に記載されているような製造方
法がある。この技術は、フォトレジストを形成した後、
触媒付与基板を熱処理することにより、レジスト上への
Cuの析出を防止してプリント基板の信頼性を改善する方
法を提案している。As one of such conventional techniques, there is a manufacturing method as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 58-128788. This technology, after forming the photoresist,
By heat-treating the catalyst-coated substrate,
We have proposed a method to prevent the precipitation of Cu and improve the reliability of the printed circuit board.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】この従来技術は、フォ
トレジスト面へのめっき導体(Cu)の析出を防止すること
で信頼性の向上を図っているが、実際にはその他の信頼
性低下の要因に対する配慮に欠けていたことから、十分
な効果が得られていなかった。This prior art aims to improve the reliability by preventing the deposition of the plated conductor (Cu) on the photoresist surface. Due to lack of consideration for the factors, sufficient effects were not obtained.
【０００５】たとえば、この従来製造技術は、触媒( Pd
／Sn)を付与した後に行う該触媒固定化のための熱処理
を、大気中で行っているために、このとき前記触媒核
（Pd）が酸化物となり、工程(d) において、たとえ活性
化処理をしたとしても、金属Pdに変わることがなく、そ
のために酸化パラジウム(PdO) のまま前記接着剤層上に
残り、そしてこのことが、めっき導体の密着性を著しく
悪くして、プリント基板の信頼性を低下させるという問
題があった。For example, this conventional manufacturing technique uses a catalyst (Pd
/ Sn), the heat treatment for immobilizing the catalyst is performed in the atmosphere, so that the catalyst nucleus (Pd) becomes an oxide at this time, and even in the step (d), the activation treatment is performed. However, it does not change to metallic Pd, and therefore remains as palladium oxide (PdO) on the adhesive layer, and this significantly deteriorates the adhesion of the plated conductor, and the reliability of the printed circuit board is reduced. There was a problem of decreasing the sex.
【０００６】本発明の目的は、従来技術が抱える問題点
を克服すること；すなわち、めっき導体の密着性の悪さ
に起因する信頼性の低下を克服できる技術を開発するこ
とにある。An object of the present invention is to overcome the problems of the prior art; that is, to develop a technology capable of overcoming the deterioration of reliability due to poor adhesion of plated conductors.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述したように、大気中
での加熱処理によって生成した酸化パラジウム(PdO)
が、無電解めっき時のCuの析出を阻害してピール強度を
低下させ、それがめっき導体の密着性を悪くするという
現象に対し、本発明者らは、触媒固定化のための熱処理
を、非酸化性雰囲気で行うことに着目し、次のような構
成の本発明に想到した。[Means for Solving the Problems] As described above, palladium oxide (PdO) produced by heat treatment in the atmosphere
However, to reduce the peel strength by inhibiting the precipitation of Cu during electroless plating, it reduces the adhesion of the plated conductor, the present inventors, a heat treatment for catalyst immobilization, Focusing on performing in a non-oxidizing atmosphere, the present invention having the following constitution was conceived.
【０００８】このような考え方に立脚する本発明のプリ
ント配線板の製造方法、基板上に触媒核を付与した後、
無電解めっきを施すことにより、プリント配線板を製造
するに当たり、触媒核固定化のための熱処理を非酸化性
雰囲気下にて行うことを要旨とするものである。すなわ
ち本発明は、基板の、例えば粗化接着剤層上に触媒付与
を行った後、非酸化性雰囲気下にて触媒核固定化のため
の熱処理を行い、次いで、その固定化触媒核を有する接
着剤層上にレジストフィルムを形成してから、露光現像
あるいは熱硬化させるかさらには液状レジストを印刷し
て硬化させることにより、めっきレジストを形成し、そ
の後、このめっきレジストのパターンに無電解めっきを
施して導体パターンを形成することにより、プリント配
線板を製造する方法である。The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention based on the above-mentioned concept, and after providing a catalyst nucleus on the substrate,
In producing a printed wiring board by performing electroless plating, it is a gist to perform heat treatment for immobilizing catalyst nuclei in a non-oxidizing atmosphere. That is, according to the present invention, after the catalyst is applied to the substrate, for example, on the roughening adhesive layer, the heat treatment for fixing the catalyst nuclei is performed in a non-oxidizing atmosphere, and then the immobilized catalyst nuclei are added. After a resist film is formed on the adhesive layer, it is exposed to light or heat-cured, or a liquid resist is printed and cured to form a plating resist, and then electroless plating is applied to the pattern of this plating resist. Is a method for manufacturing a printed wiring board by forming a conductor pattern by applying
【０００９】また、この発明において、めっきレジスト
を形成する工程における露光後の現像処理に当たって
は、変成クロロセンを用いることができる。Further, in the present invention, modified chlorocene can be used in the development treatment after exposure in the step of forming the plating resist.
【００１０】さらにこの発明は、前記めっきレジスト形
成工程の後無電解めっき処理の前に、50〜100 ℃の湯洗
処理を施すことができる。Further, according to the present invention, a hot water washing treatment at 50 to 100 ° C. can be performed after the plating resist forming step and before the electroless plating treatment.
【００１１】さらに、この発明は、前記無電解めっき処
理工程において、この無電解めっきを行う前に、触媒核
の活性化処理を行うことができる。Furthermore, according to the present invention, in the electroless plating treatment step, the catalyst nucleus activation treatment can be performed before the electroless plating.
【００１２】[0012]
【作 用】無電解めっき時に見られる析出導体（Cu）の
密着性低下は、本発明者らの研究によれば、触媒固定化
のために行う加熱処理を、大気中で行っていたことが主
因であることが判った。それは、この熱処理によって、
PdCl2−SnCl2 −HCl(コロイドタイプ) 溶液などに含ま
れているPdがPdO に変わるため、塩酸およびSnによる活
性化処理のときに、次のような反応；
を起こすことなく、従って、Pd0 に還元されないからで
ある。その結果、触媒核が不足して、めっき金属（Cu）
が析出しにくくなるのである。発明者らが行った測定結
果によれば、大気中で行った触媒固定化のための加熱処
理の場合、めっき導体のピール強度は平均 0.8 kg/cmに
しかならなかった。[Operation] The decrease in the adhesion of the deposited conductor (Cu) observed during electroless plating, according to the research conducted by the present inventors, indicates that the heat treatment for fixing the catalyst was performed in the atmosphere. It turned out to be the main cause. It is this heat treatment
Since the Pd contained like PdCl 2 -SnCl 2 -HCl (colloidal type) solution changes to PdO, when the activation treatment with hydrochloric acid and Sn, the following reaction; Because it does not occur and is therefore not reduced to Pd 0 . As a result, there is a shortage of catalyst nuclei and the plating metal (Cu)
Is less likely to precipitate. According to the measurement results performed by the inventors, the peel strength of the plated conductor was only 0.8 kg / cm on average when the heat treatment for fixing the catalyst was performed in the air.
【００１３】そこで、本発明は、上述した最初の工程
（触媒核の付与およびそれの固定化段階）で行う触媒付
与後の熱処理を、非酸化性雰囲気, すなわち不活性ガス
雰囲気中または低酸素濃度雰囲気中で行うことにした。
熱処理をこのような雰囲気で行うと、従来技術で見られ
たようなPdＯの生成を阻止でき、それ故に触媒核(Pd)の
不足がなくなり、めっき金属(Cu)が十分に析出するよう
になるのである。Therefore, according to the present invention, the heat treatment after the catalyst application in the first step (the step of applying the catalyst nuclei and the fixing step thereof) is performed in a non-oxidizing atmosphere, that is, in an inert gas atmosphere or at a low oxygen concentration. I decided to do it in the atmosphere.
When the heat treatment is carried out in such an atmosphere, it is possible to prevent the formation of PdO as seen in the prior art, and therefore the lack of catalyst nuclei (Pd) is eliminated and the plating metal (Cu) is sufficiently deposited. Of.
【００１４】前記熱処理における不活性ガス雰囲気の例
としては、窒素ガスが好適であり、また低酸素濃度雰囲
気で行う場合は、酸素濃度が１ppm 〜10％のレベルとな
るように制御する。なお、触媒固定化のために行うこの
熱処理の温度は、50〜300 ℃が好適範囲である。この温
度が50℃未満では固定化できないし、300 ℃を超えると
前記接着剤が変成するので好ましくない。Nitrogen gas is suitable as an example of the inert gas atmosphere in the heat treatment, and when it is carried out in a low oxygen concentration atmosphere, the oxygen concentration is controlled to a level of 1 ppm to 10%. The temperature of this heat treatment for immobilizing the catalyst is preferably 50 to 300 ° C. If this temperature is lower than 50 ° C, it cannot be fixed, and if it exceeds 300 ° C, the adhesive is modified, which is not preferable.
【００１５】次に、本発明は、ピール強度向上対策とし
て、上述の加熱雰囲気の工夫に加え、さらに接着剤の選
択、露光後の現像液の特定、ならびにめっきレジストの
熱硬化処理後に湯洗を行うという各方法を採用すること
とした。以下にそれぞれの具体的な内容につき製造工程
の説明に併せて説明する。Next, according to the present invention, as a measure for improving the peel strength, in addition to the above-described devising of the heating atmosphere, selection of an adhesive, specification of the developer after exposure, and washing with hot water after heat treatment of the plating resist are carried out. We decided to adopt each method. The specific contents of each will be described below together with the description of the manufacturing process.
【００１６】本発明は、触媒核を付与したのちに無電解
めっきを施すことにより、プリント配線板を製造する、
いわゆるアディティブプロセスに適用して有効な技術で
ある。このアディティブプロセスは、パートリーアディ
ティブ法と、フルアディティブ法とに分類される。上記
パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基
板, 必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を
穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導
体回路を形成し、前記導体回路上、スルーホールやバイ
アホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行う
ことにより、プリント配線板を製造する方法である。こ
れに対してフルアディティブ法は、基板( 導体回路が形
成されたものも含む) 上の粗化接着剤層を形成して触媒
付与を行った後、引続き前記接着剤層上にレジストフィ
ルムを形成してから、露光現像あるいは必要に応じて熱
硬化させるか、液状レジストを印刷、硬化させることに
より、めっきレジストを形成し、その後、めっきレジス
トが形成されていない部位に無電解めっきを施して導体
パターン形成し、プリント配線板を製造する方法であ
る。本発明は、上述したアディティブプロセスによるプ
リント配線板の製造方法において、無電解めっき用触媒
核の付与後に、この触媒核を固定するための熱処理を行
うことが特徴である。According to the present invention, a printed wiring board is manufactured by applying electroless plating after applying catalyst nuclei.
This technology is effective when applied to the so-called additive process. This additive process is classified into the part-additive method and the full-additive method. The above-mentioned part-additive method means a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a catalyst nucleus is provided on the substrate having holes for through holes and via holes, and a conductor circuit is formed by etching, This is a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes and via holes on a conductor circuit by electroless plating. On the other hand, in the full additive method, after forming a roughening adhesive layer on a substrate (including one having a conductor circuit formed) and applying a catalyst, a resist film is subsequently formed on the adhesive layer. After that, the resist is exposed to light or heat-cured as required, or a liquid resist is printed and cured to form a plating resist, and then electroless plating is applied to a portion where the plating resist is not formed to form a conductor. It is a method of forming a pattern and manufacturing a printed wiring board. The present invention is characterized in that, in the method for manufacturing a printed wiring board by the above-mentioned additive process, after applying the catalyst core for electroless plating, heat treatment for fixing the catalyst core is performed.
【００１７】以下に、上記パートリーアディティブ法に
従う本発明方法について図１に基づき説明する。この方
法における最初の工程(a) は、導体層２が形成された基
板１を準備することである。この基板としては、絶縁板
に銅箔などの金属箔を接着したものや、絶縁板に無電解
めっき用接着剤層を形成しさらに無電解めっきを行うこ
とにより基板の全面に導体層を析出させた基材などにエ
ッチングにより回路形成を施したものが望ましい。な
お、孔穿けは、スルーホール３やバイアホールの形成に
必要である。次に、工程(b) は、前記基板上に、無電解
めっき用触媒核４を付与する。この触媒化の付与は、Pd
イオン、Snイオンを含むコロイドタイプの溶液、例えば
PdCl2−SnCl2 −HCl や PdCl2−SnCl2 −NaClなどの溶
液を、基板の少なくともその一表面に塗布することによ
り行う。次に、工程(c) は、本発明方法に特有の触媒核
固定化のための熱処理工程である。この処理工程は、触
媒核を付与した基板１を、アルゴンや窒素などの不活性
雰囲気下あるいは、触媒核の酸化がおきない程度の酸素
濃度の下で加熱することである。これによって触媒核は
基板にしっかりと固定される。工程(d) は、パターン形
成のためにめっきレジストを形成する過程である。即
ち、このケースではエッチングレジスト5 を形成した
後、レジスト部分( パターン部分) を除く他の個所の触
媒核４´ならびに導体層２を除去する段階である。使用
するエッチングレジスト５としては、ドライフィルムフ
ォトレジスト、液状フォトレジスト、スクリーン印刷イ
ンキ、電着レジストなどの有機化合物レジストやはん
だ、金などの金属系レジストなどがある。また、エッチ
ング溶液としては、塩化第２銅、塩化第２鉄、過硫酸塩
類、過酸化水素／硫酸、アルカリエッチャントなどの水
溶液を用いることができる。そして、工程(e) は、工程
(d) にてエッチングすることにより形成されるパターン
域に、無電解めっきを施して導体回路６を形成する段階
である。導体回路６となる無電解めっき膜の形成には、
例えば第２銅イオン源となる銅塩を基礎とし、これに銅
イオンを金属銅にするための還元剤、還元剤を有効に働
かせるアルカリ性溶液にするための pＨ調整剤、アルカ
リ性溶液中で銅の沈澱を防ぐための錯化剤および安定剤
などを必要に応じて加えたものを用いることが望まし
い。The method of the present invention according to the above-mentioned partly additive method will be described below with reference to FIG. The first step (a) in this method is to prepare the substrate 1 on which the conductor layer 2 is formed. As this substrate, a metal foil such as copper foil is adhered to an insulating plate, or an adhesive layer for electroless plating is formed on the insulating plate and further electroless plating is performed to deposit a conductor layer on the entire surface of the substrate. It is desirable to use a base material or the like on which a circuit has been formed by etching. It should be noted that drilling is necessary to form the through hole 3 and the via hole. Next, in the step (b), the catalyst core 4 for electroless plating is provided on the substrate. The addition of this catalysis is
Ion, colloidal type solution containing Sn ion, for example
A solution such as PdCl 2 -SnCl 2 -HCl or PdCl 2 -SnCl 2 -NaCl, carried out by applying at least on its one surface of the substrate. Next, step (c) is a heat treatment step for immobilizing the catalyst nucleus, which is unique to the method of the present invention. This processing step is to heat the substrate 1 to which the catalyst nuclei have been applied, in an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or under an oxygen concentration such that the catalyst nuclei are not oxidized. As a result, the catalyst core is firmly fixed to the substrate. Step (d) is a step of forming a plating resist for pattern formation. That is, in this case, after the etching resist 5 is formed, the catalyst nuclei 4 ′ and the conductor layer 2 other than the resist portion (pattern portion) are removed. Examples of the etching resist 5 used include a dry film photoresist, a liquid photoresist, a screen printing ink, an organic compound resist such as an electrodeposition resist, and a metal resist such as solder and gold. Further, as the etching solution, an aqueous solution of cupric chloride, ferric chloride, persulfates, hydrogen peroxide / sulfuric acid, an alkali etchant or the like can be used. And step (e) is
This is a step of forming a conductor circuit 6 by applying electroless plating to the pattern area formed by etching in (d). To form the electroless plating film that will become the conductor circuit 6,
For example, based on a copper salt that serves as a source of cupric ions, a reducing agent for converting copper ions into metallic copper, a pH adjusting agent for forming an alkaline solution that effectively operates the reducing agent, and a copper salt in an alkaline solution are used. It is preferable to use a complexing agent, a stabilizer, and the like for preventing precipitation, if necessary.
【００１８】次に、本発明方法をフルアディティブ法に
よって実施する場合について、図２に基づいて説明す
る。基板の選択ならびに無電解めっきの方法について
は、上掲のパートリーアディティブ法と同じであり、工
程(a) は、基板１上に粗化接着剤層７を形成し、工程
(b) では、その粗化接着剤層７表面に触媒核４を付与
し、次に工程(c) では、前記触媒核４を加熱して固定化
させ、そして工程(d) では、固定化触媒核４´の上にめ
っきレジスト８を形成し、その後工程(e) にて無電解め
っきを行う方法である。そこで以下は、このフルアディ
ティブ法に特有な基板上に接着剤層を形成する工程を中
心にさらに詳しく説明する。Next, the case where the method of the present invention is carried out by the full additive method will be described with reference to FIG. The method of selecting the substrate and the method of electroless plating are the same as those of the above-mentioned part-additive method. The step (a) is to form the roughening adhesive layer 7 on the substrate 1,
In (b), the catalyst nuclei 4 are applied to the surface of the roughening adhesive layer 7, then in step (c), the catalyst nuclei 4 are heated and immobilized, and in step (d), the immobilization is performed. In this method, a plating resist 8 is formed on the catalyst nuclei 4 ', and then electroless plating is performed in step (e). Therefore, the following is a more detailed description centering on the step of forming the adhesive layer on the substrate, which is peculiar to the full-additive method.
【００１９】さて、基板１上に接着剤層７を構成するた
めの接着剤は、酸あるいは酸化剤に対して難溶性の耐熱
性樹脂中に、(イ) 平均粒径２〜10μm の耐熱性樹脂粒子
と平均粒径２μm 以下の耐熱性樹脂微粉末との混合物、
(ロ) 平均粒径２〜10μm 以下の耐熱性樹脂粒子の表面に
平均粒径２μm 以下の耐熱性樹脂微粉末を付着させてな
る擬似粒子、(ハ) 平均粒径２μm 以下の耐熱性樹脂微粉
末を凝集させて平均粒径２〜10μm の大きさとした凝集
粒子、のうちから選ばれるいずれか少なくとも１種の酸
あるいは酸化剤に可溶で硬化処理された耐熱性粒子を分
散したものが好適である。The adhesive for forming the adhesive layer 7 on the substrate 1 is composed of a heat-resistant resin which is hardly soluble in an acid or an oxidant, and (a) has a heat resistance of an average particle size of 2 to 10 μm. A mixture of resin particles and heat-resistant resin fine powder having an average particle size of 2 μm or less,
(B) Pseudo particles obtained by adhering heat-resistant resin fine powder having an average particle size of 2 μm or less to the surface of heat-resistant resin particles having an average particle size of 2 to 10 μm, (c) Heat-resistant resin fine particles having an average particle size of 2 μm or less It is preferable to disperse hardened heat-resistant particles soluble in at least one acid or oxidizing agent selected from agglomerated particles obtained by aggregating powders to have an average particle size of 2 to 10 μm. Is.
【００２０】このような接着剤層を用いる理由は、接着
剤層表面を均一に粗化するのに好都合だからである。す
なわち、この発明で用いるかかる接着剤の場合、前記耐
熱性粒子とマトリックスを形成する耐熱性樹脂とは、
酸, 酸化剤に対する溶解性に大きな差異が生ずるように
なっているため、酸, 酸化剤で処理したとき、接着剤層
の表面部分に分散している前記耐熱性粒子のみが優先的
に溶解除去され、凹状のアンカーを形成するのである。
それ故に、酸, 酸化剤で処理したあとの接着剤層の表面
は、除去された耐熱性粒子のために均一に粗化されてお
り、あとでその表面に形成する導体回路に対する効果的
なアンカーとして作用する。従って、フルアディティブ
法によって形成するめっき導体回路は、高い密着強度を
有し、かつ信頼性を確保することとなる。好ましいこの
接着剤層の厚さは、５〜150 μm が望ましく、5 〜50μ
m が好適である。The reason for using such an adhesive layer is that it is convenient for uniformly roughening the surface of the adhesive layer. That is, in the case of such an adhesive used in the present invention, the heat-resistant resin forming the matrix with the heat-resistant particles,
Since there is a large difference in solubility in acids and oxidants, when treated with acids and oxidants, only the heat-resistant particles dispersed on the surface of the adhesive layer are preferentially dissolved and removed. To form a concave anchor.
Therefore, the surface of the adhesive layer after treatment with acid and oxidizer is uniformly roughened due to the heat-resistant particles removed, and it is an effective anchor for the conductor circuit to be formed on the surface later. Acts as. Therefore, the plated conductor circuit formed by the full additive method has high adhesion strength and ensures reliability. The preferred thickness of this adhesive layer is 5 to 150 μm, preferably 5 to 50 μm.
m is preferred.
【００２１】なお、接着剤中の前記耐熱性粒子は、耐熱
性と電気絶縁性に優れ、酸化剤以外の薬品に対して安定
な性質を示す樹脂を用いる。そして、この樹脂は硬化処
理することにより、耐熱性樹脂液あるいは溶剤に対して
は難溶性となるが、酸もしくは酸化剤に対しては可溶性
となる樹脂を使用する。As the heat-resistant particles in the adhesive, a resin having excellent heat resistance and electrical insulation and stable to chemicals other than the oxidizing agent is used. When this resin is hardened, it becomes sparingly soluble in the heat resistant resin liquid or solvent, but soluble in the acid or oxidizing agent.
【００２２】このような耐熱性粒子構成する樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂の中から選ばれるいずれか少
なくとも１種があり、特にエポキシ樹脂が好適である。As the resin constituting such heat-resistant particles, for example, at least one selected from epoxy resin, polyester resin, and bismaleimide-triazine resin can be used, and epoxy resin is particularly preferable.
【００２３】上記酸化処理に当たって用いる前記酸化剤
としては、クロム酸,クロム酸塩,過マンガン酸塩, オゾ
ンなどが使用される。Chromic acid, chromate, permanganate, ozone, etc. are used as the oxidizing agent used in the oxidation treatment.
【００２４】なお、この方法において、前記接着剤層上
に形成されるめっき導体回路９のうち、少なくともパッ
ド部分についてのめっきレジストを、導体回路９よりも
厚い永久レジスト８´として残留させることが望まし
い。この理由は、相対的に厚い永久レジスト８´が、ハ
ンダブリッジを防止したり、セルフアライメント効果
(リード部品をパッドに搭載する際、リードとパッドが
多少ずれていても、パッドとレジストの段差や、ハンダ
の表面張力により正確に搭載できる効果) が期待できる
からである。In this method, it is desirable to leave the plating resist for at least the pad portion of the plated conductor circuit 9 formed on the adhesive layer as a permanent resist 8'thicker than the conductor circuit 9. . The reason for this is that the relatively thick permanent resist 8'prevents solder bridges and self-alignment effect.
This is because when the lead component is mounted on the pad, even if the lead and the pad are slightly deviated from each other, it is possible to expect the effect of being able to be accurately mounted by the step between the pad and the resist and the surface tension of the solder.
【００２５】また、本発明の接着剤としては、さらに次
のような(イ),(ロ) のものの利用が可能である。
(イ) ゴム系接着剤；樹脂、バインダー、合成ゴムからな
る接着剤の場合、樹脂としては、エポキシ樹脂が、また
バインダーとしてはフェノール樹脂が、合成ゴムとして
はジエン系ゴムが使用される。なお、樹脂、バインダ
ー、合成ゴムを混合溶融させると、ＳＰ値（溶解度パラ
メータ）の相違により、樹脂もしくは合成ゴムがビーズ
状態になり、これを冷却することにより、樹脂あるいは
合成ゴムをフィラーすることができる。なお、粗化剤と
しては、クロム混酸を用いる。
(ロ) セラミックス系接着剤；セラミックスをフィラーと
して含有する接着剤の場合、セラミックスとしてはシリ
カを、マトリックスとしては、エポキシ樹脂を、そして
粗化剤はフッ酸を用いる。Further, the following adhesives (a) and (b) can be used as the adhesive of the present invention. (A) Rubber adhesive: In the case of an adhesive composed of a resin, a binder and a synthetic rubber, an epoxy resin is used as the resin, a phenol resin is used as the binder, and a diene rubber is used as the synthetic rubber. When a resin, a binder, and a synthetic rubber are mixed and melted, the resin or the synthetic rubber becomes a bead state due to a difference in SP value (solubility parameter), and the resin or the synthetic rubber may be filled by cooling the beads. it can. As the roughening agent, chromium mixed acid is used. (B) Ceramics adhesive: In the case of an adhesive containing ceramics as a filler, silica is used as the ceramics, epoxy resin is used as the matrix, and hydrofluoric acid is used as the roughening agent.
【００２６】なお、前記工程(b) において、工程(a) で
得られた前記粗化接着剤層７上に無電解めっきのための
触媒核４付与の処理は、前記接着剤層７つき基板１を、
Pdイオン, Snイオンを含むコロイドタイプの溶液、例え
ば PdCl2−SnCl2 −ＨClやPdCl2 −SnCl2 −NaCl、など
の溶液中に浸漬することにより、被めっき基板の表面に
Snイオン, Pdイオンを吸着させることにより行う。In the step (b), the treatment for applying the catalyst nucleus 4 for electroless plating on the roughened adhesive layer 7 obtained in the step (a) is carried out by the substrate with the adhesive layer 7. 1
Pd ion, colloid type solution containing Sn ions, for example, PdCl 2 -SnCl 2 -HCl or PdCl 2 -SnCl 2 -NaCl, by immersion in a solution such as the surface of the plated substrate
It is performed by adsorbing Sn and Pd ions.
【００２７】さらに、この処理の後、必要に応じてその
表面を塩酸などで処理することにより、図３(b) に示す
ように、Snの一部を除去して表面抵抗を下げ、有害なSn
の一部を除去して、Pdを多く露出させる活性化処理を行
うことが好ましい。このとき、触媒としてコロイドタイ
プのものを用いる理由は、例えば、Pd化合物は単独では
難溶性のため液化しないし、樹脂に対する吸着力が弱い
ためであり、Pd−Sn系のものを用いる理由は、Sn化合物
が還元剤として作用し、Pdイオンを還元するからであ
る。Further, after this treatment, the surface thereof is treated with hydrochloric acid or the like if necessary, so that a part of Sn is removed to lower the surface resistance as shown in FIG. Sn
It is preferable to remove a part of Pd and perform activation treatment to expose a large amount of Pd. At this time, the reason for using a colloid type as the catalyst is, for example, the Pd compound alone is not liquefied because it is hardly soluble, and because the adsorption power to the resin is weak, the reason for using the Pd-Sn type is This is because the Sn compound acts as a reducing agent and reduces Pd ions.
【００２８】次に、この触媒核付与後に塩酸などによる
活性化処理を施した基板は、上述したように、触媒核４
固定化のために、50〜300 ℃の非酸化性雰囲気中で加熱
を行う。この熱処理は、めっきレジストを形成する前に
行うことが必要である。この理由は、めっきレジストを
形成するための現像処理の際に触媒核４が離脱しやすい
からである。Next, the substrate which has been subjected to activation treatment with hydrochloric acid or the like after application of the catalyst nuclei has the catalyst nuclei 4 as described above.
Heating is performed in a non-oxidizing atmosphere at 50 to 300 ° C for immobilization. This heat treatment needs to be performed before forming the plating resist. The reason for this is that the catalyst nuclei 4 are easily released during the development process for forming the plating resist.
【００２９】触媒核４を付与した後の基板については、
次に、所定のパターンに応じてレジストフィルムを形成
し、その後紫外線感光, レーザー露光などの露光処理の
後、現像するか、あるいは印刷や塗布法によってめっき
レジストを形成する。その後、さらに必要に応じて紫外
線処理または熱処理を行う。例えば、紫外線処理につい
ては、５J/cm2 の照射量が望ましく、熱処理は 150℃／
30分の条件で加熱することにより、めっきレジストを熱
硬化させる。Regarding the substrate after applying the catalyst nuclei 4,
Next, a resist film is formed according to a predetermined pattern, and after that, after exposure treatment such as ultraviolet exposure and laser exposure, development is performed, or a plating resist is formed by printing or coating method. Then, if necessary, ultraviolet ray treatment or heat treatment is performed. For example, for UV treatment, a dose of 5 J / cm 2 is desirable, and heat treatment is 150 ° C /
The plating resist is thermoset by heating it for 30 minutes.
【００３０】このめっきレジスト形成の工程(d) におい
て、現像に際して用いる薬剤としては、クロロセン(1,
1,1−トリクロロエタン＋安定化剤）にイソプロピルア
ルコールやエタノール, ブタノール, プロパノール＋ト
ルエン, ブタノール＋エタノール, メチルセルソルブ,
ブチルセルソルブ, メチルセルソルブアセテート, メチ
ルエチルケトン, シクロヘキサンなどを１〜20％添加し
た変成クロロセン、あるいは炭酸ナトリウムやメタケイ
酸ナトリウムなどを用いることができる。In the step (d) of forming the plating resist, chlorocene (1,
1,1-trichloroethane + stabilizer) with isopropyl alcohol, ethanol, butanol, propanol + toluene, butanol + ethanol, methyl cellosolve,
Butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, methyl ethyl ketone, cyclohexane and the like modified chlorocene added with 1 to 20%, or sodium carbonate or sodium metasilicate can be used.
【００３１】なかでも、変成クロロセンについては、上
記クロロセンに比べ溶解力が強く、無電解めっき接着剤
層のアンカー内に残留するレジストを完全に除去するの
に有用である。この点、もし上記めっきレジストの現像
かすが接着剤層上のアンカー内に残っていると、ピール
強度が低下する傾向が見られ、好ましくない。なお、現
像の時間は30〜120 秒間行うのが好ましい。Among them, modified chlorocene has a stronger dissolving power than the above chlorocene and is useful for completely removing the resist remaining in the anchor of the electroless plating adhesive layer. In this respect, if the development residue of the plating resist remains in the anchor on the adhesive layer, the peel strength tends to decrease, which is not preferable. The developing time is preferably 30 to 120 seconds.
【００３２】また、本発明においては、露光, 現像ある
いは熱硬化処理の後、次の無電解めっき工程(e) の前に
湯洗をすることがとりわけ有効である。すなわち、この
湯洗処理は、上述の接着剤層の表面を50〜100 ℃の熱湯
にて洗浄（湯洗) する方法である。この段階でかような
湯洗をする理由は、その前段階での熱処理により、接着
剤層の表面の水分が蒸発して、めっき液に対する濡れ性
やピール強度が低下するのを防止することができるから
である。Further, in the present invention, it is particularly effective to wash with hot water after the exposure, development or heat curing treatment and before the next electroless plating step (e). That is, this hot water washing treatment is a method of washing (hot water washing) the surface of the above-mentioned adhesive layer with hot water of 50 to 100 ° C. The reason for such hot water washing at this stage is to prevent the moisture on the surface of the adhesive layer from evaporating due to the heat treatment in the preceding stage, and to prevent the wettability to the plating solution and the peel strength from decreasing. Because you can.
【００３３】さらに、本発明において、前記工程を経て
得られた基板のパターン上に、無電解めっきを施して導
体パターンを形成する段階である。この工程で用いる無
電解銅めっきのための浴は、第二銅イオン源となる銅塩
を基礎とし、これに銅イオンを金属銅にするための還元
剤、還元剤を有効に働かすアルカリ性溶液にするための
pＨ調整剤、アルカリ性溶液中で銅の沈澱を防ぐための
錯化剤および安定化剤などを必要に応じて加えたものを
用いる。Further, in the present invention, the step of forming a conductor pattern by electroless plating on the pattern of the substrate obtained through the above steps. The bath for electroless copper plating used in this step is based on a copper salt that serves as a source of cupric ions, and a reducing agent for converting copper ions into metallic copper, and an alkaline solution that effectively works the reducing agent. in order to
A pH adjusting agent, a complexing agent for preventing the precipitation of copper in an alkaline solution, a stabilizing agent, and the like are added as necessary.
【００３４】例えば、銅塩：0.01〜0.15 mol／ｌ、還元
剤 0.1 mol／ｌ、 pＨ調整剤： 0.1〜１ mol／ｌ、錯化
剤は銅イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内で調整した
ものが好ましい。また、無電解銅めっき浴の温度は、80
℃より高いと浴の分解が生じ、30℃より低いと析出速度
が遅すぎ、所望の無電解銅めっき厚さを得るまでに時間
がかかり過ぎるため、30〜80℃の範囲内が好ましい。For example, copper salt: 0.01 to 0.15 mol / l, reducing agent 0.1 mol / l, pH adjusting agent: 0.1 to 1 mol / l, complexing agent within the range of 1 to 3 times the molar concentration of copper ion. The one adjusted in step 1 is preferable. The temperature of the electroless copper plating bath is 80
When the temperature is higher than 0 ° C, the bath is decomposed, and when the temperature is lower than 30 ° C, the deposition rate is too slow and it takes too long to obtain a desired electroless copper plating thickness.
【００３５】[0035]
【実施例】実施例１
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板（日立化成工業製）の表
面をバフ研磨した後、水洗乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル
製）60重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化
シェル製）40重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製）5 重量部、アンカー形成用の粗粒子および微粉末と
してエポキシ樹脂粉末（東レ製、平均粒径5.5 μm ）25
重量部およびエポキシ樹脂粉末（東レ製、平均粒径0.5
μm ）10重量部からなるものに、ブチルセルソルブアセ
テート溶剤を添加しながらホモディスパー分散機で粘度
を120 cps に調整し、三本ロールで混練して接着剤を調
整し得た。Examples Example 1 (1) The surface of an FR-4 grade insulating plate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was buffed, washed with water and dried to obtain a substrate. (2) Phenol novolac type epoxy resin (made by Yuka Shell) 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin (made by Yuka Shell) 40 parts by weight, imidazole curing agent (made by Shikoku Kasei) 5 parts by weight, rough for anchor formation Epoxy resin powder as particles and fine powder (Toray, average particle size 5.5 μm) 25
Parts by weight and epoxy resin powder (manufactured by Toray, average particle size 0.5
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser while adding a butyl cellosolve acetate solvent to 10 parts by weight of the mixture, and kneaded with three rolls to prepare an adhesive.
【００３６】(3) 前記第(1) 工程で得られた基板にロー
ラーコーターを使用して、前記第(2)工程で得られた接
着剤を塗布した後、100 ℃で１時間、さらに150 ℃で５
時間乾燥することにより、基板上に厚さ30μm の接着剤
層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた接着剤層を有する
基板を、クロム酸(Cr2O3)700 g/l水溶液からなる酸化剤
溶液中に、70℃で15分間浸漬することにより前記接着剤
層の表面を粗化し、その後中和溶液（シプレイ社製）に
浸漬し、水洗した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒（シプレイ社製）
を付与した。ついで、活性化浴（シプレイ社製）でSnの
一部を除去した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、Ｎ2 ガス
で置換した非酸化性雰囲気の高温器内にて120 ℃，30分
間熱処理を行った。なお、この時の酸素濃度は10ppm で
あった。(3) After applying the adhesive obtained in the step (2) to the substrate obtained in the step (1) by using a roller coater, the substrate is further heated at 100 ° C. for 1 hour and further 150 5 at ℃
An adhesive layer having a thickness of 30 μm was formed on the substrate by drying for an hour. (4) Immerse the substrate having the adhesive layer obtained in the treatment of the step (3) in an oxidizing agent solution consisting of a chromic acid (Cr 2 O 3 ) 700 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. By doing so, the surface of the adhesive layer was roughened, then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. (5) Colloidal tin-palladium catalyst (manufactured by Shipley) on the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the step (4).
Was granted. Then, a part of Sn was removed with an activation bath (made by Shipley). (6) The substrate obtained in the process of the above (5) step was heat-treated at 120 ° C. for 30 minutes in a high temperature chamber in a non-oxidizing atmosphere substituted with N 2 gas. The oxygen concentration at this time was 10 ppm.
【００３７】(7) 前記第(6) 工程の処理で得られた基板
の接着剤層上に、ドライフィルムフォトレジストをラミ
ネートし、露光後、スプレー現像機でクロロセンに対し
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を10％添加した変成
クロロセン溶液にて現像し、厚さ50μm のめっきレジス
トを形成した。
(8) さらに、紫外線照射装置により、3J／cm2 の光量で
光硬化させた後、Ｎ2 ガスで置換した無酸素雰囲気高温
器内で150 ℃，30分熱硬化した。この時の酸素濃度は15
ppm であった。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、70℃，5
分にて湯洗した後、再び活性化浴（シプレイ社製）に浸
漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。(7) A dry film photoresist is laminated on the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the step (6), and after exposure, IPA (isopropyl alcohol) is applied to chlorothene with a spray developing machine. Development was carried out with a modified chlorothene solution containing 10% to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, it was photo-cured with an ultraviolet irradiation device at a light amount of 3 J / cm 2 , and then heat-cured at 150 ° C. for 30 minutes in an oxygen-free atmosphere high-temperature device substituted with N 2 gas. The oxygen concentration at this time is 15
It was ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) step is heated at 70 ° C. for 5 hours.
After washing with hot water for minutes, it was immersed again in an activation bath (manufactured by Shipley Co.) to carry out an activation treatment, and then washed with water.
【００３８】(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基
板を、下記に示す組成のアディティブ法用無電解銅めっ
き液中に約１時間浸漬して、めっき膜の厚さ25μm の無
電解銅めっきを施し、プリント回路配線板を製造した。
硫酸銅(CuSO4・5H2O) 0.06 モル／１
ホルマリン(37%) 0.30 モル／１
水酸化ナトリウム 0.35 モル／１
ＥＤＴＡ 0.12 モル／１
添加剤 少々
めっき濃度：70〜72℃ ｐＨ：12.4(10) The substrate obtained in the treatment of the step (9) was immersed in an electroless copper plating solution for additive process having the composition shown below for about 1 hour to form a plating film having a thickness of 25 μm. Electroless copper plating was applied to produce a printed circuit wiring board. Copper sulfate (CuSO 4 .5H 2 O) 0.06 mol / 1 formalin (37%) 0.30 mol / 1 sodium hydroxide 0.35 mol / 1 EDTA 0.12 mol / 1 additive Little plating concentration: 70-72 ° C pH: 12.4
【００３９】実施例２
(1) 実施例１の(1) 〜(4) 各工程と同じ処理を行った。
(2) 前記工程(1) の処理を経た基板を、有機錯塩系パラ
ジュウム触媒（シェーリング社製）に浸漬し、水洗し
た。
(3) 触媒付与を終えた基板を、Arガスで置換した無酸素
雰囲気高温器内で、120℃，30分間熱処理を行った。な
お、この時の酸素濃度は３％であった。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板に、液状フォ
トレジストをローラーコーターにて塗布し、露光，現像
を行い、めっきレジストを形成した。
(5) さらに、紫外線照射装置により、1J／cm2 の光量で
光硬化させた後、Ar(O2 ：１％）ガス中で150 ℃，30分
間熱硬化した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、50℃，5
分にて湯洗した後、活性化浴（シェーリング社製）に浸
漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。
(7) 実施例１の第(10)工程と同一の方法にて無電解めっ
きを行った。Example 2 (1) The same processes as in the steps (1) to (4) of Example 1 were performed. (2) The substrate subjected to the treatment in the step (1) was immersed in an organic complex salt-based palladium catalyst (made by Schering) and washed with water. (3) The substrate on which the catalyst had been applied was heat-treated at 120 ° C for 30 minutes in an oxygen-free atmosphere high-temperature chamber in which Ar gas was substituted. The oxygen concentration at this time was 3%. (4) A liquid photoresist was applied to the substrate obtained in the treatment of the step (3) by a roller coater, and exposure and development were performed to form a plating resist. (5) Further, it was photocured by an ultraviolet irradiation device with a light amount of 1 J / cm 2 , and then heat-cured in Ar (O 2 : 1%) gas at 150 ° C. for 30 minutes. (6) The substrate obtained in the process of the above (5) step is heated at 50 ° C. for 5 hours.
After washing with hot water for minutes, it was immersed in an activation bath (made by Schering Co.) to carry out an activation treatment, and then washed with water. (7) Electroless plating was carried out by the same method as in step (10) of Example 1.
【００４０】実施例３
(1) 実施例１の第(1) 工程と同様の処理を行い、得られ
た基板の表面を粗化処理した。
(2) ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（油化シェル製）
100 重量部，アクリルニトリルブタジエン共重合ゴム
（グットリッチ社製），変成触媒としてトリフェニルス
ルホスフィン0.2 重量部，ジシアンジアミド５重量部，
および２−ヘプタデシルイミダゾール 0.2重量部を配合
し、ジメチルホルムアミド溶剤に溶かして粘度200 cps
の接着剤を調整した。
(3) 実施例１の第(3) 工程と同様の処理を行って基板上
に接着剤層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム硫
酸（重クロム酸ナトリウム120 g/１, 濃硫酸600 ml／
１）水溶液からなる酸化剤溶液中で、で50℃, ３分間の
粗化処理を行い、その後亜硫酸ナトリウム水溶液からな
る中和溶液に浸漬し、さらにその後水洗した。
(5) 実施例１の第(5) 工程の処理と同様の操作を行うこ
とにより、前記接着剤層上に触媒を付与した。
(6) 非酸化性のXeガス中（O2 300ppm)で、120 ℃，30分
間加熱処理した。
(7) 前記第(6) 工程の処理で得られた基板に、熱硬化型
液状レジストをスクリーン印刷にて印刷し、その後熱処
理を施して硬化させることによりめっきレジストを形成
した。
(8) 前記第(7) 工程の処理で得られた基板を、70℃，5
分間て湯洗した後、６Ｎ塩酸にて活性化処理を行い、そ
の後水洗した。
(9) 実施例１の第(10)工程の処理と同一の条件にて、厚
さ30μm の無電解めっきを施した。Example 3 (1) The same treatment as in the step (1) of Example 1 was performed to roughen the surface of the obtained substrate. (2) Bisphenol F type epoxy resin (made by Yuka Shell)
100 parts by weight, acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (manufactured by Gutrich), 0.2 parts by weight of triphenylsulfosphine as a conversion catalyst, 5 parts by weight of dicyandiamide,
And 0.2 parts by weight of 2-heptadecyl imidazole were mixed and dissolved in a dimethylformamide solvent to give a viscosity of 200 cps.
The adhesive of was adjusted. (3) The same treatment as in the step (3) of Example 1 was performed to form an adhesive layer on the substrate. (4) Chromulfuric acid (sodium dichromate 120 g / 1, concentrated sulfuric acid 600 ml /
1) A roughening treatment was carried out at 50 ° C. for 3 minutes in an oxidant solution consisting of an aqueous solution, then immersed in a neutralizing solution consisting of an aqueous solution of sodium sulfite, and then washed with water. (5) A catalyst was applied onto the adhesive layer by performing the same operation as the treatment in the step (5) of Example 1. (6) Heat treatment was performed in non-oxidizing Xe gas (O 2 300 ppm) at 120 ° C. for 30 minutes. (7) A thermosetting liquid resist was printed by screen printing on the substrate obtained in the treatment of the step (6), and then heat treatment was applied to cure the resist, thereby forming a plating resist. (8) The substrate obtained in the process of the above (7) step is heated at 70 ° C. for 5 hours.
After rinsing with hot water for one minute, activation treatment was performed with 6N hydrochloric acid, and then rinsing with water. (9) Electroless plating with a thickness of 30 μm was applied under the same conditions as in the treatment of step (10) of Example 1.
【００４１】実施例４
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤５重量部、エポキシ樹脂粉末（5.5 μm粒径）25
重量部、エポキシ樹脂粉末（3.9 μm 粒径）10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整して接着
剤を得た。
(3) 工程(1) の基板上に、前記工程(2) で調整した接着
剤をロールコーターで塗布し、その後 100℃で１時間、
150 ℃で５時間乾燥させ、厚さ30μm の接着層を形成し
た。
(4) 前記第３工程の処理で得られた基板を、クロム酸50
0 g/ｌ水溶液からなる酸化剤溶液中にに70℃, 15分間浸
漬し、接着剤層の表面を粗化した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。つい
で Sn の一部をHCl で除去した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、Ｎ2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃，30分
間熱処理をして触媒固定化処理を行った。
(7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセンにて現
像し、厚さ50μm のめっきレジストを形成した。
(8) さらに、ＵＶキュアーにより、3J／cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃，30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後、水洗した。
(10) 前記第９工程の処理で得られた基板を、実施例１
の工程(10)と同じ条件の無電解銅めっき液に17時間浸漬
し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっきを施した。Example 4 (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished, washed with water,
A substrate was obtained by drying. (2) Phenol novolac type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
While adding the butyl cellosolve solvent to what is made up of 10 parts by weight of epoxy resin powder (particle size of 3.9 μm),
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) Apply the adhesive prepared in the above step (2) on the substrate of step (1) with a roll coater, and then at 100 ° C. for 1 hour,
It was dried at 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) Chromic acid 50
The surface of the adhesive layer was roughened by immersing it in an oxidizing agent solution consisting of 0 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied onto the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. Then, a part of Sn was removed with HCl. (6) The substrate obtained in the process of the above (5) step was heat-treated at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container in an oxygen-free atmosphere substituted with N 2 gas for catalyst immobilization treatment. (7) Then, a dry film for a plating resist was laminated, and after exposure, development was carried out with chlorothene by a spray developing machine to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , it was heated in nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the treatment of the step (8) was immersed in an activation liquid to carry out an activation treatment, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the process of the ninth step is used in Example 1
It was immersed in an electroless copper plating solution under the same conditions as in step (10) for 17 hours to perform electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm.
【００４２】実施例５
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤５重量部、エポキシ樹脂粉末（5.5 μm粒径）25
重量部、エポキシ樹脂粉末（3.9 μm 粒径）10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤を得た。
(3) 上記接着剤を、ロールコーターで前記基板上に塗布
した後、100 ℃で１時間、150 ℃で５時間それぞれ乾燥
させ、基板上に厚さ30μm の接着剤層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、接着剤層表面を粗化した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板上の接着剤層
上に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。つ
いで、活性化浴にてSnの一部を除去した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、Ｎ2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃，30分
間の触媒固定化処理を行った。
(7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機で、クロロセンにＩ
ＰＡ( イソプロピルアルコール）10％添加した変成クロ
ロセン溶液にて現像し、厚さ50μm のめっきレジストを
形成した。
(8) さらに、ＵＶキュアーにより、3J／cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃，30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後、水洗した。
(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を、実施例
１の工程(10)で使用した無電解銅めっき液に17時間浸漬
し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっきを施した。Example 5 (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished and washed with water,
A substrate was obtained by drying. (2) Phenol novolac type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
While adding the butyl cellosolve solvent to what is made up of 10 parts by weight of epoxy resin powder (particle size of 3.9 μm),
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive was applied onto the substrate with a roll coater and dried at 100 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm on the substrate. (4) Chromic acid was added to the substrate obtained in the treatment of the step (3).
The surface of the adhesive layer was roughened by immersing it in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied onto the adhesive layer on the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. Then, a part of Sn was removed in the activation bath. (6) The substrate obtained in the treatment of the step (5) was subjected to catalyst immobilization treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container in an oxygen-free atmosphere substituted with N 2 gas. (7) Next, a dry film for plating resist is laminated, and after exposure, I is added to chlorothene with a spray-type developing machine.
Development was carried out with a modified chlorocene solution containing 10% of PA (isopropyl alcohol) to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , it was heated in nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the treatment of the step (8) was immersed in an activation liquid to carry out an activation treatment, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the treatment of the step (9) is immersed in the electroless copper plating solution used in the step (10) of Example 1 for 17 hours to form a plating film having a thickness of 35 μm. It was plated.
【００４３】実施例６
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤５重量部、エポキシ樹脂粉末（5.5 μm粒径）25
重量部、エポキシ樹脂粉末（3.9 μm 粒径）10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤を得た。
(3) 前記接着剤を、前記基板上にロールコーターで塗布
し、その後 100℃で１時間、150 ℃で５時間それぞれ乾
燥させ、厚さ30μm の接着剤層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、前記接着剤層の表面を粗化した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、Ｎ2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃，30分
間の触媒固定化処理を行った。
(7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセンにＩＰ
Ａ（ イソプロピルアルコール）10％添加した変成クロ
ロセン溶液にて現像し、厚さ50μm のめっきレジストを
形成した。
(8) さらに、ＵＶキュアーにより、3J／cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃，30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、70℃，５
分間の湯洗を行い、その後活性化液に浸漬して活性化処
理を行い、その後水洗した。
(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を下記の無
電解銅めっき液に17時間浸漬し、めっき膜の厚さ35μm
の無電解銅めっきを施した。Example 6 (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished and washed with water,
A substrate was obtained by drying. (2) Phenol novolac type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
While adding the butyl cellosolve solvent to what is made up of 10 parts by weight of epoxy resin powder (particle size of 3.9 μm),
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive was applied onto the substrate with a roll coater and then dried at 100 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) Chromic acid was added to the substrate obtained in the treatment of the step (3).
The surface of the adhesive layer was roughened by immersing it in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied onto the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. (6) The substrate obtained in the treatment of the step (5) was subjected to catalyst immobilization treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container in an oxygen-free atmosphere substituted with N 2 gas. (7) Then, dry film for plating resist is laminated, and after exposure, IP is applied to chlorocene with a spray-type developing machine.
Development was carried out with a modified chlorocene solution containing 10% of A (isopropyl alcohol) to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , it was heated in nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) step is heated at 70 ° C. for 5
It was washed with hot water for a minute, then immersed in an activation solution for activation treatment, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the treatment of the step (9) is immersed in the following electroless copper plating solution for 17 hours to form a plating film having a thickness of 35 μm.
Electroless copper plating was applied.
【００４４】実施例７
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤５重量部、エポキシ樹脂粉末（5.5 μm粒径）25
重量部、エポキシ樹脂粉末（3.9 μm 粒径）10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤とした。
(3) 前記接着剤層を、前記基板上にロールコーターで塗
布し、その後100℃で１時間、150 ℃で５時間それぞれ
乾燥させ、厚さ30μm の接着層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化溶液中にに70℃で15分間浸
漬し、前記接着剤層の表面を粗化した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板に、コロイド
系スズ−パラジウム触媒を付与した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、Ｎ2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃，30分
間の触媒固定化処理を行った。
(7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機で、クロロセンにＩ
ＰＡ（ イソプロピルアルコール）10％添加した変成ク
ロロセン溶液にて現像し、厚さ50μm のめっきレジスト
を形成した。
(8) さらに、ＵＶキュアーにより、3J／cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃，30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、80℃，５
分間の条件の湯洗を行い、６Ｎ塩酸水溶液に浸漬して活
性化処理を行い、その後水洗した。
(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を、実施例
１の第(10)工程で使用したのと同じ無電解銅めっき液に
17時間浸漬し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっき
を施した。Example 7 (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished, washed with water,
A substrate was obtained by drying. (2) Phenol novolac type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
While adding the butyl cellosolve solvent to what is made up of 10 parts by weight of epoxy resin powder (particle size of 3.9 μm),
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to prepare an adhesive. (3) The adhesive layer was applied onto the substrate with a roll coater, and then dried at 100 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) Chromic acid was added to the substrate obtained in the treatment of the step (3).
The surface of the adhesive layer was roughened by immersing it in an oxidizing solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied to the substrate obtained in the treatment of the step (4). (6) The substrate obtained in the treatment of the step (5) was subjected to catalyst immobilization treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container in an oxygen-free atmosphere substituted with N 2 gas. (7) Next, a dry film for plating resist is laminated, and after exposure, I is added to chlorothene with a spray-type developing machine.
Development was carried out with a modified chlorocene solution containing 10% of PA (isopropyl alcohol) to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , it was heated in nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) step is heated at 80 ° C. for 5 hours.
After rinsing with hot water for 1 minute, it was immersed in a 6N hydrochloric acid aqueous solution for activation treatment, and then washed with water. (10) The same electroless copper plating solution as that used in the step (10) of Example 1 was prepared from the substrate obtained in the step (9).
After immersion for 17 hours, electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm was performed.
【００４５】実施例８
本実施例は、基本的に実施例７と同様であるが、現像液
として、クロロセンに、プロパノールとシクロヘキサノ
ンをそれぞれ５％，10％添加した変成クロロセン溶液を
使用した。Example 8 This example is basically the same as Example 7, except that a modified chlorocene solution prepared by adding 5% and 10% of propanol and cyclohexanone to chlorocene was used as a developing solution.
【００４６】実施例９
本実施例は、基本的に実施例４と同様であるが、現像液
として、炭酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウムの混合溶
液を使用した。Example 9 This example is basically the same as Example 4, but a mixed solution of sodium carbonate and sodium metasilicate was used as a developing solution.
【００４７】実施例10
(1) 銅張り積層板のスルーホール形成位置に、孔径 300
μｍの孔を穿けた。
(2) コロイド径スズ−パラジウム触媒（シプレイ社製）
を付与した。
(3) この基板を、Ｎ2 ガスで置換した非酸化性雰囲気の
高温器内で 120℃、30分間熱処理を行い、触媒核を固定
した。
(4) 電着フォトレジストを基板に電着後、露光現像処理
を施して、エッチングレジストを形成した。
(5) 塩化第２鉄水溶液に浸漬し、エッチングを行い、薄
い膜厚 (18μｍ) の導体回路を形成した。
(6) 外部接続用端子部位とスルーホールを除いて液状フ
ォトレジストにてめっきレジストを形成した。
(7) 上記基板を70℃、５分で湯洗した後、活性化浴（シ
プレイ社）に浸漬し、活性化処理を行い、その後水洗し
た。
(8) 無電解めっきを行い、外部接続用端子部位およびス
ルーホールを厚付けした。
このようにして得られたプリント配線板は、銅落ち（剥
がれた触媒核が、本来無電解めっき膜が析出すべきでな
い部分に再付着して銅が析出してしまうこと）がなく高
品質のプリント配線板が得られた。Example 10 (1) A hole diameter of 300 is provided at a position where a through hole is formed in a copper-clad laminate.
A hole of μm was formed. (2) Colloidal diameter tin-palladium catalyst (made by Shipley)
Was granted. (3) This substrate was heat-treated at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature chamber in a non-oxidizing atmosphere substituted with N 2 gas to fix the catalyst nuclei. (4) After electrodeposition of the electrodeposited photoresist on the substrate, exposure and development were performed to form an etching resist. (5) Immersion in an aqueous ferric chloride solution and etching were performed to form a thin conductive circuit (18 μm) in thickness. (6) A plating resist was formed with a liquid photoresist except the external connection terminal portion and the through hole. (7) The above substrate was washed with hot water at 70 ° C. for 5 minutes, immersed in an activation bath (Shipley Co.) for activation treatment, and then washed with water. (8) Electroless plating was performed to thicken the external connection terminal part and the through hole. The printed wiring board obtained in this way has high quality without copper falling off (peeled catalyst nuclei reattach to a portion where the electroless plating film should not be originally deposited and copper is deposited). A printed wiring board was obtained.
【００４８】実施例１１
本実施例は基本的に実施例１と同様であるが、接着剤層
を硬化させた後、表面を研磨し、６Ｎ塩酸で粗化処理を
行い、プリント配線板を得た。Example 11 This example is basically the same as Example 1, except that after the adhesive layer is cured, the surface is polished and roughened with 6N hydrochloric acid to obtain a printed wiring board. It was
【００４９】実施例１２
本実施例は基本的に実施例１と同様であるが、接着剤中
の耐熱性微粉末としてエポキシ樹脂粒子の代わりに、シ
リカ（直径 0.6μｍ) を用い、接着剤層をフッ酸で粗化
し、プリント配線板を得た。Example 12 This example is basically the same as Example 1, except that silica (diameter 0.6 μm) was used as the heat-resistant fine powder in the adhesive instead of the epoxy resin particles, and the adhesive layer was formed. Was roughened with hydrofluoric acid to obtain a printed wiring board.
【００５０】比較例
(1) ＦＲ−４グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。
(2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤５重量部、エポキシ樹脂粉末（5.5 μm粒径）25
重量部、エポキシ樹脂粉末（3.9 μm 粒径）10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤とした。
(3) 前記接着剤を、前記基板上にロールコーターで塗布
した後、100 ℃で１時間、150 ℃で５時間乾燥させ、厚
さ30μm の接着層を形成した。
(4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/ｌ水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、接着剤層の表面を粗化した。
(5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板に、コロイド
系スズ−パラジウム触媒を付与した。
(6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、大気雰囲
気下の高温容器内で、120 ℃，30分の触媒固定化のため
の熱処理を施した。
(7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセンにて現
像し、厚さ50μm のめっきレジストを形成した。
(8) さらに、ＵＶキュアーにより、3J／cm2 の光量で光
硬化させた後、空気雰囲気下で150 ℃，30分の熱硬化処
理を施した。
(9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。Comparative Example (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished and washed with water,
A substrate was obtained by drying. (2) Phenol novolac type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
While adding the butyl cellosolve solvent to what is made up of 10 parts by weight of epoxy resin powder (particle size of 3.9 μm),
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to prepare an adhesive. (3) The adhesive was applied onto the substrate with a roll coater and dried at 100 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) Chromic acid was added to the substrate obtained in the treatment of the step (3).
The surface of the adhesive layer was roughened by immersing it in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied to the substrate obtained in the treatment of the step (4). (6) The substrate obtained in the process of the above (5) step was subjected to a heat treatment for catalyst immobilization at 120 ° C. for 30 minutes in a high temperature container in an air atmosphere. (7) Then, a dry film for a plating resist was laminated, and after exposure, development was carried out with chlorothene by a spray developing machine to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Further, it was UV-cured at a light amount of 3 J / cm 2 , and then heat-cured at 150 ° C. for 30 minutes in an air atmosphere. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) step was immersed in an activation liquid to carry out an activation treatment, and then washed with water.
【００５１】(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基
板を、下記の無電解銅めっき液に17時間浸漬し、めっき
膜の厚さ35μmの無電解銅めっきを施した。
硫酸銅 0.06 モル／ｌ
ホルマリン 0.30 モル／ｌ
水酸化ナトリウム 0.35 モル／ｌ
ＥＤＴＡ 0.12 モル／ｌ
めっき濃度：70〜72℃ ｐＨ：12.4(10) The substrate obtained in the treatment of the above (9) step was immersed in the following electroless copper plating solution for 17 hours to perform electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm. Copper sulfate 0.06 mol / l formalin 0.30 mol / l sodium hydroxide 0.35 mol / l EDTA 0.12 mol / l Plating concentration: 70 to 72 ° C. pH: 12.4
【００５２】以上のように実施例１〜９、比較例で製造
したプリント配線板について、それぞれ基板と銅めっき
との密着強度をＪＩＳ−Ｃ−6481の方法で測定した。そ
のピール強度の一覧表を第１表として示す。
With respect to the printed wiring boards manufactured in Examples 1 to 9 and Comparative Example as described above, the adhesion strength between the substrate and the copper plating was measured by the method of JIS-C-6482. A list of the peel strengths is shown as Table 1.
【００５３】[0053]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、付
与触媒の活性化が確実に達成されるから、ピール強度の
大きい無電解めっきが可能となり、それ故に信頼性の高
いプリント配線板を製造するのに有効である。しかも、
変成クロロセンによる現像や湯洗処理による接着剤のア
ンカー効果が高められるから、極めて高いピール強度が
得られる。As described above, according to the present invention, since the activation of the imparted catalyst is reliably achieved, electroless plating with a large peel strength is possible, and therefore a highly reliable printed wiring board is provided. It is effective in manufacturing. Moreover,
An extremely high peel strength can be obtained because the anchor effect of the adhesive by the development with the modified chlorothene and the hot water treatment is enhanced.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】パートリーアディティブ法に従う本発明方法を
示す工程図FIG. 1 is a process diagram showing the method of the present invention according to the partly additive method.
【図２】フルアディティブ法に従う本発明方法を示す工
程図FIG. 2 is a process diagram showing the method of the present invention according to the full additive method.
【図３】触媒核活性化のための処理工程図である。FIG. 3 is a process step diagram for activating the catalyst nucleus.
１ 基板 ２ 導体層 ３ スルーホール ４, ４´ 触媒核 ５ エッチングレジスト ６ 導体回路 ７ 接着剤層 ８ めっきレジスト ８´ 永久レジスト ９ 導体回路 1 substrate 2 conductor layers 3 through holes 4, 4'catalyst core 5 Etching resist 6 conductor circuit 7 Adhesive layer 8 Plating resist 8'permanent resist 9 conductor circuit
Claims (5)
び／もしくは接着剤が形成されている基板上に触媒核を
付与し、その触媒核付与後の基板を、非酸化性雰囲気下
にて熱処理し、その後、無電解めっきを施すことを特徴
とするプリント配線板の製造方法。1. A catalyst nucleus is applied onto a substrate having a metal foil and / or an adhesive formed on at least one surface thereof, and the substrate after the catalyst nucleus is applied is heat treated in a non-oxidizing atmosphere. Then, a method for manufacturing a printed wiring board, characterized by performing electroless plating thereafter.
アホールが形成されてなる請求項１に記載の製造方法。2. The manufacturing method according to claim 1, wherein a through hole or a via hole is formed in the substrate.
基板を非酸化性雰囲気下にて熱処理した後、めっきレジ
ストを形成し、その後、無電解めっきを施すことを特徴
とするプリント配線板の製造方法。3. The printed wiring board according to claim 1, wherein after the catalyst-added substrate is heat-treated in a non-oxidizing atmosphere, a plating resist is formed and then electroless plating is performed. Manufacturing method.
ィルムを形成してから露光し、ついで変成クロロセンに
て現像することにより形成することを特徴とする請求項
１に記載の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the plating resist is formed by first forming a resist film, exposing it, and then developing with modified chlorothene.
処理の前に、50〜100 ℃の湯洗処理を施すことを特徴と
するプリント配線板の製造方法。5. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein a hot water washing treatment at 50 to 100 ° C. is performed before the electroless plating treatment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22869091A JP2915644B2 (en) | 1990-12-25 | 1991-08-14 | Manufacturing method of printed wiring board |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP2915644B2 JP2915644B2 (en) | 1999-07-05 |
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ID=26528409
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| JP22869091A Expired - Lifetime JP2915644B2 (en) | 1990-12-25 | 1991-08-14 | Manufacturing method of printed wiring board |
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002134879A (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Nec Toyama Ltd | Pattern forming method and metal pattern member |
| JP2007049101A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Morimura Chemicals Ltd | Circuit substrate, circuit substrate forming ink and method for forming circuit substrate |
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1991
- 1991-08-14 JP JP22869091A patent/JP2915644B2/en not_active Expired - Lifetime
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