JPH0794694A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0794694A JPH0794694A JP23833393A JP23833393A JPH0794694A JP H0794694 A JPH0794694 A JP H0794694A JP 23833393 A JP23833393 A JP 23833393A JP 23833393 A JP23833393 A JP 23833393A JP H0794694 A JPH0794694 A JP H0794694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state image
- light
- image sensor
- solid state
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＣＤ固体撮像素子の暗電流の低減化、出力
のダイナミックレンジの低下防止及び周辺回路の動作の
安定化を図る。 【構成】 固体撮像素子の信号電荷検出部１６を含む出
力部１８及び周辺回路部２０の全域に、オンチップカラ
ーフィルタの各色を重ねた積層膜による遮光膜２７を形
成して構成する。
のダイナミックレンジの低下防止及び周辺回路の動作の
安定化を図る。 【構成】 固体撮像素子の信号電荷検出部１６を含む出
力部１８及び周辺回路部２０の全域に、オンチップカラ
ーフィルタの各色を重ねた積層膜による遮光膜２７を形
成して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子として、ＩＴ（イン
ターライントランスファ）型のＣＣＤ固体撮像素子が知
られている。図３は、ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の全体
の構成を示す。ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子１は、画素と
なる多数の受光部２がマトリックス状に配列され、各受
光部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３が設け
られた撮像部４と、ＣＣＤ構造の水平転送レジスタ５
と、水平転送レジスタ５の終段に接続された例えばフロ
ーティングディフージョン領域又はフローティングゲー
ト等の信号電荷検出部６及びこれに接続された出力アン
プ７からなる出力部８とを有して成る。
ターライントランスファ）型のＣＣＤ固体撮像素子が知
られている。図３は、ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子の全体
の構成を示す。ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子１は、画素と
なる多数の受光部２がマトリックス状に配列され、各受
光部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３が設け
られた撮像部４と、ＣＣＤ構造の水平転送レジスタ５
と、水平転送レジスタ５の終段に接続された例えばフロ
ーティングディフージョン領域又はフローティングゲー
ト等の信号電荷検出部６及びこれに接続された出力アン
プ７からなる出力部８とを有して成る。
【０００３】垂直転送レジスタ３及び水平転送レジスタ
５には、光が入射されないように例えばＡｌによる遮光
膜が形成される。また、撮像部４上には所謂オンチップ
カラーフィルタ９が形成され、例えば補色系フィルタの
場合には、各受光部２上に夫々対応するマゼンタ
（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の染色層が
形成される。撮像部４の周辺部では図示せざるも、周辺
回路が形成される。
５には、光が入射されないように例えばＡｌによる遮光
膜が形成される。また、撮像部４上には所謂オンチップ
カラーフィルタ９が形成され、例えば補色系フィルタの
場合には、各受光部２上に夫々対応するマゼンタ
（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の染色層が
形成される。撮像部４の周辺部では図示せざるも、周辺
回路が形成される。
【０００４】この撮像素子１では、各受光部２からの信
号電荷が垂直転送レジスタ３へ読み出され、垂直転送レ
ジスタ３から１ライン毎の信号電荷が水平転送レジスタ
５へ転送された後、水平転送レジスタ５内を順次転送
し、信号電荷検出部６にて電荷−電圧変換され、出力ア
ンプ７よりＣＣＤ出力が得られるようになされる。
号電荷が垂直転送レジスタ３へ読み出され、垂直転送レ
ジスタ３から１ライン毎の信号電荷が水平転送レジスタ
５へ転送された後、水平転送レジスタ５内を順次転送
し、信号電荷検出部６にて電荷−電圧変換され、出力ア
ンプ７よりＣＣＤ出力が得られるようになされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＣ
ＣＤ固体撮像素子１、即ち一般用途向けの固体撮像素子
では、従来、出力部８及び周辺回路部１０は遮光されて
いない。これは、配線の加工上の問題や、Ａｌ遮光膜を
形成した場合にＡｌ遮光膜と信号電荷検出部６間で容量
が増え、高感度化、高速化に不利となるためである。
ＣＤ固体撮像素子１、即ち一般用途向けの固体撮像素子
では、従来、出力部８及び周辺回路部１０は遮光されて
いない。これは、配線の加工上の問題や、Ａｌ遮光膜を
形成した場合にＡｌ遮光膜と信号電荷検出部６間で容量
が増え、高感度化、高速化に不利となるためである。
【０００６】しかし、遮光しない場合、例えば太陽等の
明るい光源を写した時に、たまたま撮像領域の外にある
出力部、特に信号電荷検出部６に強い光が当り、そこで
光電変換して暗電流となることがある。この現象は特に
駆動周波数が低い場合に顕著である。
明るい光源を写した時に、たまたま撮像領域の外にある
出力部、特に信号電荷検出部６に強い光が当り、そこで
光電変換して暗電流となることがある。この現象は特に
駆動周波数が低い場合に顕著である。
【０００７】例えばカメラのオートフォーカス用センサ
では駆動周波数が通常のテレビ用のイメージセンサの駆
動周波数より低く、例えば１００ＫＨｚ程度である。こ
の場合、信号電荷が電荷検出部、例えばフローティング
ディフージョン領域６に蓄積されている時間が長くなる
ため、このフローティングディフージョン領域６で光電
変換される時間が長くなり、暗電流が大幅に増加するこ
とになる。
では駆動周波数が通常のテレビ用のイメージセンサの駆
動周波数より低く、例えば１００ＫＨｚ程度である。こ
の場合、信号電荷が電荷検出部、例えばフローティング
ディフージョン領域６に蓄積されている時間が長くなる
ため、このフローティングディフージョン領域６で光電
変換される時間が長くなり、暗電流が大幅に増加するこ
とになる。
【０００８】かかる場合、その時出力されている画素は
黒レベルが上がるので、本来よりも暗く見えてしまうこ
とになる。同じ理由で出力のダイナミックレンジが小さ
くなってしまう。
黒レベルが上がるので、本来よりも暗く見えてしまうこ
とになる。同じ理由で出力のダイナミックレンジが小さ
くなってしまう。
【０００９】一方、周辺回路部１０のトランジスタに光
が当たると、即ち、ゲート下に光が入射されると変調さ
れ、例えばカットオフ時の電流が増え、回路動作が不安
定になる。
が当たると、即ち、ゲート下に光が入射されると変調さ
れ、例えばカットオフ時の電流が増え、回路動作が不安
定になる。
【００１０】本発明は、上述の点に鑑み、暗電流の低減
等を可能にした固体撮像素子を提供するものである。
等を可能にした固体撮像素子を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像素子
の少なくとも電荷検出部１６上にオンチップフィルタ１
９の各色Ｍ，Ｃｙ，Ｙを重ねた積層膜２７による遮光膜
を形成して構成する。
の少なくとも電荷検出部１６上にオンチップフィルタ１
９の各色Ｍ，Ｃｙ，Ｙを重ねた積層膜２７による遮光膜
を形成して構成する。
【００１２】
【作用】本発明においては、少なくとも電荷検出部１６
上にオンチップカラーフィルタ１９の各色Ｍ，Ｃｙ，Ｙ
を重ねた積層膜による遮光膜２７を形成することによ
り、電荷検出部１６への光の入射が阻止される。このた
め、電荷検出部１６での光電変換による暗電流の発生が
抑えられ、固体撮像素子の暗電流の低減が図れる。同時
に出力のタイナミックレンジの低下を防止できる。
上にオンチップカラーフィルタ１９の各色Ｍ，Ｃｙ，Ｙ
を重ねた積層膜による遮光膜２７を形成することによ
り、電荷検出部１６への光の入射が阻止される。このた
め、電荷検出部１６での光電変換による暗電流の発生が
抑えられ、固体撮像素子の暗電流の低減が図れる。同時
に出力のタイナミックレンジの低下を防止できる。
【００１３】そして、遮光膜２７として、オンチップカ
ラーフィルタ１９の各色による積層膜で形成することに
より、電荷検出部１６の拡散層との間で容量が形成され
ることがなく、固体撮像素子の高感度化、高速化を損な
うことがない。
ラーフィルタ１９の各色による積層膜で形成することに
より、電荷検出部１６の拡散層との間で容量が形成され
ることがなく、固体撮像素子の高感度化、高速化を損な
うことがない。
【００１４】また、周辺回路部２０上にも、同様にオン
チップカラーフィルタ１９の各色を重ねた積層膜による
遮光膜２７を形成するときには、周辺回路部２０のトラ
ンジスタへの光入射が阻止され、カットオフ時の電流増
加がなく確実なトランジスタ動作を行わせることができ
る。
チップカラーフィルタ１９の各色を重ねた積層膜による
遮光膜２７を形成するときには、周辺回路部２０のトラ
ンジスタへの光入射が阻止され、カットオフ時の電流増
加がなく確実なトランジスタ動作を行わせることができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による固体撮像
素子の実施例を説明する。
素子の実施例を説明する。
【００１６】図１は、本発明によるＩＴ型のＣＣＤ固体
撮像素子の一例を示す。本例のＣＣＤ固体撮像素子１１
は、画素となる多数の受光部１２がマトリックス状に配
列され、各受光部列の一側に信号電荷を垂直方向に転送
するためのＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ１３が設けら
れてなる撮像部１４と、撮像部１４の下端に信号電荷を
水平方向に転送するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ１５
と、水平転送レジスタの終段に接続された例えばフロー
ティングディフージョン領域、フローティングゲート等
の信号電荷検出部１６及び出力アンプ１７からなる出力
部１８とを備え、更に周辺部に駆動回路等の周辺回路が
形成されて成る。
撮像素子の一例を示す。本例のＣＣＤ固体撮像素子１１
は、画素となる多数の受光部１２がマトリックス状に配
列され、各受光部列の一側に信号電荷を垂直方向に転送
するためのＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ１３が設けら
れてなる撮像部１４と、撮像部１４の下端に信号電荷を
水平方向に転送するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ１５
と、水平転送レジスタの終段に接続された例えばフロー
ティングディフージョン領域、フローティングゲート等
の信号電荷検出部１６及び出力アンプ１７からなる出力
部１８とを備え、更に周辺部に駆動回路等の周辺回路が
形成されて成る。
【００１７】垂直転送レジスタ１３及び水平転送レジス
タ１５には、光が入射されないように例えばＡｌによる
遮光膜が形成される。撮像部１４上にはオンチップカラ
ーフィルタ１９が形成され、例えば補色系フィルタの場
合には、対応する受光部１２上に夫々マゼンタ（Ｍ）、
シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の各染色層が形成さ
れる。
タ１５には、光が入射されないように例えばＡｌによる
遮光膜が形成される。撮像部１４上にはオンチップカラ
ーフィルタ１９が形成され、例えば補色系フィルタの場
合には、対応する受光部１２上に夫々マゼンタ（Ｍ）、
シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の各染色層が形成さ
れる。
【００１８】即ち、図２の断面図で示すように、撮像部
１４では、受光部２を構成する例えばフォトダイオード
（光電変換素子）、垂直転送レジスタ１３の転送チャン
ネル領域等が形成された半導体基体２１の表面に、ゲー
ト絶縁膜を介して多結晶シリコンからなる転送電極２２
が形成され、この転送電極２２を覆うように絶縁膜を介
してＡｌ遮光膜２３が形成される。そして、平坦化膜２
４を介して各受光部１２上に夫々対応するマゼンタ
（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の染色層か
らなるオンチップカラーフィルタ１９が形成され、更に
このカラーフィルタ１９上に入射光を各受光部１２に集
光させるためのオンチップマイクロレンズ２５が形成さ
れる。
１４では、受光部２を構成する例えばフォトダイオード
（光電変換素子）、垂直転送レジスタ１３の転送チャン
ネル領域等が形成された半導体基体２１の表面に、ゲー
ト絶縁膜を介して多結晶シリコンからなる転送電極２２
が形成され、この転送電極２２を覆うように絶縁膜を介
してＡｌ遮光膜２３が形成される。そして、平坦化膜２
４を介して各受光部１２上に夫々対応するマゼンタ
（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の染色層か
らなるオンチップカラーフィルタ１９が形成され、更に
このカラーフィルタ１９上に入射光を各受光部１２に集
光させるためのオンチップマイクロレンズ２５が形成さ
れる。
【００１９】このＣＣＤ固体撮像素子１１の動作（信号
電荷の読み出し）は前述と同様であるので重複説明は省
略する。
電荷の読み出し）は前述と同様であるので重複説明は省
略する。
【００２０】そして、本例では、特に、出力部１８と周
辺回路部２０の全体に、図１の斜線で示すように、オン
チップカラーフィルタ１９の全色即ちマゼンタ（Ｍ）、
シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の３色の染色層を重
ねた積層膜による遮光膜２７が形成される。
辺回路部２０の全体に、図１の斜線で示すように、オン
チップカラーフィルタ１９の全色即ちマゼンタ（Ｍ）、
シアン（Ｃｙ）及びイエロー（Ｙ）の３色の染色層を重
ねた積層膜による遮光膜２７が形成される。
【００２１】即ち、オンチップカラーフィルタの形成工
程において、出力部１８及び周辺回路部２０まで広げた
マスクを用いて露光し、之を各色の染色層について繰り
返し行って図２に示すように、出力部１８（周辺回路部
２０も同様）上に、撮像部１４のカラーフィルタ１９の
形成と同時に、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイ
エロー（Ｙ）の３色の染色層を全て重ねてなる遮光膜２
７が形成される。この遮光膜２７上には、オンチップマ
イクロレンズ２５と同じ材料による保護膜２８が形成さ
れる。
程において、出力部１８及び周辺回路部２０まで広げた
マスクを用いて露光し、之を各色の染色層について繰り
返し行って図２に示すように、出力部１８（周辺回路部
２０も同様）上に、撮像部１４のカラーフィルタ１９の
形成と同時に、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃｙ）及びイ
エロー（Ｙ）の３色の染色層を全て重ねてなる遮光膜２
７が形成される。この遮光膜２７上には、オンチップマ
イクロレンズ２５と同じ材料による保護膜２８が形成さ
れる。
【００２２】上述した本実施例によれば、固体撮像素子
の出力部１８及び周辺回路部２０上に、撮像部１４にお
けるオンチップカラーフィルタ１９の染色層を利用し
て、その３色（Ｍ），（Ｃｙ），（Ｙ）の染色層を全て
重ねてなる遮光膜２７を形成することにより、出力部１
８及び周辺回路部２０への光入射が阻止される。一般に
使われている補色系オンチップカラーフィルタの場合、
３色を重ねた積層膜２７の透過率は０〜３０％程度の低
さである。
の出力部１８及び周辺回路部２０上に、撮像部１４にお
けるオンチップカラーフィルタ１９の染色層を利用し
て、その３色（Ｍ），（Ｃｙ），（Ｙ）の染色層を全て
重ねてなる遮光膜２７を形成することにより、出力部１
８及び周辺回路部２０への光入射が阻止される。一般に
使われている補色系オンチップカラーフィルタの場合、
３色を重ねた積層膜２７の透過率は０〜３０％程度の低
さである。
【００２３】従って、例えば太陽等の明るい光源を写し
た時でも、出力部１８の特に信号電荷検出部（例えばフ
ローティングディフージョン領域、フローティングゲー
ト等）１６への光入射が阻止され、光電変換により暗電
流が生じるのを抑えることができる。このため、固体撮
像素子の暗電流を低減することができる。
た時でも、出力部１８の特に信号電荷検出部（例えばフ
ローティングディフージョン領域、フローティングゲー
ト等）１６への光入射が阻止され、光電変換により暗電
流が生じるのを抑えることができる。このため、固体撮
像素子の暗電流を低減することができる。
【００２４】また、本例の遮光膜２７は、Ａｌ等の導電
膜ではなく、オンチップカラーフィルタ１９を利用した
遮光膜であるため、信号電荷検出部１６、例えばフロー
ティングディフージョン領域との間で容量が形成される
こともなく、高感度化、高速化を妨げることがない。同
時に、固体撮像素子の出力のダイナミックレンジの低下
を防止することができる。本実施例は、特にカメラのオ
ートフォーカス用センサに適用して好適である。
膜ではなく、オンチップカラーフィルタ１９を利用した
遮光膜であるため、信号電荷検出部１６、例えばフロー
ティングディフージョン領域との間で容量が形成される
こともなく、高感度化、高速化を妨げることがない。同
時に、固体撮像素子の出力のダイナミックレンジの低下
を防止することができる。本実施例は、特にカメラのオ
ートフォーカス用センサに適用して好適である。
【００２５】さらに、周辺回路部２０においても、遮光
膜２７によって、周辺回路のトランジスタに光が当たら
ないので、例えばカットオフ時の電流増加もなく、回路
動作を安定にすることができる。
膜２７によって、周辺回路のトランジスタに光が当たら
ないので、例えばカットオフ時の電流増加もなく、回路
動作を安定にすることができる。
【００２６】尚、上例では遮光膜２７として、補色系オ
ンチップカラーフィルタの３色を重ねて形成したが、そ
の他、赤，緑，青のオンチップカラーフィルタを用いる
ときは、その赤，緑，青の３色の染色層を重ねた遮光膜
を用いることもできる。
ンチップカラーフィルタの３色を重ねて形成したが、そ
の他、赤，緑，青のオンチップカラーフィルタを用いる
ときは、その赤，緑，青の３色の染色層を重ねた遮光膜
を用いることもできる。
【００２７】また上例では、本発明をＩＴ型ＣＣＤ固体
撮像素子に適用したが、その他、例えばＦＩＴ（フレー
ム インターライン トランスファ）型のＣＣＤ固体撮
像素子等にも適用できる。
撮像素子に適用したが、その他、例えばＦＩＴ（フレー
ム インターライン トランスファ）型のＣＣＤ固体撮
像素子等にも適用できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、固体撮像素子の少なく
とも信号電荷検出部上にオンチップカラーフィルタの各
色を重ねてなる遮光膜を形成したことにより、暗電流を
低減することができ、また出力のダイナミックレンジの
低下を防止することができる。従って、信頼性の高い固
体撮像素子を提供することができる。
とも信号電荷検出部上にオンチップカラーフィルタの各
色を重ねてなる遮光膜を形成したことにより、暗電流を
低減することができ、また出力のダイナミックレンジの
低下を防止することができる。従って、信頼性の高い固
体撮像素子を提供することができる。
【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す
要部の断面図である。
要部の断面図である。
【図３】従来のＣＣＤ固体撮像素子の構成図である。
１，１１ ＣＣＤ固体撮像素子 ２，１２ 受光部 ３，１３ 垂直転送レジスタ ４，１４ 撮像部 ５，１５ 水平転送レジスタ ６，１６ 信号電荷検出部 ７，１７ 出力アンプ ８，１８ 出力部 １９ オンチップカラーフィルタ １０，２０ 周辺回路部 ２１ 半導体基体 ２２ 転送電極 ２３ Ａｌ遮光膜 ２４ 平坦化膜 ２５ オンチップマイクロレンズ ２７ 遮光膜 ２８ 保護膜 Ｍ マゼンタ Ｃｙ シアン Ｙ イエロー
Claims (1)
- 【請求項１】 固体撮像素子の少なくとも電荷検出部上
に、オンチップカラーフィルタの各色を重ねた積層膜に
よる遮光膜が形成されて成ることを特徴とする固体撮像
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23833393A JPH0794694A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23833393A JPH0794694A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794694A true JPH0794694A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17028653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23833393A Pending JPH0794694A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794694A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323696A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-24 | Xerox Corp | 感光性チップおよびアセンブリ |
| US7030918B1 (en) | 1999-06-30 | 2006-04-18 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
| JP2006156545A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ及び密着型イメージセンサ |
| KR100736524B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-07-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 |
| JP2009218382A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
| JP2012099639A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23833393A patent/JPH0794694A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323696A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-24 | Xerox Corp | 感光性チップおよびアセンブリ |
| US7030918B1 (en) | 1999-06-30 | 2006-04-18 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image pickup device |
| KR100736524B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-07-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 |
| JP2006156545A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ及び密着型イメージセンサ |
| JP2009218382A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
| US8895346B2 (en) | 2008-03-11 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method for the same, and imaging apparatus |
| JP2012099639A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9894305B2 (en) | Backside illumination image sensor, manufacturing method thereof and image-capturing device | |
| US8035708B2 (en) | Solid-state imaging device with an organic photoelectric conversion film and imaging apparatus | |
| US8946611B2 (en) | Solid-state imaging element and manufacturing method thereof, and electronic information device | |
| EP2980852B1 (en) | Solid-state image sensing element and imaging system | |
| US6661457B1 (en) | Pixel read-out architecture | |
| US8237121B2 (en) | Alternating row infrared filter for an image sensor | |
| US8339488B2 (en) | Solid-state image pickup device having laminated color filters, manufacturing method thereof, and electronic apparatus incorporating same | |
| KR20110109871A (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
| JP2012033583A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 | |
| JP2000504489A (ja) | 電子的シャッタ作用を備えた能動ピクセルセンサアレイ | |
| JP3180748B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20130009263A1 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
| JPH01134966A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4579043B2 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| US7656446B2 (en) | CCD color solid-state image pickup device | |
| US5237185A (en) | Image pickup apparatus with different gate thicknesses | |
| JP2001210812A (ja) | 固体撮像装置及びそれを備えた固体撮像システム | |
| JP2710292B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| TW201415613A (zh) | 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法及電子機器 | |
| JPH0794694A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3536517B2 (ja) | 増幅型固体撮像素子 | |
| JP2007066962A (ja) | カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ | |
| JP2004186311A (ja) | Ｍｏｓ型イメージセンサ及びデジタルカメラ | |
| JPH05175471A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001144280A (ja) | 固体撮像素子 |