JPH0521508A - 電極構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ITO等とワイヤとの電気的接合
を、ワイヤボンディングを用いて可能とすることを目的
としてなされたものである。 【構成】ITO2、金属膜4、両者との接合性が良く、
かつ、導電性を備えた、シリコンを含む膜30を介し
て、ITO2と金属膜4との接合を行う。また、上記シ
リコンを含む膜30として導電性を有しないSiOxを
使用する場合には、上記金属膜4を横方向に延長し、該
シリコンを含む膜30の横の部分を通って、直接、IT
O2と電気的な接合を確保する。 【効果】ITO2とワイヤ5との電気的接続においてワ
イヤボンディング技術を適用することができる。
を、ワイヤボンディングを用いて可能とすることを目的
としてなされたものである。 【構成】ITO2、金属膜4、両者との接合性が良く、
かつ、導電性を備えた、シリコンを含む膜30を介し
て、ITO2と金属膜4との接合を行う。また、上記シ
リコンを含む膜30として導電性を有しないSiOxを
使用する場合には、上記金属膜4を横方向に延長し、該
シリコンを含む膜30の横の部分を通って、直接、IT
O2と電気的な接合を確保する。 【効果】ITO2とワイヤ5との電気的接続においてワ
イヤボンディング技術を適用することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディングに
適した電極構造に関する。
適した電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】SnO2膜や、インジウム・スズ酸化物
透明電極(以下、「ITO」という)は、その導電性
と、高い光の透過性により、太陽電池、液晶表示板等の
分野において幅広く使用され、現在なくてはならないも
のとなっている。
透明電極(以下、「ITO」という)は、その導電性
と、高い光の透過性により、太陽電池、液晶表示板等の
分野において幅広く使用され、現在なくてはならないも
のとなっている。
【0003】これらの電極は、リ−ド線あるいはボンデ
ィングパッドとして使用されることの多い、Al、Al
/Ti、Au等の材料とは接合性が悪く、超音波加熱等
の手法によるワイヤボンディングが困難である。そのた
め、リ−ド線等との接合は、現在、銀ペ−スト等の導電
性塗料を使用して行われている。
ィングパッドとして使用されることの多い、Al、Al
/Ti、Au等の材料とは接合性が悪く、超音波加熱等
の手法によるワイヤボンディングが困難である。そのた
め、リ−ド線等との接合は、現在、銀ペ−スト等の導電
性塗料を使用して行われている。
【0004】また、どうしてもワイヤボンディングによ
り接合を行いたい場合には、図4に示すように、ITO
72の上に設けられているボンディングパッド74を基
板70上にまで引き出し、該引き出し部分で、ワイヤボ
ンディングを行っていた。つまり、基板70とボンディ
ングパッド74とは接合性がよく、その接合面は、外部
から受ける大きな応力、この場合、ワイヤ76から受け
る大きな応力に耐えることができる。そのため、該部分
上でボンディングを行うことにより、ボンディングパッ
ド74とITO72との間の接合面、つまり剥がれやす
い接合面には大きな応力が加わらないようにしていた。
り接合を行いたい場合には、図4に示すように、ITO
72の上に設けられているボンディングパッド74を基
板70上にまで引き出し、該引き出し部分で、ワイヤボ
ンディングを行っていた。つまり、基板70とボンディ
ングパッド74とは接合性がよく、その接合面は、外部
から受ける大きな応力、この場合、ワイヤ76から受け
る大きな応力に耐えることができる。そのため、該部分
上でボンディングを行うことにより、ボンディングパッ
ド74とITO72との間の接合面、つまり剥がれやす
い接合面には大きな応力が加わらないようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記導電性塗
料を使用する手法では、接合部の面積が大きくなること
を避けることができず、現在、ますます高まりつつある
電子素子等の小型化、微細化の要求には応えられなくな
りつつあった。例えば、通常の超音波加熱によるワイヤ
ボンディングであれば、接合部の占有する面積はわずか
200μm2程度であるのに対し、導電性塗料を使用す
る方法では、少なくとも2mm2程度は必要としてい
た。
料を使用する手法では、接合部の面積が大きくなること
を避けることができず、現在、ますます高まりつつある
電子素子等の小型化、微細化の要求には応えられなくな
りつつあった。例えば、通常の超音波加熱によるワイヤ
ボンディングであれば、接合部の占有する面積はわずか
200μm2程度であるのに対し、導電性塗料を使用す
る方法では、少なくとも2mm2程度は必要としてい
た。
【0006】また、ボンディングパッドを基板70上に
まで引き出した部分でワイヤボンディングを行う手法で
は、ITO72の外側にまで、ボンディングパッド74
を設ける必要があるため、接合部の占有する面積を小さ
くすることができるというワイヤボンディングの特徴を
十分には活かすことができていなかった。
まで引き出した部分でワイヤボンディングを行う手法で
は、ITO72の外側にまで、ボンディングパッド74
を設ける必要があるため、接合部の占有する面積を小さ
くすることができるというワイヤボンディングの特徴を
十分には活かすことができていなかった。
【0007】また、非常に緻密で、保護膜等としての利
用価値が高いSiN膜を、上記ワイヤボンディングの場
合と同様に、ITO等との接合性の悪さから使用するこ
とができなかった。
用価値が高いSiN膜を、上記ワイヤボンディングの場
合と同様に、ITO等との接合性の悪さから使用するこ
とができなかった。
【0008】本発明の目的は、SnO2膜や、ITO等
と電気的接続を行う際に、ワイヤボンディングの技術や
SiN膜を利用可能とする、ワイヤボンディング用の電
極構造を提供することである。
と電気的接続を行う際に、ワイヤボンディングの技術や
SiN膜を利用可能とする、ワイヤボンディング用の電
極構造を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためになされたもので、その一態様としては、基板
と、In2O3,SnO2からなる群より選ばれた少なく
とも一種類の物質を含み、上記基板上に設けられた導電
性膜と、上記導電性膜上に設けられたシリコンを含む膜
と、該シリコンを含む膜上に設けられた金属膜とを備え
たことを特徴とする電極構造が提供される。
するためになされたもので、その一態様としては、基板
と、In2O3,SnO2からなる群より選ばれた少なく
とも一種類の物質を含み、上記基板上に設けられた導電
性膜と、上記導電性膜上に設けられたシリコンを含む膜
と、該シリコンを含む膜上に設けられた金属膜とを備え
たことを特徴とする電極構造が提供される。
【0010】この場合、上記シリコンを含む膜が、該膜
に導電性を付与しうる物質を含むことが好ましい。
に導電性を付与しうる物質を含むことが好ましい。
【0011】他の態様としては、基板と、In2O3,S
nO2からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質
を含み、上記基板上に設けられた導電性膜と、上記導電
性膜上に設けられたSiOxを含む膜と、該SiOxを
含む膜上に形成され、かつ、上記導電性膜との電気的導
通を有する金属膜とを備えたことを特徴とする電極構造
が提供される。
nO2からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質
を含み、上記基板上に設けられた導電性膜と、上記導電
性膜上に設けられたSiOxを含む膜と、該SiOxを
含む膜上に形成され、かつ、上記導電性膜との電気的導
通を有する金属膜とを備えたことを特徴とする電極構造
が提供される。
【0012】この場合、上記SiOxを含む膜と、上記
金属膜との間には、SiNを含む膜が形成されていても
構わない。
金属膜との間には、SiNを含む膜が形成されていても
構わない。
【0013】更に別の態様としては、In2O3,SnO
2からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質を含
む導電性膜と、金属との接合を、Siを含む膜を介して
行うことを特徴とする電極接合方法が提供される。
2からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質を含
む導電性膜と、金属との接合を、Siを含む膜を介して
行うことを特徴とする電極接合方法が提供される。
【0014】異なる態様としては、In2O3,SnO2
からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質を含む
導電性膜と、金属との接合を、上記導電性膜上にSiO
xを含む膜を形成し、さらに、その上に該導電性膜と電
気的導通部分を有する上記金属膜を形成して行うことを
特徴とする電極接合方法が提供される。
からなる群より選ばれた少なくとも一種類の物質を含む
導電性膜と、金属との接合を、上記導電性膜上にSiO
xを含む膜を形成し、さらに、その上に該導電性膜と電
気的導通部分を有する上記金属膜を形成して行うことを
特徴とする電極接合方法が提供される。
【0015】この場合、上記SiOxを含む膜と、上記
金属膜との間には、SiNを含む膜が形成されているも
のであってもよい。
金属膜との間には、SiNを含む膜が形成されているも
のであってもよい。
【0016】なお、上記導電性膜の具体例としては、I
TO膜、NESA膜等が考えられる。
TO膜、NESA膜等が考えられる。
【0017】
【作用】上記第1の態様においては、シリコンを含む膜
は、ITO膜、NESA膜等の導電性膜および金属膜と
の接合性が高い。また、導電性も、電極の一部として使
用するのに十分小さな値にすることができる。そのた
め、該シリコンを含む膜を介して、上記導電性膜と、金
属膜との接合を行う。
は、ITO膜、NESA膜等の導電性膜および金属膜と
の接合性が高い。また、導電性も、電極の一部として使
用するのに十分小さな値にすることができる。そのた
め、該シリコンを含む膜を介して、上記導電性膜と、金
属膜との接合を行う。
【0018】なお、シリコンを含む膜の導電性を十分に
小さくすることは、PH3等の物質を添加することによ
り可能である。
小さくすることは、PH3等の物質を添加することによ
り可能である。
【0019】上記第2の態様においては、導電性膜と、
金属膜との間に、SiOx、SiNを含む膜を形成す
る。また、該金属膜の一端を、導電性膜と接合させおく
ことにより電気的導通を確保することができる。
金属膜との間に、SiOx、SiNを含む膜を形成す
る。また、該金属膜の一端を、導電性膜と接合させおく
ことにより電気的導通を確保することができる。
【0020】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。
【0021】なお、以下の実施例においてはすべてIT
Oを例にとって説明するが、酸化錫電極に対しても同様
に適用できるものである。また、同様の問題を有する他
の電極に対しても適用可能なものである。
Oを例にとって説明するが、酸化錫電極に対しても同様
に適用できるものである。また、同様の問題を有する他
の電極に対しても適用可能なものである。
【0022】実施例1
本実施例は、ボンディングパッドとITOとの接合を、
ITOと接合性がよく、かつ、導電性を有するアモルフ
ァスシリコン膜を介して行った点に特徴を有するもので
ある。
ITOと接合性がよく、かつ、導電性を有するアモルフ
ァスシリコン膜を介して行った点に特徴を有するもので
ある。
【0023】この具体的構造を図1に示す。
【0024】この図は、該接合部の断面を模式的に示し
たものである。
たものである。
【0025】ガラス基板1上には、ITO2が用途に応
じて決定される所望のパタ−ンで設けられている(図1
は、断面図であるため該パタ−ンは認識できない)。
じて決定される所望のパタ−ンで設けられている(図1
は、断面図であるため該パタ−ンは認識できない)。
【0026】そして、該ITO2の上面のワイヤボンデ
ィングを行う所望の領域にアモルファスシリコン膜30
が形成されている。
ィングを行う所望の領域にアモルファスシリコン膜30
が形成されている。
【0027】該アモルファスシリコン膜30には、PH
3等の不純物が添加されており、該膜は、十分な導電性
が確保されている。ただし、該不純物添加は、必ずしも
必要ではなく、例えば、該膜を非常に薄くした場合や、
強い光の当たるような環境下で使用される素子への利用
である場合には、該不純物の添加を行っていなくても同
様の導電性を期待できることは周知の通りである。
3等の不純物が添加されており、該膜は、十分な導電性
が確保されている。ただし、該不純物添加は、必ずしも
必要ではなく、例えば、該膜を非常に薄くした場合や、
強い光の当たるような環境下で使用される素子への利用
である場合には、該不純物の添加を行っていなくても同
様の導電性を期待できることは周知の通りである。
【0028】なお、本実施例においては、該アモルファ
スシリコン膜30の形成は、プラズマ−CVDにより行
ったが、これに限定されるものではなく上述した特性を
有するアモルファスシリコン膜を形成できれば他の方法
であっても構わない。
スシリコン膜30の形成は、プラズマ−CVDにより行
ったが、これに限定されるものではなく上述した特性を
有するアモルファスシリコン膜を形成できれば他の方法
であっても構わない。
【0029】アモルファスシリコン膜30上には、更に
ボンディングパッド4が形成されている。本実施例のボ
ンディングパッド4は、Alを使用しているがこれに限
定されるものではなく、アモルファスシリコン膜との接
合性の高いものであれば、他の材料、例えば、Ti/A
l等であっても構わない。
ボンディングパッド4が形成されている。本実施例のボ
ンディングパッド4は、Alを使用しているがこれに限
定されるものではなく、アモルファスシリコン膜との接
合性の高いものであれば、他の材料、例えば、Ti/A
l等であっても構わない。
【0030】そして、該ボンディングパッド4上におい
て、Au線等のワイヤ5を超音波加熱等によりワイヤボ
ンディングを行う構成となっている。
て、Au線等のワイヤ5を超音波加熱等によりワイヤボ
ンディングを行う構成となっている。
【0031】本実施例においては、ガラス基板1の上に
おいて、ワイヤボンディングを行うための新たなスペ−
スを必要としないため、従来の通常の電極へのワイヤボ
ンディングと同様の面積しか必要としない。そのため、
素子の小型化、微細化に対応することができる。
おいて、ワイヤボンディングを行うための新たなスペ−
スを必要としないため、従来の通常の電極へのワイヤボ
ンディングと同様の面積しか必要としない。そのため、
素子の小型化、微細化に対応することができる。
【0032】本実施例においては、ボンディングパッド
4とITO2の間の膜としてアモルファスシリコンを使
用したが、上述したとおり、ITO,ボンディングパッ
ドとの接合性が高く、かつ、導電性を有するものであれ
ば、他の材料による膜であっても構わないことは言うま
でもない。
4とITO2の間の膜としてアモルファスシリコンを使
用したが、上述したとおり、ITO,ボンディングパッ
ドとの接合性が高く、かつ、導電性を有するものであれ
ば、他の材料による膜であっても構わないことは言うま
でもない。
【0033】実施例2
本実施例は、実施例1と同様に、ITO,ボンディング
パッドとの両方と接合性の高い膜を利用したものである
が、該膜が導電性を有さない点において異なっている。
パッドとの両方と接合性の高い膜を利用したものである
が、該膜が導電性を有さない点において異なっている。
【0034】ガラス基板1の上にはITO2が設けられ
ている。
ている。
【0035】そして、該ITO2の上面には、SiOx
膜32が形成されている。該SiOx膜32は、IT
O,ボンディングパッドとの接合性は良いが、導電性を
有していない。本実施例においては、該SiOx膜32
をプラズマ−CVDにより形成しているが、これに限定
されるものではなく、上述した特性を有する膜を形成す
ることができれば、他の方法により形成しても構わな
い。
膜32が形成されている。該SiOx膜32は、IT
O,ボンディングパッドとの接合性は良いが、導電性を
有していない。本実施例においては、該SiOx膜32
をプラズマ−CVDにより形成しているが、これに限定
されるものではなく、上述した特性を有する膜を形成す
ることができれば、他の方法により形成しても構わな
い。
【0036】該SiOx膜32の上には、電極42が設
けられている。この電極42は、ボンディングパッドと
しての役割を果たすもので、SiOx膜32との接合性
が良ければ、特に材料は限定されない。
けられている。この電極42は、ボンディングパッドと
しての役割を果たすもので、SiOx膜32との接合性
が良ければ、特に材料は限定されない。
【0037】上述したとおりSiOxは導電性を有しな
いため、該電極42とITO2との電気的導通は、該電
極42をITO2のSiOxの設けられていない領域部
分22にまで伸ばし、ITO2と接合させることによ
り、確保している。
いため、該電極42とITO2との電気的導通は、該電
極42をITO2のSiOxの設けられていない領域部
分22にまで伸ばし、ITO2と接合させることによ
り、確保している。
【0038】該領域部分22における接合は、電極42
とITO2との直接的なもので、これは上述したとおり
接合性が低く、剥がれやすいものではある。しかし、該
接合は、単に電気的な導通を確保するためだけのもので
あり、ボンディングされたワイヤ5からの応力を直接受
けることはないため、剥離等の問題が生じることはな
い。
とITO2との直接的なもので、これは上述したとおり
接合性が低く、剥がれやすいものではある。しかし、該
接合は、単に電気的な導通を確保するためだけのもので
あり、ボンディングされたワイヤ5からの応力を直接受
けることはないため、剥離等の問題が生じることはな
い。
【0039】ワイヤ5のボンディングは、電極42のS
iOx膜32上に位置する部分でなされるが、該電極4
2とSiOx膜32との接合は十分に強いため、ワイヤ
5からの応力に十分耐えることができる。
iOx膜32上に位置する部分でなされるが、該電極4
2とSiOx膜32との接合は十分に強いため、ワイヤ
5からの応力に十分耐えることができる。
【0040】本実施例においては、ワイヤボンディング
の技術を利用して、ITO2とワイヤ5との電気的接続
を図ることができる。
の技術を利用して、ITO2とワイヤ5との電気的接続
を図ることができる。
【0041】また、SiOx32は、絶縁体であるた
め、ワイヤ5のボンディングは、必ずしも該ワイヤ5と
電気的に接続されるべきITO2の上側の位置で行う必
要はない。つまり、あるITO2の電極42を、他のI
TO2上に形成されたSiOx膜32の上まで伸ばし、
そこで、ワイヤボンディングを行うこともでき、回路設
計における自由度が大きくなった。
め、ワイヤ5のボンディングは、必ずしも該ワイヤ5と
電気的に接続されるべきITO2の上側の位置で行う必
要はない。つまり、あるITO2の電極42を、他のI
TO2上に形成されたSiOx膜32の上まで伸ばし、
そこで、ワイヤボンディングを行うこともでき、回路設
計における自由度が大きくなった。
【0042】例えば、ITO2が複数ある場合には、い
ずれか一つのITO2の上に設けられたSiOx膜32
上において、全てのITO2のワイヤのボンディングを
行うことも可能である。
ずれか一つのITO2の上に設けられたSiOx膜32
上において、全てのITO2のワイヤのボンディングを
行うことも可能である。
【0043】さらに、SiOx膜32の電極42の形成
されていない部分においては、SiOx膜32がITO
2の保護膜として機能するため、素子の耐環境性が高ま
る。
されていない部分においては、SiOx膜32がITO
2の保護膜として機能するため、素子の耐環境性が高ま
る。
【0044】この耐環境性等については、SiOx膜3
2の上に、SiOxよりも更に緻密な膜、例えば、Si
Nの膜を設けることにより、SiOxの保護膜としての
機能をより高めることができる。この例を図3に示し
た。
2の上に、SiOxよりも更に緻密な膜、例えば、Si
Nの膜を設けることにより、SiOxの保護膜としての
機能をより高めることができる。この例を図3に示し
た。
【0045】この場合には、緻密で、保護膜としては優
れた特性を有しながら、ITOとの接合性の悪さから、
従来、ITOに対しては使用できなかった、SIN膜を
保護膜として使用することができ、耐環境性を向上させ
ることができる。また、SiNは誘電率がSiOxより
も高いため、トランジスタ等への用途においては、より
有用である。
れた特性を有しながら、ITOとの接合性の悪さから、
従来、ITOに対しては使用できなかった、SIN膜を
保護膜として使用することができ、耐環境性を向上させ
ることができる。また、SiNは誘電率がSiOxより
も高いため、トランジスタ等への用途においては、より
有用である。
【0046】なお、この場合も、新たに設ける膜は、S
iOxと電極との両方と接合性に優れたものに限られる
ことは当然である。
iOxと電極との両方と接合性に優れたものに限られる
ことは当然である。
【0047】以上説明してきた全ての実施例について、
具体的にワイヤボンディングを行い、引っ張り強度を測
定した。その結果、全ての実施例において、引っ張り強
度が10g以上と、十分な強度を示した。
具体的にワイヤボンディングを行い、引っ張り強度を測
定した。その結果、全ての実施例において、引っ張り強
度が10g以上と、十分な強度を示した。
【0048】なお、該測定条件は以下のとおりである。
【0049】
ワイヤ:φ30μm Au線
ボンディング:超音波加熱によるボ−ルボンディング
(ボ−ルφ90μm)
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、SnO2,In2O3を
含む膜、例えば、NESA膜、ITO膜の利用に際し
て、ワイヤボンディングの技術を適用することができ
る。
含む膜、例えば、NESA膜、ITO膜の利用に際し
て、ワイヤボンディングの技術を適用することができ
る。
【0051】この場合、基板上においてボンディングの
ために必要とする面積も、他の電極のボンディングの場
合と同様である。
ために必要とする面積も、他の電極のボンディングの場
合と同様である。
【0052】本発明の別の態様においても同様にワイヤ
ボンディングの技術が適用できる。この場合、ボンディ
ングは、基板上に設けられている他の電極等の上でも行
うことができ、設計の自由度が増した。さらに、耐環境
性等の点で優れたSiNを上述の導電成膜に対し利用で
きる。
ボンディングの技術が適用できる。この場合、ボンディ
ングは、基板上に設けられている他の電極等の上でも行
うことができ、設計の自由度が増した。さらに、耐環境
性等の点で優れたSiNを上述の導電成膜に対し利用で
きる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す構造図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す構造図である。
【図3】第2の実施例において、SiN膜を設けた例を
示す構造図である。
示す構造図である。
【図4】従来技術による接合部を示す構造図である。
1:ガラス基板、2:ITO、4:ボンディングパッ
ド、5:ワイヤ、22:領域、30:アモルファスシリ
コン膜、32:SiOx膜、34:SiN膜、42:電
極、70:基板、72:ITO、74:ボンディングパ
ッド、76:ワイヤ
ド、5:ワイヤ、22:領域、30:アモルファスシリ
コン膜、32:SiOx膜、34:SiN膜、42:電
極、70:基板、72:ITO、74:ボンディングパ
ッド、76:ワイヤ
Claims (7)
- 【請求項1】基板と、 In2O3,SnO2からなる群より選ばれた少なくとも
一種類の物質を含み、 上記基板上に設けられた導電性膜と、 上記導電性膜上に設けられた、シリコンを含む膜と、 該シリコンを含む膜上に設けられた金属膜と、 を備えたことを特徴とする電極構造。 - 【請求項2】上記シリコンを含む膜は、該膜に導電性を
付与しうる物質を含むことを特徴とする請求項1記載の
電極構造。 - 【請求項3】基板と、 In2O3,SnO2からなる群より選ばれた少なくとも
一種類の物質を含み、 上記基板上に設けられた導電性膜と、 上記導電性膜上に設けられたSiOxを含む膜と、 該SiOxを含む膜上に形成され、かつ、上記導電性膜
との電気的導通を有する金属膜と、 を備えたことを特徴とする電極構造。 - 【請求項4】上記SiOxを含む膜と、上記金属膜との
間には、SiNを含む膜が形成されていることを特徴と
する請求項3記載の電極構造。 - 【請求項5】In2O3,SnO2からなる群より選ばれ
た少なくとも一種類の物質を含む導電性膜と、金属との
接合を、Siを含む膜を介して行うことを特徴とする電
極接合方法。 - 【請求項6】In2O3,SnO2からなる群より選ばれ
た少なくとも一種類の物質を含む導電性膜と、金属との
接合を、上記導電性膜上にSiOxを含む膜を形成し、
さらに、その上に該導電性膜と電気的導通部分を有する
上記金属膜を形成して行うことを特徴とする電極接合方
法。 - 【請求項7】上記SiOxを含む膜と、上記金属膜との
間には、SiNを含む膜が形成されていることを特徴と
する請求項3記載の電極接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170923A JPH0521508A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170923A JPH0521508A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521508A true JPH0521508A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15913865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3170923A Pending JPH0521508A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521508A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008114396A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Fujitsu Limited | 積層型表示素子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3170923A patent/JPH0521508A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008114396A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Fujitsu Limited | 積層型表示素子及びその製造方法 |
JPWO2008114396A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2010-07-01 | 富士通株式会社 | 積層型表示素子及びその製造方法 |
US7852439B2 (en) | 2007-03-19 | 2010-12-14 | Fujitsu Limited | Multi-layer display element and manufacturing method for the same |
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