JPH0521419A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0521419A JPH0521419A JP17080191A JP17080191A JPH0521419A JP H0521419 A JPH0521419 A JP H0521419A JP 17080191 A JP17080191 A JP 17080191A JP 17080191 A JP17080191 A JP 17080191A JP H0521419 A JPH0521419 A JP H0521419A
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- JP
- Japan
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- etching
- inp substrate
- solution
- via hole
- hydrogen peroxide
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩｎＰ基板に短時間で良好なバイアホールを形
成する。 【構成】表面に半導体装置の形成されたＩｎＰ基板１に
バイアホール６を形成する際、塩酸，過酸化水素水，酢
酸の混合液でエッチングを行なうことにより、面方位依
存性が小さく、表面荒れなどのない良好なバイアホール
形状が得られる。またエッチング速度が速いので、短時
間で工程を完了することができる。
成する。 【構成】表面に半導体装置の形成されたＩｎＰ基板１に
バイアホール６を形成する際、塩酸，過酸化水素水，酢
酸の混合液でエッチングを行なうことにより、面方位依
存性が小さく、表面荒れなどのない良好なバイアホール
形状が得られる。またエッチング速度が速いので、短時
間で工程を完了することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にＩｎＰ基板を用いた超高周波用電界効果トラ
ンジスタあるいはヘテロ接合バイポーラトランジスタ等
のＩｎＰ基板へのバイアホールの形成方法に関する。
関し、特にＩｎＰ基板を用いた超高周波用電界効果トラ
ンジスタあるいはヘテロ接合バイポーラトランジスタ等
のＩｎＰ基板へのバイアホールの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＰ等の化合物半導体結晶は電子飽和
速度および電子移動度が大きいことから超高速，超高周
波用素子材料として注目され、これを用いた半導体装置
の検討がいくつか行なわれている。特にＩｎＰ基板を用
いたＭＩＳ型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）は
高電流、高耐圧が得られることから超高周波高出力ＦＥ
Ｔとしてのポテンシャリティーが高い。高周波高出力Ｆ
ＥＴでは通常、ＦＥＴチップの寄生インダクタンス低減
の為、ソース電極と基板裏面を電気的に接続するバイア
ホール構造が用いられている。またマイクロ波モノリシ
ック集積回路においても基板裏面との導通のためのバイ
アホールが不可欠である。このバイアホールを形成する
工程ではエッチング法は通常、硫酸と過酸化水素の混合
液、あるいは臭素とメタノールの混合液等を用いたウェ
ットエッチング法が用いられている。
速度および電子移動度が大きいことから超高速，超高周
波用素子材料として注目され、これを用いた半導体装置
の検討がいくつか行なわれている。特にＩｎＰ基板を用
いたＭＩＳ型電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）は
高電流、高耐圧が得られることから超高周波高出力ＦＥ
Ｔとしてのポテンシャリティーが高い。高周波高出力Ｆ
ＥＴでは通常、ＦＥＴチップの寄生インダクタンス低減
の為、ソース電極と基板裏面を電気的に接続するバイア
ホール構造が用いられている。またマイクロ波モノリシ
ック集積回路においても基板裏面との導通のためのバイ
アホールが不可欠である。このバイアホールを形成する
工程ではエッチング法は通常、硫酸と過酸化水素の混合
液、あるいは臭素とメタノールの混合液等を用いたウェ
ットエッチング法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩｎＰ基板へバイアホ
ールを形成する工程で用いられるエッチング液は、エッ
チング速度が高くかつ面方位依存性の小さいことが要求
される。しかしながら、上述の通常用いられているよう
なエッチング液をＩｎＰ基板のバイアホール形成に用い
た場合、エッチング速度が低い、面方位依存性が大き
い、ピットが発生するといった問題が生じ、良好なバイ
アホールを形成することは困難である。
ールを形成する工程で用いられるエッチング液は、エッ
チング速度が高くかつ面方位依存性の小さいことが要求
される。しかしながら、上述の通常用いられているよう
なエッチング液をＩｎＰ基板のバイアホール形成に用い
た場合、エッチング速度が低い、面方位依存性が大き
い、ピットが発生するといった問題が生じ、良好なバイ
アホールを形成することは困難である。
【０００４】本発明の目的はこのような問題点を解消
し、ＩｎＰ基板に短時間で良好なバイアホールを形成す
ることのできる半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
し、ＩｎＰ基板に短時間で良好なバイアホールを形成す
ることのできる半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
方法は、ＩｎＰ基板へのバイアホール形成のエッチング
液として、塩酸と過酸化水素水と酢酸の混合液を用いる
ものである。
方法は、ＩｎＰ基板へのバイアホール形成のエッチング
液として、塩酸と過酸化水素水と酢酸の混合液を用いる
ものである。
【０００６】
【作用】通常バイアホールは基板厚３０〜５０μｍを貫
通するものであるが、このようなバイアホール形成に用
いられるエッチング液に要求される条件として、上述の
ように、まずエッチング速度が速いことがあげられる。
また面方位依存性の大きなエッチング液では、開口面積
が小さいとバイアホールが貫通しないおそれがあるた
め、面方位依存性はなるべく小さくおさえなければなら
ない。さらにエッチング荒れ、ピットなどの発生が少な
いことが必要となる。
通するものであるが、このようなバイアホール形成に用
いられるエッチング液に要求される条件として、上述の
ように、まずエッチング速度が速いことがあげられる。
また面方位依存性の大きなエッチング液では、開口面積
が小さいとバイアホールが貫通しないおそれがあるた
め、面方位依存性はなるべく小さくおさえなければなら
ない。さらにエッチング荒れ、ピットなどの発生が少な
いことが必要となる。
【０００７】図２に本発明による塩酸、過酸化水素水、
酢酸の混合液の液温とＩｎＰ基板に対するエッチング速
度を示す。液温を３０℃に上げることにより、通常のバ
イアホールエッチング工程に十分なエッチング速度が得
られる。図３（ａ），（ｂ）に塩酸、過酸化水素水、酢
酸の混合液を用いた場合と、硫酸、過酸化水素水の混合
液を用いた場合のＩｎＰ基板のエッチングプロファイル
を示す。硫酸系のエッチング液は面方位依存性が大きい
のに対し本発明のエッチング液は比較的面方位依存性が
小さくエッチング面も急峻となる。以上のことから本発
明による塩酸、過酸化水素水、酢酸の混合液はＩｎＰ基
板のバイアホール形成のエッチング液として適当である
ことがわかる。
酢酸の混合液の液温とＩｎＰ基板に対するエッチング速
度を示す。液温を３０℃に上げることにより、通常のバ
イアホールエッチング工程に十分なエッチング速度が得
られる。図３（ａ），（ｂ）に塩酸、過酸化水素水、酢
酸の混合液を用いた場合と、硫酸、過酸化水素水の混合
液を用いた場合のＩｎＰ基板のエッチングプロファイル
を示す。硫酸系のエッチング液は面方位依存性が大きい
のに対し本発明のエッチング液は比較的面方位依存性が
小さくエッチング面も急峻となる。以上のことから本発
明による塩酸、過酸化水素水、酢酸の混合液はＩｎＰ基
板のバイアホール形成のエッチング液として適当である
ことがわかる。
【０００８】尚、混合液中の塩酸の量は過酸化水素水の
５倍以上が好ましく、それより少くなると、エッチング
面が荒れる。またバッファ液としての酢酸の量は過酸化
水素水と同量以上が好ましく、それ以下になるとエッチ
ング速度が速くなり、表面が荒れる。
５倍以上が好ましく、それより少くなると、エッチング
面が荒れる。またバッファ液としての酢酸の量は過酸化
水素水と同量以上が好ましく、それ以下になるとエッチ
ング速度が速くなり、表面が荒れる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
る。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。
【００１０】まず図１（ａ）に示すように、表面にＦＥ
Ｔが作製されたＩｎＰ基板１の裏面のソース電極４と対
応する位置にフォトレジスト膜５でバイアホール開口用
のパターンを形成する。次に図１（ｂ）に示すようにフ
ォトレジスト膜５をマスクにして液温２０〜３０℃の塩
酸：過酸化水素水：酢酸＝２０：１：２０の混合液でＩ
ｎＰ基板１をエッチングしてバイアホール６を開口す
る。最後に図１（ｃ）に示すように、ＩｎＰ基板１の裏
面に金メッキ層７を形成して導通工程を完了させる。
Ｔが作製されたＩｎＰ基板１の裏面のソース電極４と対
応する位置にフォトレジスト膜５でバイアホール開口用
のパターンを形成する。次に図１（ｂ）に示すようにフ
ォトレジスト膜５をマスクにして液温２０〜３０℃の塩
酸：過酸化水素水：酢酸＝２０：１：２０の混合液でＩ
ｎＰ基板１をエッチングしてバイアホール６を開口す
る。最後に図１（ｃ）に示すように、ＩｎＰ基板１の裏
面に金メッキ層７を形成して導通工程を完了させる。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ＩｎＰ基板を用いた半導体装置に対して短時
間で形状のよい良好なバイアホールを形成することがで
きるという効果がある。
によれば、ＩｎＰ基板を用いた半導体装置に対して短時
間で形状のよい良好なバイアホールを形成することがで
きるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図。
プの断面図。
【図２】実施例におけるエッチング液の液温とエッチン
グ速度の関係を示す図。
グ速度の関係を示す図。
【図３】従来のエッチング液によるＩｎＰ基板のエッチ
ングプロファイルと本発明によるエッチング液のエッチ
ングプロファイルを示す図。
ングプロファイルと本発明によるエッチング液のエッチ
ングプロファイルを示す図。
１ ＩｎＰ基板
２ ドレイン電極
３ ゲート電極
４ ソース電極
５ フォトレジスト膜
６ バイアホール
７ 金メッキ層
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板上に半導体素子を形成したの
ちこのＩｎＰ基板にウェットエッチング法によりバイア
ホールを形成する半導体装置の製造方法において、エッ
チング液として塩酸と過酸化水素水と酢酸の混合液を用
いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 混合液中の塩酸は過酸化水素水の５倍以
上である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17080191A JPH0521419A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17080191A JPH0521419A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521419A true JPH0521419A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15911604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17080191A Pending JPH0521419A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198616A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法 |
| US7619334B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Motor having a highly reliable grounding structure and electric equipment on which the motor is mounted |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17080191A patent/JPH0521419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198616A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法 |
| US7619334B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Motor having a highly reliable grounding structure and electric equipment on which the motor is mounted |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |