JPH0520921A - 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 - Google Patents
導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板Info
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- JPH0520921A JPH0520921A JP14847991A JP14847991A JPH0520921A JP H0520921 A JPH0520921 A JP H0520921A JP 14847991 A JP14847991 A JP 14847991A JP 14847991 A JP14847991 A JP 14847991A JP H0520921 A JPH0520921 A JP H0520921A
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- Japan
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- conductive paste
- solid lubricant
- conductive
- conductive filler
- chip
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品の電極パッドと基板上の電極群との
接続に際して熱ストレスによる応力を緩和することが可
能な導電性ペーストを得ること、およびこれを用いて信
頼性の高い実装基板を得ること。 【構成】 導電性フィラーと一般式 【化１】で示されるポリビニルブチラールのバインダ、
溶剤、固体潤滑剤からなる導電性ペースト。および電子
部品の電極パッドと基板上の端子電極群を前記導電性ペ
ーストを介して接続された実装基板。
接続に際して熱ストレスによる応力を緩和することが可
能な導電性ペーストを得ること、およびこれを用いて信
頼性の高い実装基板を得ること。 【構成】 導電性フィラーと一般式 【化１】で示されるポリビニルブチラールのバインダ、
溶剤、固体潤滑剤からなる導電性ペースト。および電子
部品の電極パッドと基板上の端子電極群を前記導電性ペ
ーストを介して接続された実装基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップに代表され
るチップ状の電子部品を基板上の端子電極に接続するた
めに用いられる導電性ペーストおよびこれを用いた実装
基板に関するものである。
るチップ状の電子部品を基板上の端子電極に接続するた
めに用いられる導電性ペーストおよびこれを用いた実装
基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品の接続端子と基板上の回
路パターン端子との接続には半田がよく利用されていた
が、近年、たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化
と、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くな
り、従来の半田付け技術で対処することが困難になって
きた。
路パターン端子との接続には半田がよく利用されていた
が、近年、たとえばＩＣフラットパッケージ等の小型化
と、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くな
り、従来の半田付け技術で対処することが困難になって
きた。
【０００３】また、最近では電卓、電子時計あるいは液
晶ディスプレイなどにあっては、裸のＩＣチップを基板
上の電極に直付けして実装面積の効率的利用を図ろうと
する動きがあり、有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれている。裸のＩＣチップを基板の電極と電気的に
接続する方法としては、ＩＣチップの電極パッド上に形
成した突出接点（Ａｕバンプ）と基板の端子電極群とを
熱硬化タイプの導電性ペーストを用いて接続する方法が
知られている。
晶ディスプレイなどにあっては、裸のＩＣチップを基板
上の電極に直付けして実装面積の効率的利用を図ろうと
する動きがあり、有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれている。裸のＩＣチップを基板の電極と電気的に
接続する方法としては、ＩＣチップの電極パッド上に形
成した突出接点（Ａｕバンプ）と基板の端子電極群とを
熱硬化タイプの導電性ペーストを用いて接続する方法が
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の熱
硬化タイプの導電性ペーストではＩＣチップと回路基板
との熱膨張係数が異なるため熱ストレスによる応力によ
って接続部の劣化が生じやすいという問題があった。
硬化タイプの導電性ペーストではＩＣチップと回路基板
との熱膨張係数が異なるため熱ストレスによる応力によ
って接続部の劣化が生じやすいという問題があった。
【０００５】本発明は上記問題点に鏡みてなされたもの
であり、その目的とするところは、電子部品の電極パッ
ドと基板上の電極群との接続に際して熱ストレスによる
応力を緩和することが可能な導電性ペーストを得ること
およびこれを用いて信頼性の高い実装基板を得ることに
ある。
であり、その目的とするところは、電子部品の電極パッ
ドと基板上の電極群との接続に際して熱ストレスによる
応力を緩和することが可能な導電性ペーストを得ること
およびこれを用いて信頼性の高い実装基板を得ることに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、一般式が（化１）で示されるポリビニルブ
チラールをバインダとする応力緩和が可能な導電性接着
剤を実現し、ＩＣチップと回路基板の端子電極との電気
的接続において前記導電性ペーストを用いて熱ストレス
による応力の緩和を実現しようとするものである。
決するため、一般式が（化１）で示されるポリビニルブ
チラールをバインダとする応力緩和が可能な導電性接着
剤を実現し、ＩＣチップと回路基板の端子電極との電気
的接続において前記導電性ペーストを用いて熱ストレス
による応力の緩和を実現しようとするものである。
【０００７】
【作用】本発明の上記した方法によれば、一般式が（化
１）で示されるポリビニルブチラールをバインダとする
導電性ペーストを用いることにより冷熱衝撃試験などで
生じる熱ストレスによる応力を緩和し、さらに潤滑剤添
加によって導電性フィラー同士の接触状態を良好に保た
れ信頼性の高い電気的接続を図れる。
１）で示されるポリビニルブチラールをバインダとする
導電性ペーストを用いることにより冷熱衝撃試験などで
生じる熱ストレスによる応力を緩和し、さらに潤滑剤添
加によって導電性フィラー同士の接触状態を良好に保た
れ信頼性の高い電気的接続を図れる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例の導電性ペーストと
これを用いた実装基板について図面に基づき詳細に説明
する。
これを用いた実装基板について図面に基づき詳細に説明
する。
【０００９】（図１）は本発明の導電性ペーストを用い
た実装基板の構造断面図である。（図１）において１は
導電性ペースト、２はＩＣチップ、３はＩＣチップの電
極パッド、４はＡｕバンプ（突出接点）、５はＡｕ厚膜
電極、６はガラス基板である。
た実装基板の構造断面図である。（図１）において１は
導電性ペースト、２はＩＣチップ、３はＩＣチップの電
極パッド、４はＡｕバンプ（突出接点）、５はＡｕ厚膜
電極、６はガラス基板である。
【００１０】本発明の実施例では、導電性ペースト１と
して導電性フィラーにＡｇ粉体（粒度0.2〜9μｍ）、Ａ
ｇＰｄ合金粉体（粒度0.1〜15μｍ）、Ａｕ粉体（粒度
0.5〜1.2μｍ）、バインダーに一般式（化１）で示され
るポリビニルブチラール（ユニオン・カーバイド(株)
製、数平均分子量約120,000）、溶剤としてジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、固体潤滑剤として二硫
化タングステン、二硫化モリブテン、β硫化タンタル、
セレン化チタン、βセレン化ニオブを用いて作製したも
のを使用した。このときの導電フィラーの含有率は固形
分体積に対して85vol%とした。溶剤の量はビヒクル濃度
で10wt%とした。固体潤滑剤は導電性フィラーに対し重
量比で0.02〜0.08の割合で添加した。導電性ペースト１
をＡｕバンプ４を施されたＩＣチップ２に転写し、Ａｕ
バンプ４を導電性ペースト１を介してガラス基板６上の
Ａｕ厚膜電極５に接続し試料を作製した。
して導電性フィラーにＡｇ粉体（粒度0.2〜9μｍ）、Ａ
ｇＰｄ合金粉体（粒度0.1〜15μｍ）、Ａｕ粉体（粒度
0.5〜1.2μｍ）、バインダーに一般式（化１）で示され
るポリビニルブチラール（ユニオン・カーバイド(株)
製、数平均分子量約120,000）、溶剤としてジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、固体潤滑剤として二硫
化タングステン、二硫化モリブテン、β硫化タンタル、
セレン化チタン、βセレン化ニオブを用いて作製したも
のを使用した。このときの導電フィラーの含有率は固形
分体積に対して85vol%とした。溶剤の量はビヒクル濃度
で10wt%とした。固体潤滑剤は導電性フィラーに対し重
量比で0.02〜0.08の割合で添加した。導電性ペースト１
をＡｕバンプ４を施されたＩＣチップ２に転写し、Ａｕ
バンプ４を導電性ペースト１を介してガラス基板６上の
Ａｕ厚膜電極５に接続し試料を作製した。
【００１１】このとき接着強度を補うためにＩＣチップ
２を封止剤で覆うことも可能である。以上のようにして
作製した実装基板をー40℃/30分〜+125℃30分の冷熱衝撃
試験を行なった。比較のために固体潤滑剤を添加してい
ない試料についても同様な試験を行なった。ＩＣチップ
２とＡｕ厚膜電極５との間の抵抗値が初期値に対して２
倍以上になる回数を（表１）に示した。
２を封止剤で覆うことも可能である。以上のようにして
作製した実装基板をー40℃/30分〜+125℃30分の冷熱衝撃
試験を行なった。比較のために固体潤滑剤を添加してい
ない試料についても同様な試験を行なった。ＩＣチップ
２とＡｕ厚膜電極５との間の抵抗値が初期値に対して２
倍以上になる回数を（表１）に示した。
【００１２】
【表１】
【００１３】本発明における導電性ペーストは従来の熱
硬化性の導電性ペーストと比較して、かなりの寿命延長
が認められる。特にフィラーがＡｕ、その含有率が80〜
90％のものが良好であった。
硬化性の導電性ペーストと比較して、かなりの寿命延長
が認められる。特にフィラーがＡｕ、その含有率が80〜
90％のものが良好であった。
【００１４】尚、本実施例では導電性フィラーとしてＡ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ａｕ粉体について述べたがその限りでは
なく、ＡｇＡｕ混合粉体の使用も可能である。また、他
の実施例としてチップ状の電子部品についてもＩＣチッ
プと同様の効果が得らる。
ｇ、ＡｇＰｄ、Ａｕ粉体について述べたがその限りでは
なく、ＡｇＡｕ混合粉体の使用も可能である。また、他
の実施例としてチップ状の電子部品についてもＩＣチッ
プと同様の効果が得らる。
【００１５】ポリビニルブチラールの分子量については
100,000以下のものにつても実施したが100,000〜150,00
0のものほど良好な結果は得られなかった。本実施例で
は固体潤滑剤として二硫化タングステン、二硫化モリブ
テン、β硫化タンタル、セレン化チタン、βセレン化ニ
オブを使用したがその限りではなく、二硫化チタン、二
硫化ニオブ、セレン化タングステン、セレン化モリブテ
ン、セレン化タンタルを使用することも可能である。
100,000以下のものにつても実施したが100,000〜150,00
0のものほど良好な結果は得られなかった。本実施例で
は固体潤滑剤として二硫化タングステン、二硫化モリブ
テン、β硫化タンタル、セレン化チタン、βセレン化ニ
オブを使用したがその限りではなく、二硫化チタン、二
硫化ニオブ、セレン化タングステン、セレン化モリブテ
ン、セレン化タンタルを使用することも可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の導電性
ペーストを用いれば熱ストレスによる応力の緩和に優れ
たＩＣチップと基板との接続を行なうことが可能であ
る。
ペーストを用いれば熱ストレスによる応力の緩和に優れ
たＩＣチップと基板との接続を行なうことが可能であ
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構造断面図
１ 導電性ペースト
２ ＩＣチップ
３ ＩＣチップの電極パッド
４ Ａｕバンプ（突出電極）
５ Ａｕ厚膜電極
６ ガラス基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ 9154−4Ｅ
Claims (8)
- 【請求項１】 導電性フィラーとバインダーと溶剤およ
び固体潤滑剤からなり、前記バインダーが一般式 【化１】 で示されるポリビニルブチラールであることを特徴とす
る導電性ペースト。 - 【請求項２】 導電性フィラーがＡｇ、Ｐｄ、Ａｕの少
なくとも１種以上からなり、その粒度分布が15μｍ以下
であり、かつ体積含有率が固形分体積の80〜90％である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。 - 【請求項３】 導電性フィラーがＡｇ、Ｐｄ、Ａｕの少
なくとも１種以上からなり、その粒度分布が15μｍ以下
であり、固体潤滑剤がタングステン、モリブテン、チタ
ン、ニオブ、タンタルのそれぞれの硫化物もしくはセレ
ン化物のいずれか１種以上からなり、導電性フィラーと
固体潤滑剤の総体積含有率が80〜90%でありかつ導電性
フィラーに対する固体潤滑剤の重量比が0.02〜0.08であ
ることを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。 - 【請求項４】 ポリビニルブチラールの数平均分子量が
100,000〜150,000であり、固体潤滑剤がタングステン、
モリブテン、チタン、ニオブ、タンタルのそれぞれの硫
化物もしくはセレン化物のいずれか１種以上からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。 - 【請求項５】 導電性フィラーがＡｕ、その形状が球
形、粒度分布が5μｍ以下、固体潤滑剤がタングステ
ン、モリブテン、チタン、ニオブ、タンタルのそれぞれ
の硫化物もしくはセレン化物のいずれか１種以上からな
り、導電性フィラーと固体潤滑剤の総体積含有率が80〜
90%でありかつ導電性フィラーに対する固体潤滑剤の重
量比が0.02〜0.08であることを特徴とする請求項１に記
載の導電性ペースト。 - 【請求項６】 導電性フィラーがＡｕ、その形状が球
形、粒度分布が5μｍ以下、体積含有率が固形分体積の8
0〜90％であり、ポリビニルブチラールの数平均分子量
が100,000〜150,000であり、固体潤滑剤がタングステ
ン、モリブテン、チタン、ニオブ、タンタルのそれぞれ
の硫化物もしくはセレン化物のいずれか１種以上からな
ることを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。 - 【請求項７】 チップ状の電子部品の電極パッド上に形
成した突出接点と回路基板上の端子電極とを請求項１、
２、３、４、５、６のいずれかに記載された導電性ペー
ストにより接続することを特徴とする実装基板。 - 【請求項８】 チップ状の電子部品の電極パッドと回路
基板上の端子電極とを請求項１、２、３、４、５、６い
ずれかに記載された導電性ペーストにより接続すること
を特徴とする実装基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14847991A JPH0520921A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14847991A JPH0520921A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520921A true JPH0520921A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15453679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14847991A Pending JPH0520921A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 導電性ペーストおよびこれを用いた実装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520921A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002919A1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Procede et moule de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, dispositif a semiconducteur, et procede de montage du dispositif |
| US6215185B1 (en) * | 1998-12-11 | 2001-04-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| US7914885B2 (en) * | 2005-08-31 | 2011-03-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Conductive paste, photovoltaic apparatus and method of manufacturing photovoltaic apparatus |
| JP2011139019A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを用いた積層セラミックキャパシタの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14847991A patent/JPH0520921A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002919A1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Procede et moule de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, dispositif a semiconducteur, et procede de montage du dispositif |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| US6215185B1 (en) * | 1998-12-11 | 2001-04-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module |
| US7914885B2 (en) * | 2005-08-31 | 2011-03-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Conductive paste, photovoltaic apparatus and method of manufacturing photovoltaic apparatus |
| JP2011139019A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを用いた積層セラミックキャパシタの製造方法 |
| US8332996B2 (en) | 2009-12-30 | 2012-12-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste composition for inner electrodes and method of manufacturing multilayer capacitor |
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